CN103715338A - 发光器件 - Google Patents
发光器件 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103715338A CN103715338A CN201310467515.8A CN201310467515A CN103715338A CN 103715338 A CN103715338 A CN 103715338A CN 201310467515 A CN201310467515 A CN 201310467515A CN 103715338 A CN103715338 A CN 103715338A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- led chip
- substrate
- phosphor
- luminescent device
- dam body
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 title abstract 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 95
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 73
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 10
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 claims description 29
- 239000010974 bronze Substances 0.000 claims description 29
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000000565 sealant Substances 0.000 claims description 15
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 10
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 6
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 6
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 3
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000004512 die casting Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007850 degeneration Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/641—Heat extraction or cooling elements characterized by the materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Fastening Of Light Sources Or Lamp Holders (AREA)
Abstract
一种发光器件，用于照明或显示的背光单元中，该发光器件可以被设置为包括：衬底，包括至少两种电极图案；LED芯片，布置在所述衬底上，并且包括布置在所述LED芯片上的磷光体；坝体，布置在所述衬底上；以及密封层，布置在所述衬底上，其中，所述坝体布置为与所述LED芯片间隔开，并且其中，所述衬底包括直接铜接合（DCB）衬底，所述DCB衬底包括第一铜层、第二铜层和衬底本体。
Description
技术领域
本文的实施例涉及在用于照明或显示的背光单元中使用的发光器件。
背景技术
这里，将提供本文实施例的相关技术，这些相关技术不一定必然已经公知。
发光器件（LED）是用于将电能转换成光的半导体器件。与现有的光源（例如，荧光灯、白炽灯等）相比，LED的功耗低，具有半永久性寿命，响应速度快、安全而且对环境友好。由于这些原因，人们对于用LED代替现有光源做出了许多研究。LED目前已经越来越多地用作照明装置（例如，内部或外部使用的各种灯、液晶显示装置、电气标示和路灯等）的光源。
通常而言，使用LED的发光器件包括：两种电极图案，布置在衬底上；模铸壳体，用于容纳位于其内的电极图案一部分，并且被注塑模铸（injection-molded）以形成腔体，该腔体起到光发射器的填充空间的作用；热沉层，布置在该腔体中的电极图案上；LED芯片，布置在该热沉层上；以及接合布线，电连接该电极图案和该LED芯片。这里，光发射器通过填充该腔体而密封该LED芯片。依赖于待被实现的LED芯片的颜色，光发射器可以包括磷光体或可以由透明树脂形成。
发明内容
一个实施例是一种发光器件。该发光器件包括：衬底（substrate），包括至少两种电极图案；LED芯片，布置在所述衬底上，并且包括布置在所述LED芯片上的磷光体；坝体，布置在所述衬底上；以及密封层(encapsulationlayer)，布置在所述衬底上，其中，所述坝体布置为与所述LED芯片间隔开，并且其中，所述衬底包括直接铜接合（DCB）衬底，所述DCB衬底包括第一铜层、第二铜层和衬底本体。
所述电极图案可以布置在所述第一铜层上。
所述LED芯片可以是从由如下类型的LED芯片组成的组中选出的至少一种LED芯片：垂直型LED芯片、横向型LED芯片以及倒装型芯片（flip typechip）。
所述密封层可以包括从由硅树脂和环氧树脂组成的组中选出的至少一种。
所述密封层还可以包括磷光体。
所述电极图案还可以包括布置在所述电极图案的顶表面上的金属层，并且其中所述LED芯片布置在所述金属层上。
所述金属层可以包括Au。
所述磷光体可以包括从如下磷光体组成的组中选出的至少一种：基于硅酸盐的磷光体、基于硫化物的磷光体、基于YAG的磷光体、基于TAG的磷光体以及基于氮化物的磷光体。
所述坝体可以是绝缘材料。
所述坝体的高度可以大于所述LED芯片的高度。
另一个实施例是一种发光器件。该发光器件包括：衬底，包括至少两种电极图案；LED芯片，布置在所述衬底上，并且包括布置在所述LED芯片上的磷光体；坝体，布置在所述衬底上；以及防反射单元，布置在所述衬底上方并且位于所述坝体上，并且与所述LED芯片间隔开。
所述衬底可以包括直接铜接合（DCB）衬底，所述DCB衬底包括第一铜层、第二铜层和衬底本体，并且其中所述电极图案布置在所述第一铜层上。
所述LED芯片可以是从由如下类型的LED芯片组成的组中选出的至少一种LED芯片：垂直型LED芯片、横向型LED芯片以及倒装型芯片。
所述电极图案还可以包括布置在所述电极图案的顶表面上的金属层，并且其中所述LED芯片布置在所述金属层上。
所述金属层可以包括Au。
所述防反射单元可以包括防反射玻璃。
所述磷光体可以包括基于硅酸盐的磷光体、基于硫化物的磷光体、基于YAG的磷光体、基于TAG的磷光体以及基于氮化物的磷光体中的至少一种。
所述坝体可以是绝缘材料。
所述坝体的高度可以大于所述LED芯片的高度。
另一个实施例是一种发光器件。该发光器件包括：衬底，包括至少两种电极图案；LED芯片，布置在所述衬底上，并且包括布置在所述LED芯片上的磷光体；坝体，布置在所述衬底上；密封层，布置在所述衬底上；以及膜，布置在所述衬底上方并且位于所述坝体上，并且与所述LED芯片间隔开；其中，所述坝体布置为与所述LED芯片间隔开，并且其中，所述衬底包括直接铜接合（DCB）衬底，所述DCB衬底包括第一铜层、第二铜层和衬底本体。
附图说明
将参照以下附图详细描述多种布置方式和实施例，在附图中，类似的附图标记指代类似的元件，其中：
图1是根据第一实施例的发光器件的剖视图；
图2是根据第二实施例的发光器件的剖视图；以及
图3是示出其中图2中的LED芯片和透镜彼此耦接的发光器件的示意图。
具体实施方式
出于描述方便和清楚的目的，每一层的厚度或尺寸可能被放大、省略或示意性示出。每一组件的尺寸并不必然意味着它的实际尺寸。
应当理解，当提到元件位于另一个元件“之上”或“之下”时，它能够直接位于该元件之上/之下，并且/或者也可以有一个或多个***元件。当提到元件位于“之上”或“之下”时，能够基于该元件而包括“在该元件之下”以及“在该元件之上”。
将参照附图详细描述实施例。
图1是根据第一实施例的发光器件的剖视图。参照图1将描述根据第一实施例的发光器件的结构。
如图1所示，根据第一实施例的发光器件可以包括直接铜接合（DCB）衬底11、LED芯片14、磷光体16、接合布线17、坝体18以及密封层“S”。
DCB衬底11可以包括衬底本体1、第一铜层2以及第二铜层3。
该衬底本体1可以由陶瓷材料、高分子材料、树脂材料、硅材料等中的至少任意一种或上述材料的任意组合形成，并且该衬底本体1可以具有前侧101和面向该前侧101的后侧102。该前侧101和后侧102分别形成了衬底本体1的外表面。如果衬底本体1的一个外表面是前侧101，则面向该前侧101的另一个外表面可以是后侧102。
除了以上提及的衬底本体1的材料之外，也能够使用能够起到绝缘层和DCB衬底11的本体作用的任何材料来作为衬底本体1的材料。例如，可以使用Al2O3、AlN、BeO等作为衬底本体1的材料。
第一铜层2可以布置在衬底本体1的前侧101上。第二铜层3可以布置在衬底本体1的后侧102上。可以通过掩模蚀刻特定电路图案来在第一铜层2上形成电极图案。因此，第一铜层2可以包括多个电极图案。这里，多个电极图案可以是第一电极图案12和第二电极图案13。尽管已经示出了第一和第二电极图案12和13包括在根据第一实施例的发光器件中，然而，电极图案的数量并不必然限制于此。电极图案的数量可以根据LED芯片的数量而增大。而且，电极图案布置在第一铜层2上。
衬底本体1的厚度可以从0.2到0.32mm之间。而且，第一铜层2和第三铜层3的厚度可以分别从0.15到0.25mm之间。而且，考虑到LED芯片14的散热或者LED芯片14的连接，电极图案可以形成为彼此电隔离。该电极图案可以彼此分开0.25到0.4mm范围内的距离。
尽管根据第一实施例的发光器件使用DCB衬底，然而，该发光器件不限于此。也可以使用其上已经形成有至少两种电极图案的衬底。
可以安装用于驱动LED芯片14的驱动电路（未示出）。该驱动电路（未示出）可以起到驱动LED芯片14的功能，从而根据该发光器件的目的和用途来执行功能。
DCB衬底11是导热衬底。DCB衬底11可以将由LED芯片14产生的热量散发到外部。出于执行该功能的目的，该DCB衬底11可以包括第一和第二铜层2和3。
尽管在该实施例中示出了第一和第二铜层2和3，然而也以允许第一和第二铜层2和3由另外的金属层形成。例如，第一和第二铜层2和3可以由从如下材料组成的组中选出的至少任意一种材料形成的金属层形成：Ag、Au、Ni、Al、Cr、Ru、Re、Pb、Sn、In、Zn、Pt、Mo、Ti、Ta、W等，或者可以由以上述金属材料形成的合金层来形成。
第一和第二电极图案12和13可以由用于电连接至LED芯片14的电极组成。而且，第一和第二电极图案12和13可以以被电连接至用于驱动LED芯片14的驱动电路这样的方式被图案化。第一和第二电极图案12和13可以执行用于连接发光器件内的组件的电气布线的功能。因此，第一和第二电极图案12和13可以由用于驱动LED芯片14的阳极和阴极组成。LED芯片14可以安装在第一电极图案12上，第二电极图案13可以电连接至LED芯片14的电极焊垫15。
LED芯片14是发光装置。LED芯片14可以安装在每个第一电极图案12的预定区域上。而且，可以在第一电极图案12的顶表面上形成金属层，LED芯片14可以布置在该金属层上。这里，该金属层可以包括Au。
LED芯片14是一种用来发光的发光装置。LED芯片14可以是彩色LED芯片和UV LED芯片中的一种。该彩色LED芯片可以以通过将蓝色LED芯片、红色LED芯片、绿色LED芯片、黄绿色LED芯片以及白色LED芯片中的至少一种或多种组合而获得的封装的形式来形成。至少一个LED芯片14安装在DCB衬底11的特定区域中，使得安装有LED芯片14的区域是发光区域。更具体而言，LED芯片14可以安装在DCB衬底11的第一电极图案12的特定区域中。
而且，LED芯片14可以包括电极焊垫15。该电极焊垫15可以在布置有第二电极图案13的方向上形成在LED芯片14的顶表面的预定区域中。
LED芯片14的数量不限于图中所示的数量，而是可以根据该发光器件的用途而增加。LED芯片14可以是垂直型芯片、横向型LED芯片以及倒装型芯片。LED芯片14的类型不限于图中示出的类型。
接合布线17可以不间断地分别接合至第二电极图案13以及安装在第一电极图案12上的LED芯片14的电极焊垫15上。因而，第二电极图案13和安装在第一电极图案12上的LED芯片14的电极焊垫15可以经由接合布线17彼此电连接。该接合布线17可以由具有优秀导电性的材料形成，例如，Au、Ag等。
磷光体16可以布置为与LED芯片14上的电极焊垫15相邻。这里，磷光体16可以包括至少一种磷光体。
磷光体16可以起到激励从LED芯片14发出的光的作用。例如，磷光体16可以包括基于硅酸盐的磷光体、基于硫化物的磷光体、基于YAG的磷光体、基于TAG的磷光体以及基于氮化物的磷光体中的至少一种。
坝体18是由绝缘材料制成。也就是说，该坝体18是绝缘材料。该坝体18可以布置在DCB衬底11上，位于第一和第二电极图案12和13的外侧。该坝体18可以形成为高于LED芯片14。该坝体18可以具有各种形状。例如，该坝体18可以是半球形、半椭圆形、半圆形、四边形以及具有上部倒棱缘（upper chamfered edge）的四边形这些形状中的任意一种。
密封层“S”可以形成于通过坝体18以及第一和第二电极图案12和13形成的空间中。密封层“S”可以包括光传输保护树脂。例如，该密封层“S”可以由硅树脂或环氧树脂制成，每一种树脂均包括磷光体。密封层“S”可以布置在衬底上。而且，密封层“S”可以布置在LED芯片14上。
由LED芯片14产生的基准光可以朝上传播。在邻近LED芯片14表面的部分，该基准光可与被注入到密封层“S”的磷光体吸收的辅助激励光混合，并被重新发射。因此，该基准光可以用白色来表示。这里，由于颜色偏差和均匀性差异是取决于已经注入了磷光体的密封层“S”的形状而导致的，因而，该密封层“S”可以形成为平的。
如上所述，由于根据第一实施例的发光器件包括DCB衬底11和安装在该DCB衬底11上的LED芯片14，因而，该LED芯片14直接安装在DCB衬底11上，而无需在衬底之外单独布置的电极图案和布置在电极图案上的热沉层这二者，从而能够减小发光器件的高度。
图2是根据第二实施例的发光器件的剖视图。
参见图2，根据第二实施例的发光器件可以包括DCB衬底11、LED芯片14、磷光体16、接合布线17、坝体18以及防反射玻璃19。
由于衬底11、LED芯片14、接合布线17以及坝体18的配置与前述第一实施例的相同，因而将省略其详细描述。
该磷光体16可以被布置为与芯片14上的电极焊垫15相邻。这里，磷光体16可以包括至少一种磷光体。
磷光体16可以起到激励从LED芯片14发出光的作用。例如，磷光体16可以包括基于硅酸盐的磷光体、基于硫化物的磷光体、基于YAG的磷光体、基于TAG的磷光体以及基于氮化物的磷光体中的至少一种。
根据LED芯片14可以包括不同种类和数量的磷光体16。例如，当LED芯片14发射白光时，磷光体16可以包括绿色磷光体和红色磷光体。进一步而言，当LED芯片14发射蓝光时，磷光体16可以包括绿色磷光体、黄色磷光体和红色磷光体。
防反射玻璃19可以与DCB衬底11平行地布置在第一和第二电极图案12和13之上并布置在坝体18上。该防反射玻璃19可以与磷光体16间隔开。该防反射玻璃19可以是膜。
防反射玻璃19的反射率低于树脂的反射率。因而，防反射玻璃19能够通过抑制光扩散而减小发光面积。例如，30个LED芯片14的发光面积可以是140mm2。
图3是示出其中图2中LED芯片和透镜彼此耦接的发光器件的示意图。
如上所述，由于根据第二实施例的发光器件包括DCB衬底11和安装在该DCB衬底11上的LED芯片14，因而，该LED芯片14直接安装在该DCB衬底11上，而无需包括在衬底之外单独布置的电极图案和布置在电极图案上的热沉层这二者。因此，能够减小该发光器件的高度。
进一步而言，该发光器件包括布置在LED芯片14上的磷光体16，从而减小了发光器件的面积而且改善了发光器件的亮度。
而且，该发光器件包括防反射玻璃19，从而抑制了光扩散，并减小了发光面积。
也就是说，参照图3和如下的表1，将该发光器件与Edison（爱迪生）比较，高度、外径、有效直径、视场角（field angle）等分别从44.2mm减小到了22mm、从87mm减小到了60mm、从70mm减小到了44mm以及从60°减小到了58°。这里，如图3所示，该发光器件包括透镜。该透镜的内表面的内径和外径分别是23.24mm和23.85mm。
| Edison | 实施例 | |
| COB的发光面积(㎜) | 23 | 11.8 |
| 高度(㎜) | 44.2 | 22 |
| 外径(㎜) | 87 | 60 |
| 有效直径(㎜) | 70 | 44 |
| 场角(°) | 60(中等角度) | 58(中等角度) |
| 光束角(°) | 33 | |
| 几何效率 | 96.4 |
表1
而且，该发光器件使用Au作为衬底的金属层，从而限制了发出光的变色。该发光器件因而能够阻止光通量（luminous flux）的退化。也就是说，由于发光器件包括布置在LED芯片14上的磷光体16和布置为与磷光体16分开的防反射玻璃19，因而几乎没有光到达第一和第二电极图案12和13，因而，能够使用具有低反射率的Au作为衬底的金属层。
本说明书中所提及的“一个实施例”、“一实施例”、“示例性实施例”等表示结合实施例描述的特定特征、结构或特性被包括在本发明的至少一个实施例中。在说明书中的多处出现的这些措词不一定都针对相同的实施例。此外，当结合任意实施例对特定特征、结构或特性进行描述时，应当理解，结合其它实施例来实施这些特征、结构或特性对本领域技术人员而言是显而易见的。
尽管已经参照多个示意性实施例对实施例进行了描述，但可以理解的是，本领域技术人员能够设计出的许多其它变化和实施例也将落入本公开内容的原理的精神和范围之内。尤其是，可以在该公开、附图和所附权利要求的范围内对组件和/或附件组合设置中的排列进行多种变化和改进。除组件和/或排列的变化和改进之外，其他可选择的应用对于本领域技术人员而言也是显而易见的。
Claims (20)
1.一种发光器件，包括：
衬底，包括至少两种电极图案；
LED芯片，布置在所述衬底上，并且包括布置在所述LED芯片上的磷光体；
坝体，布置在所述衬底上；以及
密封层，布置在所述衬底上，
其中，所述坝体布置为与所述LED芯片间隔开，并且
其中，所述衬底包括直接铜接合（DCB）衬底，所述DCB衬底包括第一铜层、第二铜层和衬底本体。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述电极图案布置在所述第一铜层上。
3.根据权利要求1或2所述的发光器件，其中，所述LED芯片是从由如下类型的LED芯片组成的组中选出的至少一种LED芯片：垂直型LED芯片、横向型LED芯片以及倒装型芯片。
4.根据权利要求1或2所述的发光器件，其中，所述密封层包括从由硅树脂和环氧树脂组成的组中选出的至少一种。
5.根据权利要求1或2所述的发光器件，其中，所述密封层还包括磷光体。
6.根据权利要求5所述的发光器件，其中，所述电极图案还包括布置在所述电极图案的顶表面上的金属层，并且其中所述LED芯片布置在所述金属层上。
7.根据权利要求6所述的发光器件，其中，所述金属层包括Au。
8.根据权利要求1或2所述的发光器件，其中，所述磷光体包括从如下磷光体组成的组中选出的至少一种：基于硅酸盐的磷光体、基于硫化物的磷光体、基于YAG的磷光体、基于TAG的磷光体以及基于氮化物的磷光体。
9.根据权利要求1或2所述的发光器件，其中，所述坝体是绝缘材料。
10.根据权利要求1或2所述的发光器件，其中，所述坝体的高度大于所述LED芯片的高度。
11.一种发光器件，包括：
衬底，包括至少两种电极图案；
LED芯片，布置在所述衬底上，并且包括布置在所述LED芯片上的磷光体；
坝体，布置在所述衬底上；以及
防反射单元，布置在所述衬底上方并且位于所述坝体上，并且与所述LED芯片间隔开。
12.根据权利要求11所述的发光器件，其中，所述衬底包括直接铜接合（DCB）衬底，所述DCB衬底包括第一铜层、第二铜层和衬底本体，并且其中所述电极图案布置在所述第一铜层上。
13.根据权利要求11或12所述的发光器件，其中，所述LED芯片是从由如下类型的LED芯片组成的组中选出的至少一种LED芯片：垂直型LED芯片、横向型LED芯片以及倒装型芯片。
14.根据权利要求11或12所述的发光器件，其中，所述电极图案还包括布置在所述电极图案的顶表面上的金属层，并且其中所述LED芯片布置在所述金属层上。
15.根据权利要求14所述的发光器件，其中，所述金属层包括Au。
16.根据权利要求11或12所述的发光器件，其中，所述防反射单元包括防反射玻璃。
17.根据权利要求11或12所述的发光器件，其中，所述磷光体包括基于硅酸盐的磷光体、基于硫化物的磷光体、基于YAG的磷光体、基于TAG的磷光体以及基于氮化物的磷光体中的至少一种。
18.根据权利要求11或12所述的发光器件，其中，所述坝体是绝缘材料。
19.根据权利要求11或12所述的发光器件，其中，所述坝体的高度大于所述LED芯片的高度。
20.一种发光器件，包括：
衬底，包括至少两种电极图案；
LED芯片，布置在所述衬底上，并且包括布置在所述LED芯片上的磷光体；
坝体，布置在所述衬底上；
密封层，布置在所述衬底上；以及
膜，布置在所述衬底上方并且位于所述坝体上，并且与所述LED芯片间隔开；
其中，所述坝体布置为与所述LED芯片间隔开，并且
其中，所述衬底包括直接铜接合（DCB）衬底，所述DCB衬底包括第一铜层、第二铜层和衬底本体。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020120111596A KR20140047750A (ko) | 2012-10-09 | 2012-10-09 | 발광 장치 |
| KR10-2012-0111596 | 2012-10-09 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103715338A true CN103715338A (zh) | 2014-04-09 |
Family
ID=49212592
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310467515.8A Pending CN103715338A (zh) | 2012-10-09 | 2013-10-09 | 发光器件 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9093626B2 (zh) |
| EP (1) | EP2720266B1 (zh) |
| JP (1) | JP2014078695A (zh) |
| KR (1) | KR20140047750A (zh) |
| CN (1) | CN103715338A (zh) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI548005B (zh) * | 2014-01-24 | 2016-09-01 | 環旭電子股份有限公司 | 選擇性電子封裝模組的製造方法 |
| US10978619B2 (en) * | 2016-12-02 | 2021-04-13 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light emitting device |
| JP2018098085A (ja) * | 2016-12-15 | 2018-06-21 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| CN107369741A (zh) * | 2017-07-13 | 2017-11-21 | 东莞市凯昶德电子科技股份有限公司 | 带一体式金属围坝的led支架模组及其制备方法 |
| JP7053249B2 (ja) * | 2017-12-22 | 2022-04-12 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW200935376A (en) * | 2008-02-15 | 2009-08-16 | Foxsemicon Integrated Tech Inc | LED display |
| KR20100079688A (ko) * | 2008-12-31 | 2010-07-08 | 서울반도체 주식회사 | Ｌｅｄ 패키지 |
| CN102074558A (zh) * | 2009-10-21 | 2011-05-25 | 东芝照明技术株式会社 | 发光装置以及照明器具 |
| CN102222757A (zh) * | 2010-04-15 | 2011-10-19 | 三星Led株式会社 | 发光二极管封装件、照明装置和制造该封装件的方法 |
| CN103715190A (zh) * | 2012-09-28 | 2014-04-09 | Lg伊诺特有限公司 | 发光器件 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6384473B1 (en) * | 2000-05-16 | 2002-05-07 | Sandia Corporation | Microelectronic device package with an integral window |
| JP2002305261A (ja) * | 2001-01-10 | 2002-10-18 | Canon Inc | 電子部品及びその製造方法 |
| JP2005317599A (ja) * | 2004-04-27 | 2005-11-10 | Kyocera Corp | 電子部品搭載用基板および電子装置 |
| US8125137B2 (en) * | 2005-01-10 | 2012-02-28 | Cree, Inc. | Multi-chip light emitting device lamps for providing high-CRI warm white light and light fixtures including the same |
| US7170100B2 (en) * | 2005-01-21 | 2007-01-30 | Luminus Devices, Inc. | Packaging designs for LEDs |
| US7800124B2 (en) * | 2005-06-30 | 2010-09-21 | Panasonic Electric Works Co., Ltd. | Light-emitting device |
| US8735920B2 (en) * | 2006-07-31 | 2014-05-27 | Cree, Inc. | Light emitting diode package with optical element |
| US7943952B2 (en) * | 2006-07-31 | 2011-05-17 | Cree, Inc. | Method of uniform phosphor chip coating and LED package fabricated using method |
| JP2011071407A (ja) * | 2009-09-28 | 2011-04-07 | Sharp Corp | 発光素子および照明装置 |
| EP2315284A3 (en) * | 2009-10-21 | 2013-03-27 | Toshiba Lighting & Technology Corporation | Light-Emitting apparatus and luminaire |
| JP5375552B2 (ja) * | 2009-11-24 | 2013-12-25 | 東芝ライテック株式会社 | 発光装置及びこれを備えた照明器具 |
| EP2448028B1 (en) * | 2010-10-29 | 2017-05-31 | Nichia Corporation | Light emitting apparatus and production method thereof |
-
2012
- 2012-10-09 KR KR1020120111596A patent/KR20140047750A/ko not_active Application Discontinuation
-
2013
- 2013-08-27 US US14/010,592 patent/US9093626B2/en active Active
- 2013-09-05 JP JP2013183879A patent/JP2014078695A/ja active Pending
- 2013-09-13 EP EP13184243.7A patent/EP2720266B1/en active Active
- 2013-10-09 CN CN201310467515.8A patent/CN103715338A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW200935376A (en) * | 2008-02-15 | 2009-08-16 | Foxsemicon Integrated Tech Inc | LED display |
| KR20100079688A (ko) * | 2008-12-31 | 2010-07-08 | 서울반도체 주식회사 | Ｌｅｄ 패키지 |
| CN102074558A (zh) * | 2009-10-21 | 2011-05-25 | 东芝照明技术株式会社 | 发光装置以及照明器具 |
| CN102222757A (zh) * | 2010-04-15 | 2011-10-19 | 三星Led株式会社 | 发光二极管封装件、照明装置和制造该封装件的方法 |
| CN103715190A (zh) * | 2012-09-28 | 2014-04-09 | Lg伊诺特有限公司 | 发光器件 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US9093626B2 (en) | 2015-07-28 |
| EP2720266A3 (en) | 2016-03-16 |
| EP2720266A2 (en) | 2014-04-16 |
| EP2720266B1 (en) | 2021-10-20 |
| KR20140047750A (ko) | 2014-04-23 |
| JP2014078695A (ja) | 2014-05-01 |
| US20140097452A1 (en) | 2014-04-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8916887B2 (en) | Light emitting device package and lighting system using the same | |
| TWI487148B (zh) | 發光裝置封裝件 | |
| JP6107136B2 (ja) | 発光装置用パッケージ及びそれを備える発光装置、並びにその発光装置を備える照明装置 | |
| EP2779257B1 (en) | Light emitting device mount, light emitting apparatus including the same, and leadframe | |
| KR102227798B1 (ko) | 발광 장치용 패키지 및 그것을 사용한 발광 장치 | |
| US10217918B2 (en) | Light-emitting element package | |
| TWI634677B (zh) | 發光元件封裝 | |
| US9420642B2 (en) | Light emitting apparatus and lighting apparatus | |
| CN112838156A (zh) | 发光装置 | |
| US20120001538A1 (en) | Light emitting device package and light emitting module | |
| EP2803715B1 (en) | Phosphor and light emitting device package including the same | |
| CN103682068A (zh) | 发光装置 | |
| CN101807657A (zh) | 发光器件封装和包括其的照明*** | |
| JP2011040494A (ja) | 発光モジュール | |
| CN103715338A (zh) | 发光器件 | |
| KR20110125064A (ko) | 발광소자 어레이, 조명장치 및 백라이트 장치 | |
| JP6326830B2 (ja) | 発光装置及びそれを備える照明装置 | |
| KR20140004351A (ko) | 발광 다이오드 패키지 | |
| EP2713411B1 (en) | Luminescence device | |
| CN108369978B (zh) | 发光器件 | |
| JP2015138902A (ja) | 発光装置 | |
| JP2013089732A (ja) | 半導体装置 | |
| KR20110108097A (ko) | 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 조명시스템 | |
| KR20110125067A (ko) | 발광소자 패키지 | |
| JP6414609B2 (ja) | 発光装置用パッケージ及びそれを備える発光装置、並びにその発光装置を備える照明装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C53 | Correction of patent of invention or patent application | ||
| CB03 | Change of inventor or designer information |
Inventor after: Sanpei Tomohiro Inventor after: Kato Takuma Inventor after: Shuhei Matsuda Inventor before: Sanpei Tomohiro Inventor before: Kato Takuma |
|
| COR | Change of bibliographic data |
Free format text: CORRECT: INVENTOR; FROM: TOMOHIRO SAMPEI TAKUMA KATO TO: TOMOHIRO SAMPEI TAKUMA KATO MATSUDA ZHOUPING |
|
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20140409 |
|
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |