CN103944435A - 一种多电平高压反激式开关电源 - Google Patents
一种多电平高压反激式开关电源 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103944435A CN103944435A CN201310472487.9A CN201310472487A CN103944435A CN 103944435 A CN103944435 A CN 103944435A CN 201310472487 A CN201310472487 A CN 201310472487A CN 103944435 A CN103944435 A CN 103944435A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- voltage
- level
- oxide
- semiconductor
- primary coil
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Dc-Dc Converters (AREA)
Abstract
本发明公开了一种多电平高压反激式开关电源，该开关电源包括整流模块、电流采样电阻模块、控制芯片、驱动隔离模块、变压器、n级串联的电容和n级MOS管，其中n为大于或等于2的自然数。本发明在变压器上设置多级初级线圈，且实现电容的多级串联，即为对输入的高电压进行均分电压、三分电压、四分电压等各种n分电压，实现n+1级电平输入，由此来降低每级初级线圈的承受耐压，同时也降低每级MOS管的承受电压，进而降低每级MOS管的承受电流。该开关电源的结构改进将输入功率转换为多级电压，小电流串联的方式，这样既解决了现在MOS管直接串联而致无法高耐压及发热严重的问题，同时也解决了MOS管无法过大电流的问题，将开关电源的应用范围变宽边广。
Description
技术领域
本发明涉及开关电源技术领域，尤其涉及一种多电平高压反激式开关电源。
背景技术
现有的反激式开关电源主要有以下两种：
一是单管单端反激式开关电源即为原边单个线圈供电；这种开关电源在使用过程中存在以下问题：1）MOS管MOSFET的最大耐压只有1500V，所该种开关电源的输入电压的工作只能小于800V才能工作在安全工作区，无法使用在更高输入电压的情况；2）单线圈供电，MOS管上平均电流大，MOS管发热严重。
二是双管单端反激式开关电源即为原边单个线圈供电；这种开关电源在使用过程中也存在以下缺陷：1）采用双管串联工作的模式，使用钳位二极管钳位电压，但仍然无法保证两级MOS管MOSFET的开通及关断完全一致性的问题，每级MOS管MOSFET仍然会承受较高的电压，同样受制于MOS管MOSFET的最大耐压只有1500V，所该种开关电源的输入电压的工作只能小于800V才能工作在安全工作区，无法使用在更高输入电压的情况；2）单线圈供电，线圈及MOSFET承受整个功率电流，MOS管发热严重。
综合上述的描述，目前市面上的两种反激式开关电源已无法满足市场的需求了。
发明内容
针对上述技术中存在的不足之处，本发明提供一种使用安全、可靠性能好及使用范围广的多电平高压反激式开关电源，该开关电源实现多级初级线圈供电，将输入功率转为多级电压，不仅提高输入电压，而且解决了高压无法输入的问题。
为实现上述目的，本发明提供一种多电平高压反激式开关电源，包括整流模块、电流采样电阻模块、控制芯片、驱动隔离模块、变压器、n级串联的电容和n级MOS管，其中n为大于或等于2的自然数；每相邻两个电容之间形成电容中点，所述变压器上设有多级初级线圈和分别与每级初级线圈连接的次级线圈；交流电源电压经整流模块整流后形成直流电压，首级初级线圈的一端接入直流电压的正电压端，首级初级线圈的另一端接入同级的MOS管的漏极，且该MOS管的源极接入其下级的电容中点；尾级初级线圈的一端接入其上级的电容中点，尾级初级线圈的另一端接入同级的MOS管的漏极，该MOS管的源极通过电流采样电阻模块后接入直流电压的负电压端；其余中间的每级初级线圈的一端连接同级的电容中点，每级初级线圈的另一端接入同级的MOS管的漏极，且该MOS管的源极接入其下级的电容中点；其中MOS管的栅极均悬空；
所述控制芯片的输入端连接电流采样电阻模块并采样电流采样电阻模块上输出侧的电压，所述控制芯片的输出端连接驱动隔离模块。
其中，所述电流采样电阻模块由多个采样电阻并联而成，且所述电流采样电阻模块通过连结电阻连接控制芯片。
其中，所述驱动隔离模块包括光耦器、第一三极管、第二三极管和隔离变压器；所述光耦器连接控制芯片的输出端，所述第一三极管和第二三极管的发射极、集电极均与控制芯片的输出端连接，且所述第一三极管和第二三极管的基极公共端也连接控制芯片的输出端，所述第一三极管和第二三极管的发射极公共端连接隔离变压器的初级线圈。
其中，所述控制芯片的型号为UC2844。
其中，所述开关电源包括整流模块、第一级电容、第二级电容、第一级MOS管、第二级MOS管、第一级初级线圈、第二级初级线圈、次级初级线圈、电流采样电阻模块、控制芯片和驱动隔离模块；第一级电容与第二级电容之间形成电容中点，所述第一级初级线圈和第二级初级线圈分别与次级线圈连接，交流电源电压经整流模块整流后形成直流电压，第一级初级线圈的一端接入直流电压的正电压端，第一级初级线圈的另一端接入第一级MOS管的漏极，且第一级MOS管的源极接入电容中点，第二级初级线圈的一端接入电容中点，第二级初级线圈的另一端接入第二级MOS管的漏极，且第二级MOS管的源极通过电流采样电阻模块后接入直流电压的负电压端；其中第一级MOS管和第二级MOS管的栅极均悬空；所述控制芯片的输入端连接电流采样电阻模块并采样电流采样电阻模块上输出侧的电压，所述控制芯片的输出端连接驱动隔离模块。
其中，所述电流采样电阻模块由五个采样电阻并联而成。
本发明的有益效果是：与现有技术相比，本发明提供的多电平高压反激式开关电源,在变压器上设置多级初级线圈，实现多级线圈供电，且实现电容的多级串联，即为对输入的高电压进行均分电压、三分电压、四分电压等各种n分电压，实现n+1级电平输入，由此来降低每级初级线圈的承受耐压，同时也降低每级MOS管的承受电压，进而降低每级MOS管的承受电流。该开关电源的结构改进将输入功率转换为多级电压，小电流串联的方式，这样既解决了现在MOS管直接串联而致无法高耐压及发热严重的问题，同时也解决了MOS管无法过大电流的问题，提高了开关电源的可靠性，将开关电源的应用范围变宽边广。进一步的，该开关电源通过驱动隔离模块可调节变压器的储能量及控制输出电压的稳定，提高了整个电源工作的可靠稳定性。本发明具有结构简单、设计合理、使用安全、工作效率高及使用寿命长等特点。
附图说明
图1为本发明的多电平高压反激式开关电源的工作方框图；
图2为本发明中三电平输入的拓扑结构图；
图3为本发明中四电平输入的拓扑结构图；
图4为本发明中五电平输入的拓扑结构图；
图5为图2的工作原理图；
图6为本发明中输出电压为24V时，开关噪音的纹波效果图；
图7为在图6的基础上串联二极管的纹波效果图；
图8为本发明中输入电压为280V时，MOS管ds的波形图；
图9为本发明中输入电压为280V时，MOS管ip的波形图；
图10为本发明中输入电压为550V时，MOS管ds的波形图；
图11为本发明中输入电压为550V时，MOS管ip的波形图；
图12为本发明中输入电压为900V时，MOS管ds的波形图；
图13为本发明中输入电压为900V时，MOS管ip的波形图；
图14为本发明中输入电压为900V，输入功率为46.8W时，MOS管ds的第一时刻波形图；
图15为本发明中输入电压为900V，输入功率为46.8W时，MOS管ds的第二时刻波形图；
图16为本发明中输入电压为900V，输入功率为90.7W时，MOS管ds的第一时刻波形图；
图17为本发明中输入电压为900V，输入功率为90.7W时，MOS管ds的第二时刻波形图；
图18为本发明中输入电压为550V，输入功率为90.7W时，各温度的波形图；
图19为本发明中输入电压为900V，输入功率为90.7W时，各温度的波形图。
主要元件符号说明如下：
10、整流模块 11、电流采样电阻模块
12、控制芯片 13、驱动隔离模块
C、电容 Q、MOS管
T、变压器 L、初级线圈
LL、次级线圈
具体实施方式
为了更清楚地表述本发明，下面结合附图对本发明作进一步地描述。
请参阅图1，本发明的多电平高压反激式开关电源，包括整流模块10、电流采样电阻模块11、控制芯片12、驱动隔离模块13、变压器T、n级串联的电容C和n级MOS管Q，其中n为大于或等于2的自然数；每相邻两个电容C之间形成电容中点，即可形成n-1级电容中点，即从第二级初级线圈L的连接处开始形成第一级电容中点,变压器T上设有多级初级线圈L和分别与每级初级线圈L连接的次级线圈LL；交流电源电压经整流模块10整流后形成直流电压，首级初级线圈的一端接入直流电压的正电压端DC+，首级初级线圈L的另一端接入同级的MOS管Q的漏极，且该MOS管Q的源极接入其下级的电容中点，尾级初级线圈L的一端接入其上级的电容中点，尾级初级线圈L的另一端接入同级的MOS管Q的漏极，该MOS管Q的源极通过电流采样电阻模块12后接入直流电压的负电压端DC-；其余中间的每级初级线圈L的一端连接同级的电容中点，每级初级线圈L的另一端接入同级的MOS管Q的漏极，且该MOS管Q的源极接入其下级的电容中点；其中MOS管Q的栅极均悬空；控制芯片12的输入端连接电流采样电阻模块11并采样电流采样电阻模块11上输出侧的电压，控制芯片12的输出端连接驱动隔离模块13。
请进一步参阅图2-4，图2为三电平输入的拓扑结构图，该图中有两级初级线圈L、两级电容C和两级MOS管Q，该结构为两级电容C的串联，进而实现输入高电压的均分，三电平的输入；图3为四电平输入的拓扑结构图，该图中有三级初级线圈L、三级电容C和三级MOS管Q，该结构为电容C的串联，进而实现输入高电压的三均分电压，四电平的输入；图4为四电平输入的拓扑结构图，该图中有四级初级线圈L、四级电容C和四级MOS管Q，该结构为四级电容C的串联，进而实现输入高电压的四均分电压，五电平的输入。本发明中多电平高电压输入的规律可描述为：n级电容C串联、n级初级线圈L通过n级MOS管Q实现串联，可实现n+1级电平输入。可根据开关电源的实际情况不断增加输入电平，提高输入电压的等级。
相较于现有技术，本发明提供的多电平高压反激式开关电源，在变压器T上设置多级初级线圈L，实现多级线圈供电，且实现电容C的多级串联，即为对输入的高电压进行均分电压、三分电压、四分电压等各种n分电压，实现n+1级电平输入，由此来降低每级初级线圈L的承受耐压，同时也降低每级MOS管Q的承受电压，进而降低每级MOS管Q的承受电流。该开关电源的结构改进将输入功率转换为多级电压，小电流串联的方式，这样既解决了现在MOS管直接串联而致无法高耐压及发热严重的问题，同时也解决了MOS管无法过大电流的问题，提高了开关电源的可靠性，将开关电源的应用范围变宽边广。进一步的，该开关电源通过驱动隔离模块可调节变压器的储能量及控制输出电压的稳定，提高了整个电源工作的可靠稳定性。本发明具有结构简单、设计合理、使用安全、工作效率高及使用寿命长等特点。
在本实施例中，电流采样电阻模块11由多个采样电阻并联而成，且电流采样电阻模块11通过连结电阻连接控制芯片12。本电流采样电阻模块11可有五个或六个等不同数量的采样电阻并联而成，可根据实际需要改变采样电阻的数量。
请进一步参阅图5，为n=2的具体实施方式，该实施例中的开管电源包括整流模块、第一级电容C1、第二级电容C2、第一级MOS管Q1、第二级MOS管Q2、第一级初级线圈L1、第二级初级线圈L2、次级线圈、电流采样电阻模块、控制芯片U2和驱动隔离模块；第一级电容C1与第二级电容C2之间形成电容中点，第一级初级线圈L1和第二级初级线圈L2分别与次级线圈连接，交流电源电压AC经整流模块整流后形成直流电压DC，第一级初级线圈L1的一端接入直流电压的正电压端DC+,第一级初级线圈L1的另一端接入第一级MOS管Q1的漏极，且第一级MOS管Q1的源极接入电容中点，第二级初级线圈L2的一端接入电容中点，第二级初级线圈L2的另一端接入第二级MOS管Q2的漏极，且第二级MOS管Q2的源极通过电流采样电阻模块后接入直流电压的负电压端DC-；其中第一级MOS管Q1和第二级MOS管Q2的栅极均悬空；控制芯片U1的输入端连接电流采样电阻模块并采样电流采样电阻模块上输出侧的电压，控制芯片U2的输出端连接驱动隔离模块。
在该图中整流模块有第一安规电容Cy1、第二安规电容Cy2、第三安规电容Cy3和第四安规电容Cy4构成整流桥将交流电源AC220-400V变为300-600V的直流电压DC，在第一级电容C1与第一级MOS管Q1之间安设有第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5和第六电阻R6，这六个电阻起限流作用；在第二级电容C2与第二级MOS管Q2之间安设有第七电阻R7、第八电阻R8、第九电阻R9、第十电阻R10、第十一电阻R11和第十二电阻R12，这六个电阻也起限流作用。第一级初级线圈L1的两端之间电连接有第十三电阻R13、第三电容C3和第一二极管D1，第二级初级线圈L2的两端之间电连接有第十四电阻R14、第四电容C4和第二二极管D2。由第十五电阻R15、第十六电阻R16、第十七电阻R17、第十八电阻R18和第十九电阻R19并联构成电流采样电阻模块对上述两级初级线圈进行电流采样；并联后的电流采样电阻模块通过连结电阻R20连接控制芯片U1的输入端；第一级初级线圈L1和第二级初级线圈L2作为变压器T1的初级绕组，变压器T1的次级绕组的上部输出端通过第四二极管D4依次连接并联的第五电容C5、第六电容C6、第七电容C7后连接第二十二电阻R22，变压器T1的次级绕组的下部输出端通过第五二极管D4依次连接并联的第八电容C8、第九电容C9、第十电容C10、第二十三电阻R23后连接第二十四电阻R24。
驱动隔离模块包括光耦器T2、第一三极管Q3、第二三极管Q4和隔离变压器T3，光耦器T2的输入端安设有第二十五电阻R25、第二十六电阻R26、第二十七电阻R27、第二十八电阻R28和二十九电阻R29，第二十六电阻R26并联有第十二电容C12，第二十八电阻R28通过第十一电容C11连接第一稳压管Z1，光耦器T2的输出端连接至控制芯片U1上，控制芯片U1上依次连接有第十三电容C13、串联的第三十电阻R30和第十四电容C14及串联的第三十一电阻R31和第十五电容C15，控制芯片U1通过第三十二电阻R32连接至第一三极管Q3和第二三极管Q4的基极公共端，且控制芯片U1与第二十电阻R20的连接端上连接有第十六电容C16，第一三极管Q3的集电极连接并联的第十七电容C17、第二稳压管Z2和第十八电容C18，第二稳压管Z2和第十八电容C18的公共端依次通过第二十一电阻R21和第三二极管D3后连接至变压器T1的初级绕组。第一三极管Q3和第二三极管Q4的发射极公共端通过第三十三电阻R33和第二十电容C20后连接隔离变压器T3的初级线圈，即为初级绕组，隔离变压器T3的次级绕组分别连接第三十四电阻R34和第三十五电阻R35。该控制芯片U1的型号为UC2844。
本实施例中采用控制芯片U1的控制，控制芯片U1通过采样直流输出侧的电压，调节输出占空比，通过两个三极管的开关度，调节变压器的储能量，控制输出电压的稳定，从而达到DC/DC转换的功能，完成整个电源的工作过程。
实验数据
一、开关电源测试：
1、测试条件：电源输出侧在低压、额定、高压时，分别在输出侧空载、轻载、重载条件下，进行开关电源质量测试，包括电源调整率，负载调整率，工作效率等；
2、测试记录：负载条件：见表1.1
---表1.1
| 输出电压 (V) | +5 | -15 | +15 | +C5 | +C24 | 实际总功率 |
| 轻载输出 (A) | 0.75 | 0.4 | 1.5 | 0.75 | 0.455 | 46.8W |
| 重载输出 (A) | 1.5 | 0.4 | 3.3 | 1.5 | 1 | 90.7W |
测试数据见表1.2
---表1.2
由表数据分析，该电源调整率和负载调整率比较理想；低压带载时，尤其在280V刚好处于电源调制临界，开关波形稍有抖动，但不影响电压正常输出。其次，电源效率方面表现为：相同输入电压，负载越重，效率越高；相同输出负载输入电压越高，效率越低；效率范围大致在（60%～75%）。
二、纹波噪音测试：
测试数据见表1.3
---表1.3
请参考图6-7， C24V受cm2596开关噪音比较明显，如图6；可考虑在其输入端串接二极管（类似15V，没有发现受cm2596噪音的影响），请看图7；请参考图8-9，图8为输入电压为280V，输入功率为90.7W工作时，MOS管ds的波形图，图9为同样条件下MOS管ip的波形图；请参考图10-11，图10为输入电压为550V，输入功率为46.8W工作时，MOS管ds的波形图，图11为同样条件下MOS管ip的波形图；请参考图12-13，图12为输入电压为900V，输入功率为90.7W工作时，MOS管ds的波形图，图13为同样条件下MOS管ip的波形图。
三、频繁启机实验：
1、测试条件：输入侧电源频繁通断，电源板按2次/min的启机频率进行实验，测试时长240min；
2、测试记录：输入电源900V，输出带轻载、重载时，分别测试mos管启机时的尖峰电压；测试过程中，观察各路电压输出是否正常，各元器件温升和工作状况。
请进一步参阅图14-15，图14为Uin=900V Po=46.8W，启机时的MOS管ds第一时刻的波形，图15为同条件下第二时刻的波形，Uds范围（910V，940V）；请进一步参阅图16-17，图16为Uin=900V Po=90.7W，启机时的MOS管ds第一时刻的波形，图17为同条件下第二时刻的波形，Uds范围（810V，850V）。由实验和四个图看出，当输入侧900V，输出带载46.8W时，启机Uds尖峰电压较大，已超过该mos管安全范围（≤900V），可适当选用耐压较高，余量稍大的开关管，改善输入侧电路，串接热敏电阻等。
四、温升测试：
1、测试条件：分别在输入电压Uin=550V和900，输出重载90.7W时进行温升测试；
2、测试数据：见表3.1；
3、测试结论：开关管尤其在高压重载时最高温度达96℃，温升57℃。另外其关断时吸收电阻温升较大，近100℃，可考虑调整阻值功率；其他元器件温升在可接受范围。
---表3.1
请进一步参阅图18-19，从波形图中可看出，各温度的波形图都比较平稳。
通过上述的实验描述，本发明解决了现有技术中MOS管的耐压问题和发热问题；解决了反激式开关电源高压环境下的工作问题及解决了MOS管直接串联均压及耐压应力的问题；本发明是突破了现有开关电源的模式，解决现有开关电源在使用中的一些技术缺陷，使反激式开关电源能在较高的电压下工作，同时解决了因为元器件的技术壁垒,其关键技术就是电源的拓扑架构，这种拓扑架构的采用，使开关电源得应用等级和范围更加宽广，而且可以多级拓展，使用灵活。
以上公开的仅为本发明的几个具体实施例，但是本发明并非局限于此，任何本领域的技术人员能思之的变化都应落入本发明的保护范围。
Claims (6)
1.一种多电平高压反激式开关电源，其特征在于，包括整流模块、电流采样电阻模块、控制芯片、驱动隔离模块、变压器、n级串联的电容和n级MOS管，其中n为大于或等于2的自然数；每相邻两个电容之间形成电容中点，所述变压器上设有多级初级线圈和分别与每级初级线圈连接的次级线圈；交流电源电压经整流模块整流后形成直流电压，首级初级线圈的一端接入直流电压的正电压端，首级初级线圈的另一端接入同级的MOS管的漏极，且该MOS管的源极接入其下级的电容中点；尾级初级线圈的一端接入其上级的电容中点，尾级初级线圈的另一端接入同级的MOS管的漏极，该MOS管的源极通过电流采样电阻模块后接入直流电压的负电压端；其余中间的每级初级线圈的一端连接同级的电容中点，每级初级线圈的另一端接入同级的MOS管的漏极，且该MOS管的源极接入其下级的电容中点；其中MOS管的栅极均悬空；
所述控制芯片的输入端连接电流采样电阻模块并采样电流采样电阻模块上输出侧的电压，所述控制芯片的输出端连接驱动隔离模块。
2.根据权利要求1所述的多电平高压反激式开关电源，其特征在于，所述电流采样电阻模块由多个采样电阻并联而成，且所述电流采样电阻模块通过连结电阻连接控制芯片。
3.根据权利要求1所述的多电平高压反激式开关电源，其特征在于，所述驱动隔离模块包括光耦器、第一三极管、第二三极管和隔离变压器；所述光耦器连接控制芯片的输出端，所述第一三极管和第二三极管的发射极、集电极均与控制芯片的输出端连接，且所述第一三极管和第二三极管的基极公共端也连接控制芯片的输出端，所述第一三极管和第二三极管的发射极公共端连接隔离变压器的初级线圈。
4.根据权利要求1-3任一项所述的多电平高压反激式开关电源，其特征在于，所述控制芯片的型号为UC2844。
5.根据权利要求1所述的多电平高压反激式开关电源，其特征在于，所述开关电源包括整流模块、第一级电容、第二级电容、第一级MOS管、第二级MOS管、第一级初级线圈、第二级初级线圈、次级初级线圈、电流采样电阻模块、控制芯片和驱动隔离模块；第一级电容与第二级电容之间形成电容中点，所述第一级初级线圈和第二级初级线圈分别与次级线圈连接，交流电源电压经整流模块整流后形成直流电压，第一级初级线圈的一端接入直流电压的正电压端，第一级初级线圈的另一端接入第一级MOS管的漏极，且第一级MOS管的源极接入电容中点，第二级初级线圈的一端接入电容中点，第二级初级线圈的另一端接入第二级MOS管的漏极，且第二级MOS管的源极通过电流采样电阻模块后接入直流电压的负电压端；其中第一级MOS管和第二级MOS管的栅极均悬空；所述控制芯片的输入端连接电流采样电阻模块并采样电流采样电阻模块上输出侧的电压，所述控制芯片的输出端连接驱动隔离模块。
6.根据权利要求5所述的多电平高压反激式开关电源，其特征在于，所述电流采样电阻模块由五个采样电阻并联而成。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310472487.9A CN103944435B (zh) | 2013-10-11 | 2013-10-11 | 一种多电平高压反激式开关电源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310472487.9A CN103944435B (zh) | 2013-10-11 | 2013-10-11 | 一种多电平高压反激式开关电源 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103944435A true CN103944435A (zh) | 2014-07-23 |
| CN103944435B CN103944435B (zh) | 2017-02-08 |
Family
ID=51191963
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310472487.9A Active CN103944435B (zh) | 2013-10-11 | 2013-10-11 | 一种多电平高压反激式开关电源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103944435B (zh) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104166769A (zh) * | 2014-08-20 | 2014-11-26 | 浪潮电子信息产业股份有限公司 | 一种通过mos管控制实现pcb层复用的设计方法 |
| CN108322021A (zh) * | 2017-12-28 | 2018-07-24 | 上海澳通韦尔电力电子有限公司 | 一种用于高压直流母线供电的辅助电源驱动电路 |
| CN109067148A (zh) * | 2018-08-14 | 2018-12-21 | 广州金升阳科技有限公司 | 一种多电平降压电路 |
| CN111355380A (zh) * | 2020-03-30 | 2020-06-30 | 中煤科工集团重庆研究院有限公司 | 超宽输入电压的自适应矿用电源 |
| WO2023016482A1 (zh) * | 2021-08-10 | 2023-02-16 | 苏州艾科脉医疗技术有限公司 | 用于导管的高压发生电路及消融工具 |
| US11757344B2 (en) | 2022-01-20 | 2023-09-12 | Delta Electronics, Inc. | Conversion circuit |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN2035934U (zh) * | 1988-07-30 | 1989-04-12 | 湘潭市大光明电子设备厂 | 通用型集成电路直流变换器 |
| CN102082515A (zh) * | 2009-11-27 | 2011-06-01 | 南京理工大学 | 基于反激变换器的高频隔离式交-交型三电平交-交变换器 |
| CN102163854A (zh) * | 2011-02-23 | 2011-08-24 | 中航锂电（洛阳）有限公司 | 一种多单体串联动力锂电池组充放电均衡电路 |
| CN102611291A (zh) * | 2012-03-27 | 2012-07-25 | 深圳航天科技创新研究院 | 一种单控制单元的输入反激串联输出并联电路 |
| CN202602553U (zh) * | 2012-05-10 | 2012-12-12 | 广州金升阳科技有限公司 | 一种电子镇流器专用开关电源 |
-
2013
- 2013-10-11 CN CN201310472487.9A patent/CN103944435B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN2035934U (zh) * | 1988-07-30 | 1989-04-12 | 湘潭市大光明电子设备厂 | 通用型集成电路直流变换器 |
| CN102082515A (zh) * | 2009-11-27 | 2011-06-01 | 南京理工大学 | 基于反激变换器的高频隔离式交-交型三电平交-交变换器 |
| CN102163854A (zh) * | 2011-02-23 | 2011-08-24 | 中航锂电（洛阳）有限公司 | 一种多单体串联动力锂电池组充放电均衡电路 |
| CN102611291A (zh) * | 2012-03-27 | 2012-07-25 | 深圳航天科技创新研究院 | 一种单控制单元的输入反激串联输出并联电路 |
| CN202602553U (zh) * | 2012-05-10 | 2012-12-12 | 广州金升阳科技有限公司 | 一种电子镇流器专用开关电源 |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104166769A (zh) * | 2014-08-20 | 2014-11-26 | 浪潮电子信息产业股份有限公司 | 一种通过mos管控制实现pcb层复用的设计方法 |
| CN104166769B (zh) * | 2014-08-20 | 2017-03-15 | 郑州云海信息技术有限公司 | 一种通过mos管控制实现pcb层复用的设计方法 |
| CN108322021A (zh) * | 2017-12-28 | 2018-07-24 | 上海澳通韦尔电力电子有限公司 | 一种用于高压直流母线供电的辅助电源驱动电路 |
| CN108322021B (zh) * | 2017-12-28 | 2021-05-04 | 上海澳通韦尔电力电子有限公司 | 一种用于高压直流母线供电的辅助电源驱动电路 |
| CN109067148A (zh) * | 2018-08-14 | 2018-12-21 | 广州金升阳科技有限公司 | 一种多电平降压电路 |
| WO2020034664A1 (zh) * | 2018-08-14 | 2020-02-20 | 广州金升阳科技有限公司 | 一种多电平降压电路 |
| CN111355380A (zh) * | 2020-03-30 | 2020-06-30 | 中煤科工集团重庆研究院有限公司 | 超宽输入电压的自适应矿用电源 |
| WO2023016482A1 (zh) * | 2021-08-10 | 2023-02-16 | 苏州艾科脉医疗技术有限公司 | 用于导管的高压发生电路及消融工具 |
| US11757344B2 (en) | 2022-01-20 | 2023-09-12 | Delta Electronics, Inc. | Conversion circuit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103944435B (zh) | 2017-02-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103944435A (zh) | 一种多电平高压反激式开关电源 | |
| CN107070223B (zh) | 一种非隔离型大功率高升压比双向dc/dc变换器及控制方法 | |
| CN104852588A (zh) | 适合高压输入多输出场合的辅助电源 | |
| CN107370387B (zh) | 一种功率转换模块及由该功率转换模块串并联组成的电源*** | |
| CN111725993B (zh) | 一种高效Sepic软开关变换器及其控制方法 | |
| CN106712503A (zh) | 一种采用开关电感和开关电容的准开关升压dc‑dc变换器 | |
| TW201911719A (zh) | 隔離型零電壓切換高升壓ｄｃ－ｄｃ轉換器 | |
| CN104009633A (zh) | 一种电流连续型高增益dc-dc变换器电路 | |
| CN103647448B (zh) | 集成降压-反激式高功率因数恒流电路及装置 | |
| CN109004837A (zh) | 高耐压反激变换器 | |
| CN105939126A (zh) | 一种开关电感型混合准z源逆变器 | |
| CN107634656A (zh) | 一种适用于光伏发电的隔离型高增益准z源dc‑dc变换器 | |
| CN203617902U (zh) | 集成降压-反激式高功率因数恒流电路及装置 | |
| CN208424215U (zh) | 高耐压反激变换器 | |
| CN106849643A (zh) | 一种开关电容型混合准z源变换器 | |
| Cai et al. | Design of a high-frequency isolated DTHB cLLC bidirectional resonant DC-DC converter | |
| CN205847091U (zh) | 一种开关电感型准开关升压dc‑dc变换器 | |
| CN107612349A (zh) | 燃料电池和光伏发电用的共地型隔离高增益准z源变换器 | |
| CN207835353U (zh) | 一种基于耦合电感的高增益变换器和一种电源*** | |
| CN105978322A (zh) | 一种开关电容型高增益准z源dc-dc变换器 | |
| CN109149933A (zh) | 一种带有耦合电感的高增益dc/dc变换器 | |
| CN206894507U (zh) | 基于原边反馈的恒流式反激式变换器 | |
| CN109560703A (zh) | 一种基于耦合电感的开关电容型高增益dc/dc变换器 | |
| CN111193393A (zh) | 一种用于储能装置的宽电压增益的dc/dc变换器 | |
| Elangovan et al. | Design and Implementation of soft switched high gain Current Fed full bridge DC-DC converter for fuel cell applications |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CB03 | Change of inventor or designer information | ||
| CB03 | Change of inventor or designer information |
Inventor after: Guo Guangyu Inventor after: Zhuang Wuguo Inventor before: Guo Guangyu |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20181109 Address after: 215000 No. 1000 Songhua Road, Guo Xiang street, Wuzhong Economic and Technological Development Zone, Suzhou, Jiangsu Patentee after: SUZHOU WEICHUANG ELECTRICAL EQUIPMENT TECHNOLOGY CO., LTD. Address before: 518000 Baoan District Shiyan street, Shenzhen, Guangdong Province, the third phase of the two phase Industrial Zone, C Patentee before: Flextronics Shenzhen City Electric Co,, Ltd. |
|
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: 215000 No. 1000 Songhua Road, Guo Xiang street, Wuzhong Economic and Technological Development Zone, Suzhou, Jiangsu Patentee after: Suzhou Weichuang Electrical Technology Co., Ltd. Address before: 215000 No. 1000 Songhua Road, Guo Xiang street, Wuzhong Economic and Technological Development Zone, Suzhou, Jiangsu Patentee before: SUZHOU WEICHUANG ELECTRICAL EQUIPMENT TECHNOLOGY CO., LTD. |