CN104103250A - 液晶装置的驱动方法、液晶装置及电子设备 - Google Patents
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Abstract
本发明提供能够有效地捕获液晶层中的离子性杂质的液晶装置的驱动方法、液晶装置及具备该液晶装置的电子设备。液晶装置(100),在作为第1区域的显示区域(E1)形成有像素电极(15)和夹着液晶层(50)与像素电极(15)对置的共用电极(23),在作为第2区域的虚设像素区域(E2)形成有作为第1电极的虚设像素电极(121、122)。液晶装置(100)的驱动方法对虚设像素电极(121、122)与共用电极(23)之间施加比使液晶的透射率变化的阈值电压小的电压。由此,能够使虚设像素电极(121、122)作为电子分隔部(120)发挥功能,并且从显示区域(E1)向虚设像素电极(121、122)吸引离子性杂质。
Description
技术领域
本发明涉及液晶装置的驱动方法、液晶装置以及具备该液晶装置的电子设备。
背景技术
液晶装置具备在一对基板之间夹持有液晶层的液晶面板。当光入射到这样的液晶装置时,有时构成液晶面板的液晶材料和/或取向膜等与入射光发生光化学反应,作为反应产生物产生了离子性杂质。另外,已知,在液晶面板的制造过程中,也有从密封件和/或封固件等扩散到液晶层的离子性杂质。尤其是,在投射型显示装置(投影机)的光调制单元(光阀)中所用的液晶装置中,入射光的光束密度与直视型液晶装置相比要高,所以必须抑制离子性杂质对显示造成影响。
作为抑制离子性杂质对显示造成的影响的单元,例如在专利文献1中公开了:将在显示区域周围形成的电子分隔(遮挡)区域作为离子扫除(扫集,sweep up)单元的液晶显示装置及其驱动方法。在上述电子分隔区域中有电子分隔像素电极,在显示工作模式下,变为黑显示的交流电压被提供给电子分隔像素电极,在非显示工作模式下,按预定时间施加用于将液晶内部的离子扫去(sweep off)的交流电压。非显示工作模式下用于将离子向电子分隔像素电极扫除的交流电压的频率,优选与显示工作模式下的用于驱动显示区域的像素的交流电压的频率相比高,为10倍到100倍左右。
另外,在专利文献2中公开了一种电光装置,其具有在多个像素排列而成的像素区域与密封件之间的外缘区域所形成的离子捕获部。该离子捕获部具有以彼此的分支电极啮合的方式配置的俯视为梳齿状的第1电极及第2电极。根据要被该离子捕获部捕获的离子性杂质的极性,例如,如果对第1电极施加-5V、对第2电极施加0V的直流电压则捕获具有正电荷的离子性杂质。另外,例如,如果对第1电极施加5V、对第2电极施加0V的直流电压则捕获具有负电荷的离子性杂质。
【专利文献1】日本特许第4972344号公报
【专利文献2】日本特开2013-25066号公报
但是,根据上述专利文献1的液晶显示装置及其驱动方法,在非显示工作模式下离子性杂质被扫除到电子分隔区域,而在显示工作模式下无法进行离子性杂质的扫除,所以存在无法有效地将离子性杂质向电子分隔区域扫除这一问题。另外,如果对电子分隔像素电极施加频率高于像素电极的交流电压,则具有正或负的极性的离子性杂质可能不跟随交流电压的变化,无法将离子性杂质有效地扫除到电子分隔像素电极。
在上述专利文献2的电光装置中,离子捕获部形成于第1基板,在夹着液晶层与第1基板对置的第2基板,在与离子捕获部重叠的位置形成有周边分隔部。当液晶分子的取向状态因施加于离子捕获部的第1电极与第2电极之间的电压而变化时,有时由于第1基板与第2基板的组装位置精度,可能会看到由在离子捕获部产生的液晶分子的取向状态的变化所导致的光泄漏。
发明内容
本发明是用于解决上述问题的至少一部分而完成的,能够作为下面的方式或应用例而实现。
本应用例涉及的液晶装置的驱动方法,其特征在于,该液晶装置是在通过密封件而贴合的第1基板与第2基板之间夹持液晶、在无电压施加时像素的透射率变为最小的常黑方式的液晶装置,包括:显示图像的区域即第1区域;和俯视位于所述第1区域与所述密封件之间且沿所述第1区域而设置的第2区域,在所述第1区域,在所述第1基板的面向所述液晶的一侧形成有像素电极,在所述第1基板或所述第2基板的面向所述液晶的一侧形成有共用电极,在所述第2区域,在所述第1基板的面向所述液晶的一侧形成有第1电极,在所述第1基板或所述第2基板的面向所述液晶的一侧形成有第2电极,对所述第1电极与所述第2电极之间施加比使所述液晶的透射率变化的阈值电压小的电压。
根据本应用例,能够提供下述的液晶装置的驱动方法:通过对第1电极与第2电极之间施加比使液晶的透射率变化的阈值电压小的电压,使第2区域作为电子分隔部发挥作用,并且通过在第1电极与第2电极之间产生的电场,能够将第1区域的液晶中所含的离子性杂质吸引到第2区域而捕获。
在上述应用例的液晶装置的驱动方法中,优选,对所述第1电极提供与所述第2电极的电位相比转变到高电位和低电位的交流电位。
根据该方法,能够向第1电极吸引具有正极性及负极性的离子性杂质。
另外,在上述应用例的液晶装置的驱动方法中,优选,所述交流电位的频率与供给到所述第1区域中的所述像素电极的图像信号的频率相同。
根据该方法,无需产生与图像信号的频率不同频率的交流电位,所以能够简化液晶装置的驱动电路的结构。
另外,在上述应用例的液晶装置的驱动方法中,也可以对所述第1电极提供比所述第2电极的电位低的直流电位。
根据该方法,能够将具有正极性的离子性杂质(阳离子)吸引并捕获到第2区域。
而且,在上述应用例的液晶装置的驱动方法中,优选,在所述第2区域与所述密封件之间具有第3电极,对所述第3电极提供比所述第1电极的电位大且比所述第2电极的电位低的直流电位。
根据该方法,能够使被吸引到第2区域的正极性的离子性杂质(阳离子)移动并捕获到配置在第2区域外侧的第3电极。也就是,能够避免正极性的离子性杂质(阳离子)蓄积在第2区域,能够更加有效地从第1区域将正极性的离子性杂质(阳离子)吸引到第2区域。
而且,在上述应用例的液晶装置的驱动方法中,优选,在显示期间结束后,使对所述第1电极与所述第2电极之间施加的电压与所述阈值电压相同或比所述阈值电压大。
根据该方法,只要在显示期间结束后,不管第1区域中的显示状态怎样,都能够更有效地将离子性杂质吸引到第2区域而捕获。
本应用例涉及的液晶装置,其特征在于,在通过密封件贴合的第1基板与第2基板之间夹持有液晶,为在无电压施加时像素的透射率变为最小的常黑方式,包括:显示图像的区域即第1区域;和俯视位于所述第1区域与所述密封件之间且沿所述第1区域设置的第2区域,在所述第1区域,在所述第1基板的面向所述液晶的一侧形成有像素电极,在所述第1基板或所述第2基板的面向所述液晶的一侧形成有共用电极,在所述第2区域,在所述第1基板的面向所述液晶的一侧形成有第1电极,在所述第1基板或所述第2基板的面向所述液晶的一侧形成有第2电极,在显示期间中,对所述第1电极与所述第2电极之间施加比使所述液晶的透射率变化的阈值电压小的电压。
根据本应用例,能够提供下述液晶装置:通过在显示期间中,对第1电极与第2电极之间施加比使液晶的透射率变化的阈值电压小的电压,从而使第2区域作为电子分隔部发挥作用,并且通过在第1电极与第2电极之间产生的电场,能够将第1区域的液晶中所含的离子性杂质吸引到第2区域而捕获。
在上述应用例的液晶装置中,优选,所述共用电极在所述第2基板遍及所述第1区域和所述第2区域而形成,兼作所述第2电极。
根据该结构,无需另行形成第2电极,所以能够提供更为小型的液晶装置。
另外,在上述应用例的液晶装置中,所述第2电极也可以形成于所述第1基板。
根据该结构,能够提供下述液晶装置:在第1基板的第2区域形成有第1电极和第2电极,所以能够将第2区域作为横向电场方式的电子分隔部,该液晶装置具有能够捕获离子性杂质并且视角特性优异的电子分隔部。
而且,在上述应用例的液晶装置中,优选,在所述第2区域与所述密封件之间有第3电极,对所述第3电极提供比所述第1电极的电位大的负极性的电位。
根据该结构,能够使被吸引到第2区域的正极性的离子性杂质(阳离子)移动到配置在第2区域的外侧的第3电极而捕获。也就是,能够避免正极性的离子性杂质(阳离子)蓄积在第2区域,能够更加有效地从第1区域将正极性的离子性杂质(阳离子)吸引到第2区域。
而且,在上述应用例的液晶装置中,其特征在于,具有覆盖所述像素电极、所述第1电极、所述第2电极和所述共用电极的无机取向膜。
根据该结构,无机取向膜容易吸附离子性杂质,所以能够提供由于离子性杂质导致的显示不良更加难以显著的例如VA方式的液晶装置。
本应用例涉及的电子设备,其特征在于,具备液晶装置,该液晶装置中,在通过密封件贴合的第1基板与第2基板之间夹持有液晶,为在无电压施加时像素的透射率变为最小的常黑方式,利用上述应用例所述的液晶装置的驱动方法来驱动所述液晶装置。
本应用例涉及的其他电子设备,其特征在于,具备上述应用例的液晶装置。
根据这些结构,能够提供第2区域作为电子分隔部发挥作用且改善了由于离子性杂质导致的显示不良的电子设备。
附图说明
图1(a)是表示第1实施方式的液晶装置的结构的概略俯视图,(b)是沿(a)所示的H-H’线的概略剖视图。
图2是表示第1实施方式的液晶装置的电结构的等效电路图。
图3是表示第1实施方式的液晶装置的像素结构的概略剖视图。
图4是表示无机材料的倾斜蒸镀方向与由离子性杂质导致的显示不良的关系的概略俯视图。
图5(a)是表示用于显示的像素及虚设像素的配置的概略俯视图,(b)是电子分隔部的布线图。
图6是沿图5(a)的A-A’线的表示液晶面板结构的概略剖视图。
图7是表示第1实施方式的液晶装置中的像素的透射率与驱动电压的关系的曲线图。
图8是表示第2实施方式的液晶装置中的电子分隔部的结构的布线图。
图9是表示第2实施方式的液晶装置结构的概略剖视图。
图10是表示第3实施方式的液晶装置中的像素结构的概略俯视图。
图11是表示第3实施方式的液晶装置中的电子分隔部的结构的概略剖视图。
图12是表示第4实施方式的液晶装置中的像素结构的概略俯视图。
图13是表示第4实施方式的液晶装置中的电子分隔部的结构的概略剖视图。
图14是表示投射型显示装置的结构的概略图。
附图标记说明
10…作为第1基板的元件基板;15,315,415…像素电极;
18,24…作为无机取向膜的取向膜;20…作为第2基板的对置基板;
23,316,416…共用电极;40…密封件;50,350…液晶层;
100,200,300,400…液晶装置;
120,320,420…电子分隔部;
121,122…作为第1电极的虚设像素电极;
126…作为第3电极的虚设像素电极;
316,416…共用电极;321,421…第1电极;
322,422…第2电极;
1000…作为电子设备的投射型显示装置;
E1…作为第1区域的显示区域;E2…作为第2区域的虚设像素区域。
具体实施方式
下面,按照附图对将本发明具体化的实施方式进行说明。此外,所使用的附图为了使说明的部分达到可识别的状态而适当放大或缩小地进行显示。
此外,在下面的方式中,例如记载为“在基板上”的情况表示在基板之上以接触的方式配置的情况、或在基板之上隔着其他构成物而配置的情况、或在基板之上一部分以接触的方式配置而另一部分则隔着其他结构物配置的情况。
第1实施方式
在本实施方式中,举作为像素的开关元件而具备薄膜晶体管(ThinFilm Transistor;TFT)的有源矩阵型的液晶装置为例进行说明。该液晶装置是能够适于用作例如后述的投射型显示装置(液晶投影机)的光调制元件(液晶光阀)的液晶装置。
液晶装置
首先,参照图1及图2就本实施方式的液晶装置进行说明。图1(a)是表示第1实施方式的液晶装置结构的概略俯视图,图1(b)是沿图1(a)所示的H-H’线的概略剖视图。图2是表示第1实施方式的液晶装置的电结构的等效电路图。
如图1(a)及(b)所示,本实施方式的液晶装置100具有:对置配置的元件基板10及对置基板20;和由这一对基板夹持的液晶层50。元件基板10的基材10s及对置基板20的基材20s分别使用透明的例如石英基板和/或玻璃基板。元件基板10与本发明的第1基板相当,对置基板20与本发明的第2基板相当。
元件基板10比对置基板20大,两基板经由沿对置基板20的外缘配置的密封件40隔开间隔地贴合,在该间隔中封入具有正或负的介电各向异性的液晶而构成了液晶层50。密封件40采用例如热固化性或紫外线固化性的环氧树脂等粘接剂。在密封件40中混入有用于将一对基板的上述间隔保持为一定的间隔件(省略图示)。
在密封件40内侧设有包括按矩阵状排列的多个像素P的像素区域E。另外,在密封件40与像素区域E之间包围像素区域E地设置有分隔部21。分隔部21包含例如遮光性金属或金属氧化物等。此外,像素区域E除了用于显示的多个像素P外,也可以包括以包围多个像素P的方式配置的虚设像素。另外,在图1中省略了图示,在对置基板20设有在像素区域E将多个像素P分别俯视地区分开的遮光部(黑矩阵;BM)。
在元件基板10设有多个外部连接端子104排列而成的端子部。在沿该端子部的第1边部与密封件40之间设有数据线驱动电路101。另外,在沿与第1边部对置的第2边部的密封件40与像素区域E之间设置有检查电路103。而且,在沿与第1边部垂直的相互对置的第3边部以及第4边部的密封件40与像素区域E之间设置有扫描线驱动电路102。在第2边部的密封件40与检查电路103之间设置有连接2个扫描线驱动电路102的多条布线105。
连接于这些数据线驱动电路101、扫描线驱动电路102的布线连接于沿第1边部排列的多个外部连接端子104。以后,将沿第1边部的方向作为X方向并将沿第3边部的方向作为Y方向进行说明。此外,检查电路103的配置不限定于此,也可以设置在沿数据线驱动电路101与像素区域E之间的密封件40内侧的位置。
如图1(b)所示,在元件基板10的液晶层50侧的表面形成有:按每个像素P设置的透光性的像素电极15及开关元件即薄膜晶体管(下面将其称为TFT)30;信号布线;和覆盖这些的取向膜18。另外,采用了防止光入射于TFT30中的半导体层而导致开关工作变得不稳定这一情况的遮光结构。元件基板10包括基材10s、在基材10s上形成的像素电极15、TFT30、信号布线和取向膜18。
与元件基板10对置配置的对置基板20包括:基材20s;在基材20s上形成的分隔部21;以覆盖基材20s和分隔部21的方式成膜的平坦化层22;覆盖平坦化层22且至少遍及像素区域E而设置的共用电极23;和覆盖共用电极23的取向膜24。
分隔部21,如图1(a)所示包围像素区域E,并且设置在俯视与扫描线驱动电路102、检查电路103重叠的位置。由此,遮蔽从对置基板20侧向这些电路入射的光,起到防止这些电路由于光而误工作的效果。另外,进行遮蔽使得不必要的杂散光不入射于像素区域E,确保了像素区域E的显示的高对比度。
平坦化层22含例如氧化硅等无机材料,并具有光透射性,以覆盖分隔部21的方式设置。作为这样的平坦化层22的形成方法,可举出例如使用等离子体CVD法等成膜的方法。
共用电极23包含例如ITO(Indium Tin Oxide,氧化铟锡)等的透明导电膜,覆盖平坦化层22并且通过如图1(a)所示在对置基板20的四角所设置的上下导通部106而电连接于元件基板10侧的布线。
覆盖像素电极15的取向膜18及覆盖共用电极23的取向膜24基于液晶装置100的光学设计来选定。例如,可以举出:将聚酰亚胺等有机材料成膜并对其表面进行摩擦,对具有正的介电各向异性的液晶分子实施了大致水平取向处理的有机取向膜;和/或,利用气相生长法将SiOx(氧化硅)等无机材料成膜,使具有负介电各向异性的液晶分子大致垂直取向的无机取向膜。
这样的液晶装置100是透射型的,并采用在无电压施加状态下像素P的透射率变为最大的常白模式和/或在无电压施加状态下像素P的透射率变为最小的常黑模式的光学设计。在包括元件基板10和对置基板20的液晶面板110的光入射侧和出射侧分别相应于光学设计而配置偏振元件来使用。
在本实施方式中,下面就作为取向膜18、24使用上述的无机取向膜并使用具有负介电各向异性的液晶且应用了常黑的光学设计的例子,进行说明。
接下来,参照图2就液晶装置100的电结构进行说明。液晶装置100具有:多个扫描线3a及多个数据线6a,其作为至少在像素区域E相互绝缘且垂直的信号布线;和沿数据线6a平行地配置的电容线3b。扫描线3a延伸的方向为X方向,数据线6a延伸的方向为Y方向。
在由扫描线3a与数据线6a以及电容线3b这些多种信号线划分出的区域设置有像素电极15、TFT30和存储电容16,这些构成了像素P的像素电路。
扫描线3a电连接于TFT30的栅,数据线6a电连接于TFT30的源。像素电极15电连接于TFT30的漏。
数据线6a连接于数据线驱动电路101(参照图1),将从数据线驱动电路101供给的图像信号D1、D2、…、Dn供给到像素P。扫描线3a连接于扫描线驱动电路102(参照图1),将从扫描线驱动电路102供给的扫描信号SC1、SC2、…、SCm供给到像素P。
从数据线驱动电路101供给到数据线6a的图像信号D1~Dn既可以按该顺序线依次供给,也可以按每组供给到相互相邻的多条数据线6a彼此。扫描线驱动电路102对扫描线3a按预定定时以脉冲方式线顺序地供给扫描信号SC1~SCm。
液晶装置100构成为,开关元件即TFT30由于扫描信号SC1~SCm的输入而仅在一定期间变为导通状态,从而从数据线6a供给的图像信号D1~Dn按预定定时被写入像素电极15。而且,经由像素电极15写入液晶层50的预定电平的图像信号D1~Dn,在像素电极15与隔着液晶层50对置配置的共用电极23之间保持一定期间。
为了防止所保持的图像信号D1~Dn泄漏,与在像素电极15和共用电极23之间形成的液晶电容并联地连接存储电容16。存储电容16设置在TFT30的漏与电容线3b之间。
此外,在图1(a)所示的检查电路103上连接有数据线6a,构成为,在液晶装置100的制造过程中,能够通过检测出上述图像信号而确认液晶装置100的工作缺陷等,但是在图2的等效电路中将这一结构省略。
本实施方式中的对像素电路进行驱动控制的周边电路包括数据线驱动电路101、扫描线驱动电路102和检查电路103。另外,周边电路也可以设为包括:对上述图像信号进行采样并供给到数据线6a的采样电路;和先于上述图像信号向数据线6a供给预定电压电平的预充电信号的预充电电路。
接下来,就本实施方式的液晶装置100(液晶面板110)中的像素P的结构进行说明。图3是表示第1实施方式的液晶装置的像素的结构的概略剖视图。
如图3所示,在元件基板10的基材10s上首先形成扫描线3a。扫描线3a具有遮光性,能够使用含例如Al(铝)、Ti(钛)、Cr(铬)、W(钨)、Ta(钽)、Mo(钼)等金属中的至少1种的金属单体、合金、金属硅化物、多晶硅化物、氮化物或者这些物质层叠而得的物质。
以覆盖扫描线3a的方式形成含例如氧化硅等的第1绝缘膜(基底绝缘膜)11a,在第1绝缘膜11a上按岛状形成半导体层30a。半导体层30a包括例如多晶硅膜,被注入杂质离子而形成具有第1源漏区域、接合区域、沟道区域、接合区域和第2源漏区域的LDD(Lightly Doped Drain,轻掺杂漏)结构。
以覆盖半导体层30a的方式形成第2绝缘膜(栅绝缘膜)11b。进而,在夹着第2绝缘膜11b与沟道区域对置的位置形成栅电极30g。
覆盖栅电极30g和第2绝缘膜11b地形成第3绝缘膜11c,在与半导体层30a的各个端部重叠的位置形成贯通第2绝缘膜11b、第3绝缘膜11c的2个接触孔CNT1、CNT2。
接着,以填埋2个接触孔CNT1、CNT2并且覆盖第3绝缘膜11c的方式使用Al(铝)和/或其合金等遮光性的导电部材料成膜导电膜,并对其进行构图,从而形成经由接触孔CNT1连接于第1源漏区域的源电极31以及数据线6a。同时形成经由接触孔CNT2连接于第2源漏区域的漏电极32(第1中继电极6b)。
接下来,覆盖数据线6a、第1中继电极6b以及第3绝缘膜11c地形成第1层间绝缘膜12。第1层间绝缘膜12含例如硅的氧化物和/或氮化物,并被实施平坦化处理,将由于覆盖设置有TFT30的区域而产生的表面的凹凸平坦化。作为平坦化处理的方法可以举出例如化学机械研磨处理(ChemicalMechanical Polishing:CMP处理)和/或旋转涂敷处理等。
在与第1中继电极6b重叠的位置形成贯通第1层间绝缘膜12的接触孔CNT3。以覆盖该接触孔CNT3并且覆盖第1层间绝缘膜12的方式,成膜含例如Al(铝)和/或其合金等遮光性金属的导电膜,并对其进行构图,从而形成布线7a和经由接触孔CNT3电连接于第1中继电极6b的第2中继电极7b。
布线7a形成为俯视与TFT30的半导体层30a和/或数据线6a重叠,并被提供固定电位而作为屏蔽层发挥作用。
以覆盖布线7a和第2中继电极7b的方式形成第2层间绝缘膜13a。第2层间绝缘膜13a也能够使用例如硅的氧化物和/或氮化物或者氮氧化物来形成,并被实施CMP处理等平坦化处理。
在第2层间绝缘膜13a的与第2中继电极7b重叠的位置形成接触孔CNT4。以覆盖该接触孔CNT4并且覆盖第2层间绝缘膜13a的方式形成含例如Al(铝)和/或其合金等遮光性金属的导电膜,对其进行构图,从而形成第1电容电极16a和第3中继电极16d。
以覆盖第1电容电极16a中的、介由后形成的电介质层16b而与第2电容电极16c对置的部分的外缘的方式,构图形成绝缘膜13b。另外,以覆盖第3中继电极16d中的除了与接触孔CNT5重叠的部分外的外缘的方式,构图形成绝缘膜13b。
覆盖绝缘膜13b和第1电容电极16a地成膜电介质层16b。作为电介质层16b也可以使用氮化硅膜和/或氧化铪(HfO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化钽(Ta2O5)等的单层膜、或者层叠这些单层膜中的至少2种单层膜而得的多层膜。将俯视与第3中继电极16d重叠的部分的电介质层16b通过蚀刻等去除。以覆盖电介质层16b的方式形成例如TiN(氮化钛)等的导电膜,并对其进行构图,从而形成与第1电容电极16a对置配置且与第3中继电极16d相连的第2电容电极16c。通过电介质层16b、夹着电介质层16b对置配置的第1电容电极16a和第2电容电极16c,构成存储电容16。
接着,形成覆盖第2电容电极16c和电介质层16b的第3层间绝缘膜14。第3层间绝缘膜14也含例如硅的氧化物和/或氮化物,并被实施CMP处理等平坦化处理。以到达第2电容电极16c与第3中继电极16d相接的部分的方式,形成贯通第3层间绝缘膜14的接触孔CNT5。
以被覆该接触孔CNT5并覆盖第3层间绝缘膜14的方式,成膜ITO等透明导电膜(电极膜)。对该透明导电膜(电极膜)进行构图而形成经由接触孔CNT5与第2电容电极16c及第3中继电极16d电连接的像素电极15。
第2电容电极16c经由第3中继电极16d、接触孔CNT4、第2中继电极7b、接触孔CNT3和第1中继电极6b,与TFT30的漏电极32电连接,并且经由接触孔CNT5与像素电极15电连接。
第1电容电极16a以跨多个像素P的方式形成,并作为等效电路(参照图2)中的电容线3b发挥作用。对第1电容电极16a提供固定电位。由此,能够将经由TFT30的漏电极32提供给像素电极15的电位保持在第1电容电极16a与第2电容电极16c之间。
这样在元件基板10的基材10s上形成了多个布线,用将布线间绝缘的绝缘膜和/或层间绝缘膜的符号来表示布线层。即,将第1绝缘膜11a、第2绝缘膜11b和第3绝缘膜11c统称为布线层11。布线层11的代表性的布线是扫描线3a。布线层12的代表性的布线是数据线6a。将第2层间绝缘膜13a、绝缘膜13b和电介质层16b统称为布线层13,代表性的布线是布线7a。同样地,布线层14的代表性的布线是第1电容电极16a(电容线3b)。
以覆盖像素电极15的方式形成取向膜18,以覆盖夹着液晶层50与元件基板10对置配置的对置基板20的共用电极23的方式形成取向膜24。如上所述,取向膜18、24为无机取向膜,包括将氧化硅等无机材料从预定方向例如倾斜蒸镀而按柱状生长而成的柱18a、24a的集合体。相对于这样的取向膜18、24具有负介电各向异性的液晶分子LC,相对于取向膜面的法线方向向柱18a、24a的倾斜方向具有3度~5度的预倾角度θp而大致垂直取向(VA;Vertical Alignment)。通过对像素电极15与共用电极23之间施加交流电压而驱动液晶层50,由此液晶分子LC以向在像素电极15与共用电极23之间产生的电场方向倾斜的方式运动(振动)。
图4是示出无机材料的倾斜蒸镀方向与由离子性杂质导致的显示不良之间的关系的概略俯视图。形成柱18a、24a处的无机材料的倾斜蒸镀方向,如图4所示,在例如元件基板10侧是如虚线箭头所示从右上向左下按预定方位角度θa与Y方向交叉的方向。在相对于元件基板10对置配置的对置基板20侧,是如实线箭头所示从左下向右上按预定方位角度θa与Y方向交叉的方向。预定角度θa是例如45度。此外,图4示出的倾斜蒸镀方向是从对置基板20侧观察液晶装置100时的方向。
通过驱动液晶层50,产生液晶分子LC的运动(振动),在液晶层50与取向膜18、24的界面附近沿图4所示的虚线或者实线箭头所示的倾斜蒸镀方向产生液晶分子LC的流动。假设液晶层50含有极性为正或负的离子性杂质,则离子性杂质可能会沿液晶分子LC的流动向像素区域E的角部移动而偏置。当由于离子性杂质的偏置导致在位于角部的像素P中液晶层50的绝缘电阻降低时,在该像素P中导致驱动电位降低,图4所示那样的显示不均和/或由于通电导致的图像残留现象变得显著。尤其是,在取向膜18、24使用无机取向膜的情况下,无机取向膜容易吸附离子性杂质,所以与有机取向膜相比显示不均和/或图像残留现象容易明显化。
在本实施方式的液晶装置100中,为了改善图4所示那样的显示不均和/或图像残留现象,而在像素区域E中,使包围实际用于显示的多个像素P的多个虚设像素作为电子分隔部发挥作用,并且使该电子分隔部作为离子捕获部发挥作用。下面,就本实施方式中的电子分隔部参照图5~图7进行说明。
图5(a)是示出用于显示的像素及虚设像素的配置的概略俯视图,图5(b)是电子分隔部的布线图,图6是沿图5(a)的A-A’线的示出液晶面板结构的概略剖视图,图7是示出第1实施方式的液晶装置中的像素的透射率与驱动电压的关系的曲线图。
如图5(a)所示,本实施方式的液晶装置100的像素区域E包含:配置有用于显示的像素P的显示区域E1;和具有包围显示区域E1地配置的多个虚设像素DP的虚设像素区域E2。在按框缘状配置了密封件40的区域与虚设像素区域E2之间设有上述具有遮光性的分隔部21,设有分隔部21的区域成为与液晶装置100的接通(ON)·断开(OFF)无关的分隔区域E3。显示区域E1与本发明的第1区域相当,虚设像素区域E2与本发明的第2区域相当。
在虚设像素区域E2中,在X方向上夹着显示区域E1各配置有2个虚设像素DP,在Y方向上夹着显示区域E1各配置有2个虚设像素DP。此外,虚设像素区域E2中的虚设像素DP的配置数量不限定于此,只要在X方向、Y方向的每个方向上夹着显示区域E1各配置至少1个虚设像素DP即可。另外,也可以是各3个以上,X方向和Y方向上的配置数量也可以不同。在本实施方式中,使虚设像素DP作为电子分隔部发挥作用,所以对多个虚设像素DP标注符号120,并将其称为电子分隔部120。
如图5(b)所示,包围显示区域E1且沿显示区域E1边缘排列的配置在接近显示区域E1的位置的多个虚设像素DP的每个,都具有虚设像素电极122。沿显示区域E1边缘排列且在与虚设像素电极122相比离显示区域E1远的位置配置的多个虚设像素DP的每个,都具有虚设像素电极121。沿X方向排列的多个虚设像素电极121和多个虚设像素电极122在Y方向上相邻地配置,沿Y方向排列的多个虚设像素电极121和多个虚设像素电极122在X方向上相邻地配置。也就是,电子分隔部120具有在X方向和Y方向上分别排列的多个虚设像素电极121、122。另外,电子分隔部120具有:使多个虚设像素电极121彼此电连接的连接布线123;和使多个虚设像素电极122彼此电连接的连接布线124。连接布线124包括:在X方向延伸而使在X方向上排列的多个虚设像素电极122电连接并且电连接于连接布线123的一对布线124a;和在Y方向上延伸而使在Y方向上排列的多个虚设像素电极122电连接的布线124b。
在俯视呈四边形的连接布线123的左下及右下的角部电连接有在Y方向上延伸的一对引绕布线125的一端。一对引绕布线125的另一端在元件基板10中连接于外部连接端子104。为了将连接有一对引绕布线125的外部连接端子104与其他外部连接端子104区别开,将其标记为外部连接端子104(EA)。在与外部连接端子104(EA)相邻的外部连接端子104电连接有对置基板20的共用电极23。对共用电极23提供共用电位(LCCOM)。因此,将电连接于共用电极23的外部连接端子104标记为外部连接端子104(LCCOM)。
电子分隔部120具有:多个虚设像素电极121、122;用于将从外部连接端子104(EA)供给的预定电位提供给多个虚设像素电极121、122的连接布线123、124;和一对引绕布线125。
在虚设像素区域E2中,在夹着液晶层50对置的虚设像素电极121、122和共用电极23中,虚设像素电极121、122相当于本发明的第1电极,共用电极23的一部分相当于本发明的第2电极。
此外,在本实施方式中,为了抑制提供给多个虚设像素电极121、122的预定电位因元件基板10上的虚设像素电极121、122的位置而波动,而设为从2个外部连接端子104(EA)供给预定电位的结构,但是并不限定于此。外部连接端子104(EA)既可以是1个也可以是3个以上。
接下来,参照图6就电子分隔部120的电功能进行说明。此外,在图6中省略了元件基板10侧的取向膜18和对置基板20侧的取向膜24的示出。
如图6所示,液晶面板110(液晶装置)的元件基板10在基材10s上具有多个布线层11~14。像素P的像素电极15和虚设像素DP的虚设像素电极121、122形成在第3层间绝缘膜14上。虚设像素电极121、122在形成像素电极15的工序中使用与像素电极15相同的透明导电膜(例如ITO膜)形成。虚设像素电极121、122的俯视形状及大小和/或配置间距,与像素电极15相同。用于对虚设像素电极121、122供给预定电位的连接布线123、124形成于布线层14。也就是,连接布线123、124例如在形成上述第1电容电极16a的工序中,用与第1电容电极16a相同的导电膜(例如Al和Ti的合金)形成。虚设像素电极121、122和连接布线123、124分别经由将第3层间绝缘膜14贯通的接触孔内的导电膜而电连接。
此外,连接布线123、124不限定于在布线层14形成,也可以在比布线层14靠下层的布线层形成。
液晶装置100的驱动方法
在显示期间中,以共用电极23的电位为基准而对像素电极15提供与图像的灰度等级相对应的图像信号(交流电位)。对虚设像素电极121、122,经由连接布线123、124提供以共用电极23的电位为基准转变到高电位和低电位的交流电位。如果相对于共用电极23的电位而言虚设像素电极121、122的电位高,则产生从共用电极23朝向虚设像素电极121、122的虚线箭头所示的电场。另外,如果相对于共用电极23的电位而言虚设像素电极121、122的电位低,则产生从虚设像素电极121、122朝向共用电极23的实线箭头所示的电场。
在显示区域E1与虚设像素区域E2的边界,在相邻的像素电极15与虚设像素电极122之间也相应于彼此的电位而产生虚线或者实线箭头所示的电场。
在本实施方式中,对外部连接端子104(LCCOM)与外部连接端子104(EA)之间施加比使液晶的透射率变化的阈值电压小的交流电压。
具体而言,本实施方式的液晶装置100,如上述地采用利用无机取向膜的VA方式的常黑模式的光学设计。因此,液晶装置100中的像素P的透射率与驱动电压的关系是,未对像素电极15与共用电极23之间提供驱动电压时的透射率为0%,对像素电极15与共用电极23之间提供预定驱动电压时的透射率为100%。例如,在使用具有介电常数ε//=4.0、介电常数ε⊥=8.5、弹性常数k1=15pN、弹性常数k2=16pN、弹性常数k3=17pN的负的介电各向异性的液晶的情况下,如图7所示,当对像素电极15与共用电极23之间施加的有效电压超过2.0V时,透射率开始变化。将透射率这样开始变化的有效电压称为阈值电压。
在本实施方式中,对虚设像素电极121、122与共用电极23之间施加比阈值电压(2V)小的电压、例如1.5V。更加具体而言,当将提供给共用电极23的共用电位(LCCOM)设为例如6V时,对虚设像素电极121、122提供以共用电极23的电位为基准的交流电位,所以虚设像素电极121、122的电位在4.5V~7.5V之间变化。
在显示期间中,优选,对像素电极15与共用电极23之间施加的图像信号(交流电压)的频率为例如60Hz,对虚设像素电极121、122与共用电极23之间施加的交流电压的频率是与图像信号相同的频率。
因为对虚设像素电极121、122与共用电极23之间施加比阈值电压小的电压,所以虚设像素区域E2中的透射率几乎不变仍为黑显示(透射率为0%的状态)不变。由此,多个虚设像素DP作为电子分隔部120发挥作用。
另一方面,当在液晶层50中含有正极性(+)或者负极性(-)的离子性杂质时,这些离子性杂质如上所述伴随液晶装置100的驱动而被输送到显示区域E1的角部。而且,受到在位于该角部周边的虚设像素电极121、122与共用电极23之间产生的电场吸引,被从显示区域E1扫除到虚设像素区域E2。
根据上述第1实施方式可得到下面的效果。
(1)液晶装置100及其驱动方法,对包围显示区域E1的虚设像素区域E2的虚设像素电极121、122与共用电极23之间,以共用电极23的电位为基准,施加比使像素P的透射率变化的阈值电压小的交流电压。因此,包含虚设像素电极121、122的虚设像素DP作为电子分隔部120发挥作用,并且能够使离子性杂质从显示区域E1被扫除到虚设像素区域E2。也就是,在显示区域E1中改善由于离子性杂质的偏置所导致的显示不均和/或图像残留等显示不良。
(2)在显示期间中,对虚设像素电极121、122与共用电极23之间施加的交流电压的频率,与对像素电极15与共用电极23之间施加的图像信号的频率相同,所以无需生成与图像信号频率不同的交流电压,所以驱动液晶装置100的外部驱动电路的结构无需变得复杂。
此外,在上述第1实施方式中,对虚设像素电极121、122与共用电极23之间施加了交流电压,但是不限定于此。已知液晶层50可能含有的离子性杂质多为正极性的阳离子。因此,也可以以共用电极23的电位为基准而对虚设像素电极121、122提供比共用电极23的电位低的直流电位。如果将共用电极23的电位设为例如6V,则虚设像素电极121、122的电位成为4.5V的直流电位。或者如果将共用电极23的电位设为例如0V,则虚设像素电极121、122的电位成为-1.5V的直流电位。由此,对虚设像素电极121、122与共用电极23之间施加的有效直流电压变得比阈值电压小,使虚设像素电极121、122作为电子分隔部120发挥作用,并且能够有效地将正极性离子性杂质(阳离子)从显示区域E1扫除到设有电子分隔部120的虚设像素区域E2。
另外,不限于显示期间中也可以在显示期间结束后,也继续对虚设像素电极121、122与共用电极23之间施加交流电压或直流电压。尤其是,在显示期间结束后,也可以使对虚设像素电极121、122与共用电极23之间施加的交流电压或直流电压,与阈值电压相同或比阈值电压大。也就是,如果是显示期间结束后,则不管显示区域E1中的显示状态怎样,都能对虚设像素电极121、122与共用电极23之间提供阈值电压以上的电压,更加有效地将离子性杂质扫除到虚设像素区域E2。
第2实施方式
接下来,参照图8及图9就第2实施方式的液晶装置进行说明。图8是示出第2实施方式的液晶装置中的电子分隔部结构的布线图、图9是示出第2实施方式的液晶装置的结构的概略剖视图。第2实施方式的液晶装置相对于第1实施方式的液晶装置100而言,虚设像素DP的配置不同。因此,对与第1实施方式的液晶装置100相同的结构附加相同的附图标记并省略详细的说明,对与第1实施方式的液晶装置100不同的部分进行说明。
本实施方式的液晶装置200中应用了常黑模式的光学设计。如图8所示,本实施方式的液晶装置200(液晶面板210)在包围显示区域E1的位置,从显示区域E1侧起分别配置有虚设像素电极122、虚设像素电极121、虚设像素电极126。也就是,在X方向和Y方向上,分别夹着显示区域E1各配置3个虚设像素DP。设置有:使多个虚设像素电极121彼此电连接的连接布线123和使多个虚设像素电极122彼此电连接并且电连接于连接布线123的连接布线124。另外,设置有:使在比多个虚设像素电极121靠外侧处配置的多个虚设像素电极126彼此电连接的连接布线127。虚设像素电极126与本发明的第3电极相当。虚设像素电极126的俯视形状和/或大小与像素电极15相同。
连接布线123通过在Y方向上延伸的一对引绕布线125电连接于外部连接端子104(EA1)。连接布线123与连接布线127电分离,连接布线127通过在Y方向上延伸的一对引绕布线128电连接于外部连接端子104(EA2)。外部连接端子104(EA1)与外部连接端子104(EA2)相邻,而且以与外部连接端子104(EA2)相邻的方式配置有与共用电极23电连接的外部连接端子104(LCCOM)。
以供给到外部连接端子104(LCCOM)的共用电位为基准,对外部连接端子104(EA1)和外部连接端子104(EA2)供给负极性的(比共用电位低的)直流电位。
如图9所示,作为第3电极的虚设像素电极126与虚设像素电极121、122及像素电极15同样地在第3层间绝缘膜14上形成。也就是,虚设像素电极126在形成像素电极15的工序中利用与像素电极15相同的透明导电膜形成。另外,虚设像素电极126俯视形成于分隔区域E3。因此,通过分隔部21对虚设像素电极126进行遮光。
对虚设像素电极126供给预定电位的连接布线127形成在布线层14。也就是,在布线层14中,在例如形成第1电容电极16a的工序中使用与第1电容电极16a相同的导电膜来形成。此外,连接布线127不限定于在布线层14中形成,也可以在比布线层14靠下层的布线层中形成。
液晶装置200的驱动方法
在显示期间中,以共用电极23的电位(LCCOM)为基准,对作为电子分隔部120发挥作用的虚设像素电极121、122施加比阈值电压小的负极性的直流电位。对作为第3电极的虚设像素电极126,施加比施加于虚设像素电极121、122的负极性直流电位大的负极性的直流电位。
由此,在虚设像素电极121、122与共用电极23之间产生从共用电极23朝向虚设像素电极121、122的电场。比虚设像素电极121、122与共用电极23之间的电场强的电场,沿从共用电极23朝向虚设像素电极126的方向产生。
因此,在液晶层50含有正极性(+)的离子性杂质(阳离子)的情况下,正极性的离子性杂质从显示区域E1被扫除到虚设像素区域E2,而且被扫除到虚设像素区域E2的正极性的离子性杂质被扫除到分隔区域E3。也就是,能够抑制正极性的离子性杂质蓄积并滞留在具有虚设像素电极121、122的电子分隔部120。另一方面,负极性(-)的离子性杂质(阴离子)由于在电子分隔部120产生的电场而被弹到显示区域E1侧。也就是,能够抑制负极性的离子性杂质滞留并偏置于显示区域E1与虚设像素区域E2的边界附近。
根据上述第2实施方式,能够得到下述效果。
(1)液晶装置200及其驱动方法,具有在分隔区域E3设置的多个虚设像素电极126,对虚设像素电极126施加比作为电子分隔部120发挥作用的虚设像素电极121、122的电位高的负极性的直流电位。因此,能够将已扫除到虚设像素区域E2的正极性的离子性杂质扫除到比虚设像素区域E2靠外侧的分隔区域E3。因此,能够减少下述情况:由于正极性离子性杂质滞留在包围显示区域E1的虚设像素区域E2而导致显示区域E1中的显示受影响。
(2)虚设像素电极126配置在分隔区域E3,所以即使因对虚设像素电极126施加负极性的直流电位而产生光泄漏,该光泄漏也由分隔部21遮光,所以上述光泄漏的影响不会波及到显示区域E1的显示品位。
此外,在显示期间结束后,也可以对虚设像素电极121、122、126与共用电极23之间提供与阈值电压相同或比阈值电压大的负极性的直流电压。
(第3实施方式)
接下来,参照图10及图11就第3实施方式的液晶装置进行说明。图10是表示第3实施方式的液晶装置中的像素结构的概略俯视图,图11是表示第3实施方式的液晶装置中的电子分隔部的结构的概略剖视图。此外,图11是与第1实施方式的图6相对应的概略剖视图。
第3实施方式的液晶装置相对于第1实施方式的液晶装置100,像素P的结构不同。因此,对与第1实施方式的液晶装置100相同的结构标注相同的附图标记并省略详细的说明。
本实施方式的液晶装置300应用了常黑模式的光学设计。如图10所示,液晶装置300具有:沿X方向延伸的扫描线303;与扫描线303平行地沿X方向延伸的共用布线304;和沿Y方向延伸的数据线306。另外,液晶装置300按每个像素P具有:在扫描线303与数据线306的交叉部附近设置的薄膜晶体管330;梳齿状的像素电极315;和同样的梳齿状的共用电极316。薄膜晶体管330的半导体层以与沿X方向延伸的扫描线303交叉的方式沿Y方向配置,与该半导体层交叉的扫描线303的部分作为栅电极发挥作用。也就是,薄膜晶体管330为顶栅结构。
薄膜晶体管330的半导体层为LDD结构,数据线306经由接触部331连接于第1源漏区域,像素电极315经由接触部332连接于第2源漏区域。
像素电极315和共用电极316以使得共用电极316的分支电极316B位于像素电极315的分支电极315B之间的方式配置。共用电极316经由接触部305连接于供给共用电位(LCCOM)的共用布线304。
如图11所示,液晶装置300的液晶面板310中,在元件基板10与对置基板20之间夹持有液晶层350,该元件基板10在基材10s上具有多个布线层11~14,该对置基板20相对于元件基板10隔着密封件40对置配置。液晶层350包含具有例如正的介电各向异性的液晶分子,该液晶分子为大致水平取向。在图11中省略了使液晶分子大致水平取向的取向膜的图示。该取向膜是对例如聚酰亚胺膜按预定方向实施了摩擦处理所得的膜。
液晶面板310具有:显示区域E1,在其中排列有具有像素电极315及共用电极316的像素P;包围显示区域E1的虚设像素区域E2;和包围虚设像素区域E2的分隔区域E3。在分隔区域E3中在对置基板20的液晶层350侧设有分隔部21。
在显示区域E1中使用ITO等透明导电膜在第3层间绝缘膜14上形成了像素电极315及共用电极316。共用电极316所连接的共用布线304在布线层14形成。通过对像素电极315与共用电极316之间施加以共用电极316的电位为基准的交流电压而产生横向的电场,将大致水平取向的液晶分子的取向方位变为该电场方向,由此能够基于图像信号对透射像素P的光进行调制。利用这样在形成于同层的像素电极315与共用电极316之间所产生的横向的电场进行显示的方法,被称为IPS(In Plane Switching,面内开关)方式。
在本实施方式中,在虚设像素区域E2设有第1电极321和第2电极322。第1电极321及第2电极322是在形成像素电极315和/或共用电极316的工序中同样地使用透明导电膜而形成的。由第1电极321和第2电极322构成1个虚设像素。
在布线层14中,与共用布线304同层地使用同样的导电膜形成了连接布线323、324。连接布线323电连接于第1电极321,连接布线324电连接于第2电极322。此外,共用布线304及连接布线323、324不限定于在布线层14中形成,也可以在比布线层14靠下层的布线层中形成。
液晶装置300的驱动方法
经由连接布线324对第2电极322供给与共用布线304相同的共用电位(LCCOM)。经由连接布线323对第1电极321供给以第2电极322的电位为基准而转变到高电位和低电位的交流电位。也就是,对第1电极321与第2电极322之间施加以第2电极322的电位为基准的交流电压。该交流电压小于使像素P的透射率变化的阈值电压。由此,包含第1电极321和第2电极322的虚设像素作为电子分隔部320发挥作用。另一方面,由于在第1电极321与第2电极322之间产生的横向的电场,液晶层350中的离子性杂质(阳离子、阴离子)被第1电极321吸引。即,能够从显示区域E1向虚设像素区域E2扫除离子性杂质(阳离子、阴离子)。
此外,施加于第1电极321与第2电极322之间的交流电压的频率与施加于像素电极315与共用电极316之间的交流电压的频率相同,为例如60Hz。
另外,在显示期间结束后,也可以使施加于第1电极321与第2电极322之间的交流电压与阈值电压相同或比阈值电压大。
根据本实施方式,包含第1电极321与第2电极322的电子分隔部320,虽然与像素P同样产生横向电场,但是施加于第1电极321与第2电极322之间的交流电压比阈值电压小,所以在虚设像素区域E2中维持常黑的显示状态。因此,能够实现:能够吸引离子性杂质,并且即使从倾斜方向看光泄漏也不明显的视角特性优异的电子分隔部320。
第4实施方式
接下来,参照图12及图13就第4实施方式的液晶装置进行说明。图12是表示第4实施方式的液晶装置中的像素结构的概略俯视图,图13是表示第4实施方式的液晶装置中的电子分隔部的结构的概略剖视图。此外,图13是与第1实施方式的图6相对应的概略剖视图。
第4实施方式的液晶装置相对于第1实施方式的液晶装置100,像素P的结构不同。因此,对与第1实施方式的液晶装置100相同的结构标注相同的附图标记并省略详细的说明。
本实施方式的液晶装置400应用了常黑模式的光学设计。如图12所示,液晶装置400具有:沿X方向延伸的扫描线403;与扫描线403平行地沿X方向延伸的共用布线404;和沿Y方向延伸的数据线406。另外,液晶装置400按每个像素P而具有:在扫描线403与数据线406的交叉部附近设置的薄膜晶体管430;梳齿状的像素电极415;和与像素电极415俯视重叠地设置的共用电极416。薄膜晶体管430的半导体层以与沿X方向延伸的扫描线403交叉的方式沿Y方向配置,与该半导体层交叉的扫描线403的部分作为栅电极发挥作用。薄膜晶体管430与第3实施方式的薄膜晶体管330同样地为顶栅结构。
薄膜晶体管430的半导体层为LDD结构,数据线406经由接触部431连接于第1源漏区域,像素电极415经由接触部432连接于第2源漏区域。
像素电极415和共用电极416以夹着层间绝缘膜对置的方式配置。在像素电极415的分支电极415B之间也存在共用电极416。共用电极416经由接触部405连接于供给共用电位(LCCOM)的共用布线404。
如图13所示,液晶装置400的液晶面板410在元件基板10与对置基板20之间夹持液晶层350,该元件基板10在基材10s上具有多个布线层11~14,该对置基板20相对于元件基板10夹着密封件40而对置配置。液晶层350包含具有例如正的介电各向异性的液晶分子,该液晶分子为大致水平取向。在图13中省略了使液晶分子大致水平取向的取向膜的图示。该取向膜是对例如聚酰亚胺膜按预定方向实施了摩擦处理所得的膜。
液晶面板410具有:显示区域E1,其中排列了具有像素电极415及共用电极416的像素P;包围显示区域E1的虚设像素区域E2;和包围虚设像素区域E2的分隔区域E3。在分隔区域E3中在对置基板20的液晶层350侧设有分隔部21。
在显示区域E1,使用ITO等透明导电膜在第3层间绝缘膜14上形成有像素电极415。与像素电极415同样地使用透明导电膜在布线层14形成了共用电极416。共用电极416所连接的共用布线404形成于布线层14的下层的布线层13。对像素电极415与共用电极416之间施加以共用电极416的电位为基准的交流电压从而产生大致横向的电场,将大致水平取向的液晶分子的取向方位变为该电场方向,从而能够基于图像信号对透射像素P的光进行调制。利用这样在形成于不同布线层的像素电极415与共用电极416之间所产生的大致横向的电场进行显示的方法,被称为FFS(Fringe Field Switching,边缘场开关)方式。
在本实施方式中,在虚设像素区域E2设有第1电极421和第2电极422。第1电极421在形成像素电极415的工序使用透明导电膜而形成。第2电极422在形成共用电极416的工序中同样地使用透明导电膜而形成。由第1电极421和第2电极422构成1个虚设像素。
在布线层14形成有连接布线423。在布线层13中,与共用布线404同层地使用相同的导电膜形成了连接布线424。连接布线423电连接于第1电极421,连接布线424电连接于第2电极422。
液晶装置400的驱动方法
经由连接布线424对第2电极422供给与共用布线404相同的共用电位(LCCOM)。经由连接布线423对第1电极421供给以第2电极422的电位为基准而转变到高电位和低电位的交流电位。也就是,对第1电极421与第2电极422之间施加以第2电极422的电位为基准的交流电压。该交流电压比使像素P的透射率变化的阈值电压小。由此,包含第1电极421和第2电极422的虚设像素作为电子分隔部420发挥作用。另一方面,通过在第1电极421与第2电极422之间产生的大致横向的电场,液晶层350中的离子性杂质(阳离子、阴离子)被第1电极421吸引。即,能够从显示区域E1将离子性杂质(阳离子、阴离子)扫除到虚设像素区域E2。
此外,对第1电极421与第2电极422之间施加的交流电压的频率与对像素电极415与共用电极416之间施加的交流电压的频率相同,为例如60Hz。
另外,在显示期间结束后,也可以使对第1电极421与第2电极422之间施加的交流电压与阈值电压相同或比阈值电压大。
根据本实施方式,包含第1电极421和第2电极422的电子分隔部420,虽然与像素P同样地产生大致横向的电场,但是对第1电极421与第2电极422之间施加的交流电压比阈值电压小,所以在虚设像素区域E2维持常黑的显示状态。因此,能够实现:能够吸引离子性杂质并且即使从倾斜方向观察光泄漏也不显眼的视角特性优异的电子分隔部420。
第5实施方式
电子设备
接着,参照图14对作为第5实施方式即电子设备的投射型显示装置进行说明。图14是示出投射型显示装置的结构的概略图。
如图14所示,作为本实施方式的电子设备的投射型显示装置1000具备:沿***光轴L配置的偏振照明装置1100;作为光分离元件的2个分色镜1104、1105;3个反射镜1106、1107、1108;5个中继透镜1201、1202、1203、1204、1205;3个作为光调制单元的透射型液晶光阀1210、1220、1230;作为光合成元件的十字分色棱镜1206;和投影透镜1207。
偏振照明装置1100大致包括作为光源的灯单元1101、积分透镜1102和偏振转换元件1103而构成,该灯单元1101包括超高压水银灯和/或卤素灯等白色光源。
分色镜1104使从偏振照明装置1100出射的偏振光束中的红色光(R)反射,使绿色光(G)和蓝色光(B)透射。另一个分色镜1105使透射了分色镜1104的绿色光(G)反射并使蓝色光(B)透射。
在分色镜1104反射了的红色光(R),在反射镜1106反射后经由中继透镜1205而入射于液晶光阀1210。
在分色镜1105反射了的绿色光(G)经由中继透镜1204入射于液晶光阀1220。
透射了分色镜1105的蓝色光(B)经由导光***入射于液晶光阀1230,该导光***包括3个中继透镜1201、1202、1203和2个反射镜1107、1108。
液晶光阀1210、1220、1230分别相对于十字分色棱镜1206的每种色光的入射面对置配置。入射于液晶光阀1210、1220、1230的色光基于影像信息(影像信号)被调制并向十字分色棱镜1206出射。该棱镜中,贴合有4个直角棱镜,在其内面按十字状形成有反射红色光的电介质多层膜和反射蓝色光的电介质多层膜。通过这些电介质多层膜将3种色光合成,合成出显现彩色图像的光。合成所得的光由投射光学***即投射透镜1207投射到屏幕1300上,放大地显示图像。
液晶光阀1210是使用上述的具有电子分隔部120的液晶装置100或液晶装置200的光阀。在液晶面板110(或液晶面板210)的色光的入射侧与出射侧隔开间隙地配置有按正交尼科尔方式配置的一对偏振元件。其它液晶光阀1220、1230也是一样。
根据这样的投射型显示装置1000,作为液晶光阀1210、1220、1230使用上述液晶装置100或上述液晶装置200,所以能够提供改善了由离子性杂质导致的显示不良且具有优异显示品质的投射型显示装置1000。
本发明不限于上述的实施方式,能够在不违背根据技术方案以及说明书整体所领会的发明的主旨或者思想的范围内适当进行变更,伴随这样的变更的液晶装置的驱动方法以及应用该液晶装置的电子设备也包含在本发明的技术范围内。除上述实施方式以外也可以考虑各种变形例。以下举变形例进行说明。
变形例1
在液晶装置100及其驱动方法中,构成为,在对虚设像素电极121、122与共用电极23之间施加交流电压的情况下,将虚设像素DP的结构设为与像素P相同并按每个虚设像素电极121、122设置TFT30。而且,也可以经由TFT30分别对虚设像素电极121、122施加交流电位。通过设为这样的结构,也可以不从外部连接端子104(EA)供给对虚设像素电极121、122与共用电极23之间所施加的交流电压,而使用数据线驱动电路101来供给。
变形例2
液晶装置100、液晶装置200、液晶装置300和液晶装置400不限定于透射型。例如,也能够在使用具有光反射性的导电膜形成了像素电极15、315、415和/或共用电极316、416并且/或者在像素电极15、315、415及共用电极316、416的下层设有光反射层的反射型液晶装置中,应用本发明。
另外,不限定于在VA方式、IPS方式、FFS方式的液晶装置中应用,也能够在OCB(Optically Compensated Birefringence,光学补偿双折射)方式的液晶装置中应用。
变形例3
应用液晶装置100、液晶装置200、液晶装置300和液晶装置400的电子设备,不限定于上述第5实施方式的投射型显示装置1000。例如,也能够应用于投射型HUD(平视显示器)和/或直视型HMD(头戴显示器)、或电子书、个人计算机、数字静态相机、液晶电视机、取景器型或者监视直视型的录像机、汽车导航***、电子记事本、POS等信息终端设备的显示部。
Claims (13)
1.一种液晶装置的驱动方法,其特征在于,
该液晶装置,在通过密封件而贴合的第1基板与第2基板之间夹持有液晶且是在无电压施加时像素的透射率变为最小的常黑方式,
包括:显示图像的区域即第1区域;和俯视位于所述第1区域与所述密封件之间、沿所述第1区域的边缘而设置的第2区域,
在所述第1区域,在所述第1基板的面向所述液晶的一侧形成有像素电极,在所述第1基板或所述第2基板的面向所述液晶的一侧形成有共用电极,
在所述第2区域,在所述第1基板的面向所述液晶的一侧形成有第1电极,在所述第1基板或所述第2基板的面向所述液晶的一侧形成有第2电极,
对所述第1电极与所述第2电极之间施加比使所述液晶的透射率变化的阈值电压小的电压。
2.根据权利要求1所述的液晶装置的驱动方法,其特征在于,
对所述第1电极提供交流电位,该交流电位与所述第2电极的电位相比转变到高电位和低电位。
3.根据权利要求2所述的液晶装置的驱动方法,其特征在于,
所述交流电位的频率与供给到所述第1区域中的所述像素电极的图像信号的频率相同。
4.根据权利要求1所述的液晶装置的驱动方法,其特征在于,
对所述第1电极提供比所述第2电极的电位低的直流电位。
5.根据权利要求4所述的液晶装置的驱动方法,其特征在于,
在所述第2区域与所述密封件之间具有第3电极,
对所述第3电极提供比所述第1电极的电位大且比所述第2电极的电位低的直流电位。
6.根据权利要求1到5中的任一项所述的液晶装置的驱动方法,其特征在于,
在显示期间结束后,使对所述第1电极与所述第2电极之间所施加的电压与所述阈值电压相同或比所述阈值电压大。
7.一种液晶装置,其特征在于,
在通过密封件贴合的第1基板与第2基板之间夹持有液晶,为在无电压施加时像素的透射率变为最小的常黑方式,
包括:
显示图像的区域即第1区域;和
俯视位于所述第1区域与所述密封件之间、沿所述第1区域设置的第2区域,
在所述第1区域,在所述第1基板的面向所述液晶的一侧形成有像素电极,在所述第1基板或所述第2基板的面向所述液晶的一侧形成有共用电极,
在所述第2区域,在所述第1基板的面向所述液晶的一侧形成有第1电极,在所述第1基板或所述第2基板的面向所述液晶的一侧形成有第2电极,
在显示期间中,对所述第1电极与所述第2电极之间施加比使所述液晶的透射率变化的阈值电压小的电压。
8.根据权利要求7所述的液晶装置,其特征在于,
所述共用电极在所述第2基板遍及所述第1区域和所述第2区域而形成,兼作所述第2电极。
9.根据权利要求7所述的液晶装置,其特征在于,
所述第2电极形成于所述第1基板。
10.根据权利要求7到9中任一项所述的液晶装置,其特征在于,
在所述第2区域与所述密封件之间具有第3电极,对所述第3电极施加比所述第1电极的电位大的负极性的电位。
11.根据权利要求7到10中任一项所述的液晶装置,其特征在于,
具有覆盖所述像素电极、所述第1电极、所述第2电极和所述共用电极的无机取向膜。
12.一种电子设备,其特征在于,
具备液晶装置,该液晶装置,在通过密封件贴合的第1基板与第2基板之间夹持有液晶,为在无电压施加时像素的透射率变为最小的常黑方式,
该电子设备利用权利要求1到6中的任一项所述的液晶装置的驱动方法来驱动所述液晶装置。
13.一种电子设备,其特征在于,
具备权利要求7到11中的任一项所述的液晶装置。
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