CN103956984A - 一种具有滤波性能的多层结构体 - Google Patents

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李雁
陈相治
束锋
朱丹
戴永胜
周围
周衍芳
张超
杨茂雅
潘航
许心影
李永帅
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Abstract

本发明涉及了一种具有滤波性能的多层结构体,所述具有滤波性能的多层结构体具有体积小、重量轻、选频特性好、集成度高等优点,便于与其它微波器件集成,另外,该多层结构体基于LTCC工艺,具有批量生产成本低的优势,使得所应用的产品具有更好的使用性能,极具市场竞争力,其应用前景非常广阔。

Description

一种具有滤波性能的多层结构体
技术领域
本发明属于电子技术领域,特别是一种小型化并且滤波性能优异的多层结构体。
背景技术
在射频领域,很多地方都需要小型化高性能且具有滤波功能的器件,希望所需频率的能量都可以通过网络,而最大程度的抑制干扰或者其它不希望在终端看到的频率。
随着无线通信技术和单片微波集成电路的快速发展,要求电子产品向小型化,低成本,高性能,高集成度的趋势发展。如何将原本在平面电路占大量面积的元件堆叠在三维立体结构中,从而使滤波器件在极小的面积下实现也是目前要解决的问题。多层结构体是用层叠式的电路结构来实现滤波电路的功能,技术上是通过LTCC工艺实现的,LTCC技术能够为无源和有源器件提供三维立体的集成平台,可实现电路立体化的要求,而且陶瓷元件有良好的特性,可以满足目前市场对小型化、低成本、高性能的要求。
目前对国内外设计的滤波结构体进行了大量的研究,大多数结构体低频段占用体积太大,集成度不高,已远远不能满足小型化的要求。此外,目前的大多数滤波器结构,如果要抑制通带附近的杂波频率,阻带内的衰减就显得不足了。因此,如何实现一种具有滤波性能的多层结构体,已成为业界急需解决的问题之一,现有技术尚无相关描述。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于提供一种带外抑制度优异、带内***损耗小、可靠性高、集成度高、尺寸小的具有滤波性能的多层结构体。
本发明解决上述技术问题所采取的技术方案如下:一种具有滤波性能的多层结构体,该多层结构体整体是一个陶瓷体,多个电介质层层叠于该陶瓷体中,具体包括顶层金属地G1、底层金属地G2、第一耦合线电感L1、第二耦合线电感L2、第三耦合线电感L3、第四耦合线电感L4、第五耦合线电感L5、第六耦合线电感L6和第一平板电容C1、第二平板电容C2、第三平板电容C3、第四平板电容C4、第五平板电容C5、第六平板电容C6;
    其中顶层金属地G1、底层金属地G2均为单层平板金属结构,第一耦合线电感L1、第二耦合线电感L2、第三耦合线电感L3、第四耦合线电感L4、第五耦合线电感L5、第六耦合线电感L6均为双层矩形螺旋线圈结构,第一平板电容C1、第二平板电容C2、第三平板电容C3、第四平板电容C4、第五平板电容C5、第六平板电容C6均为双层金属板结构;
第一耦合线电感L1与第一平板电容C1相并联,第一耦合线电感L1的一端与第一平板电容C1的一端相连,第一耦合线电感L1的另一端和第一平板电容C1的另一端分别接地,上述两个器件构成第一谐振器;
第二耦合线电感L2与第二平板电容C2相并联,第二耦合线电感L2的一端与第二平板电容C2的一端相连,第二耦合线电感L2的另一端和第二平板电容C2的另一端分别接地,上述两个器件构成第二谐振器;
第三耦合线电感L3与第三平板电容C3相并联,第三耦合线电感L3的一端与第三平板电容C3的一端相连,第三耦合线电感L3的另一端和第三平板电容C3的另一端分别接地,上述两个器件构成第三谐振器;
第四耦合线电感L4与第四平板电容C4相并联,第四耦合线电感L4的一端与第四平板电容C4的一端相连,第四耦合线电感L4的另一端和第四平板电容C4的另一端分别接地,上述两个器件构成第四谐振器;
第五耦合线电感L5与第五平板电容C5相并联,第五耦合线电感L5的一端与第五平板电容C5的一端相连,第五耦合线电感L5的另一端和第五平板电容C5的另一端分别接地。上述两个器件构成第五谐振器;
第六耦合线电感L6与第六平板电容C6相并联,第六耦合线电感L6的一端与第六平板电容C6的一端相连,第六耦合线电感L6的另一端和第六平板电容C6的另一端分别接地,上述两个器件构成第六谐振器。
所述第一谐振器、第二谐振器、第三谐振器、第四谐振器、第五谐振器、第六谐振器中的耦合线电感和平板电容均与顶层金属地G1和底层金属地G2平行放置;耦合线电感之间均互不相连,平板电容之间也均互不相连。
第一耦合线电感L1与第六耦合线电感L6是相同的结构,第二耦合线电感L2与第五耦合线电感L5是相同的结构,第三耦合线电感L3与第四耦合线电感L4是相同的结构,第一平板电容C1与第六平板电容C6是相同的结构,第二平板电容C2与第五平板电容C5是相同的结构,第三平板电容C3与第四平板电容C4是相同的结构。
顶层金属地G1、底层金属地G2、第一耦合线电感L1、第二耦合线电感L2、第三耦合线电感L3、第四耦合线电感L4、第五耦合线电感L5、第六耦合线电感L6和第一平板电容C1、第二平板电容C2、第三平板电容C3、第四平板电容C4、第五平板电容C5、第六平板电容C6均为多层低温共烧陶瓷工艺烧制的器件。
本发明与现有技术相比,其显著优点为:本发明的结构体使用了多层介质基板,充分利用了三维多层空间,从而显著减小了元件所需体积,适合于自动化表面贴装生产,并且性能优异。
下面结合附图对本发明进行详细描述。
附图说明
图1是本发明一种具有滤波性能的多层结构体的三维结构主视图。
图2是本发明一种具有滤波性能的多层结构体的三维结构侧视图。
图3是本发明一种具有滤波性能的多层结构体的三维结构俯视图。
图4是本发明一种具有滤波性能的多层结构体的S参数仿真曲线。
图5是本发明一种具有滤波性能的多层结构体的等效电路图。
具体实施方式:
结合图1、图2、图3,本发明是一种具有滤波性能的多层结构体,采用了多层结构实现,具有带通滤波的功能。
本发明是一种具有滤波性能的多层结构体,该多层结构体整体是一个陶瓷体,多个电介质层层叠于该陶瓷体中。具体包括顶层金属地G1、底层金属地G2、第一耦合线电感L1、第二耦合线电感L2、第三耦合线电感L3、第四耦合线电感L4、第五耦合线电感L5、第六耦合线电感L6和第一平板电容C1、第二平板电容C2、第三平板电容C3、第四平板电容C4、第五平板电容C5、第六平板电容C6;
    其中顶层金属地G1、底层金属地G2均为单层平板金属结构,第一耦合线电感L1、第二耦合线电感L2、第三耦合线电感L3、第四耦合线电感L4、第五耦合线电感L5、第六耦合线电感L6均为双层矩形螺旋线圈结构,第一平板电容C1、第二平板电容C2、第三平板电容C3、第四平板电容C4、第五平板电容C5、第六平板电容C6均为双层金属板结构;
第一耦合线电感L1与第一平板电容C1相并联,第一耦合线电感L1的一端与第一平板电容C1的一端相连,第一耦合线电感L1的另一端和第一平板电容C1的另一端分别接地,上述两个器件构成第一谐振器;
第二耦合线电感L2与第二平板电容C2相并联,第二耦合线电感L2的一端与第二平板电容C2的一端相连,第二耦合线电感L2的另一端和第二平板电容C2的另一端分别接地,上述两个器件构成第二谐振器;
第三耦合线电感L3与第三平板电容C3相并联,第三耦合线电感L3的一端与第三平板电容C3的一端相连,第三耦合线电感L3的另一端和第三平板电容C3的另一端分别接地,上述两个器件构成第三谐振器;
第四耦合线电感L4与第四平板电容C4相并联,第四耦合线电感L4的一端与第四平板电容C4的一端相连,第四耦合线电感L4的另一端和第四平板电容C4的另一端分别接地,上述两个器件构成第四谐振器;
第五耦合线电感L5与第五平板电容C5相并联,第五耦合线电感L5的一端与第五平板电容C5的一端相连,第五耦合线电感L5的另一端和第五平板电容C5的另一端分别接地。上述两个器件构成第五谐振器;
第六耦合线电感L6与第六平板电容C6相并联,第六耦合线电感L6的一端与第六平板电容C6的一端相连,第六耦合线电感L6的另一端和第六平板电容C6的另一端分别接地。上述两个器件构成第六谐振器;
第一谐振器、第二谐振器、第三谐振器、第四谐振器、第五谐振器、第六谐振器中的耦合线电感和平板电容均与顶层金属地G1和底层金属地G2平行放置,在同一电介质层上设置了多个耦合线电感和多个平板电容,并且所述多个耦合线电感均互不相连,多个平板电容也均互不相连。
第一耦合线电感L1与第六耦合线电感L6是相同的,第二耦合线电感L2与第五耦合线电感L5是相同的,第三耦合线电感L3与第四耦合线电感L4是相同的,第一平板电容C1与第六平板电容C6是相同的,第二平板电容C2与第五平板电容C5是相同的,第三平板电容C3与第四平板电容C4是相同的。
顶层金属地G1、底层金属地G2、第一耦合线电感L1、第二耦合线电感L2、第三耦合线电感L3、第四耦合线电感L4、第五耦合线电感L5、第六耦合线电感L6和第一平板电容C1、第二平板电容C2、第三平板电容C3、第四平板电容C4、第五平板电容C5、第六平板电容C6均为多层低温共烧陶瓷工艺烧制的器件。
本发明采用了多层结构实现了滤波性能,其中多层结构采用低温共烧陶瓷工艺实现,该技术与其它多层基板技术相比较,更易于实现多层布线与封装一体化结构,进一步减小体积和重量,提高可靠性,因此该技术可在实现相同指标的前提下显著减小器件体积,提高器件集成度。
本发明具有滤波性能的多层结构体的整体结构示意图如图1所示,整个器件的体积为6.5mm*3.2mm*1.5mm,采用的LTCC套陶瓷介质的相对介电常数为65,介质损耗角正切为0.002,实现多层结构的金属导体采用银,其中每层陶瓷介质基板的厚度为0.01mm,为了提高成品率,层与层之间的距离为0.04mm,连接层与层之间的圆柱通孔高度也为0.04mm。
本发明具有滤波性能的多层结构体的仿真曲线如图4所示:该多层结构体的中心频率为144MHz,通带带宽为24MHz。通带内的***损耗小于4dB,由于在上、下边带各产生了一个传输零点,使得上、下边带非常陡峭,在DC<f<75 MHz时,带外抑制优于60 dB,260 MHz<f<1.0 GHz时,带外抑制优于60 dB,可见带外抑制度极高。
综上,本发明提供的具有滤波性能的多层结构体具有体积小、重量轻、选频特性好、集成度高等优点,便于与其它微波器件集成,另外,该多层结构体基于LTCC工艺,具有批量生产成本低的优势,使得所应用的产品具有更好的使用性能,极具市场竞争力,其应用前景非常广阔。

Claims (4)

1.一种具有滤波性能的多层结构体,其特征在于:该多层结构体整体是一个陶瓷体,多个电介质层层叠于该陶瓷体中,具体包括顶层金属地[G1]、底层金属地[G2]、第一耦合线电感[L1]、第二耦合线电感[L2]、第三耦合线电感[L3]、第四耦合线电感[L4]、第五耦合线电感[L5]、第六耦合线电感[L6]和第一平板电容[C1]、第二平板电容[C2]、第三平板电容[C3]、第四平板电容[C4]、第五平板电容[C5]、第六平板电容[C6];
    其中顶层金属地[G1]、底层金属地[G2]均为单层平板金属结构,第一耦合线电感[L1]、第二耦合线电感[L2]、第三耦合线电感[L3]、第四耦合线电感[L4]、第五耦合线电感[L5]、第六耦合线电感[L6]均为双层矩形螺旋线圈结构,第一平板电容[C1]、第二平板电容[C2]、第三平板电容[C3]、第四平板电容[C4]、第五平板电容[C5]、第六平板电容[C6]均为双层金属板结构;
第一耦合线电感[L1]与第一平板电容[C1]相并联,第一耦合线电感[L1]的一端与第一平板电容[C1]的一端相连,第一耦合线电感[L1]的另一端和第一平板电容[C1]的另一端分别接地,上述两个器件构成第一谐振器;
第二耦合线电感[L2]与第二平板电容[C2]相并联,第二耦合线电感[L2]的一端与第二平板电容[C2]的一端相连,第二耦合线电感[L2]的另一端和第二平板电容[C2]的另一端分别接地,上述两个器件构成第二谐振器;
第三耦合线电感[L3]与第三平板电容[C3]相并联,第三耦合线电感[L3]的一端与第三平板电容[C3]的一端相连,第三耦合线电感[L3]的另一端和第三平板电容[C3]的另一端分别接地,上述两个器件构成第三谐振器;
第四耦合线电感[L4]与第四平板电容[C4]相并联,第四耦合线电感[L4]的一端与第四平板电容[C4]的一端相连,第四耦合线电感[L4]的另一端和第四平板电容[C4]的另一端分别接地,上述两个器件构成第四谐振器;
第五耦合线电感[L5]与第五平板电容[C5]相并联,第五耦合线电感[L5]的一端与第五平板电容[C5]的一端相连,第五耦合线电感[L5]的另一端和第五平板电容[C5]的另一端分别接地,上述两个器件构成第五谐振器;
第六耦合线电感[L6]与第六平板电容[C6]相并联,第六耦合线电感[L6]的一端与第六平板电容[C6]的一端相连,第六耦合线电感[L6]的另一端和第六平板电容[C6]的另一端分别接地,上述两个器件构成第六谐振器。
2. 根据权利要求1所述的具有滤波性能的多层结构体,其特征在于,所述第一谐振器、第二谐振器、第三谐振器、第四谐振器、第五谐振器、第六谐振器中的耦合线电感和平板电容均与顶层金属地[G1]和底层金属地[G2]平行放置;耦合线电感之间均互不相连,平板电容之间也均互不相连。
3.根据权利要求1所述的具有滤波性能的多层结构体,其特征在于,第一耦合线电感[L1]与第六耦合线电感[L6]是相同的结构,第二耦合线电感[L2]与第五耦合线电感[L5]是相同的结构,第三耦合线电感[L3]与第四耦合线电感[L4]是相同的结构,第一平板电容[C1]与第六平板电容[C6]是相同的结构,第二平板电容[C2]与第五平板电容[C5]是相同的结构,第三平板电容[C3]与第四平板电容[C4]是相同的结构。
4.根据权利要求1所述的具有滤波性能的多层结构体,其特征在于,顶层金属地[G1]、底层金属地[G2]、第一耦合线电感[L1]、第二耦合线电感[L2]、第三耦合线电感[L3]、第四耦合线电感[L4]、第五耦合线电感[L5]、第六耦合线电感[L6]和第一平板电容[C1]、第二平板电容[C2]、第三平板电容[C3]、第四平板电容[C4]、第五平板电容[C5]、第六平板电容[C6]均为多层低温共烧陶瓷工艺烧制的器件。
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