CN103928625A - 一种柔性透明oled的器件结构及制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明属于OLED领域，具体涉及一种柔性透明OLED的器件结构及制备方法；所述器件结构包括一侧呈矩形锯齿结构的柔性透明基板，柔性透明基板矩形锯齿结构侧凸起部上设置第一透明电极，凹槽部设置反射电极；且第一透明电极和反射电极上均由有机层覆盖，有机层上依次设置第二透明电极和封装层。通过在第一透明电极的一侧设置反射电极，使得内部光能够仅从第二透明电极处向外发射，控制透明OLED的出光方向，实现单边发光。
Description
技术领域
本发明属于OLED领域，具体涉及一种柔性透明OLED的器件结构及制备方法。
背景技术
随着显示技术的蓬勃发展，透明显示开始进入大众视野，然而如今的透明显示器件都是双边发光，不能控制面板的发光方向。
发明内容
本发明的目的在于克服上述现有技术中存在的缺点，提供一种柔性透明OLED的器件结构及制备方法，具有能够控制面板的发光方向的优点。
为实现上述目的，本发明采用以下技术方案：包括：一侧呈矩形锯齿结构的柔性透明基板，所述的矩形锯齿结构由若干个凸起和位于凸起旁侧的凹槽构成，矩形锯齿结构的若干个凸起部上设置有若干个的第一透明电极，且矩形锯齿结构的若干个凹槽部设置有若干个反射电极；且第一透明电极和反射电极上均由有机层覆盖，有机层上依次设置第二透明电极和封装层。
所述的第一透明电极在垂直于柔性透明基板的方向上相对高度高于反射电极。
所述的反射电极和第一透明电极的宽度均为1-3mm。
所述的封装层为薄膜封装层，且采用有机和无机阻隔薄膜交替叠加的方式封装。
一种柔性透明OLED的器件结构制备方法，包括如下步骤：
步骤1）：在透明柔性基底上采用辊子压印的方法形成一侧呈矩形锯齿结构的柔性透明基板，矩形锯齿结构由若干个凸起和位于凸起旁侧的凹槽构成；
步骤2）：在柔性透明基板上制备第一透明电极和反射电极，且第一透明电极位于柔性透明基板的凸起部上，反射电极位于柔性透明基板的凹槽部内；
步骤3）：在步骤2）的第一透明电极和反射电极之上依次制备蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层，形成有机层；
步骤4）：在步骤3）的有机层上制备第二透明电极；
步骤5）：在步骤4）制备的第二透明电极上制备透明的封装层，最终获得所需的柔性透明OLED的器件结构。
所述步骤2）中的第一透明电极的制备方式为：采用真空蒸镀或磁共溅射的方法结合精细掩膜板制成；或采用旋涂的办法制备透明纳米银线透明电极；或采用碳纳米管或石墨烯制备而成；
所述的反射电极的制备方法为采用真空蒸镀或磁共溅射的方法结合精细掩膜板制成；且第一透明电极在垂直于柔性透明基板的方向上相对高度高于反射电极。
所述步骤3）中有机层的制备方法为采用真空蒸镀的方式制成。
所述步骤4）中第二透明电极的制备方式为采用真空蒸镀或磁共溅射的方法形成电极，在采用磁共溅射制备时，在电子注入层上蒸镀缓冲层。
所述步骤5）中封装层的制备方式采用化学气相沉积或溅射的方法。
本发明具有以下的有益效果：相比较现有技术，本发明通过在第一透明电极的一侧设置反射电极，使得内部光仅能够从第二透明电极处向外发射，控制透明OLED的出光方向，实现单边发光。由于柔性透明基板通过采用辊子压印法制成，从而起到了内部光散射的作用，提高光取出效率。
进一步的，由于在垂直于柔性透明基板的方向上，第一透明电极的相对高度高于反射电极，从而能够使得有机层的固定更加牢固。
附图说明
图1为柔性透明OLED的器件结构示意图1；
图2为柔性透明OLED的器件结构示意图2。
具体实施方式
下面结合附图，对本发明作进一步详细说明。
参见图1和2，柔性透明OLED的器件结构包括：一侧呈矩形锯齿结构的柔性透明基板1，矩形锯齿结构由若干个凸起和位于凸起旁侧的凹槽构成，矩形锯齿结构的若干个凸起部上设置有若干个的第一透明电极2，且矩形锯齿结构的若干个凹槽部设置有若干个反射电极3；且第一透明电极2和反射电极3上均由有机层4覆盖，有机层4上依次设置第二透明电极5和封装层6，封装层6为薄膜封装层，且采用有机和无机阻隔薄膜交替叠加的方式封装。反射电极3和第一透明电极2的宽度均为1-3mm。第一透明电极2在垂直于柔性透明基板1的方向上相对高度高于反射电极3。
柔性透明OLED器件结构的制备方法，按照以下步骤进行：
步骤1）：在透明柔性基板上采用辊子压印的方法形成具有一侧呈矩形锯齿结构的柔性基板1，且辊子上预先雕刻出所需图形，矩形锯齿结构由若干个凸起和位于凸起旁侧的凹槽构成；
步骤2）：在由步骤1）制得的柔性透明基板1上采用真空蒸镀或磁共溅射的方法结合精细掩膜板依次形成第一透明电极2和反射电极3，矩形锯齿结构的凸起部上设置第一透明电极2，矩形锯齿结构的凹槽部设置反射电极3，第一透明电极2也可以通过旋涂的办法制备透明纳米银线透明电极，或采用碳纳米管或石墨烯制备而成；
步骤3）：在步骤2）的第一透明电极2和反射电极3之上采用真空蒸镀的方式依次制备蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、及电子注入层,形成有机层4；
步骤4）：在步骤3）的有机层4上制备第二透明电极5，采用真空蒸镀或磁共溅射的方法形成，在采用磁共溅射制备第二透明电极5前需在电子注入层上蒸镀缓冲层；
步骤5）：在步骤4）的第二透明电极5上采用化学气相沉积或溅射的方法形成透明薄膜封装，最终获得所需的柔性透明OLED的器件结构。
当所述的第一透明电极2为阳极时，第二透明电极5为阴极，反射电极3为反射阳极，光从阴极发出，见图1；当所述的第一透明电极1为阴极时，第二透明电极5为阳极，反射电极3为反射阴极，光从阳极发出，见图2。
Claims (9)
1.一种柔性透明OLED的器件结构，其特征在于：包括：一侧呈矩形锯齿结构的柔性透明基板（1），所述的矩形锯齿结构由若干个凸起和位于凸起旁侧的凹槽构成，矩形锯齿结构的若干个凸起部上设置有若干个第一透明电极（2），且矩形锯齿结构的若干个凹槽部内设置有若干个反射电极（3）；且第一透明电极（2）和反射电极（3）上均由有机层（4）覆盖，有机层（4）上依次设置第二透明电极（5）和封装层（6）。
2.根据权利要求1所述的一种柔性透明OLED的器件结构，其特征在于：
所述的第一透明电极（2）在垂直于柔性透明基板（1）方向上的相对高度高于反射电极（3）。
3.根据权利要求1所述的一种柔性透明OLED的器件结构，其特征在于：
所述的反射电极（3）和第一透明电极（2）的宽度均为1-3mm。
4.根据权利要求1所述的一种柔性透明OLED的器件结构，其特征在于：
所述的封装层（6）为薄膜封装层，且采用有机和无机阻隔薄膜交替叠加的方式封装。
5.一种柔性透明OLED的器件结构制备方法，其特征在于：包括如下步骤：
步骤1）：在透明柔性基底上采用辊子压印的方法形成一侧呈矩形锯齿结构的柔性透明基板（1），矩形锯齿结构由若干个凸起和位于凸起旁侧的凹槽构成；
步骤2）：在柔性透明基板（1）上制备第一透明电极（2）和反射电极（3），且第一透明电极（2）位于柔性透明基板（1）的凸起部上，反射电极（3）位于柔性透明基板（1）的凹槽部内；
步骤3）：在步骤2）的第一透明电极（2）和反射电极（3）之上依次制备蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层，形成有机层（4）；
步骤4）：在步骤3）的有机层（4）上制备第二透明电极（5）；
步骤5）：在步骤4）制备的第二透明电极（5）上制备透明的封装层（6），最终获得所需的柔性透明OLED的器件结构。
6.根据权利要求5所述的一种柔性透明OLED的器件结构制备方法，其特征在于：所述步骤2）中的第一透明电极（2）的制备方式为：采用真空蒸镀或磁共溅射的方法结合精细掩膜板制成；或采用旋涂的办法制备透明纳米银线透明电极；或采用碳纳米管或石墨烯制备而成；
所述的反射电极（3）的制备方法为采用真空蒸镀或磁共溅射的方法结合精细掩膜板制成；且第一透明电极（2）在垂直于柔性透明基板（1）的方向上相对高度高于反射电极（3）。
7.根据权利要求5所述的一种柔性透明OLED的器件结构制备方法，其特征在于：所述步骤3）中有机层（4）的制备方法为采用真空蒸镀的方式制成。
8.根据权利要求5所述的一种柔性透明OLED的器件结构制备方法，其特征在于：所述步骤4）中第二透明电极（5）的制备方式为采用真空蒸镀或磁共溅射的方法形成电极，在采用磁共溅射制备时，在电子注入层上蒸镀缓冲层。
9.根据权利要求5所述的一种柔性透明OLED的器件结构制备方法，其特征在于：所述步骤5）中封装层（6）的制备方式为采用化学气相沉积或溅射的方法。
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| Date | Code | Title | Description |
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
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Effective date of registration: 20170118 Address after: Longtan Street Port Road 210058 in Jiangsu province Nanjing City Economic and Technological Development Zone No. 1 No. 160535 Longtan logistics base Patentee after: NANJING TILIAO PHOTOELECTRICITY CO.,LTD. Address before: 710021 Shaanxi province Xi'an Weiyang University Park No. 1 Patentee before: SHAANXI University OF SCIENCE & TECHNOLOGY |
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| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20180111 Address after: Yao Chong Street Road in Qixia District of Nanjing city in Jiangsu province 210046 No. 1 Building 2 Room 201 Patentee after: NANJING AISLET TESTING TECHNOLOGY CO.,LTD. Address before: Longtan Street Port Road 210058 in Jiangsu province Nanjing City Economic and Technological Development Zone No. 1 No. 160535 Longtan logistics base Patentee before: NANJING TILIAO PHOTOELECTRICITY CO.,LTD. |
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| TR01 | Transfer of patent right | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20160518 |
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| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |