CN104022750B - 一种宽带电调滤波器电路 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种宽带电调滤波器电路，该电路包括控制器、D/A转换芯片、比例运放、输入选通电子开关、输出选通电子开关和多个独立的电调滤波器，每个电调滤波器负责一个频段的滤波处理；所述的控制器控制D/A转换芯片产生VTUNE1~VTUNE4共四路控制电压，四路控制电压经所述比例运放放大后对所述多个独立的电调滤波器进行调谐；所述多个独立的电调滤波器的输入端均与所述输入选通电子开关连接、输出端均与所述输出选通电子开关连接；所述控制器分别对输入选通电子开关、输出选通电子开关进行选通控制。具有能大大增加整个滤波器电路的调谐范围，且不会造成回波损耗恶化，同时滤波控制精度高等突出优点。

Description

一种宽带电调滤波器电路

技术领域

本发明涉及电调滤波器领域，尤其是涉及一种宽带电调滤波器电路。

背景技术

在宽带收发信机中涉及到的电调滤波器有预选滤波器及后选电调滤波器，此二者在链路中有着至关重要的作用，后选电调滤波器要具有选择性高、可调带宽宽等特点，预选滤波器要具有选择性强、噪声系数小、调谐范围宽等特点。

当电调滤波器的频率范围变化较小时，能够保持较好的滤波特性。但当频率范围较大甚至达到倍频程时，滤波器的带宽会增大，回波损耗恶化，严重影响滤波器的性能。因此，如何尽可能的增大滤波器的调谐范围而又不使滤波器的性能恶化成为一个很有挑战性的问题。

现在用户不仅对通信设备的性能要求高，对体积也是要求越小越好，传统的电调滤波器结构复杂，体积比较大，控制也比较繁琐。所以设计简单实用、体积小的电调滤波器有着重要的意义。

现代技术中的电调滤波器，广泛用于多信道接收机与电子对抗中，但仅仅适用于射频前端的预选滤波器，且通带插损较大，增加了***的噪声系数，降低了接收机的灵敏度，减小了***接收的动态范围。如何设计低插损的预选电调滤波器也是一项难题。

发明内容

本发明的目的在于：针对现有技术存在的问题，提供一种能大大增加整个滤波器电路的调谐范围，且不会造成回波损耗恶化，同时滤波控制精度高的宽带电调滤波器电路。

本发明的发明目的通过以下技术方案来实现：

一种宽带电调滤波器电路，其特征在于，该电路包括控制器、D/A转换芯片、比例运放、输入选通电子开关、输出选通电子开关和多个独立的电调滤波器，每个电调滤波器负责一个频段的滤波处理；所述的控制器控制D/A转换芯片产生VTUNE1～VTUNE4共四路控制电压，四路控制电压经所述比例运放放大后对所述多个独立的电调滤波器进行调谐；所述多个独立的电调滤波器的输入端均与所述输入选通电子开关连接、输出端均与所述输出选通电子开关连接；所述控制器分别对输入选通电子开关、输出选通电子开关进行选通控制。

优选的，所述的多个独立的电调滤波器均采用电感耦合方式的滤波器、或均采用电容耦合方式的滤波器或处理大于1GHz的一部分电调滤波器采用电容耦合方式的滤波器、处理小于1GHz的一部分电调滤波器采用电感耦合方式的滤波器。

优选的，所述的电感耦合方式的滤波器包括一个耦合通路、第一谐振单元、第二谐振单元和第三谐振单元，所述耦合通路包括电感L1、电感L2、电容C2、放大器Q1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电容C4、电感L3、电感L4、电感L5和电感L6；射频输入信号采用抽头方式接入电感L1与电感L2之间，电感L2通过电容C2与放大器Q1的输入端连接，所述的电阻R2、电阻R3、电阻R4与放大器Q1连接并提供放大器偏置电压，所述的放大器Q1的输出端依次连接电容C4、电感L3后接地，射频输出信号采用抽头方式接入电感L5与电感L6之间，电感L5的另一端通过电感L4接入电容C4与电感L3之间；第一谐振单元的一端接入电感L2与电容C2之间，另一端连接控制电压VTUNE1；第二谐振单元的一端接入电容C4与电感L4之间，另一端连接控制电压VTUNE2；第三谐振单元的一端接入电感L4与电感L5之间，另一端连接控制电压VTUNE3。

优选的，所述的第一谐振单元包括电容C1、电阻R1、变容二极管CR1和变容二极管CR2，所述的电容C1的一端接地、另一端通过电阻R1连接在变容二极管CR1与变容二极管CR2之间，变容二极管CR1与变容二极管CR2负极互连，变容二极管CR1的正极接地，变容二极管CR2的正极连接在电感L2与电容C2之间，控制电压VTUNE1连接在电容C1与电阻R1之间；所述的第二谐振单元包括电容C5、电阻R5、变容二极管CR3和变容二极管CR4，所述的电容C5的一端接地、另一端通过电阻R5连接在变容二极管CR3与变容二极管CR4之间，变容二极管CR3与变容二极管CR4负极互连，变容二极管CR3的正极接地，变容二极管CR4的正极连接在电容C4与电感L4之间，控制电压VTUNE2连接在电容C5与电阻R5之间；所述的第三谐振单元包括电容C6、电阻R6、变容二极管CR5和变容二极管CR6，所述的电容C6的一端接地、另一端通过电阻R6连接在变容二极管CR5与变容二极管CR6之间，变容二极管CR5与变容二极管CR6负极互连，变容二极管CR5的正极接地，变容二极管CR6的正极连接在电感L4与电感L5之间，控制电压VTUNE3连接在电容C6与电阻R6之间。

优选的，所述的电容耦合方式的滤波器包括一个射频通路、第一谐振单元、第二谐振单元和第三谐振单元，所述的射频通路包括电容C10、电容C12、电容C14、放大器U1、镜像滤波器FL4和高通滤波器FL5，射频输入信号接入电容C10，电容C10依次串连电容C12、电容C14、放大器U1、镜像滤波器FL4和高通滤波器FL5，第一谐振单元的一端接入电容C10与电容C12之间，另一端连接控制电压VTUNE1；第二谐振单元的一端接入电容C12与电容C14之间，另一端连接控制电压VTUNE2；第三谐振单元的一端接入电容C14与放大器U1之间，另一端连接控制电压VTUNE3。

优选的，所述的第一谐振单元包括电容C7、电阻R7、变容二极管CR7、电容C11和谐振器FL1，所述的电容C7的一端接地、另一端通过电阻R7连接在变容二极管CR7与电容C11之间，变容二极管CR7与电容C11负极互联，变容二极管CR7的正极接地，电容C11正极接在电容C10与电容C12之间，谐振器FL1一端接地、另一端接在电容C10与电容C12之间，控制电压VTUNE1连接在电容C7与电阻R7之间；所述的第二谐振单元包括电容C8、电阻R8、变容二极管CR8、电容C13和谐振器FL2，所述的电容C8的一端接地、另一端通过电阻R8连接在变容二极管CR8与电容C13之间，变容二极管CR8与电容C13负极互联，变容二极管CR8的正极接地，电容C13正极接在电容C12与电容C14之间，谐振器FL2一端接地、另一端接在电容C12与电容C14之间，控制电压VTUNE2连接在电容C8与电阻R8之间；所述的第三谐振单元包括电容C9、电阻R9、变容二极管CR9、电容C15和谐振器FL3，所述的电容C9的一端接地、另一端通过电阻R9连接在变容二极管CR9与电容C15之间，变容二极管CR9与电容C15负极互联，变容二极管CR9的正极接地，电容C15正极接在电容C14与放大器U1之间，谐振器FL3一端接地、另一端接在电容C14与放大器U1之间，控制电压VTUNE3连接在电容C9与电阻R9之间。

优选的，所述的电感耦合方式的滤波器包括一个耦合通路、第一谐振单元、第二谐振单元和第三谐振单元，所述耦合通路包括电感L7、电感L8、电感L9、电感L10、电感L11、电感L12和电感L13，射频输入信号采用抽头方式接入电感L7与电感L8之间，电感L8的另一端依次连接电感L9、电感L11和电感L12，电感L12的另一端输出射频信号，所述的第一谐振单元一端连接在电感L8与电感L9之间，所述的第二谐振单元和电感L10均连接在电感L9与电感L11之间，电感L10的另一端接地，所述的第三谐振单元连接在电感L11与电感L12之间，所述的电感L13的一端接地、另一端电感L12输出端。

优选的，所述的第一谐振单元包括电容C16、电阻R10、变容二极管CR10、电容C17、电容C18、变容二极管CR11、电阻R11和电容C19，所述的电容C16的一端接地、另一端通过电阻R10连接在变容二极管CR10与电容C17之间，所述的变容二极管CR10与电容C17负极互连，变容二极管CR10的正极接地，电容C17的正极连接在电感L8与电感L9之间，所述的电容C19的一端接地、另一端通过电阻R11连接在电容C18与变容二极管CR11之间，电容C18与变容二极管CR11负极互连，变容二极管CR11的正极接地，电容C18的正极连接在变容二极管CR10与电容C17之间，控制电压VTUNE1连接在电容C16与电阻R10之间，控制电压VTUNE4连接在电阻R11与电容C19之间；所述的第二谐振单元包括电容C20、电阻R12、变容二极管CR12、电容C21、电容C22、变容二极管CR13、电阻 R13和电容C23，所述的电容C20的一端接地、另一端通过电阻R12连接在变容二极管CR12与电容C21之间，所述的变容二极管CR12与电容C21负极互连，变容二极管CR12的正极接地，电容C21的正极连接在电感L9与电感L11之间，所述的电容C23的一端接地、另一端通过电阻R13连接在电容C22与变容二极管CR13之间，电容C22与变容二极管CR13负极互连，变容二极管CR13的正极接地，电容C22的正极连接在变容二极管CR12与电容C21之间，控制电压VTUNE2连接在电容C20与电阻R12之间，控制电压VTUNE4连接在电阻R13与电容C23之间；所述的第三谐振单元包括电容C24、电阻R14、变容二极管CR14、电容C25、电容C26、变容二极管CR15、电阻R15和电容C27，所述的电容C26的一端接地、另一端通过电阻R14连接在变容二极管CR14与电容C25之间，所述的变容二极管CR14与电容C25负极互连，变容二极管CR14的正极接地，电容C25的正极连接在电感L11与电感L12之间，所述的电容C27的一端接地、另一端通过电阻R15连接在电容C26与变容二极管CR15之间，电容C26与变容二极管CR15负极互连，变容二极管CR15的正极接地，电容C26的正极连接在变容二极管CR14与电容C25之间，控制电压VTUNE4连接在电容C24与电阻R14之间，控制电压VTUNE4连接在电阻R15与电容C27之间。

与现有技术相比，本发明具有以下优点：

1、采用频段划分方式进行设计，设置多个独立的电调滤波器，每个电调滤波器负责一个频率分段的信号处理，从而大大增加了整个滤波器电路的调谐范围，且不会造成回波损耗恶化；

2、采用变容二级管作为谐振电路进行设计，变容二极管采用直流电压供电方式，FPGA控制D/A转换芯片输出控制电压经放大后对变容二极管进行电压控制，控制精度高，可达0.07V；

3、本发明电路可以集成设计在宽带收发信机上，整体结构简单，尺寸较小，控制方便；

4、谐振电路与低噪声放大器结合进行设计，既满足频率选择的需要，也降低了滤波器电路的噪声系数，同时，滤波器电路还具有一定的增益，提高了滤波器电路的灵敏度及接收范围等指标。

5、采用的变容二极管谐振电路，根据不同的频率分段采用了不同的变容二极管器件，使的电调滤波器在3个倍频程的调谐范围内，矩形系数、相对带宽及驻波都满足设计要求。

附图说明

图1为本发明滤波器电路的结构示意图；

图2为1GHz以下预选滤波器的结构示意图；

图3为1GHz以上预选滤波器的结构示意图；

图4为后选电调滤波器的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本发明进行详细说明。

实施例

如图1所示，本发明一种宽带电调滤波器电路，该电路包括控制器FPGA、D/A转换芯片、比例运放、输入选通电子开关、输出选通电子开关和多个独立的电调滤波器，每个电调滤波器负责一个频段的滤波处理。控制器FPGA控制D/A转换芯片产生VTUNE1～VTUNE4共四路控制电压，电压范围0～3V。由于变容二极管的控制电压在0～18V之间，故4路控制电压需经过比例运放后得到0～18V的VTUNE1-VTUNE4调谐电压来对多个独立的电调滤波器进行调谐。多个独立的电调滤波器的输入端均与输入选通电子开关连接、输出端均与输出选通电子开关连接。控制器分别对输入选通电子开关、输出选通电子开关进行选通控制，实现不同的频率选择不同的电调滤波器进行切换。

多个独立的电调滤波器均采用电感耦合方式的滤波器、或均采用电容耦合方式的滤波器或处理大于1GHz的一部分电调滤波器采用电容耦合方式的滤波器、处理小于1GHz的一部分电调滤波器采用电感耦合方式的滤波器。

电调滤波器一般通过不同的直流偏置来控制电子开关的选通或改变变容二极管的容值进而来改变滤波器的元件特性与阻抗效应，获得不同的谐振频率和工作带宽，从而实现滤波器的结构重组和频率调谐。本发明中的电调谐滤波器，采用变容二极管设计谐振单元，通过改变变容二极管的偏置电压来改变变容管的电容值，从而改变滤波器的中心频率。变容二极管简称变容管，是一种半导体二极管，是调谐滤波器的核心元件。它的结电容随外加偏压而改变，并呈现出明显的非线性特性。如果常常把两个或多个变容管并联起来使用，还可以得到小的电容值、相对大的绝对电容调谐范围以及减小等效串联损耗电阻。选的变容管的最大承受电压与调谐电压相当时，管子的Q值最大。

当多个电调滤波器采用不同的滤波器组合时，整个滤波电路可称为预选电调滤波器或后选电调滤波器。

如果整个滤波器作为预选电调滤波器，且全部处理1GHz以下的频率时，其多个电调滤波器 均采用如图1所示结构，该结构采用电感耦合方式，所采用的电容、电感均采用贴片式封装。该结构共采用3个谐振单元，3个调谐电压通过串联电阻加到两个相同的变容管的中间，两个变容二极管的负极相连，一个变容二极管正极接地，另一个变容二极管正极接入耦合通路。多个电调滤波器具体结构如下：包括一个耦合通路、第一谐振单元、第二谐振单元和第三谐振单元。耦合通路包括电感L1、电感L2、电容C2、放大器Q1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电容C4、电感L3、电感L4、电感L5和电感L6。射频输入信号采用抽头方式接入电感L1与电感L2之间，电感L2通过电容C2与放大器Q1的输入端连接。电阻R2、电阻R3、电阻R4与放大器Q1连接并提供放大器偏置电压。放大器Q1的输出端依次连接电容C4、电感L3后接地，射频输出信号采用抽头方式接入电感L5与电感L6之间，电感L5的另一端通过电感L4接入电容C4与电感L3之间。第一谐振单元包括电容C1、电阻R1、变容二极管CR1和变容二极管CR2，电容C1的一端接地、另一端通过电阻R1连接在变容二极管CR1与变容二极管CR2之间，变容二极管CR1与变容二极管CR2负极互连，变容二极管CR1的正极接地，变容二极管CR2的正极连接在电感L2与电容C2之间，控制电压VTUNE1连接在电容C1与电阻R1之间。第二谐振单元包括电容C5、电阻R5、变容二极管CR3和变容二极管CR4，电容C5的一端接地、另一端通过电阻R5连接在变容二极管CR3与变容二极管CR4之间，变容二极管CR3与变容二极管CR4负极互连，变容二极管CR3的正极接地，变容二极管CR4的正极连接在电容C4与电感L4之间，控制电压VTUNE2连接在电容C5与电阻R5之间。第三谐振单元包括电容C6、电阻R6、变容二极管CR5和变容二极管CR6，电容C6的一端接地、另一端通过电阻R6连接在变容二极管CR5与变容二极管CR6之间，变容二极管CR5与变容二极管CR6负极互连，变容二极管CR5的正极接地，变容二极管CR6的正极连接在电感L4与电感L5之间，控制电压VTUNE3连接在电容C6与电阻R6之间。

如果整个滤波器作为预选电调滤波器，且全部处理1GHz以上的频率时，其多个电调滤波器均采用如图2所示结构，该结构采用电容耦合方式，所采用的电容、电感均采用贴片式封装。所有的电调滤波器结构如下：包括一个射频通路、第一谐振单元、第二谐振单元和第三谐振单元。射频通路包括电容C10、电容C12、电容C14、放大器U1、镜像滤波器FL4和高通滤波器FL5，射频输入信号接入电容C10，电容C10依次串连电容C12、电容C14、放大器U1、镜像滤波器FL4和高通滤波器FL5。第一谐振单元包括电容C7、电阻R7、变容二极管CR7、电容C11和谐振器FL1，电容C7的一端接地、另一端通过电阻R7连接在变容二极管CR7与电容C11之间，变容二极管CR7与电容C11负极互联，变容二极管CR7 的正极接地，电容C11正极接在电容C10与电容C12之间，谐振器FL1一端接地、另一端接在电容C10与电容C12之间，控制电压VTUNE1连接在电容C7与电阻R7之间。第二谐振单元包括电容C8、电阻R8、变容二极管CR8、电容C13和谐振器FL2，电容C8的一端接地、另一端通过电阻R8连接在变容二极管CR8与电容C13之间，变容二极管CR8与电容C13负极互联，变容二极管CR8的正极接地，电容C13正极接在电容C12与电容C14之间，谐振器FL2一端接地、另一端接在电容C12与电容C14之间，控制电压VTUNE2连接在电容C8与电阻R8之间。第三谐振单元包括电容C9、电阻R9、变容二极管CR9、电容C15和谐振器FL3，电容C9的一端接地、另一端通过电阻R9连接在变容二极管CR9与电容C15之间，变容二极管CR9与电容C15负极互联，变容二极管CR9的正极接地，电容C15正极接在电容C14与放大器U1之间，谐振器FL3一端接地、另一端接在电容C14与放大器U1之间，控制电压VTUNE3连接在电容C9与电阻R9之间。通过控制放大器U1的偏置电压可以控制放大器的增益，放大器后面接镜像滤波器FL4，主要对射频频率的镜像进行抑制，镜像滤波器FL4连接高通滤波器FL5后输出射频信号。高通滤波器FL5主要作用是滤除带外干扰。

如果整个滤波器作为预选电调滤波器，且既处理1GHz以下、又要处理1GHz以下的频率时，则多个滤波器被分成两部分，处理1GHz以下的部分采用图2所示结构，处理1GHz以下的部分采用图3所示结构。例如，处理频率范围：225-2000MHz时，将频率范围分成7段，且每段采用一个独立的电调滤波器，通过控制开关进行切换。同时还需控制指标如下：调谐电压：0-18V，FPGA控制D/A输出电压放大后得到；调谐速度快：调谐速度≤uS；3dB相对带宽：4～12％；矩形系数：3.5<矩形系数<6.5；增益：4～10dB；最大驻波比：≤1.8；最大输入功率：工作温度范围：-55℃～+85℃；储存温度范围：-60℃～+105℃。

如果整个滤波器作为后选电调滤波器，其多个电调滤波器均采用如图3所示结构，该结构采用电容耦合方式，该结构共采用3个谐振单元，每个谐振单元采用两个不同型号的变容二极管共同调谐。所有的电调滤波器结构如下：包括一个耦合通路、第一谐振单元、第二谐振单元和第三谐振单元。耦合通路包括电感L7、电感L8、电感L9、电感L10、电感L11、电感L12和电感L13，射频输入信号采用抽头方式接入电感L7与电感L8之间，电感L8的另一端依次连接电感L9、电感L11和电感L12，电感L12的另一端输出射频信号。第一谐振单元包括电容C16、电阻R10、变容二极管CR10、电容C17、电容C18、变容二极管CR11、电阻R11和电容C19，电容C16的一端接地、另一端通过电阻R10连接在变容二极管CR10与电容C17之间，变容二极管CR10与电容C17负极互连，变容二极管CR10的正极接地， 电容C17的正极连接在电感L8与电感L9之间，电容C19的一端接地、另一端通过电阻R11连接在电容C18与变容二极管CR11之间，电容C18与变容二极管CR11负极互连，变容二极管CR11的正极接地，电容C18的正极连接在变容二极管CR10与电容C17之间，控制电压VTUNE1连接在电容C16与电阻R10之间，控制电压VTUNE4连接在电阻R11与电容C19之间。第二谐振单元包括电容C20、电阻R12、变容二极管CR12、电容C21、电容C22、变容二极管CR13、电阻R13和电容C23，电容C20的一端接地、另一端通过电阻R12连接在变容二极管CR12与电容C21之间，变容二极管CR12与电容C21负极互连，变容二极管CR12的正极接地，电容C21的正极连接在电感L9与电感L11之间，电容C23的一端接地、另一端通过电阻R13连接在电容C22与变容二极管CR13之间，电容C22与变容二极管CR13负极互连，变容二极管CR13的正极接地，电容C22的正极连接在变容二极管CR12与电容C21之间，控制电压VTUNE2连接在电容C20与电阻R12之间，控制电压VTUNE4连接在电阻R13与电容C23之间。第三谐振单元包括电容C24、电阻R14、变容二极管CR14、电容C25、电容C26、变容二极管CR15、电阻R15和电容C27，电容C26的一端接地、另一端通过电阻R14连接在变容二极管CR14与电容C25之间，变容二极管CR14与电容C25负极互连，变容二极管CR14的正极接地，电容C25的正极连接在电感L11与电感L12之间，电容C27的一端接地、另一端通过电阻R15连接在电容C26与变容二极管CR15之间，电容C26与变容二极管CR15负极互连，变容二极管CR15的正极接地，电容C26的正极连接在变容二极管CR14与电容C25之间，控制电压VTUNE4连接在电容C24与电阻R14之间，控制电压VTUNE4连接在电阻R15与电容C27之间。

例如：预选滤波器处理频率范围：225-2000MHz，将频率范围分成5段，每段采用一个独立的电调滤波器，通过控制开关进行切换。同时还需控制指标如下：滤波器调谐类型：切比雪夫类型响应；调谐速度快：调谐速度≤uS；3dB相对带宽：5～15％；矩形系数：3.2<矩形系数<6.8；带内插损：<7.5dB；最大驻波比：≤2；最大输入功率：+20dBm；工作温度范围：-55℃～+85℃；储存温度范围：-60℃～+105℃。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，应当指出的是，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (6)

1.一种宽带电调滤波器电路，其特征在于，该电路包括控制器、D/A转换芯片、比例运放、输入选通电子开关、输出选通电子开关和多个独立的电调滤波器，每个电调滤波器负责一个频段的滤波处理；所述的控制器控制D/A转换芯片产生VTUNE1～VTUNE4共四路控制电压，四路控制电压经所述比例运放放大后对所述多个独立的电调滤波器进行调谐；所述多个独立的电调滤波器的输入端均与所述输入选通电子开关连接、输出端均与所述输出选通电子开关连接；所述控制器分别对输入选通电子开关、输出选通电子开关进行选通控制；所述的多个独立的电调滤波器均采用电感耦合方式的滤波器、或均采用电容耦合方式的滤波器或处理大于1GHz的一部分电调滤波器采用电容耦合方式的滤波器、处理小于1GHz的一部分电调滤波器采用电感耦合方式的滤波器；所述的电感耦合方式的滤波器包括一个耦合通路、第一谐振单元、第二谐振单元和第三谐振单元，所述耦合通路包括电感L1、电感L2、电容C2、放大器Q1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电容C4、电感L3、电感L4、电感L5和电感L6；射频输入信号采用抽头方式接入电感L1与电感L2之间，电感L2通过电容C2与放大器Q1的输入端连接，所述的电阻R2、电阻R3、电阻R4与放大器Q1连接并提供放大器偏置电压，所述的放大器Q1的输出端依次连接电容C4、电感L3后接地，射频输出信号采用抽头方式接入电感L5与电感L6之间，电感L5的另一端通过电感L4接入电容C4与电感L3之间；第一谐振单元的一端接入电感L2与电容C2之间，另一端连接控制电压VTUNE1；第二谐振单元的一端接入电容C4与电感L4之间，另一端连接控制电压VTUNE2；第三谐振单元的一端接入电感L4与电感L5之间，另一端连接控制电压VTUNE3。

2.根据权利要求1所述的一种宽带电调滤波器电路，其特征在于，所述的第一谐振单元包括电容C1、电阻R1、变容二极管CR1和变容二极管CR2，所述的电容C1的一端接地、另一端通过电阻R1连接在变容二极管CR1与变容二极管CR2之间，变容二极管CR1与变容二极管CR2负极互连，变容二极管CR1的正极接地，变容二极管CR2的正极连接在电感L2与电容C2之间，控制电压VTUNE1连接在电容C1与电阻R1之间；所述的第二谐振单元包括电容C5、电阻R5、变容二极管CR3和变容二极管CR4，所述的电容C5的一端接地、另一端通过电阻R5连接在变容二极管CR3与变容二极管CR4之间，变容二极管CR3与变容二极管CR4负极互连，变容二极管CR3的正极接地，变容二极管CR4的正极连接在电容C4与电感L4之间，控制电压VTUNE2连接在电容C5与电阻R5之间；所述的第三谐振单元包括电容C6、电阻R6、变容二极管CR5和变容二极管CR6，所述的电容C6的一端接地、另一端通过电阻R6连接在变容二极管CR5与变容二极管CR6之间，变容二极管CR5与变容二极管CR6负极互连，变容二极管CR5的正极接地，变容二极管CR6的正极连接在电感L4与电感L5之间，控制电压VTUNE3连接在电容C6与电阻R6之间。

3.根据权利要求1所述的一种宽带电调滤波器电路，其特征在于，所述的电容耦合方式的滤波器包括一个射频通路、第一谐振单元、第二谐振单元和第三谐振单元，所述的射频通路包括电容C10、电容C12、电容C14、放大器U1、镜像滤波器FL4和高通滤波器FL5，射频输入信号接入电容C10，电容C10依次串连电容C12、电容C14、放大器U1、镜像滤波器FL4和高通滤波器FL5，第一谐振单元的一端接入电容C10与电容C12之间，另一端连接控制电压VTUNE1；第二谐振单元的一端接入电容C12与电容C14之间，另一端连接控制电压VTUNE2；第三谐振单元的一端接入电容C14与放大器U1之间，另一端连接控制电压VTUNE3。

4.根据权利要求3所述的一种宽带电调滤波器电路，其特征在于，所述的第一谐振单元包括电容C7、电阻R7、变容二极管CR7、电容C11和谐振器FL1，所述的电容C7的一端接地、另一端通过电阻R7连接在变容二极管CR7与电容C11之间，变容二极管CR7与电容C11负极互联，变容二极管CR7的正极接地，电容C11正极接在电容C10与电容C12之间，谐振器FL1一端接地、另一端接在电容C10与电容C12之间，控制电压VTUNE1连接在电容C7与电阻R7之间；所述的第二谐振单元包括电容C8、电阻R8、变容二极管CR8、电容C13和谐振器FL2，所述的电容C8的一端接地、另一端通过电阻R8连接在变容二极管CR8与电容C13之间，变容二极管CR8与电容C13负极互联，变容二极管CR8的正极接地，电容C13正极接在电容C12与电容C14之间，谐振器FL2一端接地、另一端接在电容C12与电容C14之间，控制电压VTUNE2连接在电容C8与电阻R8之间；所述的第三谐振单元包括电容C9、电阻R9、变容二极管CR9、电容C15和谐振器FL3，所述的电容C9的一端接地、另一端通过电阻R9连接在变容二极管CR9与电容C15之间，变容二极管CR9与电容C15负极互联，变容二极管CR9的正极接地，电容C15正极接在电容C14与放大器U1之间，谐振器FL3一端接地、另一端接在电容C14与放大器U1之间，控制电压VTUNE3连接在电容C9与电阻R9之间。

5.一种宽带电调滤波器电路，其特征在于，该电路包括控制器、D/A转换芯片、比例运放、输入选通电子开关、输出选通电子开关和多个独立的电调滤波器，每个电调滤波器负责一个频段的滤波处理；所述的控制器控制D/A转换芯片产生VTUNE1～VTUNE4共四路控制电压，四路控制电压经所述比例运放放大后对所述多个独立的电调滤波器进行调谐；所述多个独立的电调滤波器的输入端均与所述输入选通电子开关连接、输出端均与所述输出选通电子开关连接；所述控制器分别对输入选通电子开关、输出选通电子开关进行选通控制；所述的多个独立的电调滤波器均采用电感耦合方式的滤波器；所述的电感耦合方式的滤波器包括一个耦合通路、第一谐振单元、第二谐振单元和第三谐振单元，所述耦合通路包括电感L7、电感L8、电感L9、电感L10、电感L11、电感L12和电感L13，射频输入信号采用抽头方式接入电感L7与电感L8之间，电感L8的另一端依次连接电感L9、电感L11和电感L12，电感L12的另一端输出射频信号，所述的第一谐振单元一端连接在电感L8与电感L9之间，所述的第二谐振单元和电感L10均连接在电感L9与电感L11之间，电感L10的另一端接地，所述的第三谐振单元连接在电感L11与电感L12之间，所述的电感L13的一端接地、另一端电感L12输出端。

6.根据权利要求5所述的一种宽带电调滤波器电路，其特征在于，所述的第一谐振单元包括电容C16、电阻R10、变容二极管CR10、电容C17、电容C18、变容二极管CR11、电阻R11和电容C19，所述的电容C16的一端接地、另一端通过电阻R10连接在变容二极管CR10与电容C17之间，所述的变容二极管CR10与电容C17负极互连，变容二极管CR10的正极接地，电容C17的正极连接在电感L8与电感L9之间，所述的电容C19的一端接地、另一端通过电阻R11连接在电容C18与变容二极管CR11之间，电容C18与变容二极管CR11负极互连，变容二极管CR11的正极接地，电容C18的正极连接在变容二极管CR10与电容C17之间，控制电压VTUNE1连接在电容C16与电阻R10之间，控制电压VTUNE4连接在电阻R11与电容C19之间；所述的第二谐振单元包括电容C20、电阻R12、变容二极管CR12、电容C21、电容C22、变容二极管CR13、电阻R13和电容C23，所述的电容C20的一端接地、另一端通过电阻R12连接在变容二极管CR12与电容C21之间，所述的变容二极管CR12与电容C21负极互连，变容二极管CR12的正极接地，电容C21的正极连接在电感L9与电感L11之间，所述的电容C23的一端接地、另一端通过电阻R13连接在电容C22与变容二极管CR13之间，电容C22与变容二极管CR13负极互连，变容二极管CR13的正极接地，电容C22的正极连接在变容二极管CR12与电容C21之间，控制电压VTUNE2连接在电容C20与电阻R12之间，控制电压VTUNE4连接在电阻R13与电容C23之间；所述的第三谐振单元包括电容C24、电阻R14、变容二极管CR14、电容C25、电容C26、变容二极管CR15、电阻R15和电容C27，所述的电容C26的一端接地、另一端通过电阻R14连接在变容二极管CR14与电容C25之间，所述的变容二极管CR14与电容C25负极互连，变容二极管CR14的正极接地，电容C25的正极连接在电感L11与电感L12之间，所述的电容C27的一端接地、另一端通过电阻R15连接在电容C26与变容二极管CR15之间，电容C26与变容二极管CR15负极互连，变容二极管CR15的正极接地，电容C26的正极连接在变容二极管CR14与电容C25之间，控制电压VTUNE4连接在电容C24与电阻R14之间，控制电压VTUNE4连接在电阻R15与电容C27之间。