CN103714378A - 一种无源射频标签的智能化能量管理***与能量管理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明所述一种无源射频标签的智能化能量管理***与能量管理方法，通过设置智能化能量管理模块对标签的电感线圈天线所吸收并整流后的直流信号幅度进行数字化转换，所述智能化能量管理模块输入端分别连接至电源电压探测与判定电路和解调电路，用于判别标签所处于的电荷水平及使能状态，其输出端分别连接至放电通路、偏置电流源及模拟电路模块，用于根据标签所处于的使能状态使模拟电路模块处于最优化的工作状态，或者是关断/休眠各模拟电路模块，以达到降低标签功耗和提高标签灵敏度的目的。同时，所述智能化能量管理模块还可以控制放电通路对天线两端的电荷进行泄放控制，使得与电感线圈天线所连接的器件的耐压得以可靠的保证。

Description

一种无源射频标签的智能化能量管理***与能量管理方法
技术领域
本发明属于射频识别技术领域，具体是指一种用于无源射频标签的智能化能量管理***，以及应用该智能化能量管理***对无源射频标签进行智能化能量管理的方法。
背景技术
无源射频识别(Radio Frequency Identification，RFID)标签本身不带电池，其依靠读卡器发送的电磁能量工作。由于它结构简单、经济实用，因而其在物流管理、资产追踪以及移动医疗领域获得了广泛的应用。
无源RFID标签工作时，其会从周围环境中吸收读卡器发送的电磁能量。无源RFID标签在吸收能量之后，将一部分能量整流为直流电源，以供无源RFID标签内部电路工作；无源RFID标签还将另一部分能量输入内部的调制解调电路。调制解调电路会对该能量中携带的幅度调制信号进行解调，并将解调后的信号发送给无源RFID标签的数字基带部分处理。
由于无源RFID标签与读卡器的距离是变化的，因此，当无源RFID标签工作时，其从周围环境中吸收的电磁能量也是变化的。当无源RFID标签离读卡器太近或读卡器发送的电磁能量太强时，无源RFID标签接收到的信号强度也较强，以至线圈上感应的电压超过了芯片中整流器模块所用的晶体管的耐压极限，造成晶体管的永久性损坏，导致RFID标签失效。
无源RFID标签通过负载调制的方式传输数据到读卡器，读卡器端的线圈探测到RFID标签端线圈的阻抗变化从而获取数据。当无源RFID标签离读卡器太近或读卡器发送的电磁能量太强时，从RFID标签端耦合回来的负载调制信号容易造成读卡器接受端的饱和，以至通讯失败。这种失败在读卡器首先发命令然后等待RFID标签应答的RTF通讯模式（Reader Talk First）下更容易发生。
为了解决上述耐压可靠性以及读卡器接受饱和的问题，RFID标签芯片电路内部需要施加幅度限制处理电路，以确保RFID标签上的天线两端电压被限制在一个预定的数值。幅度限制的实施可采用从整流支路上漏电流到地的方法，从而使整流器输出的电压水平得到控制。最理想化的设计要求漏电流通路在极弱场的情况下能够被有效关断，即完全不漏电，而在逐渐增强的场情况下，漏电流通路能够随时控制开始漏电的起点，以及漏电流的多少，达到动态调整的目的。
发明内容
本发明目的在于提出一个完整的智能化RFID能量管理的实施方案，通过对无源RFID标签的电感线圈天线所吸收并整流后的直流信号幅度进行数字化转换，智能化的管理策略得以在数字逻辑控制模块中充分发挥，该管理策略不但有选择的确定限幅电路工作时的限幅电压的高低，也通过数字控制逻辑信号智能化的关断各模式下不必要工作的电路模块，以达到低功耗和高灵敏度的性能要求。
为实现上述目的，本发明所采取的技术方案为：
一种无源射频标签的智能化能量管理***，所述该***包括：
谐振电容，与谐振电感并联连接于第一天线端与第二天线端之间，用于与谐振电感组成谐振电路，接收外部电磁场并将其耦合至整流电路；
整流电路，其输入端连接至第一天线端与第二天线端，用于将所述谐振电路耦合的交流电源转换为直流电源，所述整流电路的第一输出端输出至包括解调电路和智能化能量管理模块在内的所有模拟电路模块，其第二输出端输出至电源电压探测与判定电路，用于为电源电压探测与判定电路提供判定电压，其第三输出端通过至少两个并联的N型MOS管接地作为放电通路，用于在场强过强时将电荷输出至地；
至少两路电源电压探测与判定电路，所述至少两路电源电压探测与判定电路电源输入端连接至所述整流电路第二输出端，其输出端连接至所述智能化能量管理模块第一控制输入端，用于根据所述第一天线端与第二天线端耦合的能量的大小生成逻辑信号输入至所述智能化能量管理模块；
解调电路，所述解调电路电源输入端连接至所述整流电路第一输出端，其控制输入端连接至所述第一天线端与第二天线端之间，其输出端连接至智能化能量管理模块第二控制输入端，用于根据天线两端的电压信号解调出标签所处于的使能状态并输入至所述智能化能量管理模块；
智能化能量管理模块，所述智能化能量管理模块电源输入端连接至所述整流电路第一输出端，其第一控制输入端连接至电源电压探测与判定电路输出端，其第二控制输入端连接至所述解调电路的输出端，其第一控制输出端连接至所述整流电路的至少两路放电通路的控制输入端，用于根据第一天线端与第二天线端之间的电荷量大小控制所述整流电路的放电通路打开或关闭，实现控制该输出端的漏电状态，其第二控制输出端及第三控制输出端分别连接至偏置电流源和模拟电路模块，用于通过控制模拟电路模块输入的偏置电流大小和模拟电路模块的使能/关断信号来控制所述模拟电路模块的工作状态。
本发明实施例的另一目的在于提供一种包括上述智能化能量管理***的无源射频标签。
本发明实施例的再一目的在于提供一种应用上述智能化能量管理***对无源射频标签进行智能化能量管理的方法，所述智能化能量管理方法包括步骤如下：
a、谐振电容与谐振电感接收外部电磁场并将其耦合至整流电路，整流电路将该交流电源整流为直流电源并分别输出至包括解调电路和智能化能量管理模块在内的所有模拟电路模块，以及电源电压探测与判定电路电源输入端；
b、所述至少两路电源电压探测与判定电路检测直流电源值，由于各路电源电压探测与判定电路限幅点各不相同，因此当直流电源位于不同的数值时，各路电源电压探测与判定电路输出的逻辑信号也各不相同，智能化能量管理模块检测到该逻辑信号，从而得出标签所处于的电荷水平；
c、所述解调电路从天线端解调出读卡器的命令信号并输入至所述智能化能量管理模块，从而得出标签所应该处于的使能状态；
d、所述智能化能量管理模块连接至偏置电流源和模拟电路模块，当智能化能量管理模块得到的读卡器指令是需要该模拟电路模块，如带隙基准电压模块，处于工作状态，且标签所处于的电荷水平满足该模拟电路模块工作的电压时，智能化能量管理模块控制偏置电流源对该模拟电路模块输入大小合适的偏置电流，以使其处于最优化的工作状态，当智能化能量管理模块得到的读卡器指令是需要该模拟电路模块处于休眠状态时，智能化能量管理模块控制偏置电流源输入大小合适的偏置电流，实现将该模拟电路模块处于休眠状态，或者是将偏置电流源处于断路状态，同时将该模拟电路模块的输出信号置零电位，实现将该模拟电路模块处于完全的关断状态，以达到降低功耗的目的。
本发明所述一种无源射频标签的智能化能量管理***，在整流电路的输出端设置有智能化能量管理模块和x个电源电压探测与判定电路，并在整流电路的放电通路并列设置有y个宽长比各不相同的N型MOS管。由于x个电源电压探测与判定电路的限幅点各不相同，因此随着无源射频标签与读卡器之间的距离变化，第一天线端与第二天线端之间的电荷量处于不同的能量水平时，各路电源电压探测与判定电路输出的逻辑信号也各不相同，智能化能量管理模块检测到该逻辑信号，从而得出标签所处于的电荷水平。同时，智能化能量管理模块通过控制各模拟电路模块的偏置电流源以及模拟电路模块的使能/关断信号，来智能化的控制各模式下模拟电路模块的工作状态，如将需要处于工作状态的模拟电路模块的偏置电流源打开并输出至预定大小的值，以使其处于最优化的工作状态，或者是对不必要工作的模拟电路模块输入大小合适的偏置电流，实现将该模拟电路模块处于休眠状态，或者是将偏置电流源处于断路状态，同时将该模拟电路模块的输出信号置零电位，实现将该模拟电路模块处于完全的关断状态，以达到低功耗和高灵敏度的性能要求。再者，智能化能量管理模块通过控制并列设置的y个宽长比各不相同的N型MOS管构成的放电通路，来适时的对天线端的电荷量大小进行泄放电控制，使得与电感线圈天线所连接的器件的耐压得以可靠的保证。
本方案的另一个显著特点在于所述智能化能量管理模块，以及并联连接的x个电源电压探测与判定电路的实施是超低功耗的实施，典型的电流消耗总和为纳安数量级（10-9），使得整个方案适用于无源射频标签***。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明的电路总体结构简化框图；
图2是本发明的电路总体结构框图；
图3是本发明采用的整流电路实施例一结构图；
图4是本发明采用的整流电路实施例二结构图；
图5是本发明采用的电源电压探测与判定电路总体结构框图；
图6是本发明采用的电源电压探测与判定电路实施例一结构图；
图7是本发明采用的电源电压探测与判定电路实施例二结构图；
图8是本发明采用的电源电压探测与判定电路实施例三结构图；
图9是本发明采用的电源电压探测与判定电路实施例四结构图；
图10是本发明采用的电源电压探测与判定电路实施例五结构图；
图11是本发明采用的电源电压探测与判定电路实施例六结构图；
图12是本发明对无源射频标签进行智能化能量管理的流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
如图1及图2所示为本发明的电路结构框图。本发明所述一种智能化能量管理***1包括：
谐振电容C1，其与谐振电感L并联连接于第一天线端in1与第二天线端in2之间，用于与谐振电感L组成谐振电路，接收外部电磁场并将其耦合至整流电路；
整流电路2，其输入端连接至第一天线端in1与第二天线端in2，用于将所述谐振电路耦合的交流电源转换为直流电源，所述整流电路的第一输出端Vdd-out输出至包括解调电路和智能化能量管理模块4在内的所有模拟电路模块，其第二输出端V1输出至电源电压探测与判定电路3，用于为电源电压探测与判定电路3提供判定电压，其第三输出端通过至少两个并联的N型MOS管接地作为放电通路，用于在场强过强时将电荷输出至地；
至少两路电源电压探测与判定电路3，所述至少两路电源电压探测与判定电路3电源输入端连接至所述整流电路第二输出端V1，其输出端VT连接至所述智能化能量管理模块4第一控制输入端，用于根据所述第一天线端in1与第二天线端in2耦合的能量的大小生成逻辑信号输入至所述智能化能量管理模块4；
解调电路，所述解调电路电源输入端连接至所述整流电路2第一输出端Vdd-out，其控制输入端连接至所述第一天线端in1与第二天线端in2之间，其输出端连接至智能化能量管理模块4第二控制输入端，用于根据天线两端的电压信号解调出标签所处于的使能状态并输入至所述智能化能量管理模块4；
智能化能量管理模块4，所述智能化能量管理模块4电源输入端连接至所述整流电路第一输出端Vdd-out，其第一控制输入端连接至电源电压探测与判定电路输出端VT，其第二控制输入端连接至所述解调电路的输出端，其第一控制输出端VCTRL连接至所述整流电路的至少两路放电通路的控制输入端，用于根据第一天线端in1与第二天线端in2之间的电荷量大小控制所述整流电路的放电通路打开或关闭，实现控制该输出端的漏电状态，其第二控制输出端及第三控制输出端分别连接至偏置电流源5和模拟电路模块6，用于通过控制模拟电路模块输入的偏置电流大小和模拟电路模块的使能/关断信号来控制所述模拟电路模块的工作状态。
图3为本发明采用的整流电路实施例一结构图。所述整流电路2包括并联连接于第一天线端in1与第二天线端in2之间的第一整流支路，第二整流支路以及第三整流支路。
所述第一整流支路为桥式整流电路，其一输出端接地，第一输出端Vdd_out连接至包括解调电路和智能化能量管理模块在内的所有外部负载电路，用于将谐振电路耦合的交流电源转换为直流电源为外部负载电路提供电源。
所述第二整流支路为连接于第一天线端in1与第二天线端in2之间的第五二极管D5和第六二极管D6，如图3，所述第五二极管D5和第六二极管D6用于将谐振电路耦合的交流电源转换为直流电源，并从所述整流电路的第二输出端V1输出至电源电压探测与判定电路3电源输入端，用于为电源电压探测与判定电路3提供判定电压。
第二整流支路的第二种实施例结构如图4所示，该实施例中所述第二整流支路为连接于第一天线端in1与第二天线端in2之间的第五N型MOS管M5和第六N型MOS管M6，所述第五N型MOS管M5栅极和漏极分别耦接至第一天线端in1，第六N型MOS管M6栅极和漏极分别耦接至第二天线端in2，第五N型MOS管M5源极耦接至第六N型MOS管M6源极,用于将谐振电路耦合的交流电源转换为直流电源V1并输出至电源电压探测与判定电路3电源输入端，用于为电源电压探测与判定电路3提供判定电压。
上述第五二极管D5和第五N型MOS管M5，以及第六二极管D6和第六N型MOS管M6均为单向导通的电子元件，用于将第一天线端in1与第二天线端in2之间的交流电源整流为直流电源V1，则V1的电压值为Vin1(正半周交流信号)或Vin2(负半周交流信号)减去二极管或MOS管的阈值电压。
所述第三整流支路为连接于第一天线端in1与第二天线端in2之间的第七二极管D7和第八二极管D8，如图3，所述第七二极管D7和第八二极管D8阴极端连接形成所述整流电路的第三输出端，所述第三输出端耦接至至少两个并联连接的N型MOS管的漏极，所述至少两个并联连接的N型MOS管栅极分别连接至智能化能量管理模块4的第一控制输出端VCTRL，各N型MOS管的源极均接地，用于在场强过强时将谐振电路耦合的电荷输出至地，从而减小第一天线端in1与第二天线端in2之间的电荷量。
第三整流支路的第二种实施例结构如图4所示，该实施例中所述第三整流支路为连接于第一天线端in1与第二天线端in2之间的第七N型MOS管M7和第八N型MOS管M8，所述第七N型MOS管M7栅极和漏极分别耦接至第一天线端in1，第八N型MOS管M8栅极和漏极分别耦接至第二天线端in2，第七N型MOS管M7源极与第八N型MOS管M8源极连接形成所述整流电路的第三输出端，所述第三输出端耦接至至少两个并联连接的N型MOS管的漏极，所述至少两个并联连接的N型MOS管栅极分别连接至智能化能量管理模块4的第一控制输出端VCTRL，各N型MOS管的源极均接地，用于在场强过强时将谐振电路耦合的电荷输出至地，从而减小第一天线端in1与第二天线端in2之间的电荷量。
上述第七二极管D7和第七N型MOS管M7，以及第八二极管D8和第八N型MOS管M8均为单向导通的电子元件，用于将第一天线端in1与第二天线端in2之间的交流电源整流为直流电源并输入至所述至少两个并联连接的N型MOS管的漏极端。
所述第一整流支路、第二整流支路以及第三整流支路中起整流作用的单向导通电子元件均可采用二极管或MOS管的任意形式的组合，包含但并不限于附图中所示出的两种组合方式，且可以通过调整所述二极管的尺寸（即PN结的面积）或调整MOS管的沟道尺寸比例来设定二极管或MOS管的放大比例，达到节省功耗的目的。
图5是本发明采用的电源电压探测与判定电路总体结构框图。所述电源电压探测与判定电路3为至少两路，各路电源电压探测与判定电路3成并联结构连接于整流电路的第二输出端V1与地线之间，各路电源电压探测与判定电路3的输出端VT分别连接至所述智能化能量管理模块4的第一控制输入端，用于根据所述第一天线端in1与第二天线端in2耦合的能量的大小生成逻辑信号输入至所述智能化能量管理模块4。
所述电源电压探测与判定电路3包括第一分压单元31，第二分压单元32，阈值比较单元33，第一限流单元34以及逻辑信号生成单元35。所述第一分压单元31与第二分压单元32依次串接于电源端V1与地线之间，阈值比较单元33控制端连接于第一分压单元31与第二分压单元32之间，其输入端通过第一限流单元34接入电流源V1，其输出端接地，所述逻辑信号生成单元35输入端连接于阈值比较单元33输入端与第一限流单元34之间，用于生成逻辑信号输入至所述智能化能量管理模块4。
所述第一分压单元31为至少一个电阻，或至少一个P型MOS管，或至少一个N型MOS管中的任一种。
当第一分压单元31为至少一个电阻时，其结构如图6所示，所述至少一个电阻与相邻电阻首尾连接形成串联结构，第一个电阻连接至电源V1作为第一分压单元31输入端，最后一个电阻连接至第二分压单元32作为第一分压单元31的输出端；
当第一分压单元31为至少一个P型MOS管时，其结构如图7所示，所述至少一个P型MOS管漏极端与相邻P型MOS管的源极端连接形成串联结构，第一个所述P型MOS管的源极连接至电源V1作为第一分压单元31输入端，最后一个P型MOS管的漏极连接至第二分压单元32作为第一分压单元31的输出端,各P型MOS管的栅极均连接至最后一个P型MOS管的漏极；
当第一分压单元31为至少一个N型MOS管时，其结构如图8所示，所述至少一个N型MOS管源极端与相邻N型MOS管的漏极端连接形成串联结构，第一个所述N型MOS管的漏极连接至电源V1作为第一分压单元31输入端，最后一个N型MOS管的源极连接至第二分压单元32作为第一分压单元31的输出端，各N型MOS管的栅极均连接至第一个N型MOS管的漏极。
所述第二分压单元32为至少一个电阻，或至少一个P型MOS管，或至少一个N型MOS管中的任一种。
当第二分压单元32为至少一个电阻时，其结构如图6所示，所述至少一个电阻与相邻电阻首尾连接形成串联结构，第一个电阻连接至第一分压单元31作为第二分压单元32输入端，最后一个电阻接地作为第二分压单元32的输出端；
当第二分压单元32为至少一个P型MOS管时，其结构如图7所示，所述至少一个P型MOS管漏极端与相邻P型MOS管的源极端连接形成串联结构，第一个所述P型MOS管的源极连接至第一分压单元31作为第二分压单元32输入端，最后一个P型MOS管的漏极接地作为第二分压单元32的输出端,各P型MOS管的栅极均连接至最后一个P型MOS管的漏极；
当第二分压单元32为至少一个N型MOS管时，其结构如图8所示，所述至少一个N型MOS管源极端与相邻N型MOS管的漏极端连接形成串联结构，第一个所述N型MOS管的漏极连接至第一分压单元31作为第二分压单元32输入端，最后一个N型MOS管的源极接地作为第二分压单元32的输出端，各N型MOS管的栅极均连接至第一个N型MOS管的漏极。
所述第一限流单元34为至少一个电阻，或至少一个P型MOS管，或至少一个N型MOS管中的任一种，
当第一限流单元34为至少一个电阻时，其结构如图6所示，所述至少一个电阻与相邻电阻首尾连接形成串联结构，第一个电阻连接至电源V1作为第一限流单元34输入端，最后一个电阻连接至阈值比较单元33作为第一限流单元34的输出端；
当第一限流单元34为至少一个P型MOS管时，其结构如图7所示，所述至少一个P型MOS管漏极端与相邻P型MOS管的源极端连接形成串联结构，第一个所述P型MOS管的源极连接至电源V1作为第一限流单元34输入端，最后一个P型MOS管的漏极连接至阈值比较单元33作为第一限流单元34的输出端,各P型MOS管的栅极均连接至最后一个P型MOS管的漏极；
当第一限流单元34为至少一个N型MOS管时，其结构如图8所示，所述至少一个N型MOS管源极端与相邻N型MOS管的漏极端连接形成串联结构，第一个所述N型MOS管的漏极连接至电源V1作为第一限流单元34输入端，最后一个N型MOS管的源极连接至阈值比较单元33作为第一限流单元34的输出端，各N型MOS管的栅极均连接至第一个N型MOS管的漏极。
上述第一分压单元、第二分压单元及第一限流单元可分别采用一个或一个以上的电阻或MOS管等阻抗性元件串连而成，且各实施例内，第一分压单元、第二分压单元及第一限流单元内所采用的阻抗性元件无需保持对称性，并且各单元内也可以任意选择一种或多种阻抗性元件串联连接。由于多个串联的MOS管沟道尺寸变长，其电阻值变大，因而具有较好的阻抗特性，并且其面积相对于同样阻抗的电阻要小的多，因此本发明优选的实施例为采用多个MOS管串联的结构。
所述阈值比较单元33为至少一个N型MOS管，其结构如图6-图9所示，所述N型MOS管栅极连接于第一分压单元31与第二分压单元32之间作为阈值比较单元33的控制端，其漏极通过第一限流单元34接入电流源V1作为阈值比较单元33的输入端，其源极接地作为阈值比较单元33的输出端。
同理，本发明所述阈值比较单元33还可以为两个或两个以上的N型MOS管串联连接而成，各N型MOS管源极端与相邻N型MOS管的漏极端连接形成串联结构，第一个所述N型MOS管的漏极通过第一限流单元34接入电流源V1作为阈值比较单元33的输入端，其源极接地作为阈值比较单元33的输出端，各N型MOS管的栅极均连接至第一分压单元31与第二分压单元32之间作为阈值比较单元33的控制端，如图10所示。采用此种多个N型MOS管串联连接的结构，加长了MOS管的沟道尺寸，使其宽长比缩小，可使该MOS管的翻转时间常数变长，延缓该阈值单元的翻转速度，从而达到降低输出电源纹波的目的，同时，由于MOS管的沟道尺寸变长，其电阻值增加，也可达到降低功耗及限流的作用。
当所述阈值比较单元33为P型MOS管时，其结构如图11所示，所述P型MOS管栅极连接于第一分压单元31与第二分压单元32之间作为阈值比较单元33的控制端，其源极连接至电流源V1作为阈值比较单元33的输入端，其漏极通过第一限流单元34接地作为阈值比较单元33的输出端。
同样，本发明所述阈值比较单元还可将图11中所示的单个P型MOS管的结构改为采用多个P型MOS管的结构，其连接结构及原理在此不再赘述。
所述逻辑信号生成单元35为串接的奇数个反相器（当阈值比较单元为P型MOS管时，逻辑信号生成单元内串接的反相器数目为偶数个），第一个反相器输入级连接于阈值比较单元与第一限流单元之间作为逻辑信号生成单元的输入端，最后一个反相器输出级VT连接至所述智能化能量管理模块4的第一控制输入端，用于根据所述第一天线端in1与第二天线端in2耦合的能量的大小生成逻辑信号输入至所述智能化能量管理模块。
本发明所公开的技术方案可以表述为:射频识别标签的整流器从周围环境的电磁场能量中转换出直流电压V1，该电压V1输入至电源电压探测与判定电路3。设定第一分压单元31的阻抗为R1，第二分压单元32阻抗为R2，则第一及第二分压单元支路的电流值为：
I=V1/(R1+R2)
则A点的电压值为
VA=V1·R2/(R1+R2)
即阈值比较单元控制端的电压值为
VGS=VA=V1·R2/(R1+R2)
由上式可以看出，在各并联的电源电压探测与判定电路两端的电压值V1相同的情况下，可以通过设定第一及第二分压单元的阻抗比来达到控制阈值比较单元控制端的电压值，即控制各电源电压探测与判定电路的限幅点的目的。
作为一个实施实例，设定V1为3V，设定第一路电源电压探测与判定电路中，第一及第二分压单元的阻抗比R1:R2=1:1，则VGS=VA=1.5V,高于阈值比较单元的阈值导通电压0.7V，则该路电源电压探测与判定电路的阈值比较单元导通，输出低电平信号至逻辑信号生成单元，逻辑信号生成单元内串接的奇数个反相器将该低电平信号输出为代表高电平逻辑信号的1，并将该高电平逻辑信号VT1输入至所述智能化能量管理模块4。
同理，设定第二路电源电压探测与判定电路中，第一及第二分压单元的阻抗比R1:R2=1:2，则VGS=VA=2V,高于阈值比较单元的阈值导通电压0.7V，则该路电源电压探测与判定电路的阈值比较单元也导通，经过逻辑信号生成单元也生成代表高电平逻辑信号的1，并将该高电平逻辑信号VT2输入至所述智能化能量管理模块4。
设定第x路电源电压探测与判定电路中，第一及第二分压单元的阻抗比R1:R2=4:1，则VGS=VA=0.6V,低于阈值比较单元的阈值导通电压0.7V，阈值比较单元截止，逻辑信号生成单元输出代表低电平逻辑信号的0，该低电平信号VTx输入至智能化能量管理模块4。
作为本发明的一种实施例，本发明根据无源射频识别标签所处于的几种典型的工作状态，将其能量等级化分为下述几种：
1、从最简单的无源RFID标签主动应答的TTF（Tag-Talk First）模式开始，这个模式下只有对外发射用的调制器，提供时钟信号的时钟恢复电路，和提供能量的整流器等最少的电路模块处于工作状态，其能量水平应该达到最低，比如在0.18微米的CMOS工艺中，整流器输出的直流电源只要达到1.5伏左右的电压，***即可工作。产品的竞争性即反映在整个***在最低的能量水平下能否进入基本的工作状态，也即是该无源RFID标签的灵敏度。此为无源射频标签的第一级能量水平。
2、当读卡器向无源RFID标签发出命令指令时，该标签的能量需求进入了稍高一点的水平。该模式下***的解调电路需要正确地解析读卡器发出的命令。因为芯片上有限的储能电容不可能无限制的提供***需要的能量，整流器输出的直流电源需要达到2.0伏左右的电压水平才能使这个模式下的电路模块进入正确的工作状态。此为无源射频标签的第二级能量水平。
3、如果读卡器所发出的命令中包含了从芯片内置的存储器，比如EEPROM存储器中，读取特定的数据的指令，那么无源RFID标签的能量需求便进入了下一个更高一点的水平。为了正确地从EEPROM中读取数据，电源电压需要相对平稳的设定在2.0伏的水平。于是输出为2.0伏的低压差稳压电源以及构成低压差稳压电源所需的带隙基准电压产生模块都必须进入正确的工作状态。进一步的，为了连续读取多个地址的数据，需要对有可能不断变化的能量水平进行监控，当监控信号指示满足连续读取所需要的能量水平时，连续读取EEPROM的数据的操作才能被成功执行。于是，***中对2.0伏电源进行监控的读取使能模块需要在这个模式下工作。由于更多的模块进入工作状态，有限的储能电容需要被整流器充电到更高的电压才能支撑这个模式下的能量需求，比如2.5～3.5伏。由此构成了本技术所细分的第三个能量等级。
4、在对芯片内置的EEPROM擦写和编程时，芯片必须提供给EEPROM的浮栅控制端擦写和编程所必需的17伏高压。该高压需要由内置振荡器电路激励一个电荷泵电路模块而生成。在前一个能量等级基础上，高频振荡器和电荷泵电路都需要额外的功率消耗，此时典型的能量需求例子是整流器输出5伏直流电压。此为无源射频标签的第四级能量水平。
5、整流器输出超过7伏电压的能量水平对电路中某些关键的晶体管耐压构成可靠性威胁。于是能量管理模块将对应于整流器输出电压高于7伏的能量水平设定为能量极限，此为无源射频标签的第五级能量水平。
对应于上述细分的五个不同的能量水平，本实施例即采用四路成并联结构连接于整流电路的电源输出端V1与地线之间的电源电压探测与判定电路，并设定所述四路电源电压探测与判定电路的第一分压单元与第二分压单元的阻抗比分别为：1:1,2:1,4:1和9:1，则，当V1值小于1.4伏（不含1.4伏）时，VT1、VT2、VT3、VT4分别为0、0、0、0，因此，智能化能量管理模块即可判定出标签所处于的电荷水平为低于第一级能量水平的；当V1值位于1.4伏～2.1（不含2.1伏）伏时，VT1、VT2、VT3、VT4分别为1、0、0、0，因此，智能化能量管理模块即可判定出标签所处于的电荷水平为第一级能量水平；当V1值位于2.1伏～3.5伏（不含3.5伏）时，VT1、VT2、VT3、VT4分别为1、1、0、0，因此，智能化能量管理模块即可判定出标签所处于的电荷水平为第二级能量水平；当V1值位于3.5伏～7（不含7伏）伏时，VT1、VT2、VT3、VT4分别为1、1、1、0，因此，智能化能量管理模块即可判定出标签所处于的电荷水平为第四级能量水平；当V1值高于7伏时，VT1、VT2、VT3、VT4分别为1、1、1、1，因此，智能化能量管理模块即可判定出标签所处于的电荷水平为高于第四级能量水平的状态。
智能化的能量管理策略将无源射频标签芯片***中所有的模拟电路模块划分为至少两个最大的状态分类，即应用模式状态和休眠（关断）模式状态。在相应的模式下主动让某些模拟电路模块进入休眠状态，构成本技术达到具有竞争力的低功耗设计的关键。采用使能／关断的逻辑信号作为控制机制的设计，进入休眠状态的模拟电路采取如下两种电路处理方式：
1、将所有偏置电流源设置处于断路状态。比如，由N型MOS管构成的电流源，由一个开关NMOS管跨接在电流源NMOS管的栅极和地线之间。当开关NMOS管接收到进入休眠状态的信号时，其沟道导通，将电流源NMOS管的栅极电压拉低到地，于是电流源NMOS管关断；由P型MOS管构成的电流源，由一个开关PMOS管跨接在电流源PMOS管的栅极和电源线之间。当开关PMOS管接收到进入休眠状态的信号(该信号反相，即低有效)时，其沟道导通，将电流源PMOS管的栅极电压拉高到电源线，于是电流源PMOS管关断。
2、将该模拟电路模块的输出信号置零电位。在电流源偏置关断的情况下，某些模拟电路模块的输出处于未被驱动的状态，需要被可靠地置零电位才能避免不可预知的电路状态。比如，低压差稳压电源的输出在该稳压电源处于休眠状态下，需要用开关MOS管将其输出主动拉低到零电位；带隙基准电压模块的输出提供整个芯片内不随温度和工艺漂移的基准电压，一旦其处于低功耗的休眠状态，芯片***的其他模块不需要该带隙基准时，其带隙基准电压输出即被一开关MOS管主动拉低到零电位；在不需要解析读卡器发出的命令状态下，芯片***中的解调器电路输出不能处于未被驱动的状态而发出随机信号，所以在电流源偏置关断的情况下，解调器自身的信号输出端需要被一开关MOS管主动拉低到零电位；在不需要读EEPROM数据的状态，与EEPROM操作相关的读电压检测与判定电路模块，读电压稳压电源模块的输出需要一开关MOS管主动拉低到零电位；在不需要擦写和写入EEPROM数据的状态，和擦写EEPROM有关的高频振荡器与电荷泵电路模块的输出均需要由一开关MOS管主动拉低到零电位，否则能量消耗无法降低。
智能化能量管理策略的设计利用智能化能量管理模块分别控制上述偏置电流源和模拟电路模块输出的使能／关断信号，将各模拟电路模块在相应的模式下进入低功耗的休眠状态，以提高标签芯片的灵敏度。
上述为将偏置电流源处于完全打开或者是短路两种极限状态以使相应的模拟电路模块工作或者是休眠，同时，偏置电流的大小不同，模拟电路模块所处于的工作模式也会不同。本发明所述智能化能量管理模块可以更进一步的按照工作模式细分模拟电路模块的偏置条件，以达到自适应智能***的性能。偏置电流的设计在本技术中采用多于一个偏置电流源支路的设计。在需要达到低功耗的应用条件下，只有一路最小偏置电流源输入到被偏置的电路模块中，此时的模块性能被设置到能够工作的最低性能状态；在需要该模块进入高性能状态时，由使能信号接通其余的偏置电流支路到模块中，以达到预期的高性能。具体的实施分为以下几个模块：
1、调制状态或者强场下稳压电源偏置电流的调整
无源射频标签的天线在调制状态下进行负载调制，调制深度适当的增大有助于读卡器端接收并解调射频标签发出的信号，即天线端上的电压呈现明显的代表所调制信息的波峰波谷的幅度变化。但是该明显增强的波峰波谷的幅度变化对于电源抑制比有限的各模拟电路模块有着较大的影响，其中，稳压电源模块的电源抑制比性能最为关键。此时的稳压电源输出电压有着比其他状态更大的纹波波动，而影响其他模块的电学性能。稳压电源中作为纠错功能关键部件的纠错放大器的环路带宽直接影响着较大纹波波动条件下的输出，带宽越大，瞬态响应就越平稳，而偏置电流的大小和环路带宽是线性相关的。所以，此时利用使能信号将偏置电流增大到多个支路偏置的配置，有利于提高该状态下的性能。同样的原理适用于强场情况下天线端上的电压纹波波动较大的情况，此时的稳压电源偏置电流可以在智能化能量管理策略的控制下得到调整，以适应性能需求。
2、强场状态下解调电路偏置电流的调整
解调电路的偏置电流大小在本技术中决定了可以正确解调的调制深度大小，当耦合的场强度过大时，幅度调制信号在解调器中呈现过饱和状态，即解调电路分辨不出由波峰波谷所代表的信息，因为此时的即便是波谷，其电压也已经高于可以解调的限度，而分辨不出区别来。此时的偏置电流可以适当调整为多于一路的偏置支路并联进解调电路模块，使得在同样的调制深度情况下，解调器可以进行解调的信号幅度范围显著增大。
3、强场状态下带隙基准电路偏置的调整
如前所述，强场情况下天线端上的电压纹波波动较大，对于电源抑制比为有限的带隙基准电压输出有着较大的影响，即此时的带隙基准输出有纹波抖动。带隙基准电压产生模块的电源抑制比同样与带隙基准电路中的纠错放大器带宽有关，而纠错放大器的带宽也是与其自身的偏置电流大小直接相关的。在弱场应用条件下，因为标签灵敏度的考虑，该偏置电流一般取得尽量小；在强场条件下，能量足够，此时增加纠错放大器的偏置电流有助于提高带隙基准电压输出的瞬态特性，而使得整体***性能因为作为参考电压的带隙基准电压的稳定而得到保证。
以下，将智能化能量管理模块对各模拟电路模块的智能化能量管理分别作为对本发明的实施例进行详细描述。
实施例一解调电路模块的控制
除了在调制状态下处于休眠状态之外，解调电路在标签芯片中保持正常的工作状态以随时接收读卡器指令。从本技术所实施的能量等级划分中得知，解调电路工作在第二能量等级中，稍高于标签主动应答的TTF模式下的能量等级。所以解调电路模块的使能信号受调制模式使能信号的反逻辑信号，以及对第二级能量等级的判定结果而定。
同样的，更进一步的强场有可能带来的纹波波动可以由调整该解调电路模块的偏置电流来补偿。这个补偿的决定是结合调制模式使能信号的反逻辑信号，和对第二能量水平等级的判定结果而做出的。
实施例二***稳压电源模块的控制
***上电之后，在能量水平达到***复位水平之前，***稳压电源模块处于关断状态，做到不耗电，以保证***尽快积累能量进入工作态。
经过***复位之后，如果整流器输出的能量水平超过额定的数字逻辑控制电路模块所需要的工作电压（该判定由***上电和复位电路模块执行），为了保证数字逻辑部分的晶体管可靠性，***稳压电源模块进入工作状态，即使能信号置高，保证稳压输出电压满足可靠性的要求，比如1.8伏。如果整流器输出的能量水平不到上述额定工作电压，稳压电源模块处于“直通”状态（Bypass），即整流出来的电压不经过稳压直接对后续负载电路供电。
在稳压电源模块正常的工作状态中，如果电源电压检测和判定电路指示整流器输出的能量高于第三个能量划分等级，即高于3.5伏，智能能量管理策略模块输出指令调高该稳压电源模块的偏置电流，此时的稳压电源具有更好的电源抑制比性能。
实施例三2.0伏读EEPROM稳压电源模块的控制
输出为2.0伏的EEPROM读电压稳压电源是连续读取EEPROM数据所需要的稳定的读取条件。在没有进入读状态时，该稳压电源模块的使能信号保持为低。接受到读指令后，***中对第三能量等级判定的输出进行检查，如果该输出为逻辑高，即说明标签接收的能量水平足以读取EEPROM。一旦满足了上述两个条件，即收到读指令，并且能量水平足够，2.0伏稳压电源使能信号被置高，使其进入工作状态。
同样的，更进一步的强场有可能带来的纹波波动可以由调整该稳压电源模块的偏置电流来补偿。这个补偿的决定是结合读EEPROM的状态，和对第四能量水平等级的判定结果而做出的。
实施例四带隙基准电压模块的控制
***上电之后，如果***进入调制状态，不需要带隙基准模块工作，带隙基准电压模块的使能信号置低；否则该使能信号置高，使其在能量水平达到上电复位水平之后进入正常工作状态。
在带隙基准电压正常工作状态中，如果电源电压检测和判定电路的结果指示整流器输出的能量高于第三个能量划分等级，即高于3.5伏，带隙基准电压模块的偏置电流进入大电流偏置状态，使得输出电压具有较好的电源抑制比和瞬态响应特性；否则保持缺省的低功耗偏置状态。
实施例五电荷泵电路模块的控制
电荷泵及其电荷泵所需要的高频振荡器只有在对EEPROM进行擦写、编程等初始化工作的时候才需要。电荷泵使能信号的控制由擦写指令的接收，以及对第四能量水平等级的判定结果而定。
实施例六整流限幅电路模块的控制
整流电路模块的输出直流电压水平代表了RFID标签芯片接收能量的水平，并且受限幅电路模块的调解控制。对于本技术所实施的y个限幅放电通路，由于各放电通路的N型MOS管宽长比各不相同，使各放电通路的放电能力也各不相同，各种不同的N型MOS管打开和关闭的组合形式便实现了各种不同程度的漏电状态。因此，y个并联的放电通路一共可以有2y个泄放通路组合，达到比较精确的泄放能力的控制。y的数值越大，放电通路的组合形式越多，则在限幅电压范围内的限幅放电点越多，即限幅的精度越高。在实施上述智能化的能量管理策略的基础上，对限幅电路的精确控制可以确保晶体管耐压可靠性的要求。
当整流器输出的直流电压达到最高的能量水平时，该能量等级的电源电压探测与判定电路模块输出为高，芯片上晶体管承受过度电压驱动的可靠性压力，于是智能化能量管理模块的第一控制输出端可以依次对2y个开关组合进行调控，精确调整泄放电流的能力，直到该能量等级的电源电压探测与判定电路模块输出为低，达到可靠性的要求。
本发明实施例的另一目的在于提供一种包括上述智能化能量管理***的无源射频标签。所述该无源射频标签在整流电路的输出端设置有智能化能量管理模块和x个电源电压探测与判定电路，并在整流电路的放电通路并列设置有y个宽长比各不相同的N型MOS管。由于x个电源电压探测与判定电路的限幅点各不相同，因此随着无源射频标签与读卡器之间的距离变化，第一天线端与第二天线端之间的电荷量处于不同的能量水平时，各路电源电压探测与判定电路输出的逻辑信号也各不相同，智能化能量管理模块检测到该逻辑信号，从而得出标签所处于的电荷水平。同时，智能化能量管理模块通过控制各模拟电路模块的偏置电流源以及模拟电路模块的使能/关断信号，来智能化的控制各模式下模拟电路模块的工作状态，如将需要处于工作状态的模拟电路模块的偏置电流源打开并输出至预定大小的值，以使其处于最优化的工作状态，或者是对不必要工作的模拟电路模块输入大小合适的偏置电流，实现将该模拟电路模块处于休眠状态，或者是将偏置电流源处于断路状态，同时将该模拟电路模块的输出信号置零电位，实现将模拟电路模块处于完全的关断状态，以达到低功耗和高灵敏度的性能要求。
再者，智能化能量管理模块通过控制并列设置的y个宽长比各不相同的N型MOS管构成的放电通路，来适时的对天线端的电荷量大小进行泄放电控制，使得与电感线圈天线所连接的器件的耐压得以可靠的保证，防止过高的电压击穿负载电路。
本发明实施例的再一目的在于提供一种应用上述智能化能量管理***对无源射频标签进行智能化能量管理的方法，该管理方法的流程图如图12所示，所述智能化能量管理方法包括步骤如下：
a、谐振电容与谐振电感接收外部电磁场并将其耦合至整流电路，整流电路将该交流电源整流为直流电源并分别输出至包括解调电路和智能化能量管理模块在内的所有模拟电路模块，以及电源电压探测与判定电路电源输入端；
b、所述至少两路电源电压探测与判定电路检测直流电源值，由于各路电源电压探测与判定电路限幅点各不相同，因此当直流电源位于不同的数值时，各路电源电压探测与判定电路输出的逻辑信号也各不相同，智能化能量管理模块检测到该逻辑信号，从而得出标签所处于的电荷水平；
c、所述解调电路从天线端解调出读卡器的命令信号并输入至所述智能化能量管理模块，从而得出标签所应该处于的使能状态；
d、所述智能化能量管理模块连接至偏置电流源和模拟电路模块，当智能化能量管理模块得到的读卡器指令是需要该模拟电路模块，如带隙基准电压模块，处于工作状态，且标签所处于的电荷水平满足该模拟电路模块工作的电压时，智能化能量管理模块控制偏置电流源对该模拟电路模块输入大小合适的偏置电流，以使其处于最优化的工作状态，当智能化能量管理模块得到的读卡器指令是需要该模拟电路模块处于休眠状态时，智能化能量管理模块控制偏置电流源输入大小合适的偏置电流，实现将该模拟电路模块处于休眠状态，或者是将偏置电流源处于断路状态，同时将该模拟电路模块的输出信号置零电位，实现将该模拟电路模块处于完全的关断状态，以达到降低功耗的目的。
所述智能化能量管理模块通过能量管理算法对模拟电路模块进行智能化的能量管理，以达到低功耗和高灵敏度的性能要求。
能量管理算法的输入条件为两个方面，其一是所述智能化能量管理模块的第一控制输入端所接收的电源电压探测与判定电路所探测得出的标签所处于的电荷水平，即代表标签接收的场能量水平的数字代码；其二是所述智能化能量管理模块的第二控制输入端所接收的解调电路解析得出的标签所应该处于的使能状态，即比如TTF模式，解析命令的模式，读取EEPROM内存数据的模式，和对EEPROM内存擦写和编程的模式等。
能量管理算法的输出为三个方面。其一是所述智能化能量管理模块的第一控制输出端对整流电路的放电通路的控制信号VCTRL，即对本技术所实施的放电通路的控制输入端的开关控制，以调整限幅点和泄放电流的大小，使得***在不同模式下具有能量水平适合的限幅起点与限幅程度，以提高整体的***通讯性能；其二是所述智能化能量管理模块的第二控制输出端对各模拟电路模块的偏置电流源的调整控制信号，即决定该模拟电路模块在各种工作模式下以多大的偏置电流进行偏置；其三是所述智能化能量管理模块的第三控制输出端对各相应模拟电路模块进行使能／关断的控制信号，让工作的模拟电路模块处于最优化的工作状态，而让不必要在该模式下工作的模拟电路模块进入低功耗的休眠状态或者是完全的关断状态，以实现降低功耗和提高标签灵敏度的目的。

Claims (12)

1.一种无源射频标签的智能化能量管理***，其特征在于，所述***包括：
谐振电容，与谐振电感并联连接于第一天线端与第二天线端之间，用于与谐振电感组成谐振电路，接收外部电磁场并将其耦合至整流电路；
整流电路，其输入端连接至第一天线端与第二天线端，用于将所述谐振电路耦合的交流电源转换为直流电源，所述整流电路的第一输出端输出至包括解调电路和智能化能量管理模块在内的所有模拟电路模块，其第二输出端输出至电源电压探测与判定电路，用于为电源电压探测与判定电路提供判定电压，其第三输出端通过至少两个并联的N型MOS管接地作为放电通路，用于在场强过强时将电荷输出至地；
至少两路电源电压探测与判定电路，所述至少两路电源电压探测与判定电路电源输入端连接至所述整流电路第二输出端，其输出端连接至所述智能化能量管理模块第一控制输入端，用于根据所述第一天线端与第二天线端耦合的能量的大小生成逻辑信号输入至所述智能化能量管理模块；
解调电路，所述解调电路电源输入端连接至所述整流电路第一输出端，其控制输入端连接至所述第一天线端与第二天线端之间，其输出端连接至智能化能量管理模块第二控制输入端，用于根据天线两端的电压信号解调出标签所处于的使能状态并输入至所述智能化能量管理模块；
智能化能量管理模块，所述智能化能量管理模块电源输入端连接至所述整流电路第一输出端，其第一控制输入端连接至电源电压探测与判定电路输出端，其第二控制输入端连接至所述解调电路的输出端，其第一控制输出端连接至所述整流电路的至少两路放电通路的控制输入端，用于根据第一天线端与第二天线端之间的电荷量大小控制所述整流电路的放电通路打开或关闭，实现控制该输出端的漏电状态，其第二控制输出端及第三控制输出端分别连接至偏置电流源和模拟电路模块，用于通过控制模拟电路模块输入的偏置电流大小和模拟电路模块的使能/关断信号来控制所述模拟电路模块的工作状态。
2.根据权利要求1所述的无源射频标签的智能化能量管理***，其特征在于，所述整流电路包括并联连接于第一天线端与第二天线端之间的第一整流支路，第二整流支路以及第三整流支路。
3.根据权利要求2所述的无源射频标签的智能化能量管理***，其特征在于，所述第二整流支路为连接于第一天线端与第二天线端之间的第五二极管和第六二极管，或者是连接于第一天线端与第二天线端之间的第五N型MOS管和第六N型MOS管，
所述第五二极管和第六二极管阴极端连接至电源电压探测与判定电路电源输入端，用于为电源电压探测与判定电路提供判定电压；
所述第五N型MOS管栅极和漏极分别连接至第一天线端，第六N型MOS管栅极和漏极分别连接至第二天线端，第五N型MOS管源极连接至第六N型MOS管源极并输出至电源电压探测与判定电路电源输入端，用于为电源电压探测与判定电路提供判定电压。
4.根据权利要求2所述的无源射频标签的智能化能量管理***，其特征在于，所述第三整流支路为连接于第一天线端与第二天线端之间的第七二极管和第八二极管，或者是连接于第一天线端与第二天线端之间的第七N型MOS管和第八N型MOS管，
所述第七二极管和第八二极管阴极端连接至所述至少两个并联的N型MOS管的漏极，所述至少两个并联的N型MOS管栅极分别连接至所述智能化能量管理模块控制输出端，各N型MOS管的源极均接地，用于在场强过强时将电荷输出至地；
所述第七N型MOS管栅极和漏极分别连接至第一天线端，第八N型MOS管栅极和漏极分别连接至第二天线端，第七N型MOS管源极连接至第八N型MOS管源极并连接至所述至少两个并联的N型MOS管的漏极，所述至少两个并联的N型MOS管栅极分别连接至所述智能化能量管理模块控制输出端，各N型MOS管的源极均接地，用于在场强过强时将电荷输出至地。
5.根据权利要求1所述的无源射频标签的智能化能量管理***，其特征在于，所述电源电压探测与判定电路包括第一分压单元，第二分压单元，阈值比较单元，第一限流单元以及逻辑信号生成单元，
所述第一分压单元与第二分压单元依次串接于电源端与地线之间，阈值比较单元控制端连接于第一分压单元与第二分压单元之间，其输入端通过第一限流单元接入电流源，其输出端接地，所述逻辑信号生成单元输入端连接于阈值比较单元输入端与第一限流单元之间，用于判定天线端电荷量的大小并输入至所述智能化能量管理模块第一控制输入端。
6.根据权利要求5所述的无源射频标签的智能化能量管理***，其特征在于，所述第一分压单元为至少一个电阻，或至少一个P型MOS管，或至少一个N型MOS管中的任一种，
所述至少一个电阻中，任一电阻与相邻电阻首尾连接形成串联结构，第一个电阻连接至电源作为第一分压单元输入端，最后一个电阻连接至第二分压单元作为第一分压单元的输出端；
所述至少一个P型MOS管中，任一P型MOS管漏极端与相邻P型MOS管的源极端连接形成串联结构，第一个所述P型MOS管的源极连接至电源作为第一分压单元输入端，最后一个P型MOS管的漏极连接至第二分压单元作为第一分压单元的输出端,各P型MOS管的栅极均连接至最后一个P型MOS管的漏极；
所述至少一个N型MOS管中，任一N型MOS管源极端与相邻N型MOS管的漏极端连接形成串联结构，第一个所述N型MOS管的漏极连接至电源作为第一分压单元输入端，最后一个N型MOS管的源极连接至第二分压单元作为第一分压单元的输出端，各N型MOS管的栅极均连接至第一个N型MOS管的漏极。
7.根据权利要求5所述的无源射频标签的智能化能量管理***，其特征在于，所述第二分压单元为至少一个电阻，或至少一个P型MOS管，或至少一个N型MOS管中的任一种，
所述至少一个电阻中，任一电阻与相邻电阻首尾连接形成串联结构，第一个电阻连接至第一分压单元作为第二分压单元输入端，最后一个电阻接地作为第二分压单元的输出端；
所述至少一个P型MOS管中，任一P型MOS管漏极端与相邻P型MOS管的源极端连接形成串联结构，第一个所述P型MOS管的源极连接至第一分压单元作为第二分压单元输入端，最后一个P型MOS管的漏极接地作为第二分压单元的输出端,各P型MOS管的栅极均连接至最后一个P型MOS管的漏极；
所述至少一个N型MOS管中，任一N型MOS管源极端与相邻N型MOS管的漏极端连接形成串联结构，第一个所述N型MOS管的漏极连接至第一分压单元作为第二分压单元输入端，最后一个N型MOS管的源极接地作为第二分压单元的输出端，各N型MOS管的栅极均连接至第一个N型MOS管的漏极。
8.根据权利要求5所述的无源射频标签的智能化能量管理***，其特征在于，所述第一限流单元为至少一个电阻，或至少一个P型MOS管，或至少一个N型MOS管中的任一种，
所述至少一个电阻中，任一电阻与相邻电阻首尾连接形成串联结构，第一个电阻连接至电源作为第一限流单元输入端，最后一个电阻连接至阈值比较单元作为第一限流单元的输出端；
所述至少一个P型MOS管中，任一P型MOS管漏极端与相邻P型MOS管的源极端连接形成串联结构，第一个所述P型MOS管的源极连接至电源作为第一限流单元输入端，最后一个P型MOS管的漏极连接至阈值比较单元作为第一限流单元的输出端,各P型MOS管的栅极均连接至最后一个P型MOS管的漏极；
所述至少一个N型MOS管中，任一N型MOS管源极端与相邻N型MOS管的漏极端连接形成串联结构，第一个所述N型MOS管的漏极连接至电源作为第一限流单元输入端，最后一个N型MOS管的源极连接至阈值比较单元作为第一限流单元的输出端，各N型MOS管的栅极均连接至第一个N型MOS管的漏极。
9.根据权利要求5所述的无源射频标签的智能化能量管理***，其特征在于，所述阈值比较单元为至少一个N型MOS管，
所述至少一个N型MOS管中，任一N型MOS管源极端与相邻N型MOS管的漏极端连接形成串联结构，第一个所述N型MOS管的漏极通过第一限流单元接入电流源作为阈值比较单元的输入端，最后一个N型MOS管的源极接地作为阈值比较单元的输出端，各N型MOS管的栅极均连接于第一分压单元与第二分压单元之间作为阈值比较单元的控制端。
10.根据权利要求5所述的无源射频标签的智能化能量管理***，其特征在于，所述逻辑信号生成单元为串接的奇数个反相器，第一个反相器输入级连接于阈值比较单元与第一限流单元之间作为逻辑信号生成单元的输入端，最后一个反相器输出级连接至智能化能量管理模块的控制输入端，用于根据天线端耦合的能量的大小生成逻辑信号输入至所述智能化能量管理模块第一控制输入端。
11.一种无源射频标签，其特征在于，所述无源射频标签包括如权利要求1-10中任一所述的智能化能量管理***。
12.一种应用如权利要求1-10中任一所述的智能化能量管理***对无源射频标签进行智能化能量管理的方法，其特征在于，所述智能化能量管理方法包括步骤如下：
a、谐振电容与谐振电感接收外部电磁场并将其耦合至整流电路，整流电路将该交流电源整流为直流电源并分别输出至包括解调电路和智能化能量管理模块在内的所有模拟电路模块，以及电源电压探测与判定电路电源输入端；
b、所述至少两路电源电压探测与判定电路检测直流电源值，由于各路电源电压探测与判定电路限幅点各不相同，因此当直流电源位于不同的数值时，各路电源电压探测与判定电路输出的逻辑信号也各不相同，智能化能量管理模块检测到该逻辑信号，从而得出标签所处于的电荷水平；
c、所述解调电路从天线端解调出读卡器的命令信号并输入至所述智能化能量管理模块，从而得出标签所应该处于的使能状态；
d、所述智能化能量管理模块连接至偏置电流源和模拟电路模块，当智能化能量管理模块得到的读卡器指令是需要该模拟电路模块，如带隙基准电压模块，处于工作状态，且标签所处于的电荷水平满足该模拟电路模块工作的电压时，智能化能量管理模块控制偏置电流源对该模拟电路模块输入大小合适的偏置电流，以使其处于最优化的工作状态，当智能化能量管理模块得到的读卡器指令是需要该模拟电路模块处于休眠状态时，智能化能量管理模块控制偏置电流源输入大小合适的偏置电流，实现将该模拟电路模块处于休眠状态，或者是将偏置电流源处于断路状态，同时将该模拟电路模块的输出信号置零电位，实现将该模拟电路模块处于完全的关断状态，以达到降低功耗的目的。
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015103958A1 (zh) * 2014-01-08 2015-07-16 卓捷创芯科技（深圳）有限公司 一种开关信号控制的整流与限幅电路与无源射频标签
WO2015103959A1 (zh) * 2014-01-08 2015-07-16 卓捷创芯科技（深圳）有限公司 一种无源射频标签的智能化能量管理***与能量管理方法
CN106611144A (zh) * 2015-10-23 2017-05-03 上海华虹集成电路有限责任公司 射频识别中解调电路灵敏度自动调整***
CN107209869A (zh) * 2014-12-02 2017-09-26 泰科消防及安全有限公司 具有使用亚阈值技术的集成电路的无源rfid标签
CN107437107A (zh) * 2016-05-26 2017-12-05 上海复旦微电子集团股份有限公司 一种rfid标签
CN108241399A (zh) * 2016-12-27 2018-07-03 上海华虹集成电路有限责任公司 功耗阶跃抑制电路
CN108416415A (zh) * 2018-05-14 2018-08-17 上海坤锐电子科技有限公司 双天线无源电子标签、***及其监测***
CN108596298A (zh) * 2018-04-25 2018-09-28 京东方科技集团股份有限公司 用于电子标签管理的装置、电子标签管理的方法
CN109698713A (zh) * 2017-10-20 2019-04-30 南京启纬智芯微电子有限公司 具有能量管理功能的nfc接口
CN114844530A (zh) * 2021-02-01 2022-08-02 上海复旦微电子集团股份有限公司 无源nfc接口和无源nfc设备
CN115224961A (zh) * 2022-08-24 2022-10-21 厦门大学 一种适用于高频和超高频的整流器

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB201717999D0 (en) * 2017-10-31 2017-12-13 Sensor Driven Ltd Electronic circuits comprising voltage detectors
JP6946990B2 (ja) * 2017-12-06 2021-10-13 株式会社デンソー 信号出力装置
CN109635604B (zh) * 2019-01-17 2023-12-26 深圳和而泰智能控制股份有限公司 一种近场识别电路和***
CN111460841B (zh) * 2020-03-31 2024-02-27 中国银行股份有限公司 射频识别标签的检测电路和方法
CN112288068B (zh) * 2020-10-24 2024-02-27 卓捷创芯科技（深圳）有限公司 一种无源射频识别标签的正反馈闩锁限幅控制电路和方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101038616A (zh) * 2006-03-17 2007-09-19 上海华虹集成电路有限责任公司 用于非接触式ic卡和射频识别标签芯片的限幅保护电路
US20070296583A1 (en) * 2006-06-21 2007-12-27 Broadcom Corporation, A California Corporation Integrated circuit assembly including RFID and components thereof
CN101989811A (zh) * 2009-08-07 2011-03-23 上海华虹Nec电子有限公司 高频rfid标签的整流器电路、标签电路及芯片
CN102142100A (zh) * 2011-04-08 2011-08-03 华中科技大学 一种高频无源rfid模拟前端电路
US20110241842A1 (en) * 2008-12-16 2011-10-06 Kosta Kovacic Method for a battery and passive power supply to an rfid tag and a switching circuit for carrying out said method
CN103092245A (zh) * 2013-01-09 2013-05-08 卓捷创芯科技（深圳）有限公司 一种超低功耗的低压差稳压电源电路与射频识别标签

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4818855A (en) * 1985-01-11 1989-04-04 Indala Corporation Identification system
US5606323A (en) * 1995-08-31 1997-02-25 International Business Machines Corporation Diode modulator for radio frequency transponder
FR2776865B1 (fr) * 1998-03-31 2000-05-05 Commissariat Energie Atomique Dispositif de teletransmission par couplage inductif
FR2787655B1 (fr) * 1998-12-21 2001-03-09 St Microelectronics Sa Modulation capacitive dans un transpondeur electromagnetique
US6134130A (en) * 1999-07-19 2000-10-17 Motorola, Inc. Power reception circuits for a device receiving an AC power signal
FR2807586B1 (fr) * 2000-04-05 2002-07-05 St Microelectronics Sa Dispositif de modulation de charge dans un circuit integre tele-alimente
FR2808634A1 (fr) * 2000-05-05 2001-11-09 St Microelectronics Sa Amelioration de la capacite de demodulation d'un transpondeur electromagnetique
JP3665958B2 (ja) * 2000-05-25 2005-06-29 株式会社山武 データ収集装置
EP1538557B1 (fr) * 2003-12-05 2013-02-13 STMicroelectronics S.A. Modulation résistive et capacitive dans un transpondeur électromagnétique
GB0722516D0 (en) * 2007-11-15 2007-12-27 Innovision Res & Tech Plc Near field communication devices
CN201413526Y (zh) * 2009-05-27 2010-02-24 北京汉信码科技有限公司 一种新型的具有不同频率的射频识别芯片
US8207827B2 (en) * 2009-07-15 2012-06-26 General Electric Company Methods and systems for sensing upon radiation exposure
CN102103387B (zh) * 2009-12-18 2013-03-20 上海华虹集成电路有限责任公司 自适应电流平衡的稳压电路
CN202331539U (zh) * 2011-11-18 2012-07-11 华中科技大学 一种高频无源rfid模拟前端电路
FR2992123A1 (fr) * 2012-06-13 2013-12-20 St Microelectronics Rousset Gestion d'energie dans un transpondeur electromagnetique
CN103714378B (zh) * 2014-01-08 2016-09-07 卓捷创芯科技（深圳）有限公司 一种无源射频标签的智能化能量管理***与能量管理方法
CN103699928B (zh) * 2014-01-08 2017-01-04 卓捷创芯科技（深圳）有限公司 一种可连续调整整流信号幅度的限幅电路与无源射频标签
CN103699929B (zh) * 2014-01-08 2017-01-04 卓捷创芯科技（深圳）有限公司 一种开关信号控制的整流与限幅电路与无源射频标签
EP3082072B1 (fr) * 2015-04-13 2017-12-27 EM Microelectronic-Marin SA Bloc récepteur d'une radio-étiquette

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101038616A (zh) * 2006-03-17 2007-09-19 上海华虹集成电路有限责任公司 用于非接触式ic卡和射频识别标签芯片的限幅保护电路
US20070296583A1 (en) * 2006-06-21 2007-12-27 Broadcom Corporation, A California Corporation Integrated circuit assembly including RFID and components thereof
US20110241842A1 (en) * 2008-12-16 2011-10-06 Kosta Kovacic Method for a battery and passive power supply to an rfid tag and a switching circuit for carrying out said method
CN101989811A (zh) * 2009-08-07 2011-03-23 上海华虹Nec电子有限公司 高频rfid标签的整流器电路、标签电路及芯片
CN102142100A (zh) * 2011-04-08 2011-08-03 华中科技大学 一种高频无源rfid模拟前端电路
CN103092245A (zh) * 2013-01-09 2013-05-08 卓捷创芯科技（深圳）有限公司 一种超低功耗的低压差稳压电源电路与射频识别标签

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015103959A1 (zh) * 2014-01-08 2015-07-16 卓捷创芯科技（深圳）有限公司 一种无源射频标签的智能化能量管理***与能量管理方法
WO2015103958A1 (zh) * 2014-01-08 2015-07-16 卓捷创芯科技（深圳）有限公司 一种开关信号控制的整流与限幅电路与无源射频标签
CN107209869A (zh) * 2014-12-02 2017-09-26 泰科消防及安全有限公司 具有使用亚阈值技术的集成电路的无源rfid标签
CN107209869B (zh) * 2014-12-02 2020-10-27 泰科消防及安全有限公司 具有使用亚阈值技术的集成电路的无源rfid标签
CN106611144B (zh) * 2015-10-23 2019-05-14 上海华虹集成电路有限责任公司 射频识别中解调电路灵敏度自动调整***
CN106611144A (zh) * 2015-10-23 2017-05-03 上海华虹集成电路有限责任公司 射频识别中解调电路灵敏度自动调整***
CN107437107A (zh) * 2016-05-26 2017-12-05 上海复旦微电子集团股份有限公司 一种rfid标签
CN107437107B (zh) * 2016-05-26 2020-09-22 上海复旦微电子集团股份有限公司 一种rfid标签
CN108241399A (zh) * 2016-12-27 2018-07-03 上海华虹集成电路有限责任公司 功耗阶跃抑制电路
CN109698713A (zh) * 2017-10-20 2019-04-30 南京启纬智芯微电子有限公司 具有能量管理功能的nfc接口
CN108596298A (zh) * 2018-04-25 2018-09-28 京东方科技集团股份有限公司 用于电子标签管理的装置、电子标签管理的方法
CN108596298B (zh) * 2018-04-25 2023-08-04 京东方科技集团股份有限公司 用于电子标签管理的装置、电子标签管理的方法
CN108416415A (zh) * 2018-05-14 2018-08-17 上海坤锐电子科技有限公司 双天线无源电子标签、***及其监测***
CN108416415B (zh) * 2018-05-14 2023-09-01 上海坤锐电子科技有限公司 双天线无源电子标签、***及其监测***
CN114844530A (zh) * 2021-02-01 2022-08-02 上海复旦微电子集团股份有限公司 无源nfc接口和无源nfc设备
CN115224961A (zh) * 2022-08-24 2022-10-21 厦门大学 一种适用于高频和超高频的整流器

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US9898631B2 (en) 2018-02-20
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