CN103730593A - 一种有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents

一种有机电致发光器件及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103730593A
CN103730593A CN201210388816.7A CN201210388816A CN103730593A CN 103730593 A CN103730593 A CN 103730593A CN 201210388816 A CN201210388816 A CN 201210388816A CN 103730593 A CN103730593 A CN 103730593A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
barrier layer
organic
organic barrier
nitride
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201210388816.7A
Other languages
English (en)
Inventor
周明杰
王平
钟铁涛
冯小明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Shenzhen Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Shenzhen Oceans King Lighting Engineering Co Ltd
Original Assignee
Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Shenzhen Oceans King Lighting Engineering Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd, Shenzhen Oceans King Lighting Engineering Co Ltd filed Critical Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Priority to CN201210388816.7A priority Critical patent/CN103730593A/zh
Publication of CN103730593A publication Critical patent/CN103730593A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明提供了一种有机电致发光器件，依次包括阳极导电基板、功能层、发光层、阴极层和封装层，阳极导电基板和封装层形成封闭空间，功能层、发光层和阴极层容置在该封闭空间内，封装层依次包括保护层、阻挡层和聚对苯二甲酸乙二酯膜，阻挡层依次包括第一有机阻挡层、氧化物层、第二有机阻挡层和氮化物层，第一有机阻挡层和第二有机阻挡层材质相同。所述第一有机阻挡层、氧化物层、第二有机阻挡层和氮化物层形成一个基本结构，所述阻挡层为多个基本结构重复形成。本发明还提供了该有机电致发光器件的制备方法，该方法可有效地减少水汽、氧对有机电致发光器件的侵蚀，可显著地提高有机电致发光器件的寿命。

Description

一种有机电致发光器件及其制备方法
技术领域
本发明涉及电子器件相关领域，尤其涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
有机电致发光器件（OLED）是基于有机材料的一种电流型半导体发光器件。其典型结构是在ITO玻璃上制备几十纳米厚的有机发光材料作发光层，发光层上方有低功函数的金属电极。当电极上加有电压时，发光层就产生光辐射。
OLED器件具有主动发光、发光效率高、功耗低、轻、薄、无视角限制等优点，被业内人士认为是最有可能在未来的照明和显示器件市场上占据霸主地位的新一代器件。作为一项崭新的照明和显示技术，OLED技术在过去的十多年里发展迅猛，取得了巨大的成就。由于全球越来越多的照明和显示厂家纷纷投入研发，大大的推动了OLED的产业化进程，使得OLED产业的成长速度惊人，目前已经到达了大规模量产的前夜。
有机电致发光器件目前普遍存在寿命短，因此封装的好坏直接影响器件的寿命。传统技术中采用玻璃盖或金属盖进行封装，其边沿用紫外聚合树脂密封，但这种方法中使用的玻璃盖或金属盖体积往往较大，增加了器件的重量。
发明内容
为克服上述现有技术的缺陷，本发明提供了一种有机电致发光器件及其制备方法。本发明有机电致发光器件可有效地减少水汽、氧对有机电致发光器件的侵蚀，保护有机电致发光器件的有机功能材料和电极免遭破坏，满足封装的密封性要求，可显著地提高OLED器件的寿命，本发明制备方法简单，易大面积制备，适于工业化大规模使用。
一方面，本发明提供了一种有机电致发光器件，依次包括阳极导电基板、功能层、发光层、阴极层和封装层，阳极导电基板和封装层形成封闭空间，功能层、发光层和阴极层容置在该封闭空间内，所述封装层依次包括保护层、阻挡层和聚对苯二甲酸乙二酯（PET）膜；
所述阻挡层依次包括第一有机阻挡层、氧化物层、第二有机阻挡层和氮化物层，所述第一有机阻挡层、氧化物层、第二有机阻挡层和氮化物层形成一个基本结构，所述阻挡层为多个基本结构重复形成。
所述第一有机阻挡层和第二有机阻挡层材质相同，均为聚四氟乙烯、甲基丙烯酸树脂或甲基环戊烯醇酮；
所述氧化物层材质为二氧化硅（SiO2）、氧化铝（Al2O3）、二氧化钛（TiO2）、二氧化锆（ZrO2）、二氧化铪（HfO2）或五氧化二钽（Ta2O5）；
所述氮化物层材质为氮化硅（Si3N4）、氮化铝（AlN）、氮化硼（BN）、一氮化硅（SiN）、氮化钽（TaN）或氮化钛（TiN）。
第一有机阻挡层和第二有机阻挡层属于有机阻挡层，有机阻挡层的存在一方面可以阻挡外部水、氧等活性物质对有机电致发光器件的侵蚀，另一方面可以增加封装层的柔性，防止封装层的出现裂纹，同时有机阻挡层具有质量轻、制备简便等优点。有机阻挡层的重复制备强化了封装层的柔韧性。
氧化物层和氮化物层属于无机阻挡层，绝缘性好，具有良好的水、氧阻隔能力。同时由于氧化层和氮化物层材质和性质不同，单一氧化层或单一氮化物层存在缺陷时，不会影响其他层的绝缘效果，提高封装效果，延长封装寿命。
优选地，氧化物层的厚度为100nm～150nm。
优选地，氮化物层的厚度为100nm～150nm。
优选地，所述阻挡层为3～4个基本结构重复形成。
所述阻挡层可以减小单一有机阻挡层、单一无机阻挡层的缺陷对封装效果的影响，延长水、氧渗透路径，使水、氧进入有机电致发光器件的路径更加复杂，有效减少外部水、氧等活性物质对有机电致发光器件的侵蚀，同时可以提高封装层的柔韧性，达到封装要求。
通过真空蒸镀的方法在阴极层上制备保护层，保护层的存在可以保护阴极在后续操作过程中免遭破坏。
保护层材料选自有机小分子材料、无机材料或金属材料中的一种，优选自酞菁铜（CuPc）、N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺（NPB）、八羟基喹啉铝（Alq3）、氧化硅（SiO）、氟化镁（MgF2）或硫化锌（ZnS）。
优选地，保护层的厚度为200nm～300nm。
在带有所述阻挡层的PET膜边缘涂布封装胶，将所述有机电致发光器件封装在所述PET膜和基板内。
优选地，阳极导电基板为导电玻璃基板或导电有机薄膜基板。
功能层通常包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层。发光层设置于空穴传输层和电子传输层之间。优选地，功能层和发光层为通过真空蒸镀的方法设置。
采用蒸镀方法制备阴极层。
优选地，阴极层为金属阴极层。
更优选地，阴极层为铝、银或金。
另一方面，本发明提供了一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
（1）在洁净的导电玻璃基板或导电有机薄膜基板上制备有机电致发光器件的阳极图形；采用真空蒸镀的方法在基板上制备功能层、发光层和阴极层；
（2）采用真空蒸镀的方法在阴极层上制备保护层；
（3）在PET膜上制备阻挡层，阻挡层的制备方法如下：
（a）在PET膜上采用先旋涂后曝光的方法制备第一有机阻挡层，第一有机阻挡层的材质为聚四氟乙烯、甲基丙烯酸树脂或甲基环戊烯醇酮；
（b）采用磁控溅射的方法在第一有机阻挡层上制备氧化物层，氧化物层材质为SiO2、Al2O3、TiO2、ZrO2、HfO2或Ta2O5；
（c）采用先旋涂后曝光的方法在氧化物层上制备第二有机阻挡层，第二有机阻挡层和第一有机阻挡层材质和制备方法相同；
（d）采用磁控溅射的方法在第二有机阻挡层上制备氮化物层，氮化物层材质为Si3N4、AlN、BN、SiN、TaN或TiN；
（e）在步骤（d）后采用和步骤（a）相同的方法和材质在氮化物层上制备第一有机阻挡层，再在所述第一有机阻挡层上采用步骤（b）相同的方法和材质制备氧化物层，在所述的氧化物层上采用步骤（c）相同的方法和材质制备第二有机阻挡层，在所述的第二有机阻挡层上采用步骤（d）相同的方法和材质制备氮化物层，所述第一有机阻挡层、氧化物层、第二有机阻挡层和氮化物层形成一个基本结构，制备多个所述基本结构重复形成阻挡层。
（4）在带有所述阻挡层的PET膜边缘涂布封装胶，用UV光进行固化，将所述有机电致发光器件封装在所述PET膜和基板内。
优选地，步骤（3）中第一有机阻挡层和第二有机阻挡层的制备条件均为：采用先旋涂后曝光的方法制备，在惰性氛围下制备，涂胶厚度1～1.5μm，然后用UV光进行固化，光强10～15mW/cm2，曝光时间200～300s。
优选地，步骤（3）中氧化物层的制备条件为：采用磁控溅射方法制备，本底真空度为1×10-5～1×10-3Pa。
优选地，步骤（3）氮化物层的制备条件为：采用磁控溅射方法制备，本底真空度为1×10-5～1×10-3Pa。
优选地，所述阻挡层为3～4个基本结构重复形成。
所述阻挡层结构可以延长水、氧渗透路径，有效减少外部水、氧等活性物质对有机电致发光器件的侵蚀，弥补了单一无机物层和单一有机物层的缺点，使封装层质量更轻、阻隔水、氧的能力更强。
步骤（2）通过真空蒸镀的方法在阴极层上制备保护层，保护层的存在可以保护功能层和金属阴极在后续操作过程中免遭破坏。
优选地，保护层的材质为CuPc、NPB、Alq3、SiO、MgF2或ZnS。优选地，保护层的厚度为200nm～300nm。
优选地，步骤（2）真空蒸镀过程的真空度1×10-5Pa～1×10-3Pa，蒸发速度
Figure BDA00002255159300051
步骤（4）为在带有所述无机阻挡层和有机阻挡层的PET膜边缘涂布封装胶，用UV光进行固化，将所述有机电致发光器件封装在所述PET膜和基板内。
优选地，用UV光进行固化时，光强为15～25mW/cm2，曝光时间为300～400s。
优选地，阳极基板为导电玻璃基板或导电有机薄膜基板。
采用真空蒸镀的方法在基板上制备功能层、发光层和阴极层。
功能层通常包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层。发光层设置于空穴传输层和电子传输层之间。
采用蒸镀方法制备阴极层。
优选地，阴极层为金属阴极层。
更优选地，阴极层为铝、银或金。
本发明提供了一种有机电致发光器件及其制备方法具有以下有益效果：
（1）本发明有机电致发光器件可以有效地减少外部水、氧等活性物质对有机电致发光器件的侵蚀，从而对器件有机功能材料及电极形成有效的保护，显著地提高有机电致发光器件的寿命；
（2）本发明有机电致发光器件封装层的防水性能（WVTR）达到4.3×10-6g/m2·day，寿命达14,500小时以上（T701000cd/m2）；
（3）本发明有机电致发光器件材料廉价，制备方法简单，易大面积制备，适于工业化大规模使用。
附图说明
图1是本发明实施例1制备的有机电致发光器件的结构示意图。
具体实施方式
以下所述是本发明的优选实施方式。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和调整，这些改进和调整也视为在本发明的保护范围内。
实施例1：
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
（1）ITO玻璃基板1前处理：丙酮清洗→乙醇清洗→去离子水清洗→乙醇清洗，均用超声波清洗机进行清洗，单项洗涤清洗5分钟，然后用氮气吹干，烘箱烤干待用；对洗净后的ITO玻璃基板1还需进行表面活化处理，以增加导电表面层的含氧量，提高导电层表面的功函数；ITO厚度为100nm；
（2）功能层及发光层的制备：空穴注入层2：在ITO玻璃基板1上蒸镀MoO3掺杂NPB得到的混合材料，MoO3的掺杂质量分数为30%，蒸镀均采用高真空镀膜设备进行，蒸镀时真空度为1×10-5Pa，蒸发速度为
Figure BDA00002255159300061
得到空穴注入层2，厚度为10nm;
空穴传输层3：采用4,4',4″-三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA）作为空穴传输材料，在空穴注入层2上蒸镀TCTA，真空度1×10-5Pa，蒸发速度
Figure BDA00002255159300062
蒸发厚度30nm；
发光层4：在空穴传输层3上蒸镀发光层4，发光层4主体材料采用1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBI），客体材料采用三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)，客体材料质量占主体材料的5％，蒸镀真空度1×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度20nm；
电子传输层5的制备：在发光层4上蒸镀4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）作为电子传输材料，真空度1×10-5Pa，蒸发速度
Figure BDA00002255159300064
蒸发厚度10nm；
电子注入层6的制备：在电子传输层5上蒸镀电子注入材料形成电子注入层6，电子注入层6材质为CsN3掺杂Bphen，，掺杂质量分数30%，真空度1×10-5Pa，蒸发速度
Figure BDA00002255159300065
蒸发厚度20nm；
（3）阴极层7的制备：在电子注入层6上蒸镀金属阴极7，金属阴极7采用铝（Al），厚度为100nm，蒸镀真空度1×10-5Pa，蒸发速度
Figure BDA00002255159300066
（4）保护层801的制备：采用真空蒸镀的方法在阴极层7上制备NPB，真空度5×10-5Pa，蒸发速度
Figure BDA00002255159300067
厚度300nm；
（5）阻挡层的制备：
（a）第一有机阻挡层813的制备：在PET膜814上制备第一有机阻挡层813，第一有机阻挡层813材料为甲基丙烯酸树脂，采用先旋涂后曝光的方法制备，在惰性氛围下制备，涂胶厚度1.2μm，然后用UV光（λ＝365nm）进行固化，光强12mW/cm2，曝光时间250s；
（b）氧化物层812的制备：在第一有机阻挡层813上制备，氧化物层812材料为Al2O3，采用磁控溅射制备，本底真空度5×10-5Pa，厚度120nm；
（c）第二有机阻挡层811的制备：在氧化物层812上制备，第二有机阻挡层811的材质和制备方法同第一有机阻挡层813；
（d）氮化物层810的制备：在第二有机阻挡层811上制备，氮化物层810材料为AlN，采用磁控溅射方法制备，本底真空度5×10-5Pa，厚度120nm；
（e）第一有机阻挡层805、809，氧化物层804、808，第二有机阻挡层803、807，氮化物层802、806的制备：在步骤（d）后采用和步骤（a）相同的方法和材质在氮化物层810上制备第一有机阻挡层809，再在第一有机阻挡层809上采用步骤（b）相同的方法和材质制备氧化物层808，在氧化物层808上采用步骤（c）相同的方法和材质制备第二有机阻挡层807，在第二有机阻挡层807上采用步骤（d）相同的方法和材质制备氮化物层806，再在氮化物层806上采用和步骤（a）相同的方法和材质制备第一有机阻挡层805，在第一有机阻挡层805上采用步骤（b）相同的方法和材质制备氧化物层804，在氧化物层804上采用步骤（c）相同的方法和材质制备第二有机阻挡层803，在第二有机阻挡层803采用步骤（d）相同的方法和材质制备氮化物层802，最终得到含有3层基本结构的阻挡层。
（6）PET膜814的覆盖：在带有阻挡层的PET膜814边缘涂布封装胶，用UV光（λ＝365nm）进行固化，光强15mW/cm2，曝光时间300s；将所述的有机电致发光器件封装在所述PET膜814及玻璃基板1内。
本实施例有机电致发光器件的水氧渗透率（WVTR，g/m2·day）为4.6×10-6，有机电致发光器件的寿命为15,809h（T701000cd/m2）。
图1是本发明实施例1制得的有机电致发光器件的结构示意图。如图1所示，本实施例有机电致发光器件，依次包括ITO玻璃基板1、空穴注入层2、空穴传输层3、发光层4、电子传输层5、电子注入层6、阴极层7和封装层8，封装层8依次包括保护层801，氮化物层802、806、810，第二有机阻挡层803、807、811，氧化物层804、808、812，第一有机阻挡层805、809、813和PET膜814，第一有机阻挡层813制备在PET膜814上。ITO玻璃基板1和封装层8通过封装胶密封形成封闭空间，空穴注入层2、空穴传输层3、发光层4、电子传输层5、电子注入层6、阴极层7容置在该封闭空间内。
实施例2：
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
（1）、（2）、（3）同实施例1；
（4）保护层的制备：采用真空蒸镀的方法在阴极层上制备CuPc，真空度1×10-5Pa，蒸发速度
Figure BDA00002255159300081
厚度200nm；
（5）阻挡层的制备：
（a）第一有机阻挡层的制备：在PET膜上制备，第一有机阻挡层为聚四氟乙烯，采用先旋涂后曝光的方法制备，在惰性氛围下制备，涂胶厚度1.5μm，然后用UV光（λ=365nm）进行固化，光强15mW/cm2，曝光时间300s；
（b）氧化物层的制备：在第一有机阻挡层上制备，氧化物层材料为SiO2，采用磁控溅射制备，本底真空度1×10-5Pa，厚度150nm；
（c）第二有机阻挡层的制备：在氧化物层上制备，第二有机阻挡层的材质和制备方法同第一有机阻挡层；
（d）氮化物层的制备：在第二有机阻挡层上制备，氮化物层材料为Si3N4，采用磁控溅射方法制备，本底真空度1×10-5Pa，厚度150nm；
（e）在步骤（d）后采用和步骤（a）相同的方法和材质制备第一有机阻挡层，再在所述第一有机阻挡层上采用步骤（b）相同的方法和材质制备氧化物层，在所述的氧化物层上采用步骤（c）相同的方法和材质制备第二有机阻挡层，在所述的第二有机阻挡层上采用步骤（d）相同的方法和材质制备氮化物层，所述第一有机阻挡层、氧化物层、第二有机阻挡层和氮化物层形成一个基本结构，制备多个所述基本结构重复形成阻挡层，最终得到含有4层基本结构的阻挡层；
（6）PET膜的覆盖：在带有阻挡层的PET膜边缘涂布封装胶，用UV光（λ＝365nm）进行固化，光强25mW/cm2，曝光时间400s；将所述的有机电致发光器件封装在所述PET膜及基板内。
本实施例有机电致发光器件的水氧渗透率（WVTR，g/m2·day）为4.3×10-6，有机电致发光器件的寿命为16,112h（T701000cd/m2）。
本实施例有机电致发光器件，依次包括ITO玻璃基板、功能层、发光层、阴极层、保护层、氮化物层、第二有机阻挡层、氧化层、第一有机阻挡层、氮化物层、第二有机阻挡层、氧化层、第一有机阻挡层、氮化物层、第二有机阻挡层、氧化层、第一有机阻挡层、氮化物层、第二有机阻挡层、氧化层、第一有机阻挡层和PET膜。ITO玻璃基板和PET膜通过封装胶密封形成封闭空间，功能层、发光层、阴极层、保护层、氮化物层、第二有机阻挡层、氧化层、第一有机阻挡层、氮化物层、第二有机阻挡层、氧化层、第一有机阻挡层、氮化物层、第二有机阻挡层、氧化层、第一有机阻挡层、氮化物层、第二有机阻挡层、氧化层、第一有机阻挡层容置在该封闭空间内。
实施例3：
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
（1）、（2）、（3）同实施例1；
（4）保护层的制备：采用真空蒸镀的方法在阴极层上制备Alq3，真空度5×10-5Pa，蒸发速度
Figure BDA00002255159300091
厚度250nm；
（5）阻挡层的制备:
（a）第一有机阻挡层的制备：在PET膜上制备，第一有机阻挡层为甲基环戊烯醇酮，采用先旋涂后曝光的方法制备，在惰性氛围下制备，涂胶厚度1μm，然后用UV光（λ＝365nm）进行固化，光强10mW/cm2，曝光时间200s；
（b）氧化物层的制备：在第一有机阻挡层上制备，氧化物层材料为TiO2，采用磁控溅射制备，本底真空度5×10-5Pa，厚度100nm；
（c）第二有机阻挡层的制备：在氧化物层上制备，第二有机阻挡层的材质和制备方法同第一有机阻挡层；
（d）氮化物层的制备：在第二有机阻挡层上制备，氮化物层的材料为BN，采用磁控溅射方法制备，本底真空度5×10-5Pa，厚度120nm；
（e）在步骤（d）后采用和步骤（a）相同的方法和材质制备第一有机阻挡层，再在所述第一有机阻挡层上采用步骤（b）相同的方法和材质制备氧化物层，在所述的氧化物层上采用步骤（c）相同的方法和材质制备第二有机阻挡层，在所述的第二有机阻挡层上采用步骤（d）相同的方法和材质制备氮化物层，所述第一有机阻挡层、氧化物层、第二有机阻挡层和氮化物层形成一个基本结构，制备多个所述基本结构重复形成阻挡层，最终得到含有3层基本结构的阻挡层；
（6）PET膜的覆盖：在带有阻挡层的PET膜边缘涂布封装胶，用UV光（λ=365nm）进行固化，光强20mW/cm2，曝光时间350s；将所述的有机电致发光器件封装在所述PET膜及基板内。
本实施例有机电致发光器件的水氧渗透率（WVTR，g/m2·day）为5.1×10-6，有机电致发光器件的寿命为15,305h（T701000cd/m2）。
本实施例有机电致发光器件，依次包括ITO玻璃基板、功能层、发光层、阴极层、保护层、氮化物层、第二有机阻挡层、氧化层、第一有机阻挡层、氮化物层、第二有机阻挡层、氧化层、第一有机阻挡层、氮化物层、第二有机阻挡层、氧化层、第一有机阻挡层和PET膜。ITO玻璃基板和PET膜通过封装胶密封形成封闭空间，功能层、发光层、阴极层、保护层、氮化物层、第二有机阻挡层、氧化层、第一有机阻挡层、氮化物层、第二有机阻挡层、氧化层、第一有机阻挡层、氮化物层、第二有机阻挡层、氧化层、第一有机阻挡层容置在该封闭空间内。
实施例4：
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
（1）、（2）、（3）同实施例1；
（4）保护层的制备：采用真空蒸镀的方法在阴极层上制备SiO，真空度5×10-5Pa，蒸发速度
Figure BDA00002255159300111
厚度200nm；
（5）阻挡层的制备：
（a）第一有机阻挡层的制备：在PET膜上制备，第一有机阻挡层材料为聚四氟乙烯，采用先旋涂后曝光的方法制备，在惰性氛围下制备，涂胶厚度1.2μm，然后用UV光（λ＝365nm）进行固化，光强11mW/cm2，曝光时间250s；
（b）氧化物层的制备：在第一有机阻挡层上制备，氧化物层为ZrO2，采用磁控溅射制备，本底真空度5×10-5Pa，厚度120nm；
（c）第二有机阻挡层的制备：在氧化物层上制备，第一有机阻挡层的材质和制备方法同第一有机阻挡层；
（d）氮化物层的制备：在第二有机阻挡层上制备，第二有机阻挡层材料为SiN，采用磁控溅射方法制备，本底真空度5×10-5Pa，厚度100nm；
（e）在步骤（d）后采用和步骤（a）相同的方法和材质制备第一有机阻挡层，再在所述第一有机阻挡层上采用步骤（b）相同的方法和材质制备氧化物层，在所述的氧化物层上采用步骤（c）相同的方法和材质制备第二有机阻挡层，在所述的第二有机阻挡层上采用步骤（d）相同的方法和材质制备氮化物层，所述第一有机阻挡层、氧化物层、第二有机阻挡层和氮化物层形成一个基本结构，制备多个所述基本结构重复形成阻挡层，最终得到含有3层基本结构的阻挡层；
（6）PET膜的覆盖：在带有阻挡层的PET膜边缘涂布封装胶，用UV光（λ=365nm）进行固化，光强20mW/cm2，曝光时间350s；将所述的有机电致发光器件封装在所述PET膜及基板内。
本实施例有机电致发光器件的水氧渗透率（WVTR，g/m2·day）为6.2×10-6，有机电致发光器件的寿命为15,008h（T701000cd/m2）。
本实施例有机电致发光器件，依次包括ITO玻璃基板、功能层、发光层、阴极层、保护层、氮化物层、第二有机阻挡层、氧化层、第一有机阻挡层、氮化物层、第二有机阻挡层、氧化层、第一有机阻挡层、氮化物层、第二有机阻挡层、氧化层、第一有机阻挡层和PET膜。ITO玻璃基板和PET膜通过封装胶密封形成封闭空间，功能层、发光层、阴极层、保护层、氮化物层、第二有机阻挡层、氧化层、第一有机阻挡层、氮化物层、第二有机阻挡层、氧化层、第一有机阻挡层、氮化物层、第二有机阻挡层、氧化层、第一有机阻挡层容置在该封闭空间内。
实施例5：
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
（1）、（2）、（3）同实施例1；
（4）保护层的制备：采用真空蒸镀的方法在阴极层上制备MgF2，真空度5×10-5Pa，蒸发速度
Figure BDA00002255159300121
厚度300nm；
（5）阻挡层的制备：
（a）第一有机阻挡层的制备：在PET膜上制备，第一有机阻挡层材料为甲基丙烯酸树脂，采用先旋涂后曝光的方法制备，在惰性氛围下制备，涂胶厚度1.2μm，然后用UV光（λ=365nm）进行固化，光强12mW/cm2，曝光时间260s；
（b）氧化物层的制备：在第一有机阻挡层上制备，氧化物层为HfO2，采用磁控溅射制备，本底真空度5×10-5Pa，厚度120nm；
（c）第二有机阻挡层的制备：在氧化物层上制备，第二有机阻挡层的材质和制备方法同第一有机阻挡层；
（d）氮化物层的制备：在第二有机阻挡层上制备，氮化物层材料为TaN，采用磁控溅射方法制备，本底真空度5×10-5Pa，厚度120nm；
（e）在步骤（d）后采用和步骤（a）相同的方法和材质制备第一有机阻挡层，再在所述第一有机阻挡层上采用步骤（b）相同的方法和材质制备氧化物层，在所述的氧化物层上采用步骤（c）相同的方法和材质制备第二有机阻挡层，在所述的第二有机阻挡层上采用步骤（d）相同的方法和材质制备氮化物层，所述第一有机阻挡层、氧化物层、第二有机阻挡层和氮化物层形成一个基本结构，制备多个所述基本结构重复形成阻挡层，最终得到含有3层基本结构的阻挡层；
（6）PET膜的覆盖：在带有阻挡层的PET膜边缘涂布封装胶，用UV光（λ=365nm）进行固化，光强20mW/cm2，曝光时间350s；将所述的有机电致发光器件封装在所述PET膜及基板内。
本实施例有机电致发光器件的水氧渗透率（WVTR，g/m2·day）为6.5×10-6，有机电致发光器件的寿命为14,907h（T701000cd/m2）。
本实施例有机电致发光器件，依次包括ITO玻璃基板、功能层、发光层、阴极层、保护层、氮化物层、第二有机阻挡层、氧化层、第一有机阻挡层、氮化物层、第二有机阻挡层、氧化层、第一有机阻挡层、氮化物层、第二有机阻挡层、氧化层、第一有机阻挡层和PET膜。ITO玻璃基板和PET膜通过封装胶密封形成封闭空间，功能层、发光层、阴极层、保护层、氮化物层、第二有机阻挡层、氧化层、第一有机阻挡层、氮化物层、第二有机阻挡层、氧化层、第一有机阻挡层、氮化物层、第二有机阻挡层、氧化层、第一有机阻挡层容置在该封闭空间内。
实施例6：
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
（1）、（2）、（3）同实施例1；
（4）保护层的制备：采用真空蒸镀的方法在阴极层上制备ZnS，真空度1×10-3Pa，蒸发速度
Figure BDA00002255159300131
厚度250nm；
（5）阻挡层的制备：
（a）第一有机阻挡层的制备：在PET膜上制备，第一有机阻挡层材料为甲基环戊烯醇酮，采用先旋涂后曝光的方法制备，在惰性氛围下制备，涂胶厚度1.2μm，然后用UV光（λ=365nm）进行固化，光强11mW/cm2，曝光时间250s；
（b）氧化物层的制备：在第一有机阻挡层上制备，氧化物层为Ta2O5，采用磁控溅射制备，本底真空度1×10-3Pa，厚度100nm；
（c）第二有机阻挡层的制备：在氧化物层上制备，第二有机阻挡层的材质和制备方法同第一有机阻挡层；
（d）氮化物层的制备：在第二有机阻挡层上制备，氮化物层材料为TiN，采用磁控溅射方法制备，本底真空度1×10-3Pa，厚度100nm；
（e）在步骤（d）后采用和步骤（a）相同的方法和材质制备第一有机阻挡层，再在所述第一有机阻挡层上采用步骤（b）相同的方法和材质制备氧化物层，在所述的氧化物层上采用步骤（c）相同的方法和材质制备第二有机阻挡层，在所述的第二有机阻挡层上采用步骤（d）相同的方法和材质制备氮化物层，所述第一有机阻挡层、氧化物层、第二有机阻挡层和氮化物层形成一个基本结构，制备多个所述基本结构重复形成阻挡层，最终得到含有3层基本结构的阻挡层；
（6）PET膜的覆盖：在带有阻挡层的PET膜边缘涂布封装胶，用UV光（λ＝365nm）进行固化，光强20mW/cm2，曝光时间360s；将所述的有机电致发光器件封装在所述PET膜及基板内。
本实施例有机电致发光器件的水氧渗透率（WVTR，g/m2·day）为6.9×10-6，有机电致发光器件的寿命为14,506h（T701000cd/m2）。
本实施例有机电致发光器件，依次包括ITO玻璃基板、功能层、发光层、阴极层、保护层、氮化物层、第二有机阻挡层、氧化层、第一有机阻挡层、氮化物层、第二有机阻挡层、氧化层、第一有机阻挡层、氮化物层、第二有机阻挡层、氧化层、第一有机阻挡层和PET膜，第一有机阻挡层制备在PET膜上。ITO玻璃基板和PET膜通过封装胶密封形成封闭空间，功能层、发光层、阴极层、保护层、氮化物层、第二有机阻挡层、氧化层、第一有机阻挡层、氮化物层、第二有机阻挡层、氧化层、第一有机阻挡层、氮化物层、第二有机阻挡层、氧化层、第一有机阻挡层容置在该封闭空间内。
效果实施例
为有效证明本发明有机电致发光器件及其制备方法的有益效果，提供相关实验数据如下。
表1.实施例1~6有机电致发光器件水氧渗透率
  实施例1   实施例2   实施例3   实施例4   实施例5   实施例6
  WVTR(g/m2/day)   4.6×10-6   4.3×10-6   5.1×10-6   6.2×10-6   6.5×10-6   6.9×10-6
表2.实施例1~6有机电致发光器件寿命情况
Figure BDA00002255159300151
表1是实施例1~6有机电致发光器件水氧渗透率，表2是实施例1~6有机电致发光器件寿命情况。
从表1可以看出，本发明有机电致发光器件的水氧渗透率（WVTR）达到4.3×10-6g/m2·day,从表2可以看出，本发明有机电致发光器件的寿命达14,500小时以上（T701000cd/m2）。
综上，本发明提供的有机电致发光器件可有效地减少外部水、氧等活性物质对有机电致发光器件的侵蚀，从而对器件有机功能材料及电极形成有效的保护，满足封装的密封性的要求，可显著地提高OLED器件的寿命。

Claims (10)

1.一种有机电致发光器件，依次包括阳极导电基板、功能层、发光层、阴极层和封装层，阳极导电基板和封装层形成封闭空间，功能层、发光层和阴极层容置在该封闭空间内，其特征在于，所述封装层依次包括保护层、阻挡层和聚对苯二甲酸乙二酯膜；
所述阻挡层依次包括第一有机阻挡层、氧化物层、第二有机阻挡层和氮化物层，所述第一有机阻挡层、氧化物层、第二有机阻挡层和氮化物层形成一个基本结构，所述阻挡层为多个基本结构重复形成；
所述第一有机阻挡层和第二有机阻挡层材质相同，均为聚四氟乙烯、甲基丙烯酸树脂或甲基环戊烯醇酮；
所述氮化物层材质为氮化硅、氮化铝、氮化硼、一氮化硅、氮化钽或氮化钛；
所述氧化物层材质为二氧化硅、氧化铝、二氧化钛、二氧化锆、二氧化铪或五氧化二钽。
2.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述阻挡层为3～4个基本结构重复形成。
3.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述氧化物层的厚度为100nm～150nm。
4.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述氮化物层的厚度为100nm～150nm。
5.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述保护层材质为酞菁铜、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、8-羟基喹啉铝、氧化硅、氟化镁或硫化锌，保护层的厚度为200nm～300nm。
6.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
（1）在洁净的导电玻璃基板或导电有机薄膜基板上制备有机电致发光器件的阳极图形；采用真空蒸镀的方法在基板上制备功能层、发光层和阴极层；
（2）采用真空蒸镀的方法在阴极层上制备保护层；
（3）在聚对苯二甲酸乙二酯膜上制备阻挡层，阻挡层的制备方法如下：
（a）在聚对苯二甲酸乙二酯膜上采用先旋涂后曝光的方法制备第一有机阻挡层，第一有机阻挡层的材质为聚四氟乙烯、甲基丙烯酸树脂或甲基环戊烯醇酮；
（b）采用磁控溅射的方法在第一有机阻挡层上制备氧化物层，氧化物层材质为二氧化硅、氧化铝、二氧化钛、二氧化锆、二氧化铪或五氧化二钽；
（c）采用先旋涂后曝光的方法在氧化物层上制备第二有机阻挡层，第二有机阻挡层和第一有机阻挡层材质和制备方法相同；
（d）采用磁控溅射的方法在第二有机阻挡层上制备氮化物层，氮化物层材质为氮化硅、氮化铝、氮化硼、一氮化硅、氮化钽或氮化钛；
（e）在步骤（d）后采用和步骤（a）相同的方法和材质在氮化物层上制备第一有机阻挡层，再在所述第一有机阻挡层上采用步骤（b）相同的方法和材质制备氧化物层，在所述的氧化物层上采用步骤（c）相同的方法和材质制备第二有机阻挡层，在所述的第二有机阻挡层上采用步骤（d）相同的方法和材质制备氮化物层，所述第一有机阻挡层、氧化物层、第二有机阻挡层和氮化物层形成一个基本结构，制备多个所述基本结构重复形成阻挡层；
（4）在带有所述阻挡层的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜边缘涂布封装胶，用UV光进行固化，将所述有机电致发光器件封装在所述聚对苯二甲酸乙二酯膜和基板内。
7.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，步骤（3）中所述第一有机阻挡层和第二有机阻挡层均采用先旋涂后曝光的方法制备，在惰性氛围下，涂胶厚度1～1.5μm，然后用UV光进行固化，光强10～15mW/cm2，曝光时间200～300s。
8.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，步骤（3）所述氧化物层采用磁控溅射方法制备，本底真空度为1×10-5～1×10-3Pa。
9.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，步骤（3）所述氮化物层采用磁控溅射方法制备，本底真空度为1×10-5～1×10-3Pa。
10.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述阻挡层为3～4个基本结构重复形成。
CN201210388816.7A 2012-10-15 2012-10-15 一种有机电致发光器件及其制备方法 Pending CN103730593A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210388816.7A CN103730593A (zh) 2012-10-15 2012-10-15 一种有机电致发光器件及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210388816.7A CN103730593A (zh) 2012-10-15 2012-10-15 一种有机电致发光器件及其制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN103730593A true CN103730593A (zh) 2014-04-16

Family

ID=50454591

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210388816.7A Pending CN103730593A (zh) 2012-10-15 2012-10-15 一种有机电致发光器件及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103730593A (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103985821A (zh) * 2014-05-30 2014-08-13 云南北方奥雷德光电科技股份有限公司 顶部发光oled显示器薄膜密封工艺
CN103996796A (zh) * 2014-04-29 2014-08-20 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性基板和oled器件
CN114784208A (zh) * 2022-04-12 2022-07-22 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制作方法、显示装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103996796A (zh) * 2014-04-29 2014-08-20 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性基板和oled器件
CN103996796B (zh) * 2014-04-29 2015-07-15 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性基板和oled器件
CN103985821A (zh) * 2014-05-30 2014-08-13 云南北方奥雷德光电科技股份有限公司 顶部发光oled显示器薄膜密封工艺
CN114784208A (zh) * 2022-04-12 2022-07-22 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制作方法、显示装置
CN114784208B (zh) * 2022-04-12 2023-11-28 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制作方法、显示装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103811668A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104638189A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN103730595A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN103730593A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN103730594A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN103855315A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN103594649A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN103545448A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN103855316B (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN103682119A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN103855321A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104078595A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN103855320A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104078590A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN103904239A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN103855318B (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN103855308B (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN103594643A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN104103764A (zh) 有机电致发光器件及其制作方法
CN103594650A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN103594647A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN104183767A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN103730596A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN103855317B (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN103904247A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20140416