CN103872074A - 显示装置以及其制造方法 - Google Patents

显示装置以及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103872074A
CN103872074A CN201310412406.6A CN201310412406A CN103872074A CN 103872074 A CN103872074 A CN 103872074A CN 201310412406 A CN201310412406 A CN 201310412406A CN 103872074 A CN103872074 A CN 103872074A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
layer
emitting layer
light emitting
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201310412406.6A
Other languages
English (en)
Inventor
金埈永
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN103872074A publication Critical patent/CN103872074A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/18—Deposition of organic active material using non-liquid printing techniques, e.g. thermal transfer printing from a donor sheet
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/351—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels comprising more than three subpixels, e.g. red-green-blue-white [RGBW]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
    • H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)

Abstract

公开了显示装置和该显示装置的制造方法。一方面，显示装置包括：第一衬底；形成在第一衬底上的发光部分；以及附接到第一衬底以防止发光部分免受周围环境条件影响的密封部分。第一衬底的边缘的至少一部分被倒角。

Description

显示装置以及其制造方法
相关专利申请的交叉引用
本申请要求于2012年12月11日提交到韩国知识产权局的第10-2012-0143834号韩国专利申请的权益，该申请的全文通过引用并入本文。
技术领域
本发明涉及装置和该装置的制造方法，尤其是显示装置和显示装置的制造方法。
背景技术
传统的沉积设备包括：衬底保持器，其上安装有衬底；加热坩埚（或蒸发舟），包含电致发光（EL）材料，即沉积材料；关闭件，用于防止待升华的电致发光材料上升；以及加热器，用于对加热坩埚中的电致发光材料进行加热。通过加热器加热的电致发光材料被升华并被沉积在旋转衬底上。为了形成均匀的膜，衬底与加热坩埚之间的距离通常应至少为1米。
当考虑制造使用红色（R）、绿色（G）和蓝色（B）光颜色的全彩平板显示器时，因为成膜的精度不高，所以可以设计不同像素之间宽间隔，或者可以在像素之间形成被称为堆（bank）的绝缘体。
此外，对于具有高分辨率（例如，大量的像素）、高孔径比和高可靠性的全彩平板显示器的需求增加。然而，因为随着分辨率（像素数）和发光装置的尺寸（形状因素）增加使得在各个有机发光层中的节距变得精细，所以这种需求是具有挑战性的。同时也存在着对于高产量和低成本的需求。
发明内容
本发明提供在混合图案化期间允许上层膜与下层膜之间的强粘附力的显示装置和该显示装置的制造方法。
根据本发明一方面，提供显示装置，包括：第一衬底；发光部分，形成在第一衬底上；以及密封部分，被附接到第一衬底以保护发光部分免受周围环境条件影响，其中第一衬底的边缘的至少一部分被倒角。
第一衬底的边缘在厚度方向上具有三角形横截面。
第一衬底的边缘可以从上面形成有发光部分的第一衬底的一个表面向着第一衬底的边缘倒角。
另外，第一衬底的边缘可以从上面未形成有发光部分的第一衬底的另一个表面向着第一衬底的边缘倒角。
第一衬底的末端分别可以从第一衬底的两个表面向着第一衬底的边缘倒角。
发光部分可以包括有机发光层，并且其中，有机发光层包括蓝色发光层、红色发光层、绿色发光层和白色发光层中的至少一个。
通过使用精细金属掩膜工艺形成蓝色发光层。
通过使用激光感应热成像（LITI）工艺形成红色发光层和绿色发光层中的至少一个。
白色发光层形成自蓝色发光层、红色发光层和绿色发光层的层叠。
根据本发明另一方面，提供显示装置的制造方法，该制造方法包括：提供具有倒角的边缘的第一衬底；将缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅电极、层间绝缘层、源电极、漏电极、钝化层、像素限定膜和像素电极以此顺序层叠在第一衬底上；以及通过精细金属掩膜工艺和激光感应热成像（LITI）工艺，在由像素限定膜限定的像素中的像素电极上形成有机发光层。
通过使用抛光工艺倒角第一衬底的边缘。
形成有机发光层的步骤包括：通过使用精细金属掩膜工艺将蓝色发光层沉积在像素电极上并且通过使用激光感应热成像工艺将绿色发光层和红色发光层转印到像素电极上。
激光感应热成像工艺包括：将绿色发光层转印到像素电极上并且之后将红色发光层转印在像素电极上。
通过激光感应热成像工艺将绿色发光层和红色发光层转印到像素电极上的步骤包括：将第一衬底设置在下层膜上；通过在基底膜上转印上面图案化有红色发光层和绿色发光层之一的转印层来准备上层膜；将上层膜布置在第一衬底上并且通过排气层压上层膜和下层膜；以及通过激光束照射上层膜并且将红色发光层和绿色发光层中的一个转印到像素电极上。
将绿色发光层和红色发光层转印到像素电极上的步骤进一步包括：在激光束照射之后去除上层膜和下层膜。
显示装置的制造方法进一步包括：将相对电极形成在上面已形成有有机发光层的像素限定膜上，并且通过密封部分密封相对电极。
该制造方法进一步包括：将第一衬底切分为多个衬底并且彼此分离多个衬底。
形成有机发光层的步骤包括：通过沉积或转印蓝色发光层、绿色发光层和红色发光层形成白色发光层。
显示装置和该显示装置的制造方法在第一衬底的边缘上允许上层膜与下层膜之间的完全附接，由此提升上层膜与下层膜之间的粘附力。
显示装置和该显示装置的制造方法消除由于第一衬底的厚度导致上层膜未被附接到下层膜的部分，由此防止第一衬底的移动并且允许将发光层转印到像素限定膜129上的精确位置上。
尤其是，这样制造的显示装置允许将发光层转印到精确位置上，由此提供改善的亮度和再现性。
附图说明
通过参照附图详细描述本公开技术的示例性实施方式，本公开技术的上述和其他特征和优点将变得更加明确，其中：
图1为根据本公开技术的一实施方式的显示装置的概念图；
图2为图1所示的第一衬底和发光部分的剖视图；
图3为示出根据本公开技术的一实施方式的图2所示发光层（EML）的形成工艺的剖视图；
图4为根据本公开技术的另一实施方式，示出图2所示发光层的形成工艺的剖视图；
图5为根据本公开技术的另一实施方式，示出图2所示发光层的形成工艺的剖视图。
具体实施方式
将参照示出本发明示例性实施方式的附图更加全面地描述本发明的示例性实施方式。然而，本发明可以以多种不同形式体现，并且不应当被解释为受限于本文中所述的示例性实施方式。相反，示例性实施方式是为了使本公开透彻和完整并且为了向本技术领域的技术人员全面传达本发明的范围而提供。本发明的范围仅受限于所附权利要求书。本文中使用的术语仅用于描述特定示例性实施方式并不旨在限制本发明。除非另有明确表示，如本文中使用的单数形式旨在包括复数形式。应进一步理解，当在本说明书中使用“包括（comprises）”和/或“包括有（comprising）”或者“包含（includes）”和/或“包含有（including）”的用语时，是指组件、步骤、操作和/或元件的存在，并不排除一个或多个其他组件、步骤、操作和/或元件的存在或附加。如本文所用，用语“和/或”包括一个或多个相关列出项目的任意或所有组合。当如“至少一个”的表述出现在元件列表之前时，是修饰整个列表的元件而不是修饰列表中的个别元件。
图1为根据本公开技术的一实施方式的显示装置100的概念图。图2为图1所示的第一衬底110和发光部分120的剖视图。图3为示出图2所示发光层（EML）的形成工艺的剖视图。
参照图1至图3，显示装置100包括：第一衬底110、密封部分130、密封构件190和发光部分120。第一衬底110的边缘的至少一部分被倒角。更具体地，第一衬底110可以具有通过抛光形成的倾斜边缘。发光部分120被布置在第一衬底110上并且包括薄膜晶体管（TFT）、覆盖薄膜晶体管的钝化层121以及与钝化层121重叠的有机发光二极管（OLED）。
第一衬底110可以由玻璃形成，但并不限于此。第一衬底110可以由塑料材料或者如SUS或Ti的金属材料形成。
更具体地，现在参照图2和图3，出于说明的目的，将描述发光部分120的像素电路的仅一部分。然而，应认识到，显示器通常由以多行多列方式排列的这种像素的矩阵形成。在描述的像素电路部分中，有机和/或无机化合物的缓冲层122可以被形成在第一衬底110上。例如，缓冲层122可以由硅氧化物（SiOx，x≥1）或硅氮化物（SiNx，x≥1）制造。
有源层123以预定图案被排列在缓冲层122上，并被埋入栅极绝缘层124。有源层123包括源极区域123a、漏极区域123c和介于源极区域123a与漏极区域123c之间的沟道区域123b。有源层123由非晶硅制造，但并不限于此。有源层123可以由氧化物半导体形成。例如，氧化物半导体可以包括：如锌（Zn）、铟（In）、镓（Ga）、锡（Sn）、镉（Cd）、锗（Ge）和铪（Hf）的4、12、13、14族金属元件及其组合物。例如，有源层123可以包括G-I-Z-O[In2O3)a(Ga2O3)b(ZnO)c]，其中a、b和c分别为满足条件a≥0，b≥0和c＞0的实数。为了便于说明，在本文中假设有源层123由非晶硅制造。
有源层123的形成可以包括：在缓冲层122上形成非晶硅层，将非晶硅层晶体化为多晶硅层，以及图案化多晶硅层。根据所使用的薄膜晶体管的类型，例如使用驱动薄膜晶体管（未示出）或开关薄膜晶体管（未示出），源极区域123a和漏极区域123c可以被掺杂n型或p型杂质。
栅电极125对应于有源层123并且掩埋栅电极125的层间绝缘层126被形成在栅极绝缘层124上。
在层间绝缘层126与栅极绝缘层124中形成接触孔之后，源电极127a和漏电极127b被布置在层间绝缘层126上以分别与源极区域123a和漏极区域123c接触。
因为源电极127a和漏电极127b还作为反射层，所以源电极127a和漏电极127b还可以由具有高导电率和足以反射光的厚度的金属材料形成。例如，源电极127a和漏电极127b可以由如银（Ag）、镁（Mg）、铝（Al）、铂（Pt）、钯（Pd）、金（Au）、镍（Ni）、钕（Nd）、铱（Ir）、铬（Cr）、锂（Li）、钙（Ca）或其化合物的金属材料形成。
钝化层121可以被形成在薄膜晶体管和反射层上，并且有机发光二极管的像素电极128a被布置在钝化层121上以通过通孔H2（参照图2和图3）与薄膜晶体管的漏电极127b接触。钝化层121可以由单层或至少两层的无机和/或有机材料形成。钝化层121可以为具有与下层不均匀拓扑结构无关的平坦化顶表面的平坦化层，或者可以具有符合下层表面曲率的曲面。钝化层121还可以为透明绝缘体以实现谐振效果。
当在钝化层121上形成像素电极128a之后，有机和/或无机材料的像素限定膜129被形成以覆盖像素电极128a和钝化层121，并且开口被形成以暴露像素电极128a。
有机层128b和相对电极128c可以被布置在至少像素电极128a上。
像素电极128a和相对电极128c分别作为阳极和阴极。然而，实施方式并不限于此，并且像素电极128a和相对电极128c可以分别作为阴极和阳极。
像素电极128a可以由具有高功函数的材料形成，例如，如铟锡氧化物（ITO）、铟锌氧化物（IZO）、氧化铟（In2O3）或氧化锌（ZnO）的透明导电材料。
相对电极128c可以由具有低功函数的金属材料形成，例如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca或其化合物。另外，相对电极128c可以形成为由Mg、Ag和Al的薄半透明反射层以在光学共振后传输光。
通过有机层128b，像素电极128a与相对电极128c彼此绝缘，并且在显示装置的操作期间向有机层128b施加极性相反的电压从而通过发光层发射光。
有机层128b可以为低分子量或聚合物有机层。当有机层128b为低分子量有机层时，有机层128b可以具有包括空穴注入层（HIL）、空穴传输层（HTL）、发光层（EML）、电子传输层（ETL）和电子注入层（EIL）叠层的单层或多层结构。用于有机层128b中的有机材料可以为酞菁铜（CuPc）、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-联苯胺（NPB）、三-8-羟基喹啉铝（Alq3）或其他多种材料。在这种情况下，可以通过真空沉积形成有机层128b。相似于相对电极128c，公共于红像素、绿像素和蓝像素的空穴注入层、空穴传输层和电子传输层可以被形成以覆盖所有像素。
另一方面，当有机层128b为聚合物有机层时，有机层128b主要包括空穴传输层和发光层。聚(3,4-乙烯基二氧噻吩)（PEDOT）可以被用作空穴传输层，聚亚苯基乙烯（PPV）类或聚芴类聚合物有机层可以被用作发光层。在这种情况下，可以通过丝网印刷、喷墨印刷、精细金属掩膜法或激光感应热成像（LITI）形成有机层128b。
然而，有机层128b并不限于此，并且可以通过其他方法形成有机层128b。
例如，密封部分130被用于保护当暴露于氧气、水和光时发生衰变的发光部分120中的材料，并且可以以相似于第一衬底110的方式形成。更具体地，相似于第一衬底110，密封部分130可以由玻璃制造。然而，密封部分130并不限于此，并且密封部分130可以由塑料材料制造。可以通过交替地层叠至少一个有机层和一个无机层形成密封部分130。密封部分130可以包括多个无机层和多个有机层。
有机层可以由如聚对苯二甲酸乙二酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、环氧树脂、聚乙烯和聚丙烯酸酯的一个聚合物的单层组成或者由其多层层叠组成。通过包含二丙烯酸酯单体和三丙烯酸酯单体的单体组合物的聚合，有机层可以由聚丙烯酸酯形成。单体组合物可以进一步包括单丙烯酸酯单体。单体组合物可以进一步包含如TPO的、公知的光引发剂，但并不限于此。
无机层可以由金属氧化物或金属氮化物单层或其多层层叠组成。更具体地，无机层可以包括SiNx、氧化铝（Al2O3）、氧化硅（SiO2）、氧化钛（TiO2）中的一种。在密封部分130中暴露的最上层可以为无机层以防止湿气渗透到有机发光二极管中。
密封部分130可以具有至少一个夹层结构，该至少一个夹层结构包括至少两个无机层和介入于无机层之间的至少一个有机层。另外，至少一个夹层结构可以包括至少两个有机层和介入于有机层之间的至少一个无机层。
当从发光部分120的顶部查看时，密封部分130可以包括按顺序层叠的第一无机层、第一有机层和第二无机层。密封部分130还可以包括从发光部分120的顶部依次层叠的第一无机层、第一有机层、第二无机层、第二有机层和第三无机层。另外，密封部分130可以包括从发光部分120的顶部依次层叠的第一无机层、第一有机层、第二无机层、第二有机层、第三无机层、第三有机层和第四无机层。
包含氟化锂（LiF）的卤化金属层可以形成在发光部分120与第一无机层之间以在用于形成第一无机层的溅射或等离子沉积期间防止发光部分120受损。
第一有机层和第二有机层可以分别具有小于第二无机层和第三无机层区域的区域。此外，第二无机层和第三无机层可以分别完全覆盖第一有机层和第二有机层。
为了说明的便利，在本文中假设密封部分130由作为相同于第一衬底110材料的玻璃制造。
下面，将详细描述显示装置100的制造方法。
首先，准备第一衬底110，并通过机械抛光对第一衬底110边缘倒角。在这些实施方式中，第一衬底110的边缘可以在第一衬底110的厚度方向上具有三角形横截面。尤其是，第一衬底110的一个表面和另一个表面的边缘可以同时倒角。因此，第一衬底110的边缘从第一衬底110的两个表面向着第一衬底110的边缘倾斜。
当第一衬底110为大尺寸时，单一衬底被用作第一衬底110。相反，当第一衬底110为小尺寸时，则可以使用包括多个第一衬底110的母体衬底（未示出）。因为显示装置100与第一衬底110的尺寸无关，是以相似的方式制造，所以为了说明的便利，在本文中假设第一衬底110为单一衬底。
第一衬底110可以具有包括圆形、矩形和多边形的多种形状。为了说明的便利，第一衬底110被假设为具有矩形形状。
具有矩形形状的第一衬底110可以具有以如上所述的相似方式倒角的至少一个边缘。为了说明的便利，在本文中假设第一衬底110的四个边缘都被倒角。
在准备具有倒角的边缘的第一衬底110之后，缓冲层122、有源层123、栅极绝缘层124、栅电极125、层间绝缘层126、源电极127a、漏电极127b、钝化层121、像素限定膜129和像素电极128a以这种顺序层叠在第一衬底110上。因为上述层叠方法是以相同或相似于一般显示装置的制造方法的方式执行，所以省略其详细描述。
在第一衬底110上层叠各个层之后，通过使用精细金属掩膜法和激光感应热成像法，发光层可以被形成在由像素限定膜129限定的像素中的像素电极128a上。发光层可以与上述其他层一同形成，或者与上述其他层分开形成。为了说明的便利，在本文中假设发光层与其他层分开形成。
当发光层如上所述地形成时，首先，通过使用精细金属掩膜，蓝色发光层被沉积在像素电极128a上，随后形成绿色发光层和红色发光层。在这种实施方式中，绿色发光层和红色发光层中的至少一个可以通过使用激光感应热成像法转印到像素电极128a上。为了说明的便利，在下文中假设通过使用激光感应热成像法依次转印绿色发光层和红色发光层。
此外，发光层可以进一步包括多种其他颜色的发光层。尤其是，发光层可以包括白色发光层，并且在这种实施方式中，白色发光层可以包括蓝色发光层、绿色发光层和红色发光层。
可以通过使用多种方法形成白色发光层。例如，可以通过使用精细金属掩膜工艺形成蓝色发光层并且之后通过使用激光感应热成像法在蓝色发光层上层叠绿色发光层和红色发光层，由此形成白色发光层。还可以通过在精细金属掩膜工艺期间层叠蓝色发光层、绿色发光层和红色发光层形成白色发光层。另外，可以通过使用激光感应热成像法转印蓝色发光层、绿色发光层和红色发光层形成白色发光层。然而，为了说明的便利，在下文中假设仅仅形成蓝色发光层、绿色发光层和红色发光层，而不是白色发光层。
为了形成绿色发光层，首先，准备上层膜140。可以通过准备基底膜141并且在基底膜141上转印在上面图案化有绿色发光层的转印层143，由此形成上层膜140。上层膜140可以进一步包括布置在基底膜141与转印层143之间的光热转换层142。为了说明的便利，在下文中假设上层膜140包括基底膜141、光热转换层142和转印层143。
通过光源发出的光被吸收到基底膜141上的光热转换层142中并且转换为热能。热能可以引起第一衬底110与光热转换层142与转印层143之间的粘附力的变化，从而使得覆盖光热转换层142的转印层143的材料被转印到第一衬底110。由此，发光层被图案化在第一衬底110上。
在如上所述准备上层膜140的同时，准备下层膜150，其中第一衬底110被设置在下层膜150上。上层膜140可以被布置在第一衬底110上。
在完成上述排列之后，上层膜140和下层膜150可以通过排气彼此层压。在这种情况下，因为上层膜140和下层膜150具有大于第一衬底110的平面尺寸，所以上层膜140和下层膜150可以在超过第一衬底110的边缘延伸的位置彼此粘合。
如上所述，当上层膜140被附接到下层膜150时，上层膜140和下层膜150可以按照第一衬底110的边缘的倒角形状弯曲。
需要特别注意，当上层膜和下层膜根据传统方法彼此附接时，由于第一衬底的边缘未被倒角，因此上层膜和下层膜将无法在第一衬底的边缘彼此完全粘附。
相反，根据本公开技术的实施方式，上层膜140和下层膜150可以在第一衬底110的边缘彼此完全附接，由此基本防止由于外部冲击导致的上层膜140和下层膜150的分离。
在完成如上所述上层膜140与下层膜150之间的粘附之后，从上层膜140上方照射激光束，由此将绿色发光层转印到像素电极128a上。
按照上述热转印，从第一衬底110分离上层膜140和下层膜150。因为上层膜140和下层膜150的去除工艺是以与一般的激光感应热成像工艺相似的方式执行，所以将省略其详细描述。
如上所述，在转印绿色发光层之后，可以通过使用与用于转印绿色发光层相似的工艺转印红色发光层。因此将省略其详细描述。
如上所述，在完成绿色发光层和红色发光层的转印后，相对电极128c被形成在像素限定膜129上。因为相对电极128c是以与一般公知的方法相同的方式形成，所以将省略其详细描述。
在形成相对电极128c之后，通过在第一衬底110与密封部分130之间形成密封构件190，第一衬底110被附接到密封部分130，并且一同挤压第一衬底110与密封部分130以形成不透气的密封。因为第一衬底110以与显示装置制造中使用的一般密封方法相似的方式通过密封构件190密封到密封部分130，所以将省略其详细描述。
如上所述，当密封部分130被形成为薄膜时，可以使用层压。
在另一实施方式中，可以通过执行上述工艺在包括多个第一衬底110的母体衬底上制造显示装置100，并彼此分离多个第一衬底110。因为分离第一衬底110的方法与一般公知的分离方法相同，所以将省略其详细描述。
如上所述，根据本实施方式，显示装置100的制造方法在第一衬底100的边缘上允许上层膜140与下层膜150之间的完全附接，由此提升上层膜140与下层膜150之间的粘附力。
该方法还消除由于第一衬底110的厚度导致上层膜140未被附接到下层膜150的部分，由此防止第一衬底110的移动并且允许将发光层转印在像素限定膜129的精确位置上。
尤其是，这种精确的发光层可以提升显示器100的亮度和再现性。
图4为根据本公开技术的另一实施方式，示出图2所示发光层的形成工艺的剖视图。在下文中，相似的附图标记表示相似的元件。
参照图4，显示装置（未在图4中表示）包括：第一衬底210、密封部分（未示出）和发光部分（未示出）。因为密封部分和发光部分具有与上述相同或相似的功能和结构，所以将省略其详细描述。
第一衬底210的至少一个边缘可以被倒角。更具体地，第一衬底210可以具有通过抛光工艺形成的倾斜边缘。尤其是，第一衬底210的边缘可以从布置有发光部分的第一衬底210的一个表面向着第一衬底210的一边缘倾斜。
下面，将参照图4详细描述具有上述结构的显示装置的制造方法。
参照图4，首先，准备第一衬底210，并通过机械抛光对第一衬底210边缘倒角。在这种情况下，第一衬底210的边缘可以在第一衬底210的厚度方向上具有三角形横截面。尤其是，第一衬底210的一个表面的边缘可以被倒角。因此，第一衬底210的边缘可以从第一衬底210的一个表面向着第一衬底210的边缘倾斜。
当第一衬底210为大尺寸时，单一衬底被用作第一衬底210。相反，当第一衬底210为小尺寸时，则可以使用包括多个第一衬底210的母体衬底（未示出）。因为显示装置与第一衬底210的尺寸无关，是以相似的方式制造，所以为了说明的便利，在本文中假设第一衬底210为单一衬底。
第一衬底210可以具有包括圆形、矩形和多边形的多种形状。为了说明的便利，第一衬底210被假设为具有矩形形状。
具有矩形形状的第一衬底210可以具有以如上所述的相似方式倒角的至少一个边缘。为了说明的便利，在本文中假设第一衬底210的四个边缘被倒角。
在准备具有倒角的边缘的第一衬底210之后，缓冲层222、有源层223、栅极绝缘层224、栅电极225、层间绝缘层226、源电极227a、漏电极227b、钝化层221、像素限定膜229和像素电极228a以这种顺序层叠在第一衬底210上。因为上述层叠方法是以相同或相似于一般显示装置的制造方法的方式执行，所以省略其详细描述。
在第一衬底210上层叠各个层之后，通过使用精细金属掩膜法和激光感应热成像法，发光层可以被形成在由像素限定膜229限定的像素中的像素电极228a上。发光层可以与上述其他层一同形成，或者与上述其他层分开形成。为了说明的便利，在本文中假设发光层与其他层分开形成。
当发光层如上所述地形成时，首先，通过使用精细金属掩膜，蓝色发光层被沉积在像素电极228a上，随后形成绿色发光层和红色发光层。
在这种情况下，绿色发光层和红色发光层中的至少一个可以通过使用激光感应热成像法转印到像素电极228a上。为了说明的便利，在下文中假设通过使用激光感应热成像法依次转印绿色发光层和红色发光层。
此外，发光层可以进一步包括多种其他颜色的发光层。发光层可以包括白色发光层，并且在这种情况下，白色发光层可以包括蓝色发光层、绿色发光层和红色发光层。因为白色光层是以与上述相同方式形成，所以省略其详细描述。
为了形成绿色发光层，首先，准备上层膜240。可以通过准备基底膜241并且在基底膜241上转印在其上图案化有绿色发光层的转印层243，由此形成上层膜240。上层膜240可以进一步包括布置在基底膜241与转印层243之间的光热转换层242。为了说明的便利，在下文中假设上层膜240包括基底膜241、光热转换层242和转印层243。
通过光源发出的光被吸收到基底膜241上的光热转换层242中并且转换为热能。热能可以引起第一衬底210与光热转换层242与转印层243之间的粘附力的变化，从而使得覆盖光热转换层242的转印层243的材料被转印到第一衬底210。由此，发光层被图案化在第一衬底210上。
在如上所述准备上层膜240的同时，准备下层膜250，其中第一衬底210被设置在下层膜250上。上层膜240可以被布置在第一衬底210上。
在完成上述排列之后，上层膜240和下层膜250可以通过排气彼此层压。在这种实施方式中，因为上层膜240和下层膜250具有大于第一衬底210的平面尺寸，所以上层膜240和下层膜250可以在超过第一衬底210的边缘延伸的位置彼此粘合。
如上所述，当上层膜240被附接到下层膜250时，上层膜240可以按照第一衬底210的边缘的倒角形状弯曲，并且下层膜250如第一衬底210的下表面一样直。
尤其是，当上层膜和下层膜根据传统方法彼此附接时，由于第一衬底的边缘未被倒角，因此上层膜和下层膜将无法在第一衬底的边缘彼此完全粘附。
相反，根据本公开技术的实施方式，上层膜240和下层膜250可以在第一衬底210的边缘彼此完全附接，由此基本防止由于外部冲击导致的上层膜240和下层膜250的分离。
在完成如上所述上层膜240与下层膜250之间的粘附之后，从上层膜240上方照射激光束，由此将绿色发光层转印到像素电极228a上。
按照上述热转印，从第一衬底210分离上层膜240和下层膜250。因为上层膜240和下层膜250的去除工艺是以与一般的激光感应热成像工艺相似的方式执行，所以将省略其详细描述。
如上所述，在转印绿色发光层之后，可以通过使用与用于转印绿色发光层相似的工艺转印红色发光层。
如上所述，在完成绿色发光层和红色发光层的转印后，相对电极（未示出）可以被形成在像素限定膜229上。因为相对电极是以与一般公知的方法相同的方式形成，所以将省略其详细描述。
在形成相对电极之后，第一衬底210以与上述相同方式密封到密封部分。
在另一实施方式中，可以通过执行上述工艺在包括多个第一衬底210的母体衬底上制造显示装置，并彼此分离多个第一衬底210。因为分离第一衬底210的方法与一般公知的分离方法相同，所以将省略其详细描述。
如上所述，根据本实施方式的显示装置的制造方法在第一衬底的边缘上允许上层膜240与下层膜250之间的完全附接，由此提升上层膜240与下层膜250之间的粘附力。
该方法还消除由于第一衬底210的厚度导致上层膜240未被附接到下层膜250的部分，由此防止第一衬底210的移动并且允许将发光层转印在像素限定膜229的精确位置上。
特别需要注意，这样制造的显示装置包括精确转印的发光层，由此提供改善的亮度和再现性。
图5为根据本公开技术的另一实施方式，示出图2所示发光层的形成工艺的剖视图。在下文中，相似的附图标记表示相似的元件。
参照图5，显示装置（未在图5中表示）包括：第一衬底310、密封部分（未示出）和发光部分（未示出）。因为密封部分和发光部分具有与上述相同或相似的功能和结构，所以将省略其详细描述。
第一衬底310的至少一个边缘可以被倒角。更具体地，第一衬底310可以具有通过抛光工艺形成的倾斜边缘。尤其是，第一衬底310的边缘可以从未布置有发光部分的第一衬底310的一个表面向着第一衬底310的一边缘倾斜。
下面，将参照图5详细描述具有上述结构的显示装置的制造方法。
参照图5，首先，准备第一衬底310，并通过机械抛光对第一衬底310边缘倒角。在这种情况下，第一衬底310的边缘可以在第一衬底310的厚度方向上具有三角形横截面。尤其是，第一衬底310的另一个表面的边缘可以被倒角。因此，第一衬底310的边缘可以从第一衬底310的另一个表面向着第一衬底310的边缘倾斜。
当第一衬底310为大尺寸时，单一衬底被用作第一衬底310。相反，当第一衬底310为小尺寸时，则可以使用包括多个第一衬底310的母体衬底（未示出）。因为显示装置与第一衬底310的尺寸无关，是以相似的方式制造，所以为了说明的便利，在本文中假设第一衬底310为单一衬底。
第一衬底310可以具有包括圆形、矩形和多边形的多种形状。为了说明的便利，第一衬底310被假设为具有矩形形状。
具有矩形形状的第一衬底310可以具有以如上所述的相似方式倒角的至少一个边缘。为了说明的便利，在本文中假设第一衬底310的四个边缘都被倒角。
在准备具有倒角的边缘的第一衬底310之后，缓冲层322、有源层323、栅极绝缘层334、栅电极335、层间绝缘层326、源电极327a、漏电极327b、钝化层321、像素限定膜329和像素电极328a以这种顺序层叠在第一衬底310上。因为上述层叠方法是以相同或相似于一般显示装置的制造方法的方式执行，所以省略其详细描述。
在第一衬底310上层叠各个层之后，通过使用精细金属掩膜法和激光感应热成像法，发光层可以被形成在由像素限定膜329限定的像素中的像素电极328a上。发光层可以与上述其他层一同形成，或者与上述其他层分开形成。为了说明的便利，在本文中假设发光层与其他层分开形成。
当发光层如上所述地形成时，首先，通过使用精细金属掩膜，蓝色发光层被沉积在像素电极328a上，随后形成绿色发光层和红色发光层。在这种情况下，绿色发光层和红色发光层中的至少一个可以通过使用激光感应热成像法转印到像素电极328a上。为了说明的便利，在下文中假设通过使用激光感应热成像法依次转印绿色发光层和红色发光层。
更具体地，为了形成绿色发光层，首先，准备上层膜340。可以通过准备基底膜341并且在基底膜341上转印在其上图案化有绿色发光层的转印层343，由此形成上层膜340。上层膜340可以进一步包括布置在基底膜341与转印层343之间的光热转换层342。为了说明的便利，在下文中假设上层膜340包括基底膜341、光热转换层342和转印层343。
通过光源发出的光被基底膜341上的光热转换层342吸收并且转换为热能。之后，热能可以引起第一衬底310与光热转换层342与转印层343之间的粘附力的变化，从而使得覆盖光热转换层342的转印层343的材料被转印到第一衬底310。由此，发光层被图案化在第一衬底310上。
在如上所述准备上层膜340的同时，准备下层膜350，其中第一衬底310被设置在下层膜350上。上层膜340可以被布置在第一衬底310上。
在完成上述排列之后，上层膜340和下层膜350可以通过排气彼此层压。在这种实施方式中，因为上层膜340和下层膜350大于第一衬底310，所以上层膜340和下层膜350可以在第一衬底310的边缘彼此粘合。
如上所述，当上层膜340被附接到下层膜350时，上层膜340可以按照第一衬底310的边缘的倒角形状弯曲，并且下层膜350如第一衬底310的下表面一样直。
尤其是，当上层膜和下层膜根据传统方法彼此附接时，由于第一衬底的边缘未被倒角，因此上层膜和下层膜将无法在第一衬底的边缘彼此完全粘附。
相反，根据本公开技术的实施方式，上层膜340和下层膜350可以在第一衬底310的边缘彼此完全附接，由此基本防止由于外部冲击导致的上层膜340和下层膜350的分离。
在完成如上所述上层膜340与下层膜350之间的粘附之后，从上层膜340上方照射激光束，由此将绿色发光层转印到像素电极328a上。
按照上述热转印，从第一衬底310分离上层膜340和下层膜350。因为上层膜340和下层膜350的去除工艺是以与一般的激光感应热成像工艺相似的方式执行，所以将省略其详细描述。
如上所述，在转印绿色发光层之后，可以通过使用与用于转印绿色发光层相似的工艺转印红色发光层。
如上所述，在完成绿色发光层和红色发光层的转印后，相对电极（未示出）可以被形成在像素限定膜329上。因为相对电极是以与一般公知的方法相同的方式形成，所以将省略其详细描述。
在形成相对电极之后，第一衬底310以与上述相同方式密封到密封部分。
在另一实施方式中，可以通过执行上述工艺在包括多个第一衬底310的母体衬底上制造显示装置，并彼此分离多个第一衬底310。因为分离第一衬底310的方法与一般公知的分离方法相同，所以将省略其详细描述。
如上所述，根据本实施方式的显示装置的制造方法在第一衬底的边缘上允许上层膜340与下层膜350之间的完全附接，由此提升上层膜340与下层膜350之间的粘附力。
该方法还消除由于第一衬底310的厚度导致上层膜340未被附接到下层膜350的部分，由此防止第一衬底310的移动并且允许将发光层转印在像素限定膜329的精确位置上。
尤其是，这样制造的显示装置包括精确的发光层转印，由此提供改善的亮度和再现性。
虽然参照本发明的示例性实施方式具体地示出和描述了本发明，但是本技术领域的普通技术人员应当理解，在不脱离由所附权利要求书限定的本发明的精神和范围的情况下可以对其进行形式和细节上的多种修改。

Claims (18)

1.一种显示装置，包括：
第一衬底；
发光部分，形成在所述第一衬底上；以及
密封部分，被附接到所述第一衬底以保护所述发光部分免受周围环境条件影响，
其中，所述第一衬底的边缘的至少一部分被倒角。
2.如权利要求1所述的装置，其中，
所述第一衬底的所述边缘在厚度方向上具有三角形横截面。
3.如权利要求1所述的装置，其中，
所述第一衬底的所述边缘从所述第一衬底的上面形成有所述发光部分的一个表面向着所述第一衬底的边缘倒角。
4.如权利要求1所述的装置，其中，
所述第一衬底的所述边缘从所述第一衬底的上面未形成有所述发光部分的另一个表面向着所述第一衬底的边缘倒角。
5.如权利要求1所述的装置，其中，
所述第一衬底的末端分别从所述第一衬底的两个表面向着所述第一衬底的边缘倒角。
6.如权利要求1所述的装置，其中，
所述发光部分包括有机发光层；以及
其中，所述有机发光层包括蓝色发光层、红色发光层、绿色发光层和白色发光层中的至少一个。
7.如权利要求6所述的装置，其中，
通过使用精细金属掩膜工艺形成所述蓝色发光层。
8.如权利要求6所述的装置，其中，
通过使用激光感应热成像工艺形成所述红色发光层和所述绿色发光层中的至少一个。
9.如权利要求6所述的装置，其中，
所述白色发光层形成自所述蓝色发光层、所述红色发光层和所述绿色发光层的层叠。
10.一种显示装置的制造方法，所述方法包括：
提供具有倒角的边缘的第一衬底；
将缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅电极、层间绝缘层、源电极、漏电极、钝化层、像素限定膜和像素电极按此顺序层叠在所述第一衬底上；以及
通过精细金属掩膜工艺和激光感应热成像工艺，在由所述像素限定膜限定的像素中的所述像素电极上形成有机发光层。
11.如权利要求10所述的方法，其中，
通过使用抛光工艺倒角所述第一衬底的所述边缘。
12.如权利要求10所述的方法，其中，所述形成所述有机发光层的步骤包括：
通过使用所述精细金属掩膜工艺将蓝色发光层沉积在所述像素电极上并且通过使用所述激光感应热成像工艺将绿色发光层和红色发光层转印到所述像素电极上。
13.如权利要求12所述的方法，其中，所述激光感应热成像工艺包括：
将所述绿色发光层转印到所述像素电极上并且之后将所述红色发光层转印到所述像素电极上。
14.如权利要求12所述的方法，其中，所述通过所述激光感应热成像工艺将所述绿色发光层和所述红色发光层转印到所述像素电极上的步骤包括：
将所述第一衬底设置在下层膜上；
通过在基底膜上转印上面图案化有所述红色发光层和所述绿色发光层之一的转印层来准备上层膜；
将所述上层膜布置在所述第一衬底上并且通过排气层压所述上层膜和所述下层膜；以及
通过激光束照射所述上层膜并且将所述红色发光层和所述绿色发光层之一转印到所述像素电极上。
15.如权利要求14所述的方法，其中，所述将所述绿色发光层和所述红色发光层转印到所述像素电极上的步骤进一步包括：
在所述激光束照射之后去除所述上层膜和所述下层膜。
16.如权利要求10所述的方法，进一步包括：
将相对电极形成在上面已形成有所述有机发光层的所述像素限定膜上，并且通过密封部分密封所述相对电极。
17.如权利要求10所述的方法，进一步包括：
该制造方法进一步包括：将所述第一衬底切分为多个衬底并且彼此分离所述多个衬底。
18.如权利要求10所述的方法，其中，所述形成所述有机发光层的步骤包括：
通过沉积或转印蓝色发光层、绿色发光层和红色发光层形成白色发光层。
CN201310412406.6A 2012-12-11 2013-09-11 显示装置以及其制造方法 Pending CN103872074A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120143834A KR20140075467A (ko) 2012-12-11 2012-12-11 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치의 제조방법
KR10-2012-0143834 2012-12-11

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN103872074A true CN103872074A (zh) 2014-06-18

Family

ID=50879996

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310412406.6A Pending CN103872074A (zh) 2012-12-11 2013-09-11 显示装置以及其制造方法

Country Status (4)

Country Link
US (2) US20140159078A1 (zh)
KR (1) KR20140075467A (zh)
CN (1) CN103872074A (zh)
TW (1) TW201423978A (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9660218B2 (en) 2009-09-15 2017-05-23 Industrial Technology Research Institute Package of environmental sensitive element
KR102323357B1 (ko) 2015-07-21 2021-11-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
JP6474337B2 (ja) * 2015-08-27 2019-02-27 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及びその製造方法
CN108123053A (zh) * 2016-11-29 2018-06-05 京东方科技集团股份有限公司 发光器件和显示装置
CN110943066A (zh) * 2018-09-21 2020-03-31 联华电子股份有限公司 具有高电阻晶片的半导体结构及高电阻晶片的接合方法
KR20200109422A (ko) * 2019-03-12 2020-09-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이의 제조방법

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101013707A (zh) * 2006-01-31 2007-08-08 株式会社半导体能源研究所 显示器件
CN101207184A (zh) * 2006-12-22 2008-06-25 三星Sdi株式会社 有机发光显示装置及其制造方法
CN101330095A (zh) * 2007-06-19 2008-12-24 三星Sdi株式会社 有机发光显示器及其制造方法
US20090045733A1 (en) * 2007-08-14 2009-02-19 Misook Suh Organic light emitting display and method of manufacturing the same
US20110180203A1 (en) * 2010-01-27 2011-07-28 Jin-Won Sun Laser induced thermal imaging apparatus and method of manufacturing organic light emitting display device using the same
CN102218870A (zh) * 2004-08-30 2011-10-19 三星移动显示器株式会社 用于激光诱致热成像方法的供体基板及其制造方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3550299A (en) * 1968-08-05 1970-12-29 Theodore Salz Display mount for pictures and other articles
US5631057A (en) * 1995-05-05 1997-05-20 Minnesota Mining And Manufacturing Company Simulated beveled glass applique
FR2899954B1 (fr) * 2006-04-13 2008-06-06 Saint Gobain Panneau lumineux
KR20110049578A (ko) * 2009-11-05 2011-05-12 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 전계 발광 표시장치

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102218870A (zh) * 2004-08-30 2011-10-19 三星移动显示器株式会社 用于激光诱致热成像方法的供体基板及其制造方法
CN101013707A (zh) * 2006-01-31 2007-08-08 株式会社半导体能源研究所 显示器件
CN101207184A (zh) * 2006-12-22 2008-06-25 三星Sdi株式会社 有机发光显示装置及其制造方法
CN101330095A (zh) * 2007-06-19 2008-12-24 三星Sdi株式会社 有机发光显示器及其制造方法
US20090045733A1 (en) * 2007-08-14 2009-02-19 Misook Suh Organic light emitting display and method of manufacturing the same
US20110180203A1 (en) * 2010-01-27 2011-07-28 Jin-Won Sun Laser induced thermal imaging apparatus and method of manufacturing organic light emitting display device using the same

Also Published As

Publication number Publication date
US20160225996A1 (en) 2016-08-04
KR20140075467A (ko) 2014-06-19
US20140159078A1 (en) 2014-06-12
TW201423978A (zh) 2014-06-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10629847B2 (en) Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same
US8461591B2 (en) Organic light emitting display apparatus and method of manufacturing the same
KR100994121B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
CN203339167U (zh) 有机发光显示***
CN101257747B (zh) 有机发光显示装置
US9349996B2 (en) Method of manufacturing capacitor, method of manufacturing organic light emitting display device including the capacitor, and organic light emitting display device manufactured by using the method
TWI582980B (zh) 有機發光顯示裝置及其製造方法
WO2020192051A1 (zh) 显示面板及其制备方法
KR102022395B1 (ko) 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
CN104103665A (zh) 有机发光显示设备和制造它的方法
CN102456704B (zh) 有机发光显示装置
KR102308906B1 (ko) 정전 척 시스템과, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
CN103872072A (zh) 有机发光显示装置及其制造方法
US9159953B2 (en) Organic light-emitting display device and manufacturing method thereof
CN103872074A (zh) 显示装置以及其制造方法
TW200529695A (en) Organic electroluminescence display device and its fabrication method
CN103887322A (zh) 有机发光显示装置及其制造方法
TWI618236B (zh) 有機發光顯示裝置及其製造方法
US9035338B2 (en) Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same
US10340474B2 (en) Display apparatus
US20150340404A1 (en) Display panel
CN103515409A (zh) 显示装置及显示装置的制造方法
US8922463B2 (en) Organic light-emitting display apparatus
KR102065587B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20140618