CN103869601A - 一种具有固定辅助边的掩模板及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种具有固定辅助边的掩模板,包括掩模板主体、辅助边及半刻线区,其特征在于,所述辅助边设置在所述掩模板主体外侧通过所述半刻线区与所述掩模板主体连接;本发明还公开了相应的制作方法。本发明公开的具有固定辅助边的掩模板可以方便省力的将辅助边切除,并大大降低了传统工艺剪切过程中对原有掩模板上丝网的影响,也避免了传统工艺中的掩模板边缘曲翘甚至使得裁剪区域附近固定点脱落,大大提高了生产效率。
Description
技术领域
本发明涉及一种掩模板,具体涉及一种具有固定辅助边的掩模板及其制作方法,属于OLED掩模板制造领域。
背景技术
OLED显示屏作为继CRT、LCD之后最具有发展潜力的第三代显示技术,其发展日益受到人们的关注,目前,制备高质量OLED屏的一种核心技术是采用高精密OLED掩模板在ITO玻璃基板上蒸镀R、G、B三原色制得。作为掩模介质的OLED掩模板的精度会直接影响到最终OLED屏的质量,因此业内非常重视OLED掩模板制作的每个环节。一个完整OLED掩模板制造过程包括:具有开口图案掩模板的制作→掩模板的固定→掩模板的包装。其中掩模板的固定环节具体是将掩模板绷拉平整后通过激光焊接或者其他连接方式固定在一个外框上,为了便于绷拉,掩模板的***会留有一个用于绷拉的区域,掩模板固定好后,用于绷拉的区域需要裁除,通常裁除手段是通过机械裁剪等方法,如此会引起掩模板边缘曲翘甚至使得裁剪区域附近固定点脱落,影响最终产品质量。因此,业界亟需一种能够在OLED掩模板制造过程中解决此种缺陷的方法。
发明内容
有鉴于此,需要克服现有技术中的上述缺陷中的至少一个。本发明提供了一种具有固定辅助边的掩模板及其制作方法
所述具有固定辅助边的掩模板,包括掩模板主体、辅助边及半刻线区,所述辅助边设置在所述掩模板主体外侧通过所述半刻线区与所述掩模板主体连接。
根据本专利背景技术中对现有技术所述,目前工艺中掩模板的固定环节具体是将掩模板绷拉平整后通过激光焊接或者其他连接方式固定在一个外框上,为了便于绷拉,掩模板的***会留有一个用于绷拉的区域,掩模板固定好后,用于绷拉的区域需要裁除,通常裁除手段是通过机械裁剪等方法,如此会引起掩模板边缘曲翘甚至使得裁剪区域附近固定点脱落,影响最终产品质量;而本发明提供的所述具有固定辅助边的掩模板具有与传统工艺中功能类似的辅助边,所述具有固定辅助边的掩模板在连接并固定在外框上后由于所述半刻线区的存在,可以很方便省力的将辅助边切除,并大大降低了传统工艺剪切过程中对原有掩模板上丝网的影响,也避免了传统工艺中的掩模板边缘曲翘甚至使得裁剪区域附近固定点脱落,大大提高了生产效率。
另外,根据本发明公开的具有固定辅助边的掩模板还具有如下附加技术特征:
可选地,所述辅助边设置在掩模板主体的四周形成封闭外框且通过所述半刻线区与所述掩模板主体连接。
可选地,所述辅助边设置在掩模板主体的两对边形成开放外框且通过所述半刻线区与所述掩模板主体连接。
通常情况下,所述掩模板主体为四边形的丝网,所述辅助边可以在所述掩模板主体的四个周边设置形成一个四边形的封闭的***边框,并通过所述半刻线与所述掩模板主体联接;但在某些情况下,所述辅助边只是在所述掩模板主体的两个对边设置形成一个平行的开放的***边框,即仅有两个对边的***边框,同时通过所述半刻线与所述掩模板主体联接。
进一步地,所述半刻线区为厚度小于所述掩模板主体厚度且小于所述辅助边厚度的狭长区域。
优选地,所述半刻线与固定掩模板主体的外框形状尺寸相适应,即半刻线区形成的外边形状与外框形状保持一致或基本一致,在去除辅助边后,掩模板主体外边能与外框边缘吻合。
所述辅助边及所述半刻线区的存在是为了在所述掩模板连接并固定在外框进行裁切后降低裁切过程中对掩模板的影响,因此连接所述掩模板主体和所述辅助边的半刻线区为所述掩模板主体厚度且小于所述辅助边厚度的狭长区域,这样一方面能将固定连接边缘限制在所述半刻线区内,避免裁切过程中对所述半刻线区内的所述掩模板主体的影响,同时,大大降低了裁切力,节能且高效。
在实际应用中,所述半刻线区的厚度设置应由以下原则确定:半刻线区13能够承受外界将掩模板拉紧绷平的水平拉力(相对图中所示方位)而不断裂,同时也能在相对较小的剪切力(垂直于掩模板板面)下断开。
进一步地,所述半刻线区设置有通孔。
优选地,所述通孔均匀分布。
所述通孔的设置进一步降低了裁切力,而均匀分布的通孔则可以使裁切力更加均匀,形成良好的切口断面。
可选地,所述半刻线区边缘设置有大开口。
优选地,所述大开口对称分布在所述半刻线边缘。
所述大开口的设置可以更好地提供裁切的起始位置,使起始的裁切力更小,
本发明还提供了相应的掩模板的制作方法,其特征包括:
S1,压贴感光干膜:在所述掩模板上待制半刻线区以及其两侧均压贴感光干膜;
S2,曝光:按照设计图形通过曝光机对所述感光干膜进行曝光,使得非蚀刻区域曝光;
S3,去除未曝光干膜:将曝光后的掩模板通过显影去除未曝光干膜区;
S4,蚀刻:将显影后的所述掩模板蚀刻后,即可形成所述半刻线区。
褪膜后的掩模板经过清洁处理后,需通过机械绷紧拉平固定在外框上,在绷拉过程中,机械绷拉装置可通过固定孔16进行绷拉,亦可以通过直接夹持掩模板辅助边进行绷拉。绷紧拉平后的掩模板通过激光焊接或者是胶粘剂粘接的方式将掩模板主体部分固定在外框上,固定好后通过手工或者是机械手提供给半刻线区一个垂直于掩模板的剪切力,使得辅助边与掩模板主体在半刻线处断裂开,即将辅助边与掩模板主体分离。掩模板固定后去除辅助边的结构示意图如图7所示,掩模板主体外形与外框外形相适应。
本发明具有以下优势:通过所述半刻线区的设计,可以比较轻易的将非掩模板主体区域(即本发明的辅助边)裁除,可将所述掩模板主体和外框连接固定区域限制在所述半刻线区形成的边框内侧,而不会引起掩模板主体部分边缘的曲翘,也可以避免传统机械裁剪所引起的焊点松弛脱落等现象。
本发明附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本发明的实践了解到。
附图说明
本发明的上述和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解,其中:
图1所示为本发明一种掩模板示意图;
图2所示为本发明掩模板另一种结构示意图;
图3为图1中15部分的一种结构放大示意图;
图4所示为图3中沿A-A方向的一种横截面示意图;
图5所示为图3中沿A-A方向的另一种横截面示意图
图6所示为为图1中15部分的另一种结构放大示意图
图7所示为将掩模板主体固定在外框上后去除辅助边的平面示意图
图8为掩模板两面贴感光干膜示意图
图9为曝光过程结构示意图;
图10为去除未曝光干膜过程结构示意图;
图11为蚀刻过程结构示意图;
图1中,11为掩模板主体,12为封闭辅助边,13为连接掩模板主体11与辅助边12的封闭半刻线区,14为大开口,15为待放大区域,16为掩模板绷拉的固定孔;
图2中,22为开放辅助边,23为连接掩模板主体11与辅助边22的开放半刻线区;
图3中, A-A为待视方向;
图6中60为构成半刻线的通孔,61为构成半刻线的减薄块;
图7中71为固定掩模板主体,72为固定掩模板主体的外框;
图8中80为掩模板、81、82为感光干膜;
图9中90为未曝光干膜区;
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例,所述实施例的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,仅用于解释本发明,而不能解释为对本发明的限制。
在本发明的描述中,需要理解的是,术语 “上”、“下”、“底”、“顶”、“前”、“后”、“内”、“外”、“横”、“竖”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。
在本发明的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“联接”、“连通”、“相连”、“连接”、“配合”应做广义理解,例如,可以是固定连接,一体地连接,也可以是可拆卸连接;可以是两个元件内部的连通;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连;“配合”可以是面与面的配合,也可以是点与面或线与面的配合,也包括孔轴的配合,对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
本发明的发明构思如下,在传统工艺中,将掩模板与外框进行连接固定并将掩模板与外框固定区域***部分裁切后,容易产生掩模板主体部分边缘的曲翘及传统机械裁剪所引起的焊点松弛脱落等现象;而本发明提供的具有固定辅助边的掩模板可以将传统的连接固定区域通过半刻线区与裁切区域(及辅助边)分割开来,截断了裁切过程中由于机械裁切对掩模板主体造成的不良影响,从而大大提高了生产效率降低了成本。
下面将参照附图来描述本发明的粘钢片的对位装置,其中图1所示为本发明一种掩模板示意图;图2所示为本发明掩模板另一种结构示意图;图7所示为将掩模板主体固定在外框上后去除辅助边的平面示意图;图8为掩模板两面贴感光干膜示意图;图9为曝光过程结构示意图;图10为去除未曝光干膜过程结构示意图;图11为蚀刻过程结构示意图。
根据本发明的实施例,一种具有固定辅助边的掩模板,包括掩模板主体11、辅助边12、22及半刻线区13、23,其特征在于,所述辅助边12、22设置在所述掩模板主体11外侧通过所述半刻线区13、23与所述掩模板主体11连接,如图1、2所示。
根据本发明的一些实施例,所述辅助边12设置在掩模板主体11的四周形成封闭外框且通过所述半刻线区13与所述掩模板主体11连接,如图1所示。
根据本发明的一些实施例,所述辅助边22设置在掩模板主体11的两对边形成开放外框且通过所述半刻线区23与所述掩模板主体11连接,如图2所示。
根据本发明的实施例,所述半刻线区13、23为厚度小于所述掩模板主体11厚度且小于所述辅助边12、22厚度的狭长区域,如图3、4、5、6所示。
根据本发明的一些实施例,所述半刻线区13、23是单边凹槽形成的减薄区域,如图4所示。
根据本发明的一些实施例,所述半刻线区13、23是双边凹槽形成的减薄区域,如图5所示。
根据本发明的一些实施例,所述半刻线区13、23设置有通孔60,如图6所示,即半刻线区13、23由通孔60和减薄块61交错排布构成。
优选地,所述通孔60均匀分布,如图6所示。
根据本发明的一些实施例,所述半刻线区13、23边缘设置有大开口14,如图1所示。
优选地,所述大开口14对称分布在所述半刻线边缘,如图1所示。
其可以作为后续将辅助边12从掩模主体11上去除的处理区(即可以通过此处作为起始点将掩模主体11与辅助边12分离),其中,作为一种比较合理的设计,大开口14的位置及大小尺寸与固定掩模板的外框外形相适应;另外,在掩模板辅助边12上设置有固定孔16,固定孔16可作为后续将掩模板绷紧拉平的外接口。在图2所示的掩模板辅助边22上未设置固定孔,其拉紧绷平过程是可通过外界夹头直接夹持掩模板的辅助边22即可实现。
根据本发明的实施例,一种具有固定辅助边的掩模板的制作方法,包括:
S1,压贴感光干膜:在所述掩模板上待制半刻线区以及其两侧均压贴感光干膜,如图8所示,图8为图4所示区域截面图,即在掩模板80两面压贴有感光干膜81、82;
S2,曝光:按照设计图形通过曝光机对所述感光干膜进行曝光,使得非蚀刻区域曝光,图9中除90部分,其它部分均为曝光区域;
S3,去除未曝光干膜:将曝光后的掩模板通过显影去除未曝光干膜区,使得待制半刻线区的掩模板表面裸露,如图10所示;
S4,蚀刻:将显影后的所述掩模板蚀刻后,即可形成所述半刻线区,将显影后的掩模板通过蚀刻液蚀刻即可在90区域形成图11所示凹槽结构,在蚀刻过程中,通过控制蚀刻液的溶液配比、蚀刻时对掩模板的压力、蚀刻的时间等参数来控制掩模板的蚀刻厚度。
蚀刻后的掩模板通过褪膜将之前曝光区域的干膜去除,即可得到图4所示掩模板结构。
作为本发明的另一种实施例,在对压贴有感光干膜的掩模板进行曝光的过程中,可以针对不同类型的半刻线区结构(如图5、图6所示等)进行曝光图案设计。
任何提及“一个实施例”、“实施例”、“示意性实施例”等意指结合该实施例描述的具体构件、结构或者特点包含于本发明的至少一个实施例中。在本说明书各处的该示意性表述不一定指的是相同的实施例。而且,当结合任何实施例描述具体构件、结构或者特点时,所主张的是,结合其他的实施例实现这样的构件、结构或者特点均落在本领域技术人员的范围之内。
尽管参照本发明的多个示意性实施例对本发明的具体实施方式进行了详细的描述,但是必须理解,本领域技术人员可以设计出多种其他的改进和实施例,这些改进和实施例将落在本发明原理的精神和范围之内。具体而言,在前述公开、附图以及权利要求的范围之内,可以在零部件和/或者从属组合布局的布置方面作出合理的变型和改进,而不会脱离本发明的精神。除了零部件和/或布局方面的变型和改进,其范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (9)
1.一种具有固定辅助边的掩模板,,包括掩模板主体、辅助边及半刻线区,其特征在于,所述辅助边设置在所述掩模板主体外侧通过所述半刻线区与所述掩模板主体连接。
2.根据权利要求1所述的具有固定辅助边的掩模板,其特征在于,所述辅助边设置在掩模板主体的四周形成封闭外框且通过所述半刻线区与所述掩模板主体连接。
3.根据权利要求1所述的具有固定辅助边的掩模板,其特征在于,所述辅助边设置在掩模板主体的两对边形成开放外框且通过所述半刻线区与所述掩模板主体连接。
4.根据权利要求1所述的具有固定辅助边的掩模板,其特征在于,所述半刻线区为厚度小于所述掩模板主体厚度且小于所述辅助边厚度的狭长区域。
5.根据权利要求1所述的具有固定辅助边的掩模板,其特征在于,所述半刻线区设置有通孔。
6.根据权利要求5所述的具有固定辅助边的掩模板,其特征在于,所述通孔均匀分布。
7.根据权利要求1所述的具有固定辅助边的掩模板,其特征在于,所述半刻线区边缘设置有大开口。
8.根据权利要求7所述的具有固定辅助边的掩模板,其特征在于,所述大开口对称分布在所述半刻线边缘。
9.一种具有固定辅助边的掩模板的制作方法,其特征在于,包括:
S1,压贴感光干膜:在所述掩模板上待制半刻线区以及其两侧均压贴感光干膜;
S2,曝光:按照设计图形通过曝光机对所述感光干膜进行曝光,使得非蚀刻区域曝光;
S3,去除未曝光干膜:将曝光后的掩模板通过显影去除未曝光干膜区;
S4,蚀刻:将显影后的所述掩模板蚀刻后,即可形成所述半刻线区。
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