CN103744245A - 一种液晶显示器阵列基板及相应的液晶显示器 - Google Patents

一种液晶显示器阵列基板及相应的液晶显示器 Download PDF

Info

Publication number
CN103744245A
CN103744245A CN201310753035.8A CN201310753035A CN103744245A CN 103744245 A CN103744245 A CN 103744245A CN 201310753035 A CN201310753035 A CN 201310753035A CN 103744245 A CN103744245 A CN 103744245A
Authority
CN
China
Prior art keywords
line
common electrode
dot structure
liquid crystal
grid line
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201310753035.8A
Other languages
English (en)
Inventor
郑华
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority to CN201310753035.8A priority Critical patent/CN103744245A/zh
Priority to PCT/CN2014/070390 priority patent/WO2015100778A1/zh
Priority to US14/346,443 priority patent/US20160252789A1/en
Publication of CN103744245A publication Critical patent/CN103744245A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136213—Storage capacitors associated with the pixel electrode
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133514—Colour filters
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/13439—Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/13606—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit having means for reducing parasitic capacitance
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136218—Shield electrodes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

本发明实施例公开了一种阵列基板，包括：基板；在基板上形成的多个像素结构，其中，每一像素结构包括有：配置于所述基板上的栅线、共用电极线；位于所述栅线以及共用电极线之上并与两者相交的两条数据线；薄膜晶体管组件，电连接于所述数据线以及所述栅线；像素电极，电连接于所述薄膜晶体管组件，配置于所述栅线与所述共用电极线之间；其中，所述像素结构沿所述数据线延伸的方向成多行排列，相邻两行的所述像素结构以相反的方向依序排列，至少有相邻两行的所述像素结构共用所述共用电极线。本发明实施例还公开了相应的液晶显示器。本发明实施例的液晶显示器，可以降低数据线的电阻电容延迟，增加像素的供电率。

Description

一种液晶显示器阵列基板及相应的液晶显示器
技术领域
本发明涉及薄膜晶体管液晶显示器（Thin Film Transistor liquid crystaldisplay，TFT-LCD）领域，特别涉及一种液晶显示器阵列基板及相应的液晶显示器。
背景技术
对于TFT-LCD，其驱动电路一般都含有栅线（Gate）、数据线（Data）、薄膜晶体管（TFT）以及共用电极线（Com）等必需元件。在现有的一种光刻工艺中，栅线和共用电极线经常使用同层金属来制备。
如图1所示，示出了现有的一种液晶显示器阵列基板上的像素的结构示意图。该像素结构是在阵列基板上采用五道光刻（5Mask）制程的过程中形成的，其中，该像素1在基板上形成，其中，该像素1的像素结构16的大小以一方框标出，该像素结构16包括：
在基板上面的第一层金属层上，形成有栅线10和共用电极线11；
在第二层金属层上，形成有两条数据线12，该两条数据线12位于栅线10以及共用电极线11之上并与两者相交；
薄膜晶体管组件13，电连接于数据线12以及栅线11；
像素电极15，电连接于所述薄膜晶体管组件13,配置于栅线10与数据线12之间，其可以采用氧化铟锡（ITO）电极；
其中，薄膜晶体管组件13包括通过非晶硅层制作的有源层，以及由第二层金属层形成的源极和漏极，通过一个过孔14将第一层金属层与第二层金属层连接起来。
如图2所示，示出了现有的一种液晶显示器的阵列基板的结构示意图。在现有的这种阵列基板中，多个像素结构16沿数据线12延伸的方向成多行排列，以及沿数据线12的垂直方向成多列排列。相邻两行的像素结构以相同的方向依序排列。
由于在这种阵列基板上，栅线10和共用电极线11由同层金属形成，故，栅线10和共用电极线11只能平行走线。假设该液晶显示器有N行像素（图中仅示出了4行），则必有N行栅线10和N行共用电极线11。对于每根数据线12而言，它均会跨过这N行栅线10和N行共用电极线11。分别形成N个数据线/栅线寄生电容（图中以虚线圆圈A示出）和N个数据线/共用电极线寄生电容（图中以虚线圆圈B示出）。
上述的缺陷在于，寄生电容会引起电阻电容延迟（RC Delay），会造成数据线上的信号波形出现失真，从而导致像素充电异常（如，充电不足或错充）。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于，提供一种液晶显示器阵列基板及相应的液晶显示器，可以降低数据线的电阻电容延迟，增加像素的供电率。
为了解决上述技术问题，本发明的实施例的一方面提供了一种液晶显示器阵列基板，包括：
基板；
在基板上形成的多个像素结构，其中，每一像素结构包括有：
配置于基板上由同层金属形成的栅线、共用电极线；
位于栅线以及共用电极线之上并与两者相交的数据线；
薄膜晶体管组件，电连接于数据线以及栅线;
像素电极，电连接于薄膜晶体管组件,配置于栅线与共用电极线之间；
其中，像素结构沿数据线延伸的方向成多行排列，相邻两行的像素结构以相反的方向依序排列，至少有相邻两行的像素结构共用共用电极线。
其中，像素结构沿与数据线垂直的方向成多列排列，相邻两列的像素结构以相同的方向依序排列。
其中，像素结构中栅线与共用电极线分别位于两端部，且其中栅线相互远离的相邻两行像素结构共用共用电极线。
其中，共用电极线的宽度处于2-30um之间。
其中，第一像素电极为一透明电极。
相应地，本发明的实施例的另一方面提供了一种液晶显示器，包括：
阵列基板；
彩色滤光片基板，与阵列基板相对；以及
液晶层,配置于阵列基板与彩色滤光片基板之间；
其中，阵列基板，包括：
基板；
在基板上形成的多个像素结构，其中，每一像素结构包括有：
配置于基板上由同层金属形成的栅线、共用电极线；
位于栅线以及共用电极线之上并与两者相交的两条数据线；
薄膜晶体管组件，电连接于数据线以及栅线;
像素电极，电连接于薄膜晶体管组件,配置于栅线与共用电极线之间；
其中，像素结构沿数据线延伸的方向成多行排列，相邻两行的像素结构以相反的方向依序排列，至少有相邻两行的像素结构共用共用电极线。
其中，像素结构沿与数据线垂直的方向成多列排列，相邻两列的像素结构以相同的方向依序排列。
其中，像素结构中栅线与共用电极线分别位于两端部，且其中栅线相互远离的相邻两行像素结构共用的共用电极线。
其中，共用电极线的宽度处于2-20um之间。
其中，第一像素电极为一透明电极。
实施本发明的实施例，具有如下的有益效果：
本发明的实施例中，通过将配置于阵列基板上的像素结构沿数据线延伸的方向成多行排列，相邻两行的像素结构以相反的方向依序排列，使其中栅线相互远离的相邻两行像素结构会共用其共用电极线。从而减少了整个阵列基板上的数据线相交共用电极线的次数，从而降低了数据线/共用电极线寄生电容的数量；可以降低数据线的电阻电容延迟（RC Delay），增加像素的供电率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1为现有的一种液晶显示器阵列基板上的像素结构的结构示意图；
图2为现有的一种液晶显示器的阵列基板的结构示意图；
图3为本发明提供的一种液晶显示器阵列基板上的像素结构的一个实施例的结构示意图；
图4为本发明的一种液晶显示器的阵列基板的一个实施例的结构示意图；
图5为本发明与现有技术的电性比较图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附图，用以式例本发明可以用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。
如图3所示，示出了本发明提供的一种液晶显示器阵列基板上的像素结构的结构示意图。该像素结构460在基板上形成，其中，该像素结构460是由相邻两条数据线42、栅线40以及共用电极线41互相交错形成的区域，其中，数据线42用以传送对应像素的信号，栅线40用以传送扫描信号，共用电级线41则用于为像素提供的共用电压。
具体地，该像素结构46包括：
配置于阵列基板上由同层金属（第一层金属层）形成的栅线40和共用电极线41，其中，40栅线与共用电极线41分别位于该像素结构46的两端部；
在第二层金属层上，形成有两条数据线42，该两条数据线42位于栅线40以及共用电极线41之上并与两者相交；
薄膜晶体管组件43，电连接于数据线42以及栅线41上；
像素电极45，电连接于所述薄膜晶体管组件43，配置于栅线40与数据线42之间，其为一透明电极，材料优选为氧化铟锡（Indium Tin Oxide，ITO）；
其中，薄膜晶体管组件43包括通过非晶硅层制作的有源层，以及由第二层金属层形成的源极和漏极，通过一个过孔41将第一层金属层与第二层金属层连接起来。
如图4所示，示出了本发明的一种液晶显示器的阵列基板的一个实施例的结构示意图。在该实施例中，配置于阵列基板50上的像素结构沿数据线42延伸的方向成多行排列，相邻两行的像素结构以相反的方向依序排列，也就是说，在阵列基板500上的像素结构460、461、462、463呈现一上一下的依序排列。在此种排列方式下，其中会有至少一部的相邻两行的像素结构的共用该共用电极线11。而多个像素结构沿与数据线42垂直的方向成多列排列，相邻两列的像素结构以相同的方向依序排列。
在此种排列方式下，其中栅线40相互远离的相邻两行像素结构会共用其共用电极线41。从图中可以看出，相邻的像素结构460和461，以及像素结构462和像素结构463会共用两者的共用电极线11；而像素结构461和像素结构462的共用电极线11会远离。即在本实施例中，选择使栅线11相互远离的两个像素结构461和462（或462和463）共用同一条共用电极线41，其中，该共用电极线41的宽度处于2um～20um之间。
由于这样的设计，与前述现有技术图2中示出的阵列基板相比，虽然数据线/栅线寄生电容的数量不变，仍为N个（见图中虚线圆圈A所示，图中每列为4个）；但可以使整个阵列基板50上的数据线42相交共用电极线41的次数减半，意即数据线42与共用电极线41形成的数据线/共用电极线寄生电容大小减半，大约为N/2个（见图中虚线圈B，图中每列减为两个），其中，N为像素结构的数量。因为，减少了数据线/共用电极线寄生电容的数量，从而可以减小数据线的电阻电容延迟（RC Delay），故可以提高像素的充电率，以及减轻错充的机会。
如图5所示，示出了本发明与现有技术中的电性比较图。其中，方形脉冲波形为理论上理想的数据线的信号波形，实线为对本发明的一个实施例中的阵列基板所量测到的数据线的信号波形，虚线为对现有设计中的一种阵列基板所量测到的数据线的信号波形。从中可以看出，本发明实施例所提供的阵列基板所测到的的信号波形更接近理想波形，其电阻电容延迟（RC Delay）更小，而像素充电率更高，错充减轻。
本发明还涉及一种液晶显示器包括:如本发明的图3和图4所描述的阵列基板；彩色滤光片基板，其与所述阵列基板相对；以及液晶层，垂直配向于所述阵列基板与所述彩色滤光片基板之间。
实施本发明，具有如下的有益效果：
本发明的实施例中，通过将配置于阵列基板上的像素结构沿数据线延伸的方向成多行排列，相邻两行的像素结构以相反的方向依序排列，使其中栅线相互远离的相邻两行像素结构会共用其共用电极线。从而减少了整个阵列基板上的数据线相交共用电极线的次数，从而降低了数据线/共用电极线寄生电容的数量；减小了数据线的电阻电容延迟（RC Delay），故可以提高像素的充电率，以及减轻了错充。
本发明的液晶显示器相较于现有技术的液晶显示器具有更低的数据线的电阻电容延迟，因此，不但可得到更高的像素的充电率，也可减少额外拉线的成本。
以上所揭露的仅为本发明较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，因此等同变化，仍属本发明所涵盖的范围。

Claims (10)

1.一种液晶显示器阵列基板，其特征在于，包括：
基板；
在基板上形成的多个像素结构，其中，每一像素结构包括有：
配置于所述基板上由同层金属形成的栅线、共用电极线；
位于所述栅线以及共用电极线之上并与两者相交的数据线；
薄膜晶体管组件，电连接于所述数据线以及所述栅线;
像素电极，电连接于所述薄膜晶体管组件，配置于所述栅线与所述共用电极线之间；
其中，所述像素结构沿所述数据线延伸的方向成多行排列，相邻两行的所述像素结构以相反的方向依序排列，至少有相邻两行的所述像素结构共用所述共用电极线。
2.根据权利要求1所述的液晶显示器阵列基板，其特征在于，所述像素结构沿与所述数据线垂直的方向成多列排列，相邻两列的所述像素结构以相同的方向依序排列。
3.根据权利要求2所述的液晶显示器阵列基板，其特征在于，所述像素结构中所述栅线与所述共用电极线分别位于两端部，且其中栅线相互远离的相邻两行像素结构共用所述共用电极线。
4.根据权利要求3所述的液晶显示器阵列基板，其特征在，所述共用电极线的宽度处于2-20um之间。
5.根据权利要求1至4任一项所述的液晶显示器阵列基板，其特征在于，所述第一像素电极为一透明电极。
6.一种液晶显示器,包括：
阵列基板；
彩色滤光片基板，与所述阵列基板相对；以及
液晶层,配置于所述阵列基板与所述彩色滤光片基板之间；
其特征在于，所述阵列基板，包括：
基板；
在基板上形成的多个像素结构，其中，每一像素结构包括有：
配置于所述基板上由同层金属形成的栅线、共用电极线；
位于所述栅线以及共用电极线之上并与两者相交的两条数据线；
薄膜晶体管组件，电连接于所述数据线以及所述栅线;
像素电极，电连接于所述薄膜晶体管组件,配置于所述栅线与所述共用电极线之间；
其中，所述像素结构沿所述数据线延伸的方向成多行排列，相邻两行的所述像素结构以相反的方向依序排列，至少有相邻两行的所述像素结构共用所述共用电极线。
7.根据权利要求6所述的液晶显示器，其特征在于，所述像素结构沿与所述数据线垂直的方向成多列排列，相邻两列的所述像素结构以相同的方向依序排列。
8.根据权利要求7所述的液晶显示器，其特征在于，所述像素结构中所述栅线与所述共用电极线分别位于两端部，且其中栅线相互远离的相邻两行像素结构共用所述的共用电极线。
9.根据权利要求8所述的液晶显示器，其特征在，所述共用电极线的宽度处于2-20um之间。
10.根据权利要求6至9任一项所述的液晶显示器，其特征在于，所述第一像素电极为一透明电极。
CN201310753035.8A 2013-12-31 2013-12-31 一种液晶显示器阵列基板及相应的液晶显示器 Pending CN103744245A (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310753035.8A CN103744245A (zh) 2013-12-31 2013-12-31 一种液晶显示器阵列基板及相应的液晶显示器
PCT/CN2014/070390 WO2015100778A1 (zh) 2013-12-31 2014-01-09 一种液晶显示器阵列基板及相应的液晶显示器
US14/346,443 US20160252789A1 (en) 2013-12-31 2014-01-09 Liquid Crystal Display Array Substrate and Related Liquid Crystal Display

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310753035.8A CN103744245A (zh) 2013-12-31 2013-12-31 一种液晶显示器阵列基板及相应的液晶显示器

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN103744245A true CN103744245A (zh) 2014-04-23

Family

ID=50501277

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310753035.8A Pending CN103744245A (zh) 2013-12-31 2013-12-31 一种液晶显示器阵列基板及相应的液晶显示器

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20160252789A1 (zh)
CN (1) CN103744245A (zh)
WO (1) WO2015100778A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016123985A1 (zh) * 2015-02-02 2016-08-11 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法和驱动方法、显示装置
EP3200231A4 (en) * 2014-09-25 2018-06-06 Boe Technology Group Co. Ltd. Array substrate, manufacturing method thereof and display device

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104795405B (zh) * 2015-04-23 2017-12-05 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示装置
CN206020892U (zh) * 2016-08-31 2017-03-15 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示面板及显示装置
US10249649B2 (en) * 2017-03-10 2019-04-02 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Thin film transistor array substrate and display panel
CN113485046B (zh) * 2021-07-23 2022-08-02 武汉华星光电技术有限公司 显示面板及显示装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6040882A (en) * 1996-10-16 2000-03-21 Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Liquid crystal display device having "H" character common electrode and method of fabricating thereof
US20010046003A1 (en) * 2000-05-23 2001-11-29 Song Jang-Kun Thin film transistor substrate for a liquid crystal display and a method for repairing the substrate
CN101097368A (zh) * 2006-06-27 2008-01-02 Lg.菲利浦Lcd株式会社 用于液晶显示器件的阵列基板及其制造方法
CN101344657A (zh) * 2007-07-13 2009-01-14 群康科技(深圳)有限公司 液晶显示器及其公共电压驱动方法
CN101825816A (zh) * 2009-03-06 2010-09-08 北京京东方光电科技有限公司 Tft-lcd阵列基板及其制造方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101493615B (zh) * 2008-01-21 2011-05-04 北京京东方光电科技有限公司 薄膜晶体管液晶显示器的驱动装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6040882A (en) * 1996-10-16 2000-03-21 Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Liquid crystal display device having "H" character common electrode and method of fabricating thereof
US20010046003A1 (en) * 2000-05-23 2001-11-29 Song Jang-Kun Thin film transistor substrate for a liquid crystal display and a method for repairing the substrate
CN101097368A (zh) * 2006-06-27 2008-01-02 Lg.菲利浦Lcd株式会社 用于液晶显示器件的阵列基板及其制造方法
CN101344657A (zh) * 2007-07-13 2009-01-14 群康科技(深圳)有限公司 液晶显示器及其公共电压驱动方法
CN101825816A (zh) * 2009-03-06 2010-09-08 北京京东方光电科技有限公司 Tft-lcd阵列基板及其制造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3200231A4 (en) * 2014-09-25 2018-06-06 Boe Technology Group Co. Ltd. Array substrate, manufacturing method thereof and display device
WO2016123985A1 (zh) * 2015-02-02 2016-08-11 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法和驱动方法、显示装置
US10042461B2 (en) 2015-02-02 2018-08-07 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate, manufacturing and driving methods thereof, and display device

Also Published As

Publication number Publication date
WO2015100778A1 (zh) 2015-07-09
US20160252789A1 (en) 2016-09-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103163697B (zh) 像素阵列结构
CN103728799B (zh) 具有最小边框的液晶显示装置
CN103869564A (zh) 液晶显示设备
JP5643422B2 (ja) 液晶表示装置
CN103472647B (zh) 一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置
CN103744245A (zh) 一种液晶显示器阵列基板及相应的液晶显示器
CN107272292B (zh) 一种显示基板、显示面板及显示装置
JP5322377B2 (ja) 液晶表示装置及びその駆動方法
US10354606B2 (en) Display panel with compensation capacitors
CN104699321A (zh) 触控显示基板和触控显示装置
JP5143393B2 (ja) 液晶表示装置
CN103488009B (zh) 一种阵列基板及控制方法、液晶显示装置
CN104238212A (zh) 液晶显示装置及其驱动方法
US8916879B2 (en) Pixel unit and pixel array
KR20080009889A (ko) 액정 표시 장치
CN104360556A (zh) 一种液晶显示面板及阵列基板
CN105068344A (zh) 显示面板及其像素阵列
CN103676369A (zh) 一种阵列基板及其制造方法、显示器件
CN203643725U (zh) 一种液晶显示装置
CN103728800B (zh) 一种能消除可移动云纹的液晶显示器
CN213750598U (zh) 显示面板
CN104749844A (zh) 静电防护电路、阵列基板、显示面板和显示装置
CN104035257A (zh) 像素阵列及其制作方法、显示面板
CN105093606A (zh) 阵列基板、液晶显示面板和液晶显示装置
CN103185997A (zh) 像素结构及薄膜晶体管阵列基板

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20140423