CN103839849A - 离子注入段问题机台的判定方法 - Google Patents

离子注入段问题机台的判定方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103839849A
CN103839849A CN201410060668.5A CN201410060668A CN103839849A CN 103839849 A CN103839849 A CN 103839849A CN 201410060668 A CN201410060668 A CN 201410060668A CN 103839849 A CN103839849 A CN 103839849A
Authority
CN
China
Prior art keywords
processing procedure
ion implantation
implantation section
inject
defect
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201410060668.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103839849B (zh
Inventor
何理
许向辉
郭贤权
陈超
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Huali Microelectronics Corp
Original Assignee
Shanghai Huali Microelectronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Huali Microelectronics Corp filed Critical Shanghai Huali Microelectronics Corp
Priority to CN201410060668.5A priority Critical patent/CN103839849B/zh
Publication of CN103839849A publication Critical patent/CN103839849A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103839849B publication Critical patent/CN103839849B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/20—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by using diffraction of the radiation by the materials, e.g. for investigating crystal structure; by using scattering of the radiation by the materials, e.g. for investigating non-crystalline materials; by using reflection of the radiation by the materials

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Abstract

一种离子注入段问题机台的判定方法，包括：执行步骤S1：针对生产工艺中不同制程工序，以及在所述制程工序中进行不同离子注入的物质成分建立数据库；执行步骤S2：在检测出颗粒缺陷时，测定所述颗粒成分，获得所述缺陷元素类型；执行步骤S3：根据所述缺陷元素类型和制程工序，比照数据库，当所述缺陷元素类型与所述制程工序对应时，判定所述制程工序之离子注入机为离子注入段问题机台。本发明离子注入段问题机台的判定方法在当离子注入工艺发生缺陷问题，良率扫描又没有前值的时候，可以有效缩短怀疑区间，帮助工程师快速的锁定问题机台，从而减少出现缺陷情况后导致的质量受影响产品数量，节约成本。

Description

离子注入段问题机台的判定方法
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种离子注入段问题机台的判定方法。
背景技术
随着半导体制造技术不断的发展，其生产工艺流程也越来越复杂。为了让产品有更多的功能，需要在芯片上集成更多的各种微电子器件，根据不同要求需要通过大量的离子注入工艺来调整器件的电性参数，以满足不同的运算要求。
目前，业界对于离子注入工艺的检测普遍存在良率抽检比例有限，抽检产品向重要站点倾斜的趋势。这会造成很长段的离子注入工艺不能够在每一个站点均可进行缺陷检测。生产中时常出现严重的缺陷事件而不能快速的确定问题机台的情况，势必使得离子注入段的缺陷情况对后续工艺带来严重影响，给生产带来重大损失。
故针对现有技术存在的问题，本案设计人凭借从事此行业多年的经验，积极研究改良，于是有了本发明一种离子注入段问题机台的判定方法。
发明内容
本发明是针对现有技术中，传统的离子注入工艺生产中时常出现严重的缺陷事件而不能快速的确定问题机台的情况，势必使得离子注入段的缺陷情况对后续工艺带来严重影响，给生产带来重大损失等缺陷提供一种离子注入段问题机台的判定方法。
为了解决上述问题，本发明提供一种离子注入段问题机台的判定方法，所述方法包括：
执行步骤S1：针对生产工艺中不同制程工序，以及在所述制程工序中进行不同离子注入的物质成分建立数据库；
执行步骤S2：在检测出颗粒缺陷时，测定所述颗粒成分，获得所述缺陷元素类型；
执行步骤S3：根据所述缺陷元素类型和制程工序，比照数据库，当所述缺陷元素类型与所述制程工序对应时，判定所述制程工序之离子注入机为离子注入段问题机台。
可选地，所述制程工序包括深N阱注入，采用P元素注入；P阱注入，采用B元素注入；N阱注入，采用As元素注入；N型轻掺杂漏极注入，采用BF2注入；以及P型轻掺杂漏极注入，采用C注入。
可选地，所述颗粒成分通过能量色散X射线光谱仪（EDX）测定。
综上所述，本发明离子注入段问题机台的判定方法在当离子注入工艺发生缺陷问题，良率扫描又没有前值的时候，可以有效缩短怀疑区间，帮助工程师快速的锁定问题机台，从而减少出现缺陷情况后导致的质量受影响产品数量，节约成本。
附图说明
图1所示为本发明一种离子注入段问题机台的判定方法之流程图；
图2所示为生产工艺中不同制程工序及不同离子注入的物质成分数据库；
图3所示为离子注入段产生缺陷示意图。
具体实施方式
为详细说明本发明创造的技术内容、构造特征、所达成目的及功效，下面将结合实施例并配合附图予以详细说明。
请参阅图1，图1所示为本发明一种离子注入段问题机台的判定方法之流程图。所述离子注入段问题机台的判定方法包括以下步骤，
执行步骤S1：针对生产工艺中不同制程工序，以及在所述制程工序中进行不同离子注入的物质成分建立数据库；
执行步骤S2：在检测出颗粒缺陷时，测定所述颗粒成分，获得所述缺陷元素类型；其中，所述颗粒成分通过能量色散X射线光谱仪（EDX）测定。
执行步骤S3：根据所述缺陷元素类型和制程工序，比照数据库，当所述缺陷元素类型与所述制程工序对应时，判定所述制程工序之离子注入机为离子注入段问题机台。
为更直观的阐述本发明之技术方案，凸显本发明之有益效果，现以具体的实施方式为例进行阐述。在具体实施方式中，所述缺陷元素类型、所述制程工序仅为列举，不应视为对本发明专利技术方案的限制。
请参阅图2、图3，图2所示为生产工艺中不同制程工序及不同离子注入的物质成分之数据库。图3所示为离子注入段产生缺陷示意图。所述离子注入段问题机台的判定方法包括以下步骤，
执行步骤S1：针对生产工艺中不同制程工序，以及在所述制程工序中进行不同离子注入的物质成分建立数据库1；
作为具体的实施方式，非限制性地，所述制程工序包括深N阱注入，采用P元素注入；P阱注入，采用B元素注入；N阱注入，采用As元素注入；N型轻掺杂漏极注入，采用BF2注入；以及P型轻掺杂漏极注入，采用C注入等。
执行步骤S2：在检测出颗粒2缺陷时，测定所述颗粒2的成分，获得所述缺陷元素类型；
执行步骤S3：根据所述缺陷元素类型和制程工序，比照数据库1，当所述缺陷元素类型与所述制程工序对应时，判定所述制程工序离子注入机台为离子注入段问题机台。
显然地，本发明所述离子注入段问题机台的判定方法，通过针对生产工艺中不同制程工序，以及在所述制程工序中进行不同离子注入的物质成分建立数据库，并在检测出颗粒缺陷时，测定所述颗粒的成分，获得所述缺陷元素类型，之后比照数据库，当所述缺陷元素类型与所述制程工序对应时，判定所述制程工序机台为离子注入段问题机台，所述方法在当离子注入工艺发生缺陷问题，良率扫描又没有前值的时候，可以有效缩短怀疑区间，帮助工程师快速的锁定问题机台，从而减少出现缺陷情况后导致的质量受影响产品数量，节约成本。
综上所述，本发明离子注入段问题机台的判定方法在当离子注入工艺发生缺陷问题，良率扫描又没有前值的时候，可以有效缩短怀疑区间，帮助工程师快速的锁定问题机台，从而减少出现缺陷情况后导致的质量受影响产品数量，节约成本。
本领域技术人员均应了解，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，可以对本发明进行各种修改和变型。因而，如果任何修改或变型落入所附权利要求书及等同物的保护范围内时，认为本发明涵盖这些修改和变型。

Claims (3)

1.一种离子注入段问题机台的判定方法，其特征在于，所述方法包括：
执行步骤S1：针对生产工艺中不同制程工序，以及在所述制程工序中进行不同离子注入的物质成分建立数据库；
执行步骤S2：在检测出颗粒缺陷时，测定所述颗粒成分，获得所述缺陷元素类型；
执行步骤S3：根据所述缺陷元素类型和制程工序，比照数据库，当所述缺陷元素类型与所述制程工序对应时，判定所述制程工序之离子注入机为离子注入段问题机台。
2.如权利要求1所述的离子注入段问题机台的判定方法，其特征在于，所述制程工序包括深N阱注入，采用P元素注入；P阱注入，采用B元素注入；N阱注入，采用As元素注入；N型轻掺杂漏极注入，采用BF2注入；以及P型轻掺杂漏极注入，采用C注入。
3.如权利要求1所述的离子注入段问题机台的判定方法，其特征在于，所述颗粒成分通过能量色散X射线光谱仪（EDX）测定。
CN201410060668.5A 2014-02-21 2014-02-21 离子注入段问题机台的判定方法 Active CN103839849B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410060668.5A CN103839849B (zh) 2014-02-21 2014-02-21 离子注入段问题机台的判定方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410060668.5A CN103839849B (zh) 2014-02-21 2014-02-21 离子注入段问题机台的判定方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103839849A true CN103839849A (zh) 2014-06-04
CN103839849B CN103839849B (zh) 2016-06-29

Family

ID=50803228

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410060668.5A Active CN103839849B (zh) 2014-02-21 2014-02-21 离子注入段问题机台的判定方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103839849B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109427522A (zh) * 2017-09-05 2019-03-05 日新离子机器株式会社 微粒诊断方法和微粒诊断装置
CN113804244A (zh) * 2020-06-17 2021-12-17 鸿富锦精密电子(天津)有限公司 缺陷分析方法及装置、电子装置及计算机可读存储介质

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59228726A (ja) * 1983-06-10 1984-12-22 Hitachi Ltd 不良解析装置
JPH02271551A (ja) * 1989-04-12 1990-11-06 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
US20020054703A1 (en) * 2000-11-09 2002-05-09 Takashi Hiroi Pattern inspection method and apparatus
CN101142475A (zh) * 2005-03-14 2008-03-12 Qc塞路斯公司 半导体晶片测量装置和方法
US20100178757A1 (en) * 2009-01-09 2010-07-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Process simulation method, semiconductor device manufacturing method, and process simulator
CN102832153A (zh) * 2012-09-11 2012-12-19 上海华力微电子有限公司 判断离子注入制程段中产生颗粒缺陷的机台的方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59228726A (ja) * 1983-06-10 1984-12-22 Hitachi Ltd 不良解析装置
JPH02271551A (ja) * 1989-04-12 1990-11-06 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
US20020054703A1 (en) * 2000-11-09 2002-05-09 Takashi Hiroi Pattern inspection method and apparatus
CN101142475A (zh) * 2005-03-14 2008-03-12 Qc塞路斯公司 半导体晶片测量装置和方法
US20100178757A1 (en) * 2009-01-09 2010-07-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Process simulation method, semiconductor device manufacturing method, and process simulator
CN102832153A (zh) * 2012-09-11 2012-12-19 上海华力微电子有限公司 判断离子注入制程段中产生颗粒缺陷的机台的方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109427522A (zh) * 2017-09-05 2019-03-05 日新离子机器株式会社 微粒诊断方法和微粒诊断装置
CN109427522B (zh) * 2017-09-05 2022-02-08 日新离子机器株式会社 微粒诊断方法和微粒诊断装置
CN113804244A (zh) * 2020-06-17 2021-12-17 鸿富锦精密电子(天津)有限公司 缺陷分析方法及装置、电子装置及计算机可读存储介质

Also Published As

Publication number Publication date
CN103839849B (zh) 2016-06-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103646892B (zh) 离子注入角度监控方法
CN103646893A (zh) 晶圆缺陷检测方法
CN102412168B (zh) 晶片缺陷的检测方法及***
CN102044458B (zh) 等离子体损伤程度的检测方法
CN103839849A (zh) 离子注入段问题机台的判定方法
CN104851876A (zh) 一种半导体器件可靠性测试结构的保护电路及保护方法
CN104966681A (zh) 一种基于视觉的晶圆偏转角度检测方法
CN104198495A (zh) 检测半导体衬底出现阶梯演变异常的方法
US10234500B2 (en) Systematic defects inspection method with combined eBeam inspection and net tracing classification
CN103904009A (zh) 一种监控离子注入机稳定性和均匀性的方法
CN104465435B (zh) 一种离子注入倾角的日常监控方法
CN103344898A (zh) 晶圆允收测试***及方法
CN102983096B (zh) 优化浅槽隔离刻蚀工艺的方法
CN103594311A (zh) 一种将点状离子束注入机导入量产的方法
CN102194650B (zh) 用于评价改善负偏压下温度不稳定性效应工艺效果的方法
CN102968003B (zh) 光刻胶的去除方法
CN103065991B (zh) 半导体器件之重复缺陷的检测方法
CN104157591B (zh) 离子注入机台水汽的检测方法
CN103715073B (zh) 改善离子注入的方法
Kuo et al. Mechanism and detection of poly gate leakage with nonvisual defects by voltage contrast inspection
CN106098583B (zh) 针对多晶硅氧化物栅极缺失的电子束扫描检测方法
CN103545231B (zh) 镍侵蚀缺陷在线检测方法
CN104217975A (zh) 一种测量ic塑封金线偏移量的方法
Bossers et al. Online univariate outlier detection in final test: A robust rolling horizon approach
CN105354858B (zh) 划片机查找同一街区特征点的方法、装置及划片机

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant