CN103792767B - 波长转换器件、其制造方法以及相关波长转换装置 - Google Patents
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US4528260A (en) * | 1983-04-27 | 1985-07-09 | Rca Corporation | Method of fabricating lenticular arrays |
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US4528260A (en) * | 1983-04-27 | 1985-07-09 | Rca Corporation | Method of fabricating lenticular arrays |
CN101369054A (zh) * | 2003-11-20 | 2009-02-18 | 株式会社尼康 | 光束变换元件、光学照明装置、曝光装置、以及曝光方法 |
JP2006350203A (ja) * | 2005-06-20 | 2006-12-28 | Seiko Epson Corp | 光学素子の製造方法、投射型表示装置 |
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