CN103973138A - 动态变频电源转换*** - Google Patents

Abstract

本发明公开一种动态变频电源转换***，包括变压器、脉波宽度调变驱动控制器、切换晶体管、串接的第一及第二分压电阻、输出二极管及输出电容，其中变压器接收输入电源，产生感测电流及感应电流，感测电流流过第一及第二分压电阻以产生回授信号，切换晶体管连接至变压器及脉波宽度调变驱动控制器，感应电流流过输出二极管及输出电容而产生输出电压以供应负载，脉波宽度调变驱动控制器可依据回授信号以决定负载状态，并依据负载状态及输入电源以改变开关频率，藉以提高整体电源转换效率，达到动态变频的目的。

Description

动态变频电源转换***

技术领域

本发明涉及一种电源转换***，尤其是可依据输入电压及负载状态而动态改变脉波宽度调变驱动控制器的开关频率。

背景技术

随着电子工艺的进步，各式各样的电子产品也不断在市场上推陈出新，而由于电子产品一般需要足够的电力而正常运作，因此，业者也持续开发不同的电源转换器，以符合不同的电力需求，比如110V的市电转换成12V直流电以驱动电动马达，或转换成5V直流电以供电给电子元件，或甚至提供3.3V、2.5V或1.8V给集成电路(IC)用。另外，也可将低压电源转换成高压电源，比如逆变器，可将来自电池的12V直流电转换成110V或更高电压的交流电。

交换式电源转换器是一般较常见的电源转换器，可利用降压型转换器、升压型转换器、降升压型转换器、顺向式转换器、返驰式转换器(FlybackConverter)、半桥式转换器、全桥式转换器而实现，其中返驰式转换器具有架构简单、较低成本、较大电压调变范围的优点，因此常使用于中小型功率的电子产品。

返驰式转换器的操作方式一般有谐振(Resonant)、准谐振(Quasi-Resonant，QR)、主动式箝位(Active Clamp)等型式，主要是利用零电压及/或零电流切换以达到降低开关元件(一般为功率晶体管)的切换损失(Switching Loss)的目的，藉以提高转换效率。

上述的准谐振(QR)技术是将返驰式转换器操作在非连续导通模式(Discontinuous Conduction Mode，DCM)，可有效降低电感量，并达到零电压及/或零电流切换，此外，准谐振技术还可搭配波谷切换(Valley Switching)提高效率，并采用变频方式，减少电磁干扰(EMI)。

然而，现有技术的缺点在于，准谐振返驰式转换器是一直操作在非连续导通模式，其电流峰值及均方根(RMS)值相对偏高，尤其是在重载操作下，会使得开关元件及输出二极管产生较高的导通损失(Conduction Loss)及截止切换损失(Turn-Off Switching Loss)，并在变压器内产生较大的铁芯损失，造成转换效率大幅降低，因此不适合应用于较高输出功率，比如150W以上。

此外，未来的工业标准会对电子产品的能源校耗目标订出更加严格的电磁干扰及转换效率标准，因此，需要一种动态变频电源转换***，可在降频模式时降低切换模式电源器的电磁干扰发射，去除输出抖动涟波，并大幅提高电源转换效率，藉以解决上述现有技术的问题。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种动态变频电源转换***，包括电源输入单元、第一及第二分压电阻、变压器、脉波宽度调变(Pulse Width Modulation，PWM)驱动控制器、切换晶体管、输出二极管及输出电容，用以将输入电源转换成输出电源以供电给外部的负载，其中变压器进一步包括相互耦合的初级侧电感、初级侧感测电感及二次侧电感，输入电源经电源输入单元而传送至初级侧电感，初级侧感测电感感应出用于感测的感测电流，并流过串接的第一及第二分压电阻，而二次侧电感感应出用于输出的感应电流，并流过串接至负载的输出二极管。切换晶体管的汲极连接至初级侧电感，切换晶体管的源极是经接地电阻而接地，且PWM驱动控制器依据第一及第二分压电阻的串接点的电压，当作回授信号，以控制切换晶体管的栅极，并调节开关频率，藉以利用一次测回授架构，实现开关控制，可提高整体电源转换效率。

在负载愈轻时，PWM驱动控制器的开关频率愈低，而负载愈重时，开关频率愈高。PWM驱动控制器的最大开关频率是依据输入电源的输入电压而动态改变，原则上输入电压愈低，最大开关频率愈大，而输入电压愈高，最大开关频率愈小，因而能提高整体电源转换效率，达到动态变频的目的。

附图说明

图1显示依据本发明第一实施例动态变频电源转换***的示意图；

图2显示依据本发明第一实施例中电源输入单元的示意图；

图3显示依据本发明第二实施例动态变频电源转换***的示意图；

图4显示依据本发明第二实施例中电源输入单元及感测单元的示意图；

图5显示本发明中开关频率与负载状态的关系图；以及

图6显示本发明中开最大开关频率与输入电压的关系图。

其中，附图标记说明如下：

10脉波宽度调变驱动控制器

20切换晶体管

30变压器

40负载电流侦测单元

50输出单元

A节点

B节点

C1曲线

C2曲线

C3曲线

C11曲线

C12曲线

C13曲线

Cs感测电容

Co输出电容

Co1第一输出电容

Co2第二输出电容

Do输出二极管

Dr硅控制整流器

Ds感测二极管

FM最大开关频率

Fm最小开关频率

Fsw开关频率

I1、I2、I3电流

Ib负载电流侦测信号

Ld初级侧感测电感

LH临界负载

Lo输出电感

Lp初级侧电感

Ls二次测电感

PS电源输入单元

R1第一感测电阻

R2第二感测电阻

Rd1第一侦测电阻

Rd2第二侦测电阻

Ro负载

RS1第一分压电阻

Rs2第二分压电阻

Rt接地电阻

SU感测单元

TD光耦合元件

TD1侦测发光二极管

TD2侦测晶体管

Vin输入电压

Vo输出电压

Vs分压电源

具体实施方式

以下配合图式及元件符号对本发明的实施方式做更详细的说明，以令本领域技术人员参照说明书文字能够据以实施。

参阅图1，图1为依据本发明第一实施例动态变频电源转换***的示意图。如图1所示，本发明第一实施例的动态变频电源转换***包括电源输入单元PS、脉波宽度调变(Pulse Width Modulation，PWM)驱动控制器10、切换晶体管20、变压器30、第一分压电阻Rs1、第二分压电阻Rs2、输出二极管Do以及输出电容Co，用以将具输入电压Vin的输入电源转换成具输入电压Vo的输出电源以供电给外部负载Ro。

电源输入单元PS是用以对输入电源的输入电压Vin进行滤波处理，产生输入滤波电源。

变压器30包括相互耦合的初级侧电感Lp、初级侧感测电感Ld及二次侧电感Ls，其中初级侧感测电感Ld及二次侧电感Ls分别藉感应而产生感测电流及感应电流，且初级侧电感Lp连接至电源输入单元PS以接收输入滤波电源，而初级侧感测电感Ld的一端是连接至第一分压电阻Rs1的一端，第一分压电阻Rs1的另一端连接至第二分压电阻Rs2的一端，第二分压电阻Rs2的另一端为接地。亦即，第一分压电阻Rs1及第二分压电阻Rs2相互串接。

输出二极管Do串接输出电容Co，其中输出二极管Do的正端连接至二次侧电感Ls的一端，用以传导感应电流，而输出二极管Do的负端连接至输出电容Co的一端，且输出电容Co的另一端及二次侧电感Ls的另一端为接地。同时，输出电容Co是并联连接至负载Ro，因而在输出电容Co产生输出电压Vo。

此外，切换晶体管20的汲极连接至初级侧电感Lp的一端，而切换晶体管20的源极是经由接地电阻Rt而接地。PWM驱动控制器10至少具有切换输出端及感测输入端，其中切换输出端连接至切换晶体管20的栅极，而感测输入端连接至第一分压电阻Rs1及第二分压电阻Rs2的串接点，接收串接点所产生的分压信号，以当作回授信号，同时，PWM驱动控制器10可依据回授信号进行开关操作，藉以控制切换晶体管20的栅极，进而控制电源转换效率。

参阅图2，图2为依据本发明第一实施例中电源输入单元的示意图。如图2所示，电源输入单元PS可使用不同的现有技术电气单元而实现，比如二极管电桥单元、滤波电感、整流单元。由于电源输入单元PS的技术特征并非本发明的重点，因此不详细说明电气操作的细节。不过要注意的是，图2的电源输入单元PS只是用说明本发明特征的示范性实例而已，并非用以限制本发明的范围，亦即可涵盖其它相等功能的电气单元。

具体而言，在本发明的开关操作中，PWM驱动控制器10可依据输入电源的动态变化以及负载状态，改变脉波宽度调变中的开关频率，藉以提高整体的电源转换效率。亦即，PWM驱动控制器10的开关操作是包括依据回授信号以决定负载Ro的目前负载状态，同时，在负载愈轻时，开关频率愈低，而在负载愈重时，开关频率愈高，且在负载状态等于或大于预设的临界负载时，PWM驱动控制器10的开关频率为最大开关频率，而最大开关频率是随着输入电压愈高而愈小。

此外，本发明可在较轻载时，使用非连续导通模式(DCM)的驱动模式，而在较重载时，进行连续导通模式(CCM)的驱动模式，不过要注意的是，本发明的开关操作并不受限于此，而是可依据实际需求以决定进行DCM或CCM的驱动模式。

参阅图3，图3为依据本发明第二实施例动态变频电源转换***的示意图。要注意的是，本发明第二实施例的动态变频电源转换***类似于上述图1的第一实施例动态变频电源转换***，其主要的差异点是在于第二实施例的动态变频电源转换***是以二次测回授方式而实现，有别于第一实施例所使用的一次测回授方式，因此，相同元件的详细操作将省略。

如图3所示，本发明第二实施例的动态变频电源转换***包括电源输入单元PS、感测单元SU、脉波宽度调变(PWM)驱动控制器10、切换晶体管20、变压器30、负载电流侦测单元40以及输出单元50，用以将具输入电压Vin的输入电源转换成具输入电压Vo的输出电源以供电给外部负载，其中负载电流侦测单元40是当作二次测回授单元，用以实现二次测回授方式。

电源输入单元PS接收输入电源Vin进行滤波处理，并产生输入滤波电源及分压电源Vs，其中变压器30接收该输入滤波电源以进行电源转换操作，而感测单元SU接收该分压电源以产生二感测信号。电源输入单元PS及感测单元SU的示范性实例可参考图4的电路，不过要注意的是，本发明的范围并不受限于图4所揭示的内容，而是涵盖所揭示的所有电气功能。

在图4中，电源输入单元PS主要是利用二分压电阻产生分压电源Vs，并利用整流电路进行整流处理，同时利用不同的被动元件实现滤波操作，藉以避免输入电源Vin中可能的大幅电气波动或变动影响到后续电路的操作。具体而言，感测单元SU可包括感测电容Cs、感测二极管Ds、第一感测电阻R1及第二感测电阻R2，其中感测电容Cs的一端为接地，另一端接收分压电源Vs，并连接至感测二极管Ds的负端，第一感测电阻R1的一端为接地，另一端连接至第二感测电阻R2的一端，第二感测电阻的另一端接收来自变压器30的感测电流，且感测单元SU所产生的二感测信号是分别连接至感测二极管Ds的负端及正端，其中该二感测信号亦即图4中的节点A及节点B。

感测单元SU可在节点A直接侦测输入电压Vin(比如市电的电压)的大小，波形及零点，此外经由流入节点B的电流也可间接侦测市电的电压，节点B还可经由变压器辅助绕组侦测输出电压的大小，并且可以判断操作在DCM模式下谷底发生的时间，进而在谷底切换以提升效率。

回到图3，变压器30如同第一实施例，亦具有相互耦合的初级侧电感Lp、初级侧感测电感Ld及二次侧电感Ls，且初级侧感测电感Ld藉感应而产生感测电流，而二次侧电感Ls产生感应电流。初级侧电感Lp接收输入滤波电源，而初级侧感测电感Ld的一端为接地，且感测单元Su连接至初级侧感测电感Ld的另一端，用以接收感测电流。此外，二次侧电感lLs连接至输出单元50以接收感测电流，并由输出单元50产生输出电压Vo。

更具体而言，输出单元50可括输出二极管Do、第一输出电容Co1、第二输出电容Co2及输出电感Lo，其中输出二极管Do的正端连接至二次侧电感Ls的一端，输出二极管Do的负端连接至第一输出电容Co1的一端以及输出电感Lo的一端，同时输出电感Lo的另一端连接至第二输出电容Co2的一端，第一输出电容Co1的另一端、第二输出电容Co2的另一端以及二次侧电感Ls的另一端为接地。尤其是，输出电感Lo的二端分别连接至当作二次测回授单元的负载电流侦测单元40，且负载电流侦测单元40进一步连接至PWM驱动控制器10，形成二次测回授路径。

负载电流侦测单元40包括光耦合元件TD、第一侦测电阻Rd1、第二侦测电阻Rd2及硅控制整流器(Silicon Controlled Rectifier，SCR)Dr，其中光耦合元件TD是由侦测发光二极管TD1及侦测晶体管TD2所构成。侦测晶体管TD2的射极为接地，侦测发光二极管TD1的正端连接至输出单元50的输出二极管Do的负端，侦测发光二极管TD1所产生光照射侦测晶体管TD2的基极以导通侦测晶体管TD2，使得侦测晶体管TD2的集极产生负载电流侦测信号Ib，当作所需的回授信号，而进一步传送至PWM驱动控制器10。此外，第一侦测电阻RD1的一端连接至输出单元50的输出电感Lo的另一端，第一侦测电阻Rd1的另一端连接至第二侦测电阻Rd2的一端，第二侦测电阻Rd2的另一端为接地，且硅控制整流器Dr的阳极为接地，硅控制整流器Dr的阴极连接至侦测发光二极管TD1的负端，同时硅控制整流器Dr的栅极连接至第一侦测电阻Rd1的该另一端。

因此，负载电流侦测单元40的主要电气操作是利用光耦合元件TD以电气隔离的光耦合方式依据负载电流产生相对应的负载电流侦测信号Ib，同时利用硅控制整流器Dr依据负载电流以导通或关闭光耦合元件TD的导通路径，亦即控制光耦合元件TD是否产生负载电流侦测信号Ib。

上述第一及第二实施例中的回授信号可与输出电压Vin成线性关系或非线性关系，或者，回授信号与输出电压Vin之间的关系是利用内建的查表而实现。

PWM驱动控制器10的操作方式如同图1的第一实施例，因此不再赘述。PWM驱动控制器10可为微控制器(MCU)、中央处理器(CPU)或由多个独立电子元件所构成的电气电路。

以下将参考图5及图6以说明本发明PWM驱动控制器10的开关操作特征，其中图5为开关频率与负载状态的关系图，而图6为开最大开关频率与输入电压的关系图，且负载状态可指外部负载的负载电流或负载功率。

如图5所示，对于图1及图3的第一实施例及第二实施例，开关频率Fsw是随着负载状态的愈重而增加或持平。更具体而言，当负载状态为零负载0%(比如负载电流为零)时，开关频率Fsw为最小开关频率Fm，而当负载状态为预设的临界负载LH时，开关频率Fsw为最大开关频率FM，且在负载的负载状态大于临界负载LH时，开关频率Fsw保持在最大开关频率FM。临界负载LH可选定为满载的75%至100%之间的数值，比如以满载的95%为临界负载LH，所以，等于或大于临界负载LH时的开关频率Fsw皆为最大开关频率FM。例如，对于额定输功率为18W的变压器30，满载是指外部负载的功率为18W，而大于18W则为过载。

本发明的开关频率Fsw可使用不同的曲线，比如图中的曲线C1、C2、C3，其中曲线C1为线性增加，曲线C2及曲线C3为多线段式增加。不过要注意的是，图5的曲线C1、C2、C3只是示范性实例而已，并非用以限定本发明范围，亦即本发明的开关频率Fsw本质上可使用任意曲线，只要开关频率Fsw是随着负载状态的增加而增加或持平即可。

接着参阅图6，图5中的最大开关频率FM是依据输入电压Vin而改变，比如曲线C11、C12、C13，其中曲线C11是线性减少，而曲线C12及C13是多线段式减少。不过要注意的是，图5的曲线C11、C12、C13只是示范性实例而已，并非用以限定本发明范围，亦即本发明的最大开关频率FM本质上可使用任意曲线，只要最大开关频率FM是随着输入电压Vin的增加而增加或持平即可。因此，具体实例可为：在输入电压Vin为90至132V时，最大开关频率FM为60K至150KHz，而在输入电压Vin为180至264V时，最大开关频率FM为50K至100KHz。

此外，PWM驱动控制器10可加入抖频(jitter)的功能，以降低EMI。

具体而言，上述的输入电源可为市电经由电桥整流后所产生的直流电，其中市电可为85V到270V的交流电，而输入电源的输入电压为AC85V~270V。切换晶体管20可为金氧半场效晶体管(MOSFET)，而负载电流侦测单元40也可为由至少一被动元件构成的电路而实现，其中该至少一被动元件可包括电阻、电容。

综上所述，本发明的特点在于PWM驱动控制器可依据回授路径所回传的回授信号以决定负载的负载状态，并依据负载状态以改变PWM驱动信号的开关频率，尤其是负载状态愈重时，开关频率愈高，而负载状态愈轻时，开关频率愈低，进而驱动切换晶体管的栅极，藉以提高整体电源转换效率，达到动态变频的目的。

本发明方法的另一特点在于PWM驱动控制器可依据输入电压以改变满载及过载时的最大开关频率，尤其是输入电压愈高时，最大开关频率愈低，而输入电压愈低时，最大开关频率愈高，以更进一步改善不同输入电压时的电源转换效率，扩大应用领域，提高产业利用性。

本发明方法的又一特点在于可将所需的***参数由使用者依据实际需要而设定，并储存于脉波宽度调变驱动控制器中，且由脉波宽度调变驱动控制器执行，突破硬件上的限制，藉以增加使用上的弹性，确实满足不同的应用需求。

以上所述者仅为用以解释本发明的较佳实施例，并非企图据以对本发明做任何形式上的限制，因此，凡有在相同的发明精神下所作有关本发明的任何修饰或变更，皆仍应包括在本发明意图保护的范畴。

Claims (9)

1.一种动态变频电源转换***，用以将具一输入电压的一输入电源转换成具一输出电压的一输出电源以供电给外部的一负载，其特征在于，该动态变频电源转换***包括：

一电源输入单元，用以对该输入电源进行滤波处理，并产生一输入滤波电源；

一第一分压电阻：

一第二分压电阻，串接该第一分压电阻，且该第二分压电阻的一端为接地，而该第二分压电阻的一另一端连接该第一分压电阻的一端；

一变压器，包括一初级侧电感、一初级侧感测电感及一二次侧电感，其中该初级侧电感、该初级侧感测电感及该二次侧电感相互耦合，该初级侧电感连接该电源输入单元，该初级侧感测电感的一端为接地，而该初级侧感测电感的一另一端连接至该第一分压电阻的一另一端，且该初级侧感测电感感应一感测电流，并流过串接的该第一分压电阻及该第二分压电阻，该二次侧电感藉感应而产生一感应电流；

一切换晶体管，且该切换晶体管的汲极连接至该初级侧电感的一端，该切换晶体管的源极是经一接地电阻而接地；

一脉波宽度调变驱动控制器，至少具有一切换输出端及一感测输入端，其中该切换输出端连接至该切换晶体管的栅极，该感测输入端连接至该第一分压电阻及该第二分压电阻的串接点，用以接收该串接点所产生的一分压信号，当作一回授信号；

一输出二极管，且该输出二极管的一正端连接至该二次侧电感的一端，用以传导该感应电流；以及

一输出电容，且该输出电容的一端连接至该输出二极管的一负端，而该输出电容的一另一端及该二次侧电感的一另一端为接地，该输出电容并联连接至该负载，

其中该脉波宽度调变驱动控制器是依据该回授信号以决定该负载的负载状态，并依据该负载状态以产生具一开关频率的一脉波宽度调变驱动信号，并传送至该切换晶体管的栅极，以驱动该切换晶体管，且该负载状态愈重时，该开关频率愈高或持平，在该负载状态为一临界负载时，该开关频率为一最大开关频率，且在该负载的负载状态大于该临界负载时，该开关频率为该最大开关频率，该临界负载是在一满载的75%至100%之间而选定，该最大开关频率是依据该输入电压而改变，且该输入电压愈高时，该最大开关频率愈低或持平。

2.一种动态变频电源转换***，用以将具一输入电压的一输入电源转换成具一输出电压的一输出电源以供电给外部的一负载，其特征在于，该动态变频电源转换***包括：

一电源输入单元，用以对该输入电源进行滤波处理，并产生一输入滤波电源及一分压电源；

一感测单元，接收该分压电源，用以产生二感测信号：

一变压器，包括一初级侧电感、一初级侧感测电感及一二次侧电感，其中该初级侧电感、该初级侧感测电感及该二次侧电感相互耦合，该初级侧感测电感感应一感测电流，该二次侧电感藉感应而产生一感应电流，该初级侧电感连接该电源输入单元以接收该输入滤波电源，该初级侧感测电感的一端为接地，而该感测单元连接至该初级侧感测电感的一另一端，以接收该感测电流；

一输出单元，连接至该二次侧电感，用以提供该输出电压；

一负载电流侦测单元，连接至该输出单元，用以产生对应于该负载的负载电流的一负载电流侦测信号，当作一回授信号；

一切换晶体管，且该切换晶体管的汲极连接至该初级侧电感的一端，该切换晶体管的源极是经一接地电阻而接地；以及

一脉波宽度调变驱动控制器，至少具有一切换输出端、二感测输入端及一回授输入端，该切换输出端连接至该切换晶体管的栅极，该二感测输入端分别接收该感测单元的二感测信号，且该回授输入端接收该负载电流侦测单元的回授信号，

其中该脉波宽度调变驱动控制器是依据该回授信号以决定该负载的负载状态，并依据该负载状态以产生具一开关频率的一脉波宽度调变驱动信号，并传送至该切换晶体管的栅极，以驱动该切换晶体管，且该负载状态愈重时，该开关频率愈高或持平，在该负载状态为一临界负载时，该开关频率为一最大开关频率，且在该负载的负载状态大于该临界负载时，该开关频率为该最大开关频率，该临界负载是在一满载的75%至100%之间而选定，该最大开关频率是依据该输入电压而改变，且该输入电压愈高时，该最大开关频率愈低或持平。

3.如权利要求1或2所述的动态变频电源转换***，其特征在于，该输入电源为一市电经由一电桥整流后所产生的直流电，且该市电为85V到270V的交流电，而该输入电源的输入电压为AC85V至270V。

4.如权利要求1或2所述的动态变频电源转换***，其特征在于，该脉波宽度调变驱动控制器为一微控制器、一中央处理器或多个独立电子元件所构成的电路。

5.如权利要求1或2所述的动态变频电源转换***，其特征在于，该切换晶体管为一金氧半场效晶体管，而该负载电流侦测单元为一光耦合器或由至少一被动元件构成的电路而实现，而该至少一被动元件包括电阻、电容。

6.如权利要求1或2所述的动态变频电源转换***，其特征在于，该回授信号与该输出电压成线性关系或非线性关系。

7.如权利要求1或2所述的动态变频电源转换***，其特征在于，该回授信号与该输出电压的关系是利用内建的查表而实现。

8.如权利要求1或2所述的动态变频电源转换***，其特征在于，该输入电压为90至132V V时，该最大开关频率为60K至150KHz，而该输入电压V2为180至264V，该最大开关频率为50K至100KHz。

9.如权利要求2所述的动态变频电源转换***，其特征在于，该感测单元包括一感测电容、一感测二极管、一第一感测电阻及一第二感测电阻，且该感测电容的一端为接地，而该感测电容的一另一端接收该分压电源，并连接至该感测二极管的负端，该第一感测电阻的一端为接地，该第一感测电阻的一另一端连接至该第二感测电阻的一端，该第二感测电阻的一另一端接收该感测电流，且该二感测信号是分别连接至该感测二极管的负端及正端，该输出单元包括一输出二极管、一第一输出电容、一第二输出电容及一输出电感，且该输出二极管的正端连接至该二次侧电感的一端，该输出二极管的负端连接至该第一输出电容的一端及该输出电感的一端，该输出电感的一另一端连接至该第二输出电容的一端，该第一输出电容的一另一端、该第二输出电容的一另一端及该二次侧电感的一另一端为接地，该负载电流侦测单元包括一光耦合元件、一第一侦测电阻、一第二侦测电阻及一硅控制整流器，该光耦合元件包括一侦测晶体管及一侦测发光二极管，该侦测晶体管的射极为接地，该侦测发光二极管的正端连接至该输出二极管的负端，且该侦测发光二极管所产生光照射该侦测晶体管的基极以导通该侦测晶体管，使得该侦测晶体管的集极产生该负载电流侦测信号，

该第一侦测电阻的一端连接至该输出电感的该另一端，第一侦测电阻的一另一端连接至该第二侦测电阻的一端，该第二侦测电阻的一另一端为接地，该硅控制整流器的阳极为接地，该硅控制整流器的阴极连接至该侦测发光二极管的负端，该硅控制整流器的栅极连接至该第一侦测电阻的该另一端，而该负载电流侦测单元为由至少一被动元件构成的电路而实现，且该至少一被动元件包括电阻、电容。