CN104166315B - 曝光方法及曝光机 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种曝光方法及曝光机，属于显示技术领域，能够达到更高的曝光精度。该曝光方法，包括：将掩膜板放置于待曝光的基板上方的第一位置；对所述基板上的光刻胶的第一区域进行曝光；将所述掩膜板移动至所述基板上方的第二位置；对所述基板上的光刻胶的第二区域进行曝光，使所述光刻胶的第一区域与第二区域的重叠部分被曝光两次。本发明可用于液晶显示器的制造过程。

Description

曝光方法及曝光机
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体地说，涉及一种曝光方法及曝光机。
背景技术
随着显示技术的发展，液晶显示器已经成为最为常见的显示装置。
在液晶显示器的制造过程中，会多次利用构图工艺。具体为，在涂有光刻胶的基板上方放置掩膜板，然后对利用曝光机基板进行曝光。基于掩膜板的图案，光刻胶会有被曝光的部分和未被曝光的部分。再利用显影液对光刻胶进行显影，即可去除光刻胶被曝光的部分，保留光刻胶未被曝光的部分(正性光刻胶)，或者去除光刻胶未被曝光的部分，保留光刻胶被曝光的部分(负性光刻胶)，从而使光刻胶形成所需的图形。
但是，现有的曝光机的曝光精度普遍较低，也就是曝光机所能达到的精度尺寸不够小，使光刻胶所形成的图形的尺寸较大。此外，被曝光的基板上难免会有异物，这些异物高出基板及光刻胶表面，使掩膜板与光刻胶之间的距离不能足够接近，这也是限制曝光精度的主要原因之一。因此，现有技术中存在曝光精度较低的问题，难以满足当前液晶显示器高精度结构的需求。
发明内容
本发明的目的在于提供一种曝光方法及曝光机，以达到更高的曝光精度。
本发明提供一种曝光方法，包括：
将掩膜板放置于待曝光的基板上方的第一位置；
对所述基板上的光刻胶的第一区域进行曝光；
将所述掩膜板移动至所述基板上方的第二位置；
对所述基板上的光刻胶的第二区域进行曝光，使所述光刻胶的第一区域与第二区域的重叠部分被曝光两次。
优选的，所述第二位置与所述第一位置之间的位移差，小于该曝光方法中所使用的曝光机的精度尺寸。
优选的，所述光刻胶为负性光刻胶；
该曝光方法还包括：
保留所述光刻胶被曝光两次的部分，去除所述光刻胶被曝光一次的部分和未被曝光的部分。
优选的，所述基板为彩膜基板，所述光刻胶为彩膜层。
优选的，两次曝光的曝光量均在25mJ以下。
本发明还提供一种曝光机，包括：
光源；
基台，用于放置被曝光的基板；
载台，用于放置掩膜板；
驱动器，用于驱动所述载台，使所述载台平行于所述基台移动。
优选的，所述驱动器为电机或液压机。
优选的，所述曝光机的精度尺寸为8μm。
本发明带来了以下有益效果：本发明提供的曝光方法中，分别对光刻胶的第一区域和第二区域进行两次曝光，每次曝光可以选用较低的曝光量。第一区域与第二区域的重叠部分被曝光两次，能够达到饱和曝光，而被曝光一次的部分曝光不足，经过显影之后光刻胶形成的图形只有被曝光两次的部分被去除(正性光刻胶)或被保留(负性光刻胶)。
因为该被曝光两次的部分为第一区域与第二区域的重叠部分，其尺寸取决于掩膜板的第一位置与第二位置的位移差，所以可以通过调节掩膜板的第一位置和第二位置，使该被曝光两次的部分为任意尺寸，而不受曝光机本身的曝光精度的限制。因此，本发明提供的技术方案，能够在曝光机的曝光精度较低的情况下，实现更高的曝光精度，从而能够满足液晶显示器高精度结构的需求。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要的附图做简单的介绍：
图1是本发明实施例一提供的曝光方法的示意图之一；
图2是本发明实施例一提供的曝光方法的示意图之二；
图3是本发明实施例一提供的曝光机的示意图；
图4是本发明实施例二提供的曝光方法的示意图。
具体实施方式
以下将结合附图及实施例来详细说明本发明的实施方式，借此对本发明如何应用技术手段来解决技术问题，并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。需要说明的是，只要不构成冲突，本发明中的各个实施例以及各实施例中的各个特征可以相互结合，所形成的技术方案均在本发明的保护范围之内。
实施例一：
本发明实施例提供的一种曝光方法。本实施例中，利用该曝光方法制造彩膜基板上的彩膜层。
该曝光方法包括：
S1：将掩膜板放置于待曝光的基板上方的第一位置。
其中，基板上涂有光刻胶(即彩膜层)，本实施例中采用的是彩膜层的制造中较为常见的负性光刻胶。
S2：如图1所示，对基板上的光刻胶的第一区域10进行曝光。
本实施例中，曝光机的精度尺寸为8μm，即被曝光的第一区域中的最小尺寸a为8μm。
此外，对负性光刻胶常规的曝光量一般为50mJ，而本步骤中的曝光量应当小于常规曝光量，本步骤中的曝光量可以选取在25mJ以下。
S3：将掩膜板移动至基板上方的第二位置。
作为一个优选方案，第二位置与第一位置之间的位移差，小于该曝光方法中所使用的曝光机的精度尺寸。
S4：如图2所示，对基板上的光刻胶的第二区域20进行曝光，使光刻胶的第一区域10与第二区域20的重叠部分30被曝光两次。
因为在步骤S3中是将掩膜板向右平移，且平移的距离b为4μm，所以第一区域10与第二区域20的重叠部分30的宽度c为4μm。
优选的，本步骤中的曝光量与步骤S2中的曝光量相等。
S5：利用显影液对光刻胶进行显影，保留光刻胶被曝光两次的部分30，去除光刻胶被曝光一次的部分和未被曝光的部分。
因为第一区域10与第二区域20的重叠部分30被曝光两次，能够达到饱和曝光，使光刻胶中的光敏材料发生了充分的交联反应，所以经过显影之后，被曝光两次的部分30被保留。
在第一区域10和第二区域20中，被曝光一次的部分曝光不足，其中的光敏材料没有发生充分的交联反应。第一区域10和第二区域20以外的区域则未被曝光，其中的光敏材料没有发生的交联反应。因此，经过显影之后，被曝光一次的部分和未被曝光的部分被去除。
因为被曝光两次的部分为第一区域10与第二区域20的重叠部分30，其尺寸取决于掩膜板的第一位置与第二位置的位移差，所以可以通过调节掩膜板的第一位置和第二位置，使该被曝光两次的部分30为任意尺寸，而不受曝光机本身的曝光精度的限制。本实施例中，光刻胶所形成的图形的最小宽度为4μm，小于曝光机本身的精度尺寸8μm。因此，采用本发明实施例提供的曝光方法，能够在曝光机的曝光精度较低的情况下，实现更高的曝光精度，从而能够满足液晶显示器高精度结构的需求。
如图3所示，本发明实施例还提供一种曝光机，包括光源1、基台2、载台3和驱动器4。
其中，基台2用于放置被曝光的基板，载台3用于放置掩膜板。驱动器4优选为电机或液压机，用于驱动载台3，使载台3能够平行于基台2移动。
使用该曝光机能够实现本实施例提供的上述曝光方法。
具体为，先将涂有光刻胶的基板放置在基台2上，并将掩膜板放置在载台3上，使掩膜板位于基板上方的第一位置，即进行步骤S1。
然后打开光源1，对基板上的光刻胶的第一区域进行曝光，即进行步骤S2。
对第一区域曝光之后，利用驱动器4驱动载台3，使掩膜板平移至基板上方的第二位置，即进行步骤S3。
然后再次打开光源1，对光刻胶的第二区域进行曝光，使光刻胶的第一区域与第二区域的重叠部分被曝光两次，即进行步骤S4。
最后，利用显影液对光刻胶进行显影，即进行步骤S5。
这样就能够使光刻胶形成的图形的尺寸小于曝光机本身的精度尺寸，从而能够在曝光机的曝光精度较低的情况下，实现更高的曝光精度，从而能够满足液晶显示器高精度结构的需求。
应当说明的是，在其他实施方式中，也可以利用本发明实施例提供的曝光方法及曝光机来制造阵列基板等其他部件。当然，所用的光刻胶也可以是正性光刻胶。
实施例二：
本实施例提供的曝光方法与实施例一基本相同，其不同点在于，在步骤S3中，掩膜板的运动方向为斜向平移。
如图4所示，将掩膜板斜向平移之后，第一区域10与第二区域之20间不仅存在横向位移差b，还存在一定的纵向位移差d。再经过第二次曝光及显影之后，光刻胶所形成的图形不仅在横向尺寸上能够达到更高的曝光精度，其纵向尺寸也能够达到更高的曝光精度，从而能够在横向和纵向上都能够满足液晶显示器高精度结构的需求。
虽然本发明所公开的实施方式如上，但所述的内容只是为了便于理解本发明而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属技术领域内的技术人员，在不脱离本发明所公开的精神和范围的前提下，可以在实施的形式上及细节上作任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (3)

1.一种曝光方法，包括：
将掩膜板放置于待曝光的基板上方的第一位置；
对所述基板上的光刻胶的第一区域进行曝光；
将所述掩膜板斜向平移至所述基板上方的第二位置；
对所述基板上的光刻胶的第二区域进行曝光，使所述光刻胶的第一区域与第二区域的重叠部分被曝光两次；
保留所述光刻胶被曝光两次的部分，去除所述光刻胶被曝光一次的部分和未被曝光的部分；
其中，所述重叠部分的尺寸由两次曝光时掩膜板的位移差决定，所述光刻胶为负性光刻胶；且当常规曝光量为50mJ时，两次曝光的曝光量均为25mJ以下。
2.如权利要求1所述的曝光方法，其特征在于，所述第二位置与所述第一位置之间的位移差，小于该曝光方法中所使用的曝光机的精度尺寸。
3.如权利要求1所述的曝光方法，其特征在于，所述基板为彩膜基板，所述光刻胶为彩膜层。
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