CN104037217A - 一种基于复合偶极层的AlGaN/GaN HEMT开关器件结构及制作方法 - Google Patents

一种基于复合偶极层的AlGaN/GaN HEMT开关器件结构及制作方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种基于复合偶极层的AlGaN/GaN HEMT开关器件结构及其制作方法,从下往上依次包括衬底、GaN缓冲层、AlN隔离层、GaN沟道层、AlGaN本征层和AlGaN掺杂层,所述AlGaN掺杂层上间隔设有源极、有机绝缘层和漏极,所述漏极与所述有机绝缘层之间设有钝化层,所述有机绝缘层与所述AlGaN掺杂层上设有ITO栅电极,所述ITO栅电极与所述源极之间设有钝化层,所述钝化层与所述源极之间淀积有LiF层,所述源极和LiF层上淀积有AL金属层。本发明使用了PTFE和ITO形成的偶极子层,降低了该区域场正下方的2DEG的浓度,改变了栅漏区域的电场分布,提高了器件的击穿电压。

Description

一种基于复合偶极层的AlGaN/GaN HEMT开关器件结构及制作方法
技术领域
本发明涉及微电子技术领域,尤其是涉及一种基于复合偶极层的AlGaN/GaN HEMT开关器件结构及其制备方法。
背景技术
近年来以SiC和GaN为代表的第三带宽禁带隙半导体以其禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、饱和电子速度大和异质结界面二维电子气浓度高等特性,使其受到广泛关注。在理论上,利用这些材料制作的高电子迁移率晶体管HEMT、发光二极管LED、激光二极管LD等器件比现有器件具有明显的优越特性,因此近些年来国内外研究者对其进行了广泛而深入的研究,并取得了令人瞩目的研究成果。
AlGaN/GaN异质结高电子迁移率晶体管HEMT在高温器件及大功率微波器件方面已显示出了得天独厚的优势,追求器件高频率、高压、高功率吸引了众多的研究。近年来,制作更高频率高压AlGaN/GaN HEMT成为关注的又一研究热点。由于AlGaN/GaN异质结生长完成后,异质结界面就存在大量二维电子气2DEG,并且其迁移率很高。在提高AlGaN/GaN异质结电子迁移率晶体管击穿电压方面,人们进行了大量的研究,发现AlGaN/GaN HEMT器件的击穿主要发生在栅靠漏端,因此要提高器件的击穿电压,必须使栅漏区域的电场重新分布,尤其是降低栅靠漏端的电场,为此,人们提出了采用场板结构的方法;在提高AlGaN/GaN异质结电子迁移率晶体管频率特性方面,使用槽栅结构,让栅电极对2DEG有更好的控制效果。
(1)场板结构具体参见Yuji Ando,Akio Wakejima,Yasuhiro Okamoto 等的Novel AlGaN/GaN dual-field-plate FET with high gain,increased linearity and stability,IEDM2005,pp.576-579,2005。在AlGaN/GaN HEMT器件中采用场板结构,可以将器件的击穿电压大幅度的提高,并且能降低栅漏电容,提高了器件的线性度和稳定性。
(2)槽栅结构具体参见W.B.Lanford,T.Tanaka,Y.Otoki等的Recessed-gate enhancement-mode GaN HEMT with high threshold voltage,ELECTRONICS LETTERS2005,Vol.41,No.7,2005。在AlGaN/GaN HEMT器件中采用槽栅结构能够有效的增加器件的频率特性。
发明内容
本发明为了克服上述的不足,提供了一种基于有机介质的高性能AlGaN/GaN HEMT开关器件结构及其制作方法。
本发明的技术方案如下:
一种基于复合偶极层的AlGaN/GaN HEMT开关器件结构,从下往上依次包括衬底、GaN缓冲层、AlN隔离层、GaN沟道层、AlGaN本征层和AlGaN掺杂层,所述AlGaN掺杂层上间隔设有源极、有机绝缘层和漏极,所述漏极与所述有机绝缘层之间设有钝化层,所述有机绝缘层与所述AlGaN掺杂层上设有ITO栅电极,所述ITO栅电极与所述源极之间设有钝化层,所述钝化层与所述源极之间淀积有LiF层,所述源极和LiF层上淀积有AL金属层。
所述衬底材料为蓝宝石、碳化硅、GaN或MgO。
所述AlGaN掺杂层中Al的组分含量在0~1之间,Ga的组分含量与Al的组分含量之和为1。
所述有机绝缘层为PTFE层。
所述钝化层中包括Si3N4、Al2O3、HfO2和HfSiO中的一种或多种。
上述一种基于复合偶极层的AlGaN/GaN HEMT开关器件结构通过以下方法制作:
(1)对外延生长的AlGaN/GaN材料进行有机清洗,用流动的去离子水清洗并放入HCl:H2O=1:1的溶液中进行腐蚀30~60s,最后用流动的去离子水清洗并用高纯氮气吹干;
(2)对清洗干净的AlGaN/GaN材料进行光刻和干法刻蚀,形成有源区台面;
(3)对制备好台面的AlGaN/GaN材料进行光刻,形成源漏区,放入电子束蒸发台中淀积欧姆接触金属Ti/Al/Ni/Au=(20/120/45/50nm)并进行剥离,最后在氮气环境中进行850℃35s的快速热退火,形成欧姆接触;
(4)对完成合金的器件进行光刻,形成有机绝缘介质PTFE淀积区域,然后放入氧等离子处理室中对AlGaN表面进行轻度氧化处理,然后放入电子束蒸发台中:反应室真空抽至4.0*10-3帕,缓慢加电压使控制PTFE蒸发速率为0.1nm/s,淀积200~300nm厚的PTFE薄膜;
(5)将淀积好PTFE介质的器件放入丙酮溶液中浸泡30-60min,进行超声剥离;
(6)对完成蒸发淀积的器件进行光刻,形成栅极刻蚀区域,放入ICP干法刻蚀反应室中,去除刻蚀残留物;
(7)对完成刻蚀的器件进行光刻,形成栅以及栅场板区,放入电子束蒸发台中淀积200nm厚的ITO栅金属;
(8)将淀积好栅电极和栅场板的器件放入丙酮溶液中浸泡30~60min,进行超声剥离,形成栅场板结构;
(9)将完成栅极制备的器件进行光刻,形成绝缘介质LiF的淀积区域,然后放入电子束反应室真空抽至4.0*10-3帕,缓慢加电压使控制LiF蒸发速率为0.5nm/s,淀积100~200nm厚的LiF薄膜;
(10)将淀积好LiF介质的器件放入丙酮溶液中浸泡30~60min,进行超声剥离;
(11)再次对完成LiF制备的器件进行光刻,形成源场板区,放入电子束 蒸发台中淀积200nm厚的Al金属;
(12)将淀积好Al金属的器件放入丙酮溶液中浸泡30~60min,进行超声剥离,形成源场板结构;
(13)将完成的器件放入PECVD反应室淀积SiN钝化膜;
(14)将器件再次进行清洗、光刻显影,形成SiN薄膜的刻蚀区,并放入ICP干法刻蚀反应室中,将源极、漏极上面覆盖的SiN薄膜刻蚀掉;
(15)将器件进行清洗、光刻显影,并放入电子束蒸发台中淀积Ti/Au=20/200nm的加厚电极,完成整体器件的制备。
所述步骤(6)ICP干法刻蚀反应室中的工艺条件为:上电极功率为200W,下电极功率为20W,反应室压力为1.5Pa,Cl2的流量为10sccm,N2的流量为10sccm,将AlGaN势垒层刻蚀掉5~10nm,然后将器件放入HCl:H2O=1:1溶液中处理30s。
所述步骤(13)PECVD反应室中的工艺条件为:SiH4的流量为40sccm,NH3的流量为10sccm,反应室压力为1~2Pa,射频功率为40W,淀积200nm~300nm厚的SiN钝化膜。
所述步骤(14)ICP干法刻蚀反应室中的工艺条件为:上电极功率为200W,下电极功率为20W,反应室压力为1.5Pa,CF4的流量为20sccm,Ar气的流量为10sccm,刻蚀时间为10min。
本发明的有益效果是:
(1)本器件使用了PTFE和ITO形成的偶极子层,降低了该区域场正下方的2DEG的浓度,改变了栅漏区域的电场分布,提高了器件的击穿电压;
(2)本器件使用了LiF和Al形成的偶极子层,提高了该区域正下方的2DEG的浓度,减小了器件栅源之间的导通电阻;
(3)本器件使用了槽栅结构,增加了栅电极对栅下的2DEF浓度的控制能力,提高了器件的频率特性。
(4)本器件同时采用ITO和Al分别形成栅场板和源场板,再次改变了栅 漏区域和栅源区域的电场分布,提高了器件的击穿电压。
附图说明
本发明将通过例子并参照附图的方式说明,其中:
图1是本发明的示意图;
图2是本发明的制作流程图。
具体实施方式
现在结合附图对本发明作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图,仅以示意方式说明本发明的基本结构,因此其仅显示与本发明有关的构成。
如图1所示,本实施例提供了一种基于复合偶极层的AlGaN/GaN HEMT开关器件结构,从下往上依次包括衬底、GaN缓冲层、AlN隔离层、GaN沟道层、AlGaN本征层和AlGaN掺杂层,所述AlGaN掺杂层上间隔设有源极、有机绝缘层和漏极,所述漏极与所述有机绝缘层之间设有钝化层,所述有机绝缘层与所述AlGaN掺杂层上设有ITO栅电极,所述ITO栅电极与所述源极之间设有钝化层,所述钝化层与所述源极之间淀积有LiF层,所述源极和LiF层上淀积有AL金属层。其中,所述衬底材料为蓝宝石、碳化硅、GaN或MgO,所述AlGaN掺杂层中Al的组分含量在0~1之间,Ga的组分含量与Al的组分含量之和为1,所述有机绝缘层为PTFE层,所述钝化层中包括Si3N4、Al2O3、HfO2和HfSiO中的一种或多种。
本具体实施在AlGaN势垒层上使用PTFE和LiF材料以及使用槽栅结构来控制2DEG,具体的原理是:一:在栅极附近淀积PTFE薄膜,PTFE极化后的偶极子在其上表面产生正电荷,其下表面产生负电荷,对GaN表面的2DEG产生耗尽作用,降低了栅漏局部区域的2DEG浓度,改变了电场分布,增加了器件的击穿电压;二:在源极附近淀积LiF薄膜,LiF极化后的偶极子在其上表面产生负电荷,其下表面产生正电荷,对2DEG产生增强作用,增加了LiF绝缘 介质下方的2DEG浓度,减小了导通电阻;三:同时利用ITO以及Al分别形成栅场板和源场板结构,提高了器件的击穿电压;四:采用槽栅结构,增加了栅极电压对2DEG的控制作用,提高了器件的频率特性。
如图2所示,本发明的制作步骤如下:
(1)对外延生长的AlGaN/GaN材料进行有机清洗,用流动的去离子水清洗并放入HCl:H2O=1:1的溶液中进行腐蚀30~60s,最后用流动的去离子水清洗并用高纯氮气吹干;
(2)对清洗干净的AlGaN/GaN材料进行光刻和干法刻蚀,形成有源区台面;
(3)对制备好台面的AlGaN/GaN材料进行光刻,形成源漏区,放入电子束蒸发台中淀积欧姆接触金属Ti/Al/Ni/Au=(20/120/45/50nm)并进行剥离,最后在氮气环境中进行850℃35s的快速热退火,形成欧姆接触;
(4)对完成合金的器件进行光刻,形成有机绝缘介质PTFE淀积区域,然后放入氧等离子处理室中对AlGaN表面进行轻度氧化处理,然后放入电子束蒸发台中:反应室真空抽至4.0*10-3帕,缓慢加电压使控制PTFE蒸发速率为0.1nm/s,淀积200~300nm厚的PTFE薄膜;
(5)将淀积好PTFE介质的器件放入丙酮溶液中浸泡30-60min,进行超声剥离;
(6)对完成蒸发淀积的器件进行光刻,形成栅极刻蚀区域,放入ICP干法刻蚀反应室中,工艺条件为:上电极功率为200W,下电极功率为20W,反应室压力为1.5Pa,Cl2的流量为10sccm,N2的流量为10sccm,将AlGaN势垒层刻蚀掉5~10nm,然后将器件放入HCl:H2O=1:1溶液中处理30s,去除刻蚀残留物;
(7)对完成刻蚀的器件进行光刻,形成栅以及栅场板区,放入电子束蒸发台中淀积200nm厚的ITO栅金属;
(8)将淀积好栅电极和栅场板的器件放入丙酮溶液中浸泡30~60min,进行超声剥离,形成栅场板结构;
(9)将完成栅极制备的器件进行光刻,形成绝缘介质LiF的淀积区域,然后放入电子束反应室真空抽至4.0*10-3帕,缓慢加电压使控制LiF蒸发速率为0.5nm/s,淀积100~200nm厚的LiF薄膜;
(10)将淀积好LiF介质的器件放入丙酮溶液中浸泡30~60min,进行超声剥离;
(11)再次对完成LiF制备的器件进行光刻,形成源场板区,放入电子束蒸发台中淀积200nm厚的Al金属;
(12)将淀积好Al金属的器件放入丙酮溶液中浸泡30~60min,进行超声剥离,形成源场板结构;
(13)将完成的器件放入PECVD反应室淀积SiN钝化膜,工艺条件为:SiH4的流量为40sccm,NH3的流量为10sccm,反应室压力为1~2Pa,射频功率为40W,淀积200nm~300nm厚的SiN钝化膜;
(14)将器件再次进行清洗、光刻显影,形成SiN薄膜的刻蚀区,并放入ICP干法刻蚀反应室中,工艺条件为:上电极功率为200W,下电极功率为20W,反应室压力为1.5Pa,CF4的流量为20sccm,Ar气的流量为10sccm,刻蚀时间为10min,将源极、漏极上面覆盖的SiN薄膜刻蚀掉;
(15)将器件进行清洗、光刻显影,并放入电子束蒸发台中淀积Ti/Au=20/200nm的加厚电极,完成整体器件的制备。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以作出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (9)

1.一种基于复合偶极层的AlGaN/GaN HEMT开关器件结构,其特征在于,从下往上依次包括衬底、GaN缓冲层、AlN隔离层、GaN沟道层、AlGaN本征层和AlGaN掺杂层,所述AlGaN掺杂层上间隔设有源极、有机绝缘层和漏极,所述漏极与所述有机绝缘层之间设有钝化层,所述有机绝缘层与所述AlGaN掺杂层上设有ITO栅电极,所述ITO栅电极与所述源极之间设有钝化层,所述钝化层与所述源极之间淀积有LiF层,所述源极和LiF层上淀积有AL金属层。
2.根据权利要求1所述的基于复合偶极层的AlGaN/GaN HEMT开关器件结构,其特征在于,所述衬底材料为蓝宝石、碳化硅、GaN或MgO。
3.根据权利要求1所述的基于复合偶极层的AlGaN/GaN HEMT开关器件结构,其特征在于,所述AlGaN掺杂层中Al的组分含量在0~1之间,Ga的组分含量与Al的组分含量之和为1。
4.根据权利要求1所述的基于复合偶极层的AlGaN/GaN HEMT开关器件结构,其特征在于,所述有机绝缘层为PTFE层。
5.根据权利要求1所述的基于复合偶极层的AlGaN/GaN HEMT开关器件结构,其特征在于,所述钝化层中包括Si3N4、Al2O3、HfO2和HfSiO中的一种或多种。
6.一种基于复合偶极层的AlGaN/GaN HEMT开关器件结构的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)对外延生长的AlGaN/GaN材料进行有机清洗,用流动的去离子水清洗并放入HCl:H2O=1:1的溶液中进行腐蚀30~60s,最后用流动的去离子水清洗并用高纯氮气吹干;
(2)对清洗干净的AlGaN/GaN材料进行光刻和干法刻蚀,形成有源区台面;
(3)对制备好台面的AlGaN/GaN材料进行光刻,形成源漏区,放入电子束蒸发台中淀积欧姆接触金属Ti/Al/Ni/Au=(20/120/45/50nm)并进行剥离,最后在氮气环境中进行850℃35s的快速热退火,形成欧姆接触;
(4)对完成合金的器件进行光刻,形成有机绝缘介质PTFE淀积区域,然后放入氧等离子处理室中对AlGaN表面进行轻度氧化处理,然后放入电子束蒸发台中:反应室真空抽至4.0*10-3帕,缓慢加电压使控制PTFE蒸发速率为0.1nm/s,淀积200~300nm厚的PTFE薄膜;
(5)将淀积好PTFE介质的器件放入丙酮溶液中浸泡30-60min,进行超声剥离;
(6)对完成蒸发淀积的器件进行光刻,形成栅极刻蚀区域,放入ICP干法刻蚀反应室中,去除刻蚀残留物;
(7)对完成刻蚀的器件进行光刻,形成栅以及栅场板区,放入电子束蒸发台中淀积200nm厚的ITO栅金属;
(8)将淀积好栅电极和栅场板的器件放入丙酮溶液中浸泡30~60min,进行超声剥离,形成栅场板结构;
(9)将完成栅极制备的器件进行光刻,形成绝缘介质LiF的淀积区域,然后放入电子束反应室真空抽至4.0*10-3帕,缓慢加电压使控制LiF蒸发速率为0.5nm/s,淀积100~200nm厚的LiF薄膜;
(10)将淀积好LiF介质的器件放入丙酮溶液中浸泡30~60min,进行超声剥离;
(11)再次对完成LiF制备的器件进行光刻,形成源场板区,放入电子束蒸发台中淀积200nm厚的Al金属;
(12)将淀积好Al金属的器件放入丙酮溶液中浸泡30~60min,进行超声剥离,形成源场板结构;
(13)将完成的器件放入PECVD反应室淀积SiN钝化膜;
(14)将器件再次进行清洗、光刻显影,形成SiN薄膜的刻蚀区,并放入ICP干法刻蚀反应室中,将源极、漏极上面覆盖的SiN薄膜刻蚀掉;
(15)将器件进行清洗、光刻显影,并放入电子束蒸发台中淀积Ti/Au=20/200nm的加厚电极,完成整体器件的制备。
7.根据权利要求6所述的一种基于复合偶极层的AlGaN/GaN HEMT开关器件结构的制作方法,其特征在于,所述步骤(6)ICP干法刻蚀反应室中的工艺条件为:上电极功率为200W,下电极功率为20W,反应室压力为1.5Pa,Cl2的流量为10sccm,N2的流量为10sccm,将AlGaN势垒层刻蚀掉5~10nm,然后将器件放入HCl:H2O=1:1溶液中处理30s。
8.根据权利要求6所述的一种基于复合偶极层的AlGaN/GaN HEMT开关器件结构的制作方法,其特征在于,所述步骤(13)PECVD反应室中的工艺条件为:SiH4的流量为40sccm,NH3的流量为10sccm,反应室压力为1~2Pa,射频功率为40W,淀积200nm~300nm厚的SiN钝化膜。
9.根据权利要求6所述的一种基于复合偶极层的AlGaN/GaN HEMT开关器件结构的制作方法,其特征在于,所述步骤(14)ICP干法刻蚀反应室中的工艺条件为:上电极功率为200W,下电极功率为20W,反应室压力为1.5Pa,CF4的流量为20sccm,Ar气的流量为10sccm,刻蚀时间为10min。
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