CN104181714B - Goa布局方法、阵列基板和显示装置 - Google Patents

Goa布局方法、阵列基板和显示装置 Download PDF

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Abstract

一种GOA布局方法、阵列基板和显示装置。该阵列基板包括多个GOA单元组，每个GOA单元组包括相邻的两个GOA单元。所述多个GOA单元组包括第一GOA单元组，所述第一GOA单元组的两个GOA单元具有交叠区域，所述交叠区域中设有至少一个过孔，所述至少一个过孔将所述第一GOA单元组的两个GOA单元电连接。该阵列基板可以提高栅线的密度。

Description

GOA布局方法、阵列基板和显示装置
技术领域
本发明至少一个实施例涉及一种GOA布局方法、阵列基板和显示装置。
背景技术
TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶显示器)是目前常见的液晶显示器产品。在TFT-LCD中，通常每一个像素都设有一个薄膜晶体管，而每一个像素的薄膜晶体管都需要与相应的栅极驱动电路相连接，以控制该像素内液晶透光度的变化，进而控制像素色彩的变化。GOA(Gate Driver on Array,阵列基板行驱动)电路技术是目前TFT-LCD中常用的一种栅极驱动电路技术。在该技术中，栅极驱动电路被直接制作在阵列基板上，从而省掉栅极驱动集成电路部分，以便降低成本。
图1为一种GOA布局结构示意图。如图1所示，GOA电路位于显示面板的显示区(AA区域)外的边缘处，包括信号线SL和多个GOA单元。每个GOA单元的输出端连接一条栅线，该栅线连接到显示面板的显示区中的一行像素，即每个GOA单元对应TFT-LCD的一行像素；另外，每一GOA单元的输出端还通过导线连接到下一GOA单元的输入端，用以开启下一GOA单元。在TFT-LCD的工作过程中，需要依次给每一行像素提供栅极驱动电压，因此对应每一行像素的GOA单元就需要依次开始工作。
发明内容
本发明至少一个实施例提供一种GOA布局方法、阵列基板和显示装置，用以提高栅线的密度。
本发明至少一个实施例提供了一种阵列基板，其包括多个GOA单元组，每个GOA单元组包括相邻的两个GOA单元。所述多个GOA单元组包括第一GOA单元组，所述第一GOA单元组的两个GOA单元具有交叠区域，所述交叠区域中设有至少一个过孔，所述至少一个过孔将所述第一GOA单元组的两个GOA单元电连接。例如，所述交叠区域中设有至少两个过孔。
例如，所述第一GOA单元组的两个GOA单元的走线部分相互交叠以形成所述交叠区域。
例如，所述第一GOA单元组的一个或两个GOA单元的摆放方式可以为斜向摆放。
例如，所述多个GOA单元组还可以包括第二GOA单元组，所述第二GOA单元组的两个GOA单元通过导线电连接。
例如，所述斜向摆放的GOA单元可以与弯曲的导线连接。
例如，所述GOA单元的剖面形状和/或平面形状可以为折线形。例如，所述折线形可以为凹形或L形。
本发明至少一个实施例还提供了一种显示装置，其包括上述任一项所述的阵列基板。
本发明至少一个实施例还提供了一种GOA布局方法，该方法包括：提供多个GOA单元组，每个GOA单元组包括相邻的两个GOA单元，其中，所述多个GOA单元组包括第一GOA单元组，所述第一GOA单元组的两个GOA单元具有交叠区域，所述交叠区域中设有至少一个过孔，所述至少一个过孔将所述第一GOA单元组的两个GOA单元电连接。
例如，所述交叠区域中设有至少两个过孔。
例如，所述方法还可以包括：将所述第一GOA单元组的一个或两个GOA单元斜向摆放。
例如，所述多个GOA单元组还可以包括第二GOA单元组，所述第二GOA单元组的两个GOA单元通过导线电连接。
例如，所述方法还可以包括：将所述斜向摆放的GOA单元与弯曲的导线连接。
在本发明的至少一个实施例中，相邻的GOA单元之间采用过孔电连接，与导线连接的方式相比，GOA单元之间可以互相交叠，因而可以提高栅线的密度，进而可以提高显示分辨率。在本发明的至少一个实施例中，相邻的GOA单元之间可以采用至少两个过孔连接，这样增加了相邻GOA单元之间的连接路径，因而提高了显示面板的稳定性。在本发明的至少一个实施例中，由于GOA单元可以斜向摆放，这样可以实现窄边框的显示面板的效果；再一方面，还可以利用更多的弯曲的导线，从而提高显示面板的稳定性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本发明的一些实施例，而非对本发明的限制。
图1为一种GOA布局结构示意图；
图2为本发明一个实施例提供的阵列基板的GOA布局结构示意图；
图3为图2所示的GOA布局结构沿A-A′方向的剖视图；
图4为本发明再一实施例提供的阵列基板的GOA布局结构示意图；
图5为图4所示的GOA布局结构沿B-B′方向的剖视图；
图6为本发明另一实施例提供的阵列基板的GOA布局结构示意图；
图7为本发明另一实施例提供的阵列基板的GOA布局结构示意图；
图8a为采用图1所示的GOA布局结构的显示面板的结构示意图，图8b为本发明一个实施例提供的显示面板的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
在图1所示的GOA布局结构中，每个GOA单元对应一条栅线，因此，栅线的数量和布置受到GOA单元数量和布置的限制，这使得相应的显示显示装置的分辨率的提高受到限制。
本发明至少一个实施例采用过孔连接相邻的GOA单元，使得GOA单元之间可以互相交叠，从而在不减小GOA本身面积的情况下，提高GOA的布置密度，以提高栅线的密度，在无需改变GOA单元对应的栅线数量的前提下，即可实现显示分辨率的提高。
本发明至少一个实施例提供了一种阵列基板。该阵列基板包括多个GOA单元组，每个GOA单元组包括相邻的两个GOA单元。多个GOA单元组包括第一GOA单元组，第一GOA单元组的两个GOA单元具有交叠区域，交叠区域中设有至少一个过孔，所述至少一个过孔将第一GOA单元组的两个GOA单元电连接。在本发明实施例中，由于相邻的GOA单元之间采用过孔电连接，与使用导线电连接的方式相比，GOA单元之间可以互相交叠，因而GOA所占用的面积得以减小，进而可以提高栅线的密度，进而提高显示分辨率。
在图1所示的GOA布局结构中，第n+1行GOA单元在接收到第n行GOA单元的触发信号后，才能开始工作。当某一行GOA单元因出现异常情况而不能进行正常的输出时，其下一行GOA单元也不能正常工作，进而后面的GOA单元也无法正常工作，使得液晶显示器无法正常显示。
在本发明至少一个实施例提供的阵列基板中，交叠区域可以设置至少两个过孔。由于相邻的GOA单元之间可以采用至少两个过孔连接，当一个过孔因受到外力作用而损坏时，相邻的GOA单元还可以通过其他过孔电连接，与采用导线连接的方式相比，这增加了相邻GOA单元之间的连接路径，因而提高了显示面板的稳定性。例如，在柔性显示屏中，可以采用至少两个过孔连接相邻的GOA单元，以提高GOA单元的抗弯折能力，进而提高该柔性显示屏的抗弯折能力。
在一个实施例中，所述至少两个过孔可以沿GOA单元的走线部分排列成一行，例如，可以在如图2所示的每个过孔H的左侧沿与栅线平行的方向设置更多的过孔。在一个实施例中，所述至少两个过孔还可以沿其连接的两个GOA单元的连线方向设置，例如，如图4所示的两个过孔H沿其连接的两个GOA单元的连线方向设置。当然，本发明的实施例不限于此。
在一个实施例中，所述第一GOA单元组的两个GOA单元具有交叠区域，可以包括如下情形。所述第一GOA单元组的两个GOA单元的走线部分相互交叠。每个GOA单元包括走线部分和电路部分，电路部分主要包括例如TFT等器件，而走线部分则包括这些器件与外部的连接导线。在一个示例中，如图2和图3所示，每个GOA单元的走线部分(line部分)可以被分成两部分，这两部分分别位于电路部分(logic部分)的两侧。每相邻的两个GOA单元组成一个第一GOA单元组，例如GOA1和GOA2，GOA2和GOA3；GOA2两侧的走线部分分别与GOA1和GOA3的走线部分交叠，并且在交叠区域中各设有一个过孔H，以将两个彼此相邻的GOA的走线部分电连接。使得相邻GOA单元互相交叠并采用过孔电连接的方式，与采用导线电连接的方式相比，沿垂直于栅线的方向在单位长度内可以设置更多的GOA单元，因而在单位长度内可以设置更多的栅线，因此提高了栅线的密度，进而提高了显示分辨率。
需要注意的是，GOA2的走线部分可以与其电路部分不同层设置(如GOA2的剖面形状为折线形，如图3所示)，也可以与其电路部分同层设置(即GOA2的剖面形状为直线形，如图5所示)。例如，当GOA2的走线部分与其电路部分同层设置时，GOA1与GOA3可以并排放置，而GOA2设置在GOA1与GOA3的上层且位于二者之间，如图5所示；或者GOA1与GOA3之间可以设有绝缘层，以填充二者之间的空隙以形成平坦的上表面，且GOA2至少部分设置在GOA1与GOA3之间的绝缘层的上层。图中示出的结构仅用于示范性说明，本发明的实施例不限于此。
为了增加GOA布局结构的灵活性，作为图2的变型，在一个实施例中，所述阵列基板可以包括：将第一GOA单元组的一个GOA单元斜向摆放。例如，如图6所示，各GOA单元通过两个过孔H首尾相接，奇数号GOA单元水平摆放，偶数号GOA单元则位于其相邻的GOA单元的上方并且斜向摆放。当然，偶数号GOA单元还可以一端位于与其相邻的一个GOA单元的上方，而另一端位于与其相邻的另一个GOA单元的下方；相邻的两个奇数号GOA单元可以如图6所示的并排放置以获得更大的栅线密度，也可以根据实际需要设置为相距一定距离。但本发明的实施例不限于此。
在另一个实施例中，所述阵列基板可以包括：将第一GOA单元组的两个GOA单元斜向摆放，例如与栅线的水平延伸方向成一锐角。例如，第一GOA单元组的两个GOA单元斜向摆放的方向和角度一致，如图4和图5所示，GOA2的走线部分分别与GOA1和GOA3的走线部分具有交叠区域，在交叠区域中各设有至少两个过孔H；GOA2的走线部分与其电路部分同层设置，GOA1和GOA3并排放置，GOA2斜向设置在GOA1和GOA3的上层且位于二者之间。与水平摆放的方式相比，如图8a和图8b所示，这种斜向摆放方式可以减小GOA单元沿栅线方向所占的宽度，从而可以实现窄边框的显示面板的效果。此外，由于斜向摆放的GOA单元之间可以具有交叠区域并且通过过孔电连接，沿垂直于栅线的方向仍然可以设置通过在单位长度内设置更多的GOA单元以提高显示分辨率。
在一个实施例中，所述多个GOA单元组还可以包括第二GOA单元组，所述第二GOA单元组的两个GOA单元通过导线电连接。由于采用第一GOA单元组和第二GOA单元组，两个相邻的GOA单元之间可以通过过孔或者导线电连接，这使得GOA单元的摆放方式可以更加灵活。例如，GOA单元之间可以采用过孔连接和导线连接交替的方式，即第一GOA单元组与第二GOA单元组彼此交替的方式。如图7所示，GOA2和GOA3，GOA4和GOA5，GOA6和GOA7分别采用过孔连接(即分别组成第一GOA单元组)；GOA1和GOA2，GOA3和GOA4，GOA5和GOA6，GOA7和GOA8分别采用导线连接(即分别组成第二GOA单元组)。这种布局方式使得GOA单元在垂直于栅线的方向上占据的空间更小，从而沿垂直于栅线的方向可以设置更多的GOA单元以提高栅线的密度，进而提高显示分辨率。
在一个实施例中，所述阵列基板还可以包括：将所述斜向摆放的GOA单元与弯曲的导线连接，例如，弯曲的信号线。如图4和图7所示，斜向摆放的GOA单元可以与弯曲的信号线SL′连接。与采用普通的直线延伸的导线相比，采用弯曲的导线，在有外力作用情况下，只有该外力的分量而非全部的力作用于该弯曲的导线上，这使得该导线不容易损坏，因此，采用弯曲的导线能够进一步提高显示面板的稳定性，并且，采用弯曲的导线的方式尤其适用于柔性显示屏。需要注意的是，各附图中的信号线仅是示例性的说明，在实践中，每个GOA单元的信号线可以不止一条，并且其信号线可以包括VGL，VGH，时钟(clock)信号线等。
在一个实施例中，所述GOA单元的剖面形状和/或平面形状为折线形。例如，所述折线形为凹形，如图3中的虚线部分所示，GOA2、GOA4等的剖面形状为凹形；例如，所述折线形为L形，如图7中的虚线部分所示，各GOA单元的平面形状为L形。这样进一步增加了GOA单元的摆放方式的灵活性。当然，本发明的实施例不限于此。例如，GOA单元的剖面形状和平面形状还可以均为折线形。
本发明至少一个实施例还提供了另一种阵列基板，该阵列基板包括多个GOA单元，所述多个GOA单元斜向摆放。与水平摆放的方式，如图8a和图8b所示，斜向摆放也可以减小GOA单元沿栅线方向所占的宽度，从而可以实现窄边框的显示面板的效果。
在不同实施例中，所述斜向摆放的GOA单元与其相邻的GOA单元可以通过导线和/或过孔电连接。由于斜向摆放的GOA单元与其相邻的GOA单元之间可以通过过孔和/或导线电连接，这使得GOA单元的斜向摆放的方式可以更加灵活。例如，GOA单元之间可以采用过孔连接和导线连接交替的方式，即第一GOA单元组与第二GOA单元组彼此交替的方式，如图7所示，在此不再赘述。此外，当斜向摆放的GOA单元与其相邻的GOA单元通过过孔连接时，这两个GOA单元之间可以互相交叠，因而可以提高栅线的密度，进而提高显示分辨率。在一个示例中，相邻的GOA单元之间可以采用至少两个过孔连接，当一个过孔因受到外力作用而损坏时，相邻的GOA单元还可以通过其他过孔连接，这样增加了相邻GOA单元之间的连接路径，因而提高了显示面板的稳定性。尤其是在柔性显示屏中，采用至少两个过孔连接相邻的GOA单元可以提高GOA单元的抗弯折能力，进而提高该柔性显示屏的抗弯折能力。
在一个实施例中，所述阵列基板还可以包括：与所述斜向摆放的GOA单元连接的弯曲的导线，例如，弯曲的信号线。如图4和图7所示，斜向摆放的GOA单元可以与弯曲的信号线SL′连接。与采用普通导线相比，采用弯曲的导线，在有外力作用情况下，只有该外力的分量而非全部的力作用于该弯曲的导线上，这使得该导线不容易损坏，因此，采用弯曲的导线能够进一步提高显示面板的稳定性，并且，采用弯曲的导线的方式尤其适用于柔性显示屏。
需要注意的是，在本发明至少一个实施例提供的阵列基板中，关于过孔、斜向摆放方式和弯曲的导线的设置及相关描述可参考上文，重复之处不再赘述。
本发明至少一个实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括上述任一实施例所述的阵列基板。该显示装置可以为液晶面板、电子纸、OLED面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
本发明至少一个实施例还提供了一种GOA的布局方法，该方法包括：提供多个GOA单元组，每个GOA单元组包括相邻的两个GOA单元，其中，所述多个GOA单元组包括第一GOA单元组，所述第一GOA单元组的两个GOA单元具有交叠区域，所述交叠区域中设有至少一个过孔，所述至少一个过孔将所述第一GOA单元组的两个GOA单元电连接。
在不同的实施例中，所述交叠区域中可以设有至少两个过孔。
在不同的实施例中，所述GOA布局方法还可以包括：将所述第一GOA单元组的一个或两个GOA单元斜向摆放。
在一个实施例中，所述多个GOA单元组还可以包括第二GOA单元组，所述第二GOA单元组的两个GOA单元通过导线电连接。
在一个实施例中，所述GOA布局方法还可以包括：将所述斜向摆放的GOA单元与弯曲的导线连接。
本发明至少一个实施例提供的GOA布局方法中，过孔、斜向摆放方式和弯曲的导线的设置及相关描述可参考上文，重复之处不再赘述。
综上所述，在本发明的至少一个实施例中，相邻的GOA单元之间采用过孔电连接，与导线连接的方式相比，GOA单元之间可以互相交叠，因而可以提高栅线的密度，进而可以提高显示分辨率。在本发明的至少一个实施例中，相邻的GOA单元之间可以采用至少两个过孔连接，这样增加了相邻GOA单元之间的连接路径，因而提高了显示面板的稳定性。在本发明的至少一个实施例中，由于GOA单元可以斜向摆放，这样可以实现窄边框的显示面板的效果；再一方面，还可以利用更多的弯曲的导线，从而提高显示面板的稳定性。
以上所述仅是本发明的示范性实施方式，而非用于限制本发明的保护范围，本发明的保护范围由所附的权利要求确定。

Claims (14)

1.一种阵列基板，包括多个GOA单元组，每个GOA单元组包括相邻的两个GOA单元，其中，所述多个GOA单元组包括第一GOA单元组，所述第一GOA单元组的两个GOA单元具有交叠区域，所述交叠区域中设有至少一个过孔，所述至少一个过孔将所述第一GOA单元组的两个GOA单元电连接。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其中，所述交叠区域中设有至少两个过孔。
3.如权利要求1或2所述的阵列基板，其中，所述第一GOA单元组的两个GOA单元的走线部分相互交叠以形成所述交叠区域。
4.如权利要求1所述的阵列基板，其中，所述第一GOA单元组的一个或两个GOA单元的摆放方式为斜向摆放。
5.如权利要求4所述的阵列基板，其中，所述多个GOA单元组还包括第二GOA单元组，所述第二GOA单元组的两个GOA单元通过导线电连接。
6.如权利要求4或5所述的阵列基板，其中，所述斜向摆放的GOA单元与弯曲的导线连接。
7.如权利要求6所述的阵列基板，其中，所述GOA单元的剖面形状和/或平面形状为折线形。
8.如权利要求7所述的阵列基板，其中，所述折线形为凹形或L形。
9.一种显示装置，包括如权利要求1-8任一所述的阵列基板。
10.一种GOA布局方法，包括：提供多个GOA单元组，每个GOA单元组包括相邻的两个GOA单元，其中，所述多个GOA单元组包括第一GOA单元组，所述第一GOA单元组的两个GOA单元具有交叠区域，所述交叠区域中设有至少一个过孔，所述至少一个过孔将所述第一GOA单元组的两个GOA单元电连接。
11.如权利要求10所述的GOA布局方法，其中，所述交叠区域中设有至少两个过孔。
12.如权利要求10所述的GOA布局方法，还包括：将所述第一GOA单元组的一个或两个GOA单元斜向摆放。
13.如权利要求12所述的GOA布局方法，其中，所述多个GOA单元组还包括第二GOA单元组，所述第二GOA单元组的两个GOA单元通过导线电连接。
14.如权利要求13所述的GOA布局方法，还包括：将所述斜向摆放的GOA单元与弯曲的导线连接。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104658466B (zh) * 2015-01-27 2017-05-10 京东方科技集团股份有限公司 一种goa电路及其驱动方法、显示面板及显示装置
CN110675832A (zh) * 2019-09-12 2020-01-10 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种goa电路布局
CN112800702B (zh) * 2021-02-03 2022-04-15 北京华大九天科技股份有限公司 R角自动化布局布线方法及设备和存储介质
US11974464B2 (en) 2021-02-18 2024-04-30 Hefei Boe Joint Technology Co., Ltd. Driving backplane, display panel and display apparatus
CN114023279A (zh) * 2021-11-15 2022-02-08 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050006521A (ko) * 2003-07-09 2005-01-17 삼성전자주식회사 액정 표시 장치 및 그 검사 방법
TW200943262A (en) * 2008-04-11 2009-10-16 Au Optronics Corp Display apparatus and circuit repairing method thereof
WO2010035543A1 (ja) * 2008-09-26 2010-04-01 シャープ株式会社 回路基板及び表示装置
CN102509533A (zh) * 2010-11-08 2012-06-20 友达光电股份有限公司 触控感应装置及其驱动方法
CN103295516A (zh) * 2013-05-30 2013-09-11 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示装置及阵列基板的制备方法
CN103730093A (zh) * 2013-12-26 2014-04-16 深圳市华星光电技术有限公司 一种阵列基板驱动电路、阵列基板及相应的液晶显示器

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007095321A (ja) * 2005-09-27 2007-04-12 Hitachi Ltd 画像表示装置
KR101688074B1 (ko) * 2010-01-27 2016-12-21 삼성디스플레이 주식회사 표시기판 및 이의 제조방법
US9123590B2 (en) * 2013-05-30 2015-09-01 Beijing Boe Display Technology Co., Ltd. Array substrate, display device and method for fabricating array substrate

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050006521A (ko) * 2003-07-09 2005-01-17 삼성전자주식회사 액정 표시 장치 및 그 검사 방법
TW200943262A (en) * 2008-04-11 2009-10-16 Au Optronics Corp Display apparatus and circuit repairing method thereof
WO2010035543A1 (ja) * 2008-09-26 2010-04-01 シャープ株式会社 回路基板及び表示装置
CN102509533A (zh) * 2010-11-08 2012-06-20 友达光电股份有限公司 触控感应装置及其驱动方法
CN103295516A (zh) * 2013-05-30 2013-09-11 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示装置及阵列基板的制备方法
CN103730093A (zh) * 2013-12-26 2014-04-16 深圳市华星光电技术有限公司 一种阵列基板驱动电路、阵列基板及相应的液晶显示器

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