CN103903818B - 一种大面积石墨烯透明导电膜的制备方法 - Google Patents
一种大面积石墨烯透明导电膜的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103903818B CN103903818B CN201410138469.1A CN201410138469A CN103903818B CN 103903818 B CN103903818 B CN 103903818B CN 201410138469 A CN201410138469 A CN 201410138469A CN 103903818 B CN103903818 B CN 103903818B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- graphene
- ultrasonic
- nesa coating
- coating
- minutes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 100
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 99
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 80
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 35
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 27
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000002322 conducting polymer Substances 0.000 claims abstract description 13
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims abstract description 13
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical group CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 claims description 6
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 4
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 claims description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 3
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 claims description 2
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 2
- CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N octamethyltrisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000004987 plasma desorption mass spectroscopy Methods 0.000 claims description 2
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 claims description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000002242 deionisation method Methods 0.000 claims 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 5
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 abstract description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 abstract description 4
- 239000007921 spray Substances 0.000 abstract description 3
- 238000000053 physical method Methods 0.000 abstract description 2
- 238000004064 recycling Methods 0.000 abstract description 2
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 43
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 15
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000011160 research Methods 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000007792 gaseous phase Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- -1 logical net Chemical compound 0.000 description 1
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 description 1
- 239000003863 metallic catalyst Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
本发明公开了一种大面积石墨烯透明导电膜的制备方法，属于石墨烯制备及其应用技术领域。本发明采用多种非刻蚀的物理方法对金属基底上的石墨烯进行剥离，通过超声形成分散液，并加入高电导率的导电高分子进行稳定化处理，得到稳定的分散液。将所得到的分散液用线棒涂膜、喷涂或刮涂等成方式在透明基底上成膜，即可得到厚度可控的石墨烯透明导电膜。该方法可以实现化学气相沉积过程中金属基底的循环利用，无需后续转移步骤，经济、简便，并且将化学气相沉积法制备的高质量石墨烯与连续化液相制膜的工艺结合起来，能够大量制备高质量的石墨烯基透明导电膜。
Description
技术领域
本发明涉及石墨烯制备以及基于石墨烯材料的大面积成膜技术，具体涉及一种大面积石墨烯透明导电膜的制备方法，属于材料应用（光电器件）领域。
背景技术
透明导电膜是许多常用光电器件的重要组成部分，在太阳能电池、触摸屏、有机发光二极管、液晶显示器等器件中广泛应用，从而成为人们广泛关注和研究的对象（Nano Letters2008,8(1),323-327；Advanced Materials2012,24(21),2874-2878；Acs Nano2010,4(1),43-48.）。然而现有商用透明导电材料ITO具有很大的局限性，如成本高、脆性大，不适用于现在光电器件柔性化的发展趋势。因而，研究成本低廉、性能优异且能够大量制备的透明导电膜材料作为ITO的替代品对于光电领域具有重要的意义（Advanced Materials2011,23(13),1482-1513.）。
石墨烯具有独特的二维结构，自2004年发现以来，其优异的导电性和透光性以及卓越的机械强度已经成为现代材料领域研究的热点，因此，石墨烯基的透明导电材料也被认为是用于柔性透明导电薄膜的理想材料（Nature Materials2007,6(3),183-191.）。其中，化学气相沉积法制备的石墨烯具有接近理论值的电导率和透光性，从而在透明导电膜研究领域受到广泛关注，并成功应用于大面积触摸屏器件（Nature Nanotechnology2010,5(8),574-578.），因此是一种较理想的柔性透明导电材料。
然而，化学气相沉积法制备的石墨烯通常需要后续的刻蚀金属基底、转移到适合的透明基底的步骤，这些步骤不仅是对于金属的浪费，转移的操作也较 为困难（Advanced Materials2013,25(32),4521-4526.），得到的石墨烯膜容易产生缺陷和引入杂质，不利于制备大面积的石墨烯膜。液相成膜方法如线棒涂膜、喷涂等方法能够连续化制备大面积均匀的薄膜材料，且操作简便、实用性强（Advanced Materials2012,24(21),2874-2878.），目前为止，还没有人报道将其应用于化学气相沉积石墨烯透明导电膜中。
发明内容
针对已有技术的不足，本发明的目的在于提供一种大面积石墨烯透明导电膜的制备方法，所述方法通过将化学气相沉积（CVD）法制备的石墨烯材料通过液相成膜法制膜，并应用于透明导电膜材料领域。
为了达到上述目的，本发明采用了如下技术方案：
一种大面积石墨烯透明导电膜的制备方法，所述方法包括如下步骤：
将化学气相沉积石墨烯在液相中采用物理剥离方法将石墨烯从金属基底中剥离下来，并超声得到石墨烯分散液，然后向石墨烯分散液中加入导电高分子得到稳定分散液，再通过涂膜方法将稳定分散液涂敷于透明基底，干燥，得到大面积石墨烯透明导电膜。
本发明采用不同金属基底上生长的单层或少层的化学气相沉积石墨烯为原料制备分散液，并利用多种可用于连续化液相成膜的方法在不同目标衬底上获得石墨烯透明导电膜。
本发明采用多种非刻蚀的物理方法对金属基底上的石墨烯进行剥离，超声形成分散液，并加入高电导率的导电高分子进行稳定化处理，得到稳定的分散液。将所得到的稳定分散液用线棒涂膜、喷涂或刮涂等成膜方法在透明基底上成膜，即可得到厚度可控的石墨烯透明导电膜。
本发明通过复合导电高分子等导电材料对石墨烯透明导电膜的成膜性和导 电性进行辅助增强，克服了化学气相沉积的石墨烯在非刻蚀的物理剥离过程中由于会打碎大片石墨烯，而对其性能造成影响的缺点，得到了高的透光导电性能的石墨烯透明导电膜。
本发明所述“大面积石墨烯透明导电膜”是指单边长度大于10厘米且涂膜面积大于100平方厘米的石墨烯透明导电膜。
所述化学气相沉积石墨烯即采用CVD法制备得到的石墨烯，示例性的CVD法制备石墨烯的方法如下所示：
采用铜箔、通网、铜箔或镍网等作为金属催化剂，其同时作为生长基底，在高温（800～1000℃）下反应，得到化学气相沉积石墨烯。
所述液相为极性溶剂，优选乙醇或/和去离子水。
采用化学气相沉积法制备得到的石墨烯由于沉积在基底上，因此需要将其从金属基底中剥离。本发明所述物理剥离方法选自超声、离心、摩擦、振荡或表面张力中的任意一种或者至少两种的组合。
示例性的超声方法指：将化学气相沉积石墨烯在液相中，在超声的条件下将石墨烯从金属基底中剥离。
示例性的离心方法指：将化学气相沉积石墨烯放置在离心管中，在离心力的作用下，使在液相中的石墨烯从金属基底中剥离。
示例性的摩擦方法指：采用球磨等方法将在液相中的石墨烯从金属基底中剥离。
示例性的振荡方法指：将化学气相沉积石墨烯放置在振荡器中，使在液相中的石墨烯从金属基底中剥离。
示例性的表面张力方法指：将化学气相沉积石墨烯的金属基底表面切成2mm×2mm的小方格，然后将其以45度角缓慢***液相中，使石墨烯从基底中 剥离。
所述石墨烯分散液的浓度为20～2000cm2/ml，即每ml的石墨烯分散液中含有20～2000cm2的石墨烯，例如100cm2、150cm2、200cm2、250cm2、300cm2、400cm2、500cm2、600cm2、700cm2、800cm2、900cm2、1000cm2、1100cm2、1200cm2、1300cm2、1400cm2、1500cm2、1600cm2、1700cm2、1800cm2或1900cm2。此浓度范围是根据不同成膜方法所需要的溶液量以及成膜面积来选择的，以保证成膜后在该面积上有所需的石墨烯覆盖量。
为进一步提高石墨烯分散液的稳定性、提高电导率，在此石墨烯分散液中加入一定量导电高分子进一步制备稳定分散液。所述导电高分子为可溶于极性溶剂的透明导电高分子，优选PEDOT:PSS。
所述导电高分子的用量为0.001～1mg/cm2石墨烯，即每平方厘米的石墨烯需要添加的导电高分子的量为0.001～1mg，例如0.005mg、0.01mg、0.05mg、0.1mg、0.2mg、0.3mg、0.4mg、0.5mg、0.6mg、0.7mg、0.8mg、0.9mg或1mg，该石墨烯的面积即指CVD法中在金属基底上沉积的石墨烯的面积。选择此范围的导电高分子的含量，是根据能够稳定分散石墨烯所用的最少导电高分子量以及能够起到增强导电作用而不影响石墨烯膜完整性的最大用量来确定的。
本发明向石墨烯分散液中加入导电高分子后，超声，得到稳定分散液，所述超声时间为10～120分钟，例如15分钟、20分钟、25分钟、30分钟、35分钟、40分钟、45分钟、50分钟、55分钟、60分钟、65分钟、70分钟、75分钟、80分钟、85分钟、90分钟、95分钟、100分钟、105分钟、110分钟或115分钟。
所述涂膜方法为棒涂（线棒涂膜）、喷涂或刮涂。
所述透明基底为无机或有机透明基底，优选玻璃、石英、PET或PDMS等 透明基底。
与已有技术相比，本发明具有如下有益效果：
该方法可以实现化学气相沉积过程中金属基底的循环利用，无需后续刻蚀、转移步骤，经济、简便，并且将化学气相沉积法制备的高质量石墨烯与连续化液相制膜的工艺结合起来，能够大量制备高质量的石墨烯基透明导电薄膜。
用此方法得到的石墨烯基透明导电膜透光及导电性能良好，平均电阻可达到8～700Ω/□，在550nm波长处透光率可达到65-95%，可以进行大面积连续化制备，最大可实现0.03平米且连续化生产条件下30平米/小时的石墨烯透明导电膜的制备。
具体实施方式
下面结合具体实施例，进一步阐述本发明。但这些实施例仅限于说明本发明而不用于限制本发明的范围。下列实施例中未注明具体实验条件的实验方法，通常按照常规条件，或按照厂商所建议的条件。
实施例1
（1）石墨烯透明导电膜的制备：将金属基底铜箔放入管式炉，氢气气氛（500sccm）下升高温度至1020℃，通入碳源甲烷10sccm保持10分钟，关闭甲烷气源，降温至室温后取出样品，得到化学气相沉积石墨烯。将长有石墨烯的铜箔（5cm2）放入1ml乙醇溶液中，超声30分钟后取出铜箔，再放入一张5cm2的长有石墨烯的铜箔，进行上述操作，重复10次，得到一定浓度的石墨烯分散液。向该分散液中加入0.1gPEDOT:PSS溶液（Clevios PH1000，其中PEDOT:PSS质量分数为1.3%）继续超声10分钟，得到稳定分散液。将稳定分散液用线棒（Φ0.2mm）在透明基底上涂成有效面积为15cm×20cm的膜，于60℃干燥2小时得到石墨烯透明导电膜。
（2）测试所制备的石墨烯透明导电膜的透光、导电性：用四探针测试仪对所得的石墨烯透明导电膜的导电性进行测试，测得平均电阻为85Ω/□；用紫外/可见/近红外分光光度计对所得的石墨烯透明导电膜的透光性进行测试，在550nm波长处透光率为87%。
实施例2
（1）按照实施例1中（1）的方法制备石墨烯透明导电膜，除超声铜箔过程重复20次外。
（2）按照实施例1中（2）的方法测得平均电阻为35Ω/□，在550nm波长处透光率为76%。
实施例3
（1）按照实施例1中（1）的方法制备石墨烯透明导电膜，除超声铜箔过程重复5次外。
（2）按照实施例1中（2）的方法测得平均电阻为278Ω/□，在550nm波长处透光率为92%。
实施例4
（1）按照实施例1中（1）的方法制备石墨烯分散液，除将稳定分散液用喷涂方法制膜，得到的膜有效面积为10cm×10cm，于60℃干燥2小时得到石墨烯透明导电膜外。
（2）按照实施例1中（2）的方法测得平均电阻为102Ω/□，在550nm波长处透光率为85%。
实施例5
（1）按照实施例1中（1）的方法制备石墨烯透明导电膜，除化学气相沉积过程中所用的金属基底为镍箔外。
（2）按照实施例1中（2）的方法测得平均电阻为17Ω/□，在550nm波长处透光率为72%。
实施例6
（1）按照实施例1中（1）的方法制备石墨烯透明导电膜，除化学气相沉积过程中所用的金属基底为镍箔，超声剥离时间为60分钟外。
（2）按照实施例1中（2）的方法测得平均电阻为11Ω/□，在550nm波长处透光率为70%。
实施例7
（1）按照实施例1中（1）的方法制备石墨烯透明导电膜，除加入的PEDOT:PSS溶液为0.2g外。
（2）按照实施例1中（2）的方法测得平均电阻为20Ω/□，在550nm波长处透光率为85%。
实施例8
（1）按照实施例1中（1）的方法制备石墨烯透明导电膜，除加入的PEDOT:PSS溶液为0.01g外。
（2）按照实施例1中（2）的方法测得平均电阻为230Ω/□，在550nm波长处透光率为88%。
实施例9
（1）按照实施例1中（1）的方法制备石墨烯透明导电膜，除剥离方法为离心剪切力法，即将长有石墨烯的铜箔（5cm2）固定在离心管中，使离心管自转（10000转每分）30分钟后，放入新的长有石墨烯的铜箔，此过程重复10次外。
（2）按照实施例1中（2）的方法测得平均电阻为360Ω/□，在550nm波 长处透光率为88%。
实施例10
（1）按照实施例1中（1）的方法制备长有石墨烯的铜箔，除剥离方法为表面张力法，即将铜箔（5cm2）表面用刀片轻轻划满2mm×2mm的小方格，然后将其以45度角缓慢***乙醇溶液中，然后换用新的长有石墨烯的铜箔将此过程重复10次外。
（2）按照实施例1中（2）的方法测得平均电阻为410Ω/□，在550nm波长处透光率为89%。
实施例11
（1）按照实施例1中（1）的方法制备石墨烯透明导电膜，除加入的PEDOT:PSS溶液为1g，超声铜箔过程重复5次外。
（2）按照实施例1中（2）的方法测得平均电阻为130Ω/□，在550nm波长处透光率为81%。
实施例12
（1）按照实施例1中（1）的方法制备石墨烯透明导电膜，除化学气相沉积过程中所用的金属基底为镍箔，生长时间为20分钟，超声剥离时间为120分钟外。
（2）按照实施例1中（2）的方法测得平均电阻为8Ω/□，在550nm波长处透光率为65%。
实施例13
（1）按照实施例1中（1）的方法制备石墨烯透明导电膜，除化学气相沉积过程生长时间为5分钟，超声剥离时间为10分钟外。
（2）按照实施例1中（2）的方法测得平均电阻为190Ω/□，在550nm波 长处透光率为88%。
实施例14
（1）按照实施例1中（1）的方法制备石墨烯透明导电膜，除超声铜箔过程重复2次外。
（2）按照实施例1中（2）的方法测得平均电阻为620Ω/□，在550nm波长处透光率为95%。
申请人声明，本发明通过上述实施例来说明本发明的详细方法，但本发明并不局限于上述详细方法，即不意味着本发明必须依赖上述详细方法才能实施。所属技术领域的技术人员应该明了，对本发明的任何改进，对本发明产品各原料的等效替换及辅助成分的添加、具体方式的选择等，均落在本发明的保护范围和公开范围之内。
Claims (9)
1.一种大面积石墨烯透明导电膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
将化学气相沉积石墨烯在液相中采用物理剥离方法将石墨烯从金属基底中剥离下来，并超声得到石墨烯分散液，然后向石墨烯分散液中加入导电高分子得到稳定分散液，再通过涂膜方法将稳定分散液涂敷于透明基底，干燥，得到大面积石墨烯透明导电膜；
所述导电高分子为PEDOT:PSS；所述导电高分子的用量为0.01～1mg/cm2石墨烯。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述液相为极性溶剂。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述液相为乙醇或/和去离子水。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述物理剥离方法选自超声、离心、摩擦、振荡或表面张力中的任意一种或者至少两种的组合。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述石墨烯分散液的浓度为20～2000cm2/ml。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，向石墨烯分散液中加入导电高分子后，超声，得到稳定分散液，所述超声时间为10～120分钟。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述涂膜方法为棒涂、喷涂或刮涂。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述透明基底为无机或有机透明基底。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述透明基底为玻璃、石英、PET或PDMS。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410138469.1A CN103903818B (zh) | 2014-04-08 | 2014-04-08 | 一种大面积石墨烯透明导电膜的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410138469.1A CN103903818B (zh) | 2014-04-08 | 2014-04-08 | 一种大面积石墨烯透明导电膜的制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103903818A CN103903818A (zh) | 2014-07-02 |
| CN103903818B true CN103903818B (zh) | 2016-08-17 |
Family
ID=50995092
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410138469.1A Expired - Fee Related CN103903818B (zh) | 2014-04-08 | 2014-04-08 | 一种大面积石墨烯透明导电膜的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103903818B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021102523A1 (en) * | 2019-11-29 | 2021-06-03 | Royal Melbourne Institute Of Technology | Water-redispersible graphene powder |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104538086B (zh) * | 2014-12-05 | 2017-01-11 | 北京航空航天大学 | 水性导电高分子‑石墨烯分散液及其制备方法 |
| CN105761774A (zh) * | 2014-12-19 | 2016-07-13 | 北京生美鸿业科技有限公司 | 一种可用于智能液晶调光膜的新型电极材料及其制备方法 |
| CN105810303A (zh) * | 2014-12-30 | 2016-07-27 | 北京生美鸿业科技有限公司 | 一种基于石墨烯/无机物复合透明导电薄膜的调光膜 |
| TWI642735B (zh) * | 2015-01-16 | 2018-12-01 | 欣興電子股份有限公司 | 導電油墨、電路板及其製造方法 |
| CN106292115A (zh) * | 2015-05-26 | 2017-01-04 | 北京生美鸿业科技有限公司 | 基于天然石墨烯费米能级调制的智能调光膜 |
| CN104934146A (zh) * | 2015-06-26 | 2015-09-23 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 石墨烯/pedot:pss混合溶液的制备方法及基板的制备方法 |
| CN105527757B (zh) * | 2016-02-01 | 2018-03-06 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 液晶显示面板的制作方法 |
| KR20180113969A (ko) * | 2016-02-22 | 2018-10-17 | 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 | 복합 재료, 도전성 재료, 도전성 입자 및 도전성 필름 |
| TWI625738B (zh) * | 2016-10-14 | 2018-06-01 | 國立中山大學 | 石墨烯導電膜的製作方法 |
| CN108002373B (zh) * | 2017-12-08 | 2021-01-19 | 陕西省石油化工研究设计院 | “缝合法”制备大面积石墨烯材料的方法 |
| CN109279597B (zh) * | 2018-09-28 | 2021-12-03 | 南昌大学 | 一种透明石墨烯薄膜的制备方法 |
| CN111816775A (zh) * | 2019-04-11 | 2020-10-23 | 东泰高科装备科技有限公司 | 石墨烯透明导电电极及其制备方法和装置 |
| CN110316726B (zh) * | 2019-06-11 | 2021-07-02 | 惠科股份有限公司 | 石墨烯纳米线薄膜及其制备方法、以及薄膜晶体管阵列 |
| CN110323270B (zh) * | 2019-06-28 | 2023-02-03 | 滁州惠科光电科技有限公司 | 一种石墨烯导电薄膜的制备方法及薄膜晶体管 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102070999A (zh) * | 2010-03-19 | 2011-05-25 | 江苏工业学院 | 基于单层或几层石墨烯的透明防雾膜 |
| CN102157315A (zh) * | 2011-03-21 | 2011-08-17 | 福州大学 | 基于石墨烯/氧化锌纳米线复合材料的发射阴极及其制备 |
| CN103043654A (zh) * | 2011-10-12 | 2013-04-17 | 国家纳米科学中心 | 一种含有石墨烯和/或氧化石墨烯的薄膜及其制备方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20090026568A (ko) * | 2007-09-10 | 2009-03-13 | 삼성전자주식회사 | 그라펜 시트 및 그의 제조방법 |
| CN102659096A (zh) * | 2012-04-27 | 2012-09-12 | 湖南大学 | 一种石墨烯分散液及其薄膜的制备方法 |
| CN103254455A (zh) * | 2013-04-23 | 2013-08-21 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 石墨烯和增稠性聚合物复合薄膜的制备方法 |
-
2014
- 2014-04-08 CN CN201410138469.1A patent/CN103903818B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102070999A (zh) * | 2010-03-19 | 2011-05-25 | 江苏工业学院 | 基于单层或几层石墨烯的透明防雾膜 |
| CN102157315A (zh) * | 2011-03-21 | 2011-08-17 | 福州大学 | 基于石墨烯/氧化锌纳米线复合材料的发射阴极及其制备 |
| CN103043654A (zh) * | 2011-10-12 | 2013-04-17 | 国家纳米科学中心 | 一种含有石墨烯和/或氧化石墨烯的薄膜及其制备方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021102523A1 (en) * | 2019-11-29 | 2021-06-03 | Royal Melbourne Institute Of Technology | Water-redispersible graphene powder |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103903818A (zh) | 2014-07-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103903818B (zh) | 一种大面积石墨烯透明导电膜的制备方法 | |
| Ke et al. | Transparent indium tin oxide electrodes on muscovite mica for high-temperature-processed flexible optoelectronic devices | |
| Sun et al. | Direct low-temperature synthesis of graphene on various glasses by plasma-enhanced chemical vapor deposition for versatile, cost-effective electrodes | |
| Peurifoy et al. | Three-dimensional graphene nanostructures | |
| Lee et al. | Wafer-scale synthesis and transfer of graphene films | |
| Kaskela et al. | Aerosol-synthesized SWCNT networks with tunable conductivity and transparency by a dry transfer technique | |
| Sui et al. | Flexible and transparent electrothermal film heaters based on graphene materials | |
| Bitla et al. | Oxide heteroepitaxy for flexible optoelectronics | |
| Li et al. | Transfer of large-area graphene films for high-performance transparent conductive electrodes | |
| Saran et al. | Fabrication and characterization of thin films of single-walled carbon nanotube bundles on flexible plastic substrates | |
| Chan et al. | Reducing extrinsic performance-limiting factors in graphene grown by chemical vapor deposition | |
| Secor et al. | Inkjet printing of high conductivity, flexible graphene patterns | |
| US8906245B2 (en) | Material trivial transfer graphene | |
| Hu et al. | Flexible transparent PES/silver nanowires/PET sandwich-structured film for high-efficiency electromagnetic interference shielding | |
| Kim et al. | Vapor-phase molecular doping of graphene for high-performance transparent electrodes | |
| CN101760724B (zh) | 超大面积高质量石墨烯薄膜电极的制备方法 | |
| Kim et al. | Low-temperature graphene growth by forced convection of plasma-excited radicals | |
| CN103303910B (zh) | 一种制备石墨烯的方法及其制备的石墨烯 | |
| Gee et al. | Flexible transparent electrodes made of electrochemically exfoliated graphene sheets from low-cost graphite pieces | |
| CN103531304B (zh) | 一种快速制备大面积碳纳米管柔性透明导电薄膜及提高其导电性的方法 | |
| Xie et al. | Ultrafast catalyst-free graphene growth on glass assisted by local fluorine supply | |
| Cui et al. | Highly conductive nitrogen-doped graphene grown on glass toward electrochromic applications | |
| Kim et al. | Industrially feasible approach to transparent, flexible, and conductive carbon nanotube films: cellulose-assisted film deposition followed by solution and photonic processing | |
| Nguyen et al. | Low vacuum annealing of cellulose acetate on nickel towards transparent conductive CNT–graphene hybrid films | |
| Cui et al. | Highly conductive nitrogen-doped vertically oriented graphene toward versatile electrode-related applications |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20160817 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |