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Abstract

本发明提供一种双面发光的LED灯条的制造工艺,其包括如下步骤:提供一双面基板,其包括第一层、位于所述第一层两侧的第二层以及位于所述第二层外侧并等间隔设置的第三层,所述双面基板上形成有若干个固晶槽。与现有技术相比,本发明工艺简单,发光效果更好更均匀。

Description

一种双面发光的LED灯条的制造工艺
技术领域
本发明涉及照明领域,尤其涉及一种双面发光的LED灯条的制造工艺。 
背景技术
随着LED(Light-Emitting Diode,发光二极管)行业的迅速发展,国际上涌现了很多的LED制造企业。现有的LED灯条的制造工艺复杂,需要经过两个过程,一是LED封装,二是SMT(surface mount technology,表面贴装技术,简称SMT)贴片。并且,现有技术中的LED灯条多数为单面发光,并且灯条上的每个LED芯片在封装后都是切割为一个独立的发光颗粒。 
现有技术中存在如下缺陷:(1)现有的生产流程多且复杂,生产的过程中不仅大大提高了生产成本,而且在半导体行业中,生产中过多的工艺流程也会给环境造成巨大的污染;(2)现有的LED灯条上的每颗LED颗粒都是独立存在的,点亮时会有颗粒感,发光效果不好,发光不均匀;(3)现有技术制作的LED灯条只有单面发光,发光效果不好,并且单面发光的灯条,其基板资源利用率较低。 
因此,有必要对现有技术中的缺陷做进一步改进。 
发明内容
本发明的目的在于提供一种工艺简单且发光效果好的双面发光的LED灯条的制造工艺。 
为达成前述目的,本发明一种双面发光的LED灯条的制造工艺,其包括如下步骤: 
提供一双面基板,其包括第一层、位于所述第一层两侧的第二层以及位于所述第二层外侧并等间隔设置的第三层,所述双面基板上形成有若干个固晶槽; 
固晶,在所述固晶槽内安装LED芯片; 
焊线,通过导电线将所述LED芯片表面的正负极与所述第三层电 连接; 
压模,将封装胶和荧光粉混合物通过模压压在所述LED芯片表面; 
冲切,将所述双面基板切割成若干条LED灯条。 
作为本发明一个优选的实施例,所述第三层包括固定部和合模部,所述固定部和合模部在所述第二层的表面相互交替排列。 
作为本发明一个优选的实施例,所述固晶槽是自所述第三层固定部的表面穿过所述第二层至所述第一层的表面延伸形成的,所述LED芯片安装于所述固晶槽内的第一层上。 
作为本发明一个优选的实施例,所述焊线是通过导电线将所述LED芯片表面的正负极与所述第三层的固定部进行电连接。 
作为本发明一个优选的实施例,所述压模是将封装胶和荧光粉混合物通过模压整体压在所述固定部上的所述LED芯片表面。 
作为本发明一个优选的实施例,所述冲切是沿所述合模部纵向的中间位置将所述双面基板切割成若干条LED灯条。 
作为本发明一个优选的实施例,每条LED灯条上包括封装部以及位于封装部两侧的裸露部,所述封装部包覆有若干个LED芯片。 
作为本发明一个优选的实施例,所述双面基板的第一层为铝板,所述第二层为导热绝缘层,所述第三层为电路层。 
作为本发明一个优选的实施例,所述导热绝缘层为环氧树脂,所述电路层为铜箔。 
作为本发明一个优选的实施例,所述双面基板两面的LED芯片是基于所述双面基板呈对称设置的。 
本发明的有益效果:与现有技术相比,本发明的双面发光的LED灯条的制造工艺,其工艺简单,大大提高了生产效率;并且本发明的工艺制造的LED灯条为双面发光,不仅发光效果好,而且使得基板的利用率大大提高,本发明的发光面呈条状,且若干个发光LED颗粒连接在一起,发光效果更好更均匀。 
附图说明
图1是本发明双面发光的LED灯条的制造工艺流程; 
图2A(1)是本发明的双面发光的LED灯条所使用的双面基板的结构示意图; 
图2A(2)是图2A(1)中双面基板的部分结构示意图 
图2A(3)为图2A(2)的A向剖视图; 
图2B为本发明双面发光的LED灯条的制造工艺流程中固晶步骤的结构示意图; 
图2C为本发明双面发光的LED灯条的制造工艺流程中焊线步骤的结构示意图; 
图2D(1)是本发明的双面基板位于模具中的结构示意图; 
图2D(2)是压模后的双面基板的结构示意图; 
图2E是本发明的双面发光的LED灯条的结构示意图。 
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步详细说明。 
此处所称的“一个实施例”或“实施例”是指可包含于本发明至少一个实现方式中的特定特征、结构或特性。在本说明书中不同地方出现的“在一个实施例中”并非均指同一个实施例,也不是单独的或选择性的与其他实施例互相排斥的实施例。 
请参阅图1和图2A—2E,图1为本发明双面发光的LED灯条的制造工艺流程。双面发光的LED灯条的制造工艺具体包括如下步骤: 
步骤S310:提供一双面基板。请参阅图2A(1)—2A(3),图2A(1)是本发明的双面发光的LED灯条所使用的双面基板的结构示意图,图2A(2)为图2A(1)中双面基板的部分结构示意图,图2A(3)为图2A(2)的A向剖视图。如图2A(1)—2A(3)所示,所述双面基板300包括第一层301、位于第一层301两侧的第二层302以及位于第二层302外侧并等间隔设置的若干个第三层303。所述双面基板300上形成有若干个固晶槽304。 
所述第三层303包括固定部3031和合模部3032,所述固定部3031和合模部3032在所述第二层302的表面相互交替排列。在该实施例中,所述固晶槽304是自所述第三层303的固定部3031的表面穿过所述第二层302向所述第一层301的表面延伸形成的。其中,所述双面基板300的第一层301为铝板,所述第二层302为具有高导热性能的导热绝缘层;所述第三层303为电路层,在该实施例中,所述导热绝缘层为环氧树脂,具有较高的导热性能,所述电路层为铜箔。本发明对所述第一层301、第二层302以及第三层303的厚度不做限制,可以根据实际情况具体设计。 
步骤S320:固晶。请参阅图2B,其为本发明双面发光的LED灯条的制造工艺流程中固晶步骤的结构示意图。在所述固晶槽304内安装有若干个LED芯片305。请参阅图2A和2B,首先将所述双面基板300放置在底板载具400上,使其一面朝上,利用点胶头从胶盘中蘸取锡膏,再将取出的锡膏点附于双面基板300朝上的一面的固晶槽304中,然后将LED芯片305置于点有锡膏的固晶槽304内的第一层301的铝板上,压实后升温到共晶温度,使得LED芯片305底面的金属与第一层铝板通过锡膏实现共晶焊接,进而完成双面基板的其中一面的LED芯片305固定;翻转双面基板,使其另一面朝上,重复上述固晶步骤S320,完成另一面的固晶工艺。在该实施例中,所述LED芯片305是固定于所述固晶槽304内的第一层301的铝板上的,所述LED芯片305的底部直接与第一层301的铝板相接触,这样就会使得所述LED芯片305产生的热量一部分直接传导给所述第一层301的铝板,再通过所述第一层301的铝板将热量传导出去,所述LED芯片305产生的热量另一部分通过第二层302的导热绝缘层也迅速的传导给所述第一层301的铝板,进而再通过第一层301的铝板散发出去,因此,能起到很好的散热效果,大大的延长了LED芯片的使用寿命。在其他实施例中,所述LED芯片305还可以固定于所述固定部3031上的第二层302的表面,所述LED芯片的散热直接通过第二层302的导热绝缘层把热量直接传导给第一层301的铝板达到散热的效果。在 该实施例中,为了使得LED灯条发光均匀,所述双面基板300两面的LED芯片305是基于所述双面基板300呈对称设置的,在其他实施例中,所述双面基板300两面的LED芯片也可以根据实际情况任意设置。 
步骤S330:焊线。请参阅图2C,其为本发明双面发光的LED灯条的制造工艺流程中焊线步骤的结构示意图。首先,将所述双面基板300放置在底板载具500上,使其一面朝上,通过导电线306将所述LED芯片305表面的正负极与所述第三层303上的导线电连接;翻转双面基板300,使其另一面朝上,通过导电线306将双面基板300另一面的所述LED芯片305表面的正负极与双面基板300另一面的所述第三层303上的导线电连接,完成焊线。其中,所述第三层303上的导线与外部电源进行电连接,通过外部电源将所述LED芯片点亮。 
步骤S340:压模。将封装胶和荧光粉混合物通过模压压在所述LED芯片表面。请参阅图2D(1),其为本发明的双面基板位于模具中的结构示意图。请参阅图2D(2),其为压模后的双面基板的部分截面示意图。首先将封装胶和荧光粉充分搅拌混合均匀作为封装料307,将焊接好导电线的双面基板300送入模压机台的上模501和下模502的模腔中,同时将封装料307放入模具内,经设备对模具加热后封装料307固化,然后设备自动将模压好的双面基板300传送出来,完成压模。本发明对封装胶和荧光粉的混合比例不做限制,可根据实际情况而定。请参阅图2D(2),在该实施例中,所述封装料307是通过模压整体压在所述固定部3031上的所述LED芯片表面。 
步骤S350:冲切。请继续参阅图2D(2),沿所述合模部3032纵向的中间位置将压模后的双面基板300切割成若干条LED灯条310。请参阅图2E,其为本发明的双面发光的LED灯条的结构示意图。如图2D(2)和2E所示,每条LED灯条310上包括封装部311以及位于封装部311两侧的裸露部312,所述封装部311包覆有若干个LED芯片。在该实施例中,所述LED灯条310的封装部为本发明中的封装胶和荧光粉的混合物,所述LED芯片发光产生热量一部分通过所述包覆部311散发出去,本发明中,所述裸露部312为双面基板300的一 部分,该裸露部312可防止操作者在拿起LED灯条时碰到包覆部311,避免造成包覆部311上有人为杂质出现,进而影响发光效果。 
本发明中,对所述双面基板的尺寸和形状不做限制,在保证双面基板最大利用率的前提下可根据实际所需灯条及LED芯片的数量而定。 
需要说明的是,本发明的LED灯条的制作工艺同样适合单颗LED芯片的制造。 
本发明的双面发光的LED灯条的制造工艺,其工艺简单,大大提高了生产效率;并且本发明的工艺制造的LED灯条为双面发光,不仅发光效果好,而且使得基板的利用率大大提高,本发明的发光面呈条状,且若干个发光LED颗粒连接在一起,发光效果更好更均匀。 
上述说明已经充分揭露了本发明的具体实施方式。需要指出的是,熟悉该领域的技术人员对本发明的具体实施方式所做的任何改动均不脱离本发明的权利要求书的范围。相应地,本发明的权利要求的范围也并不仅仅局限于前述具体实施方式。 

Claims (10)

1.一种双面发光的LED灯条的制造工艺,其特征在于:其包括如下步骤:
提供一双面基板,其包括第一层、位于所述第一层两侧的第二层以及位于所述第二层外侧并等间隔设置的第三层,所述双面基板上形成有若干个固晶槽;
固晶,在所述固晶槽内安装LED芯片;
焊线,通过导电线将所述LED芯片表面的正负极与所述第三层电连接;
压模,将封装胶和荧光粉混合物通过模压压在所述LED芯片表面;
冲切,将所述双面基板切割成若干条LED灯条。
2.根据权利要求1所述的双面发光的LED灯条的制造工艺,其特征在于:所述第三层包括固定部和合模部,所述固定部和合模部在所述第二层的表面相互交替排列。
3.根据权利要求2所述的双面发光的LED灯条的制造工艺,其特征在于:所述固晶槽是自所述第三层固定部的表面穿过所述第二层至所述第一层的表面延伸形成的,所述LED芯片安装于所述固晶槽内的第一层上。
4.根据权利要求1所述的双面发光的LED灯条的制造工艺,其特征在于:所述焊线是通过导电线将所述LED芯片表面的正负极与所述第三层的固定部进行电连接。
5.根据权利要求1所述的双面发光的LED灯条的制造工艺,其特征在于:所述压模是将封装胶和荧光粉混合物通过模压整体压在所述固定部上的所述LED芯片表面。
6.根据权利要求1所述的双面发光的LED灯条的制造工艺,其特征在于:所述冲切是沿所述合模部纵向的中间位置将所述双面基板切割成若干条LED灯条。
7.根据权利要求1所述的双面发光的LED灯条的制造工艺,其特征在于:每条LED灯条上包括封装部以及位于封装部两侧的裸露部,所述封装部包覆有若干个LED芯片。
8.根据权利要求1所述的双面发光的LED灯条的制造工艺,其特征在于:所述双面基板的第一层为铝板,所述第二层为导热绝缘层,所述第三层为电路层。
9.根据权利要求8所述的双面发光的LED灯条的制造工艺,其特征在于:所述导热绝缘层为环氧树脂,所述电路层为铜箔。
10.根据权利要求1所述的双面发光的LED灯条的制造工艺,其特征在于:所述双面基板两面的LED芯片是基于所述双面基板呈对称设置的。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105235114A (zh) * 2015-10-19 2016-01-13 厦门多彩光电子科技有限公司 一种led灯丝模具及led灯丝制备方法
CN105762265A (zh) * 2014-10-27 2016-07-13 财团法人工业技术研究院 发光装置及其制造方法
WO2021243673A1 (en) * 2020-06-05 2021-12-09 Tridonic Gmbh & Co Kg Led lighting strip and the manufacturing system thereof
WO2022036681A1 (zh) * 2020-08-21 2022-02-24 柯银湖 Led发光源装置及其制造方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110109235A1 (en) * 2009-11-10 2011-05-12 Link Uu Expandable and controllable LED lighting strip
CN102062323A (zh) * 2010-11-05 2011-05-18 深圳市聚飞光电股份有限公司 Led灯条和led灯的制造方法
CN102074557A (zh) * 2009-10-21 2011-05-25 信越亚斯特科株式会社 发光装置
CN102694081A (zh) * 2011-03-21 2012-09-26 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管制造方法
CN103187514A (zh) * 2012-09-17 2013-07-03 中国科学院福建物质结构研究所 一种led封装结构
CN203118987U (zh) * 2013-01-25 2013-08-07 廖旭文 双面发光的led灯板结构
CN103322525A (zh) * 2013-06-17 2013-09-25 深圳市源磊科技有限公司 Led灯及其灯丝
CN203232909U (zh) * 2013-04-18 2013-10-09 浙江深度照明有限公司 一种集成式led封装结构

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102074557A (zh) * 2009-10-21 2011-05-25 信越亚斯特科株式会社 发光装置
US20110109235A1 (en) * 2009-11-10 2011-05-12 Link Uu Expandable and controllable LED lighting strip
CN102062323A (zh) * 2010-11-05 2011-05-18 深圳市聚飞光电股份有限公司 Led灯条和led灯的制造方法
CN102694081A (zh) * 2011-03-21 2012-09-26 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管制造方法
CN103187514A (zh) * 2012-09-17 2013-07-03 中国科学院福建物质结构研究所 一种led封装结构
CN203118987U (zh) * 2013-01-25 2013-08-07 廖旭文 双面发光的led灯板结构
CN203232909U (zh) * 2013-04-18 2013-10-09 浙江深度照明有限公司 一种集成式led封装结构
CN103322525A (zh) * 2013-06-17 2013-09-25 深圳市源磊科技有限公司 Led灯及其灯丝

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105762265A (zh) * 2014-10-27 2016-07-13 财团法人工业技术研究院 发光装置及其制造方法
CN105235114A (zh) * 2015-10-19 2016-01-13 厦门多彩光电子科技有限公司 一种led灯丝模具及led灯丝制备方法
WO2021243673A1 (en) * 2020-06-05 2021-12-09 Tridonic Gmbh & Co Kg Led lighting strip and the manufacturing system thereof
WO2022036681A1 (zh) * 2020-08-21 2022-02-24 柯银湖 Led发光源装置及其制造方法

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