CN103713431A - 显示基板及具有该显示基板的液晶显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种显示基板及具有该显示基板的液晶显示面板。该显示基板包括：与多个像素相对应的显示区；环绕该显示区的***区；薄膜晶体管，用于驱动这些像素中相对应的一个像素；栅极线，电联接至该薄膜晶体管；数据线，与该栅极线交叉并且电联接至该薄膜晶体管；像素电极，电联接至该薄膜晶体管；以及公共电极，与该像素电极重叠，并且具有与这些像素中的第一像素重叠的第一开口以及与这些像素中邻近第一像素的第二像素重叠的第二开口，其中第一开口和第二开口沿不同的方向延伸，并且其中公共电极是连续的并且与第一像素和第二像素重叠。

Description

显示基板及具有该显示基板的液晶显示面板
相关申请的交叉引用
本申请要求于2012年10月5日提交的韩国专利申请No.10-2012-0110417的优先权和权益，该韩国专利申请的全部公开内容通过引用特此并入本文。
技术领域
本发明的示例实施例涉及显示基板和具有该显示基板的液晶显示面板。
背景技术
液晶显示设备具有诸如重量轻、厚度薄、功耗低等之类的各种优势，使得液晶显示设备被广泛应用。
液晶显示设备利用在两个电极（例如像素电极和公共电极）之间形成的电场来控制液晶的取向，以显示图像。像素电极和公共电极可以形成在不同的基板上。不过，近来，越来越多地使用包括形成在相同基板上的像素电极和公共电极的面线切换或面到线切换式液晶面板（例如PLS型LCD），来扩大视角等。
然而，通过PLS型液晶面板呈现的颜色可能依赖于视角而改变。当在像素中形成多个畴来改善色变问题时，可能在各畴边界附近形成液晶纹理，从而降低亮度。
发明内容
本发明的示例实施例提供一种显示基板和一种能够在不降低亮度的情况下提高显示质量的LCD面板。
根据本发明的示例实施例的一个方面，一种显示基板包括：与多个像素相对应的显示区；环绕所述显示区的***区；薄膜晶体管，用于驱动所述多个像素中相对应的一个像素；栅极线，电联接至所述薄膜晶体管；数据线，与所述栅极线交叉并且电联接至所述薄膜晶体管；像素电极，电联接至所述薄膜晶体管；以及公共电极，与所述像素电极重叠，并且具有与所述多个像素中的第一像素重叠的第一开口以及与所述多个像素中邻近所述第一像素的第二像素重叠的第二开口，其中所述第一开口和所述第二开口沿不同方向延伸，并且其中所述公共电极在所述显示区中连续延伸，并且与所述第一像素和所述第二像素重叠。
所述第一开口和所述第二开口可以一起形成连续的开口。
所述第一像素可以沿行方向邻近所述第二像素。
所述第一开口可以与所述第二开口关于所述数据线对称。
所述公共电极可以进一步具有：第三开口，与所述多个像素中沿列方向邻近所述第一像素的第三像素重叠；以及第四开口，与所述多个像素中沿所述列方向邻近所述第二像素且沿所述行方向邻近所述第三像素的第四像素重叠，并且所述第三开口可以与所述第一开口关于所述栅极线对称，以及所述第四开口可以与所述第二开口关于所述栅极线对称。
所述第一开口可以具有第一延伸部、第二延伸部和第三延伸部，所述第一延伸部沿第一方向延伸，所述第二延伸部从所述第一延伸部的一端沿与所述第一方向不同的第二方向延伸，所述第三延伸部从所述第一延伸部的相对端沿与所述第一方向不同的第三方向延伸。
所述第二方向可以与所述第三方向相反。
所述第二延伸部和所述第三延伸部均可以与所述像素电极部分重叠。
所述第一开口可以沿行方向邻近所述第二开口，并且可以与所述第二开口间隔开。
所述第一开口可以具有第一延伸部、第二延伸部和第三延伸部，所述第一延伸部沿第一方向延伸，所述第二延伸部从所述第一延伸部的一端沿与所述第一方向不同的第二方向延伸，所述第三延伸部从所述第一延伸部的相对端沿与所述第一方向不同的第三方向延伸。
所述第二延伸部和所述第三延伸部可以分别与邻近的数据线重叠。
所述第二延伸部和所述第三延伸部可以在平面图中与邻近的数据线间隔开。
所述显示基板可以进一步包括位于所述***区的电联接至所述公共电极的公共线。
所述公共电极可以位于所述像素电极上。
所述显示基板可以进一步包括位于所述公共电极上并且沿行方向经摩擦的下取向层。
根据本发明的示例实施例的一个方面，一种显示基板包括：与多个像素相对应的显示区；环绕所述显示区的***区；薄膜晶体管，用于驱动所述多个像素中相对应的一个像素；栅极线，电联接至所述薄膜晶体管；数据线，与所述栅极线交叉并且电联接至所述薄膜晶体管；像素电极，电联接至所述薄膜晶体管；以及公共电极，与所述像素电极重叠，并且具有与所述多个像素中的第一像素以及所述多个像素中邻近所述第一像素的第二像素重叠的第一开口，其中所述第一开口具有锯齿形状。
所述第一开口可以具有沿列方向延伸并且具有“V”形状的突出部。
所述第一开口可以具有与所述数据线重叠的突出部。
所述公共电极可以进一步具有与所述多个像素中沿列方向邻近所述第一像素的第三像素重叠并与所述多个像素中沿所述列方向邻近所述第二像素且沿行方向邻近所述第三像素的第四像素重叠的第二开口，并且所述第一开口和所述第二开口关于所述栅极线对称。
根据本发明的示例实施例的一个方面，一种液晶显示面板包括：显示基板，包括与多个像素相对应的显示区以及环绕所述显示区的***区；对基板，联接至所述显示基板；液晶层，位于所述显示基板和所述对基板之间；薄膜晶体管，位于所述显示基板上并且用于驱动所述多个像素中相对应的一个像素；栅极线，电联接至所述薄膜晶体管；数据线，与所述栅极线交叉并且电联接至所述薄膜晶体管；像素电极，电联接至所述薄膜晶体管；以及公共电极，与所述像素电极重叠，并且具有与所述多个像素中的第一像素重叠的第一开口以及与所述多个像素中邻近所述第一像素的第二像素重叠的第二开口，其中所述第一开口和所述第二开口沿不同方向延伸，并且其中所述公共电极在所述显示区中连续延伸，并且与所述第一像素和所述第二像素重叠。
所述第一开口和所述第二开口可以一起限定连续的开口，并且所述第一像素和所述第二像素可以沿行方向彼此邻近。
所述第一开口可以与所述第二开口关于所述数据线对称。
所述公共电极可以进一步具有：第三开口，与所述多个像素中沿列方向邻近所述第一像素的第三像素重叠；以及第四开口，与所述多个像素中沿所述列方向邻近所述第二像素并且沿所述行方向邻近所述第三像素的第四像素重叠，并且所述第三开口可以与所述第一开口关于所述栅极线对称，并且所述第四开口可以与所述第二开口关于所述栅极线对称。
所述第一开口可以具有第一延伸部、第二延伸部和第三延伸部，所述第一延伸部沿第一方向延伸，所述第二延伸部从所述第一延伸部的一端沿与所述第一方向不同的第二方向延伸，所述第三延伸部从所述第一延伸部的相对端沿与所述第一方向不同的第三方向延伸。
所述第二方向可以与所述第三方向相反。
所述第二延伸部和所述第三延伸部均可以与所述像素电极部分重叠。
所述第一开口可以沿行方向邻近所述第二开口，并且可以与所述第二开口间隔开。
所述第一开口可以具有第一延伸部、第二延伸部和第三延伸部，所述第一延伸部沿第一方向延伸，所述第二延伸部从所述第一延伸部的一端沿与所述第一方向不同的第二方向延伸，所述第三延伸部从所述第一延伸部的相对端沿与所述第一方向不同的第三方向延伸。
所述第二延伸部和所述第三延伸部可以分别与邻近的数据线重叠。
所述第二延伸部和所述第三延伸部可以在平面图中与邻近的数据线间隔开。
所述显示基板可以进一步包括位于所述***区的电联接至所述公共电极的公共线。
所述显示基板可以进一步包括位于所述公共电极上并且沿行方向经摩擦的下取向层，以及位于所述对基板下方并且沿行方向被摩擦的上取向层。
根据本发明的示例实施例的一个方面，一种液晶显示面板包括：显示基板，包括与多个像素相对应的显示区以及环绕所述显示区的***区；对基板，联接至所述显示基板；液晶层，位于所述显示基板和所述对基板之间；薄膜晶体管，用于驱动所述显示基板上的所述多个像素中相对应的一个像素；栅极线，电联接至所述薄膜晶体管；数据线，与所述栅极线交叉并且电联接至所述薄膜晶体管；像素电极，电联接至所述薄膜晶体管；以及公共电极，与所述像素电极重叠，并且具有与所述多个像素中的第一像素重叠以及与所述多个像素中邻近所述第一像素的第二像素重叠的第一开口，其中所述第一开口具有锯齿形状。
所述第一开口可以具有突出部，所述突出部沿列方向突出并且具有“V”形状。
所述突出部可以与所述数据线重叠。
根据上文，显示区中的液晶分子沿不同方向排列，以形成多个畴。因此，无论视角如何，观察者察觉到的颜色可以相对一致。
而且，这些畴不是形成在单个像素区中，而是形成在不同的像素区中。因此，可以减少或防止在位于同一像素区中的各畴之间的边界处引起的亮度下降。
此外，公共电极的开口可以沿行方向和沿列方向对称，使得减少水平线缺陷，从而改善画面质量。
进一步，公共电极在显示区中连续延伸。因此，可以减少或防止在像素区之间的边界处引起的亮度下降或对比度下降。此外，当公共电极在显示区中连续延伸时，不需要形成在显示区中的公共线，使得开口率基本增大。
附图说明
通过以下结合附图的描述，可以更详细地理解本发明的示例实施例，其中：
图1是图示根据本发明示例实施例的显示基板的平面图；
图2是图示图1所示的实施例的显示基板的像素的放大平面图；
图3是图示图2的显示基板的沿线I-I′截取的截面图；
图4是图示图2所示的实施例的公共电极的平面图；
图5是图示图1所示的显示基板的区域“A”的放大平面图；
图6是图示图5的显示基板的沿线II-II′截取的截面图；
图7至图15是图示根据本发明示例实施例的制造显示基板的方法的截面图；
图16是图示根据本发明示例实施例的液晶显示面板的截面图；
图17是图示在根据本发明示例实施例的液晶显示面板的公共电极和像素电极上排列的液晶分子的平面图；
图18是图示根据本发明另一示例实施例的显示基板的平面图；
图19是图示图18所示的实施例的显示基板的公共电极的平面图；以及
图20是图示根据本发明另一实施例的显示基板的平面图。
具体实施方式
下文将参照附图更充分地描述本发明的示例实施例。然而，本发明可以以很多不同的形式体现，而不应当解释为限于这里阐述的示例实施例。附图中，为清楚起见，层和区域的尺寸和相对尺寸可能被放大。
可以理解，当提及一元件或层位于另一元件或层“上”或者“连接至”或“联接至”另一元件或层时，该元件或层可以直接位于另一元件或层上或者直接连接至或联接至另一元件或层，或者可以存在一个或多个中间元件或层。相反，当提及一元件或层“直接位于”另一元件或层“上”或者“直接连接至”或“直接联接至”另一元件或层时，不存在中间元件或层。相同或相似的附图标记始终指代相同或相似的元件。这里所使用的词语“和/或”包括所列出的相关联项目中的一个或多个的任意组合和所有组合。
可以理解，尽管这里可以使用词语第一、第二、第三等来描述各种元件、组件、区域、层、图案和/或部分，但这些元件、组件、区域、层、图案和/或部分不应当受限于这些词语。这些词语仅用于将一个元件、组件、区域、层、图案或部分与另一元件、组件、区域、层、图案或部分区分开来。因此，以下所讨论的第一元件、组件、区域、层或部分可以被命名为第二元件、组件、区域、层或部分，而不超出示例实施例的教导。
为了易于描述，这里可以使用空间上相对的词语，例如“下面”、“下方”、“下”、“上方”和“上”等，以描述如图中所示的一个元件或特征与另一元件或特征（或多个元件或特征）的关系。可以理解，空间上相对的词语意在除图中描绘的定向之外还包含处于使用中/操作中的装置的不同定向。例如，如果图中的装置翻转，则被描述为在其它元件或特征“下方”或“下面”的元件就会被定向为位于其它元件或特征“上方”。因此，示例性词语“下方”可以包含上方和下方的定向。装置可以进一步以不同方式定向（旋转90度或以其它定向），并且应对这里使用的空间上相对的描述语言进行相应的解释。
这里所使用的术语的目的仅在于描述特定的示例实施例，并不意在限制本发明。这里所使用的单数形式同样意在包括复数形式，除非上下文清楚地给出其它指示。进一步可以理解，词语“包括”和/或“包含”在本说明书中使用时指明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、和/或组件，但不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组合的存在或附加。
这里可以参照截面图描述示例实施例，截面图是本发明的示例实施例（及中间结构）的示意性图示。因此，由于例如制造技术和/或制造容限而导致的图示形状的改变是可以预期的。所以，示例性实施例不应当被解释为限于这里所图示的区域的特定形状，而应当被解释为包括由于例如制造而导致的形状的偏差。图中所示的区域本质上是示意性的，并且它们的形状并不意在示出装置的区域的实际形状，也不意在限制本发明构思的范围。
除非有其它限定，这里所使用的所有词语（包括科技术语）具有本发明实施例所属领域的普通技术人员通常理解的含义。进一步可以理解，术语应当被解释为具有与常用词典中所限定的以及在相关领域的背景中的含义相一致的含义，并且这些术语不应以理想化的或完全形式的意义来解释，除非这里明确进行了这种限定。
图1是图示根据本发明示例实施例的显示基板的平面图。参照图1，显示基板100被划分为用于显示图像的显示区DA以及环绕显示区DA的***区PA。
显示基板100包括基底基板110、位于基底基板110的显示区DA上的多个像素PX以及位于基底基板110的***区PA上的驱动部分。
每个像素PX包括像素薄膜晶体管TFT。因此，显示基板100包括薄膜晶体管阵列，该薄膜晶体管阵列包括被布置为矩阵结构的多个薄膜晶体管。像素薄膜晶体管TFT可以包括NMOS晶体管。像素PX包括像素电极PE，像素电极PE联接至像素薄膜晶体管TFT以形成液晶电容器CIc，并且像素PX还包括公共电极CE。在本发明的另一实施例中，像素PX可以进一步包括用于形成存储电容器的存储线和/或存储电极。
位于***区PA的驱动部分包括栅极驱动部分GD和数据驱动部分DD。栅极驱动部分GD向像素PX提供栅极信号，并且数据驱动部分DD向像素PX提供数据信号。栅极驱动部分GD和数据驱动部分DD可以包括集成在基底基板110上的电路晶体管，该电路晶体管可以是包括PMOS晶体管或NMOS晶体管的CMOS晶体管。
图2是图示图1所示的实施例的显示基板的像素的放大平面图。图3是图示图2的显示基板的沿线I-I′截取的截面图。图4是图示图2所示的公共电极的平面图。
参照图2和图3，显示基板100包括栅极线GL、数据线DL、栅电极GE、源电极SE、漏电极DE、有源图案AP、像素电极PE和公共电极CE。栅电极GE、源电极SE、漏电极DE和有源图案AP形成像素薄膜晶体管TFT。
栅极线GL电联接至栅极驱动部分GD，并且沿第一方向延伸。例如，栅极线GL可以沿显示基板100的行方向D1延伸。可以用于栅极线GL的材料的示例可以包括例如铜、铬、镍、钼、锰、钛、银、铝、它们的合金和/或类似物。栅极线GL可以具有单层结构，或者具有包括不同金属层的多层结构。例如，栅极线GL可以具有铜层的单层结构，或者可以具有包括位于铜层下方的钛层的双层结构。可替代地，栅极线GL可以包括金属层和位于金属层上和/或下方的氧化物阻挡层。例如，栅极线GL可以包括铜层、位于铜层上的氧化铟锌层以及位于铜层下方的氧化铟锌层。
栅电极GE电联接至栅极线GL，以从栅极驱动部分GD接收栅极信号。例如，栅电极GE可以具有突出于栅极线GL的形状。栅电极GE可以由与栅极线GL相同的层（例如以相同的顺序或在相同的时间）形成。在另一实施例中，栅电极GE可以与栅极线GL分离，并且可以通过桥电联接至栅极线GL。此外，栅电极GE可以包括与栅极线GL的材料不同的材料。
数据线DL电联接至数据驱动部分DD，并且沿第二方向延伸以与栅极线GL交叉。例如，数据线DL可以沿显示基板100的列方向D2延伸。数据线DL可以具有铜、铬、镍、钼、锰、钛、银、铝或它们的合金的单层结构，或者可以具有包括不同金属层的多层结构。而且，数据线DL可以包括金属层和位于金属层上和/或下方的氧化物阻挡层。
源电极SE电联接至数据线DL，以从数据驱动部分DD接收源信号。在本实施例中，源电极SE由数据线DL的一部分限定（例如源电极SE和数据线DL可以是连续形成的）。在另一实施例中，源电极SE可以具有突出于数据线DL的形状。在另一实施例中，源电极SE可以与数据线DL分离，并且可以通过桥电联接至数据线DL。此外，源电极SE可以包括与数据线DL的材料不同的材料。
漏电极DE与源电极SE间隔开，漏电极DE由与数据线DL和源电极SE相同的层形成，并且电联接至像素电极PE。
有源图案AP包括源极部SP、漏极部DP和位于源极部SP和漏极部DP之间的沟道部CP。低浓度掺杂部LD位于源极部SP和沟道部CP之间，并且还位于漏极部DP和沟道部CP之间。源极部SP、漏极部DP、沟道部CP和低浓度掺杂部LD由相同的层形成。
源极部SP电联接至源电极SE，并且漏极部DP电联接至漏电极DE。沟道部CP在平面图中与栅电极GE重叠（例如栅电极GE位于沟道部CP上方）。当将栅极信号施加至栅电极GE时，沟道部CP的导电率增大，使得向源极部SP提供的数据信号通过沟道部CP、漏极部DP和漏电极DE被提供至像素电极PE。
有源图案AP可以包括多晶硅。源极部SP和漏极部DP可以包括掺杂有高浓度杂质的多晶硅。低浓度掺杂部LD可以包括掺杂有低浓度杂质的多晶硅。沟道部CP可以包括未被掺杂的多晶硅。例如，源极部SP、漏极部DP和低浓度掺杂部LD可以掺杂有N型杂质。
公共电极CE与像素电极PE重叠，并与像素电极PE电绝缘，以及具有向其提供的公共电压。公共电极CE与沿行方向D1彼此邻近（例如挨靠）的至少两个像素电极连续重叠。优选地，公共电极CE在显示区DA中沿行方向D1连续地延伸（例如包括沿行方向D1延伸的多个连续片段）。此外，公共电极CE包括与像素电极PE重叠的开口OP。在本发明的实施例中，开口OP在显示区DA中基本沿行方向D1延伸。因此，开口OP与数据线DL交叉，并且公共电极CE由在显示区DA中沿列方向D2彼此间隔开的（例如被诸如开口OP之类的开口隔离的）多个电极部构成。
此外，开口OP包括沿列方向D2突出的突出部PP（例如突出部PP可以接着延伸开口OP的剩余部分进一步沿列方向D2延伸）。突出部PP与数据线DL重叠，并且可以具有V形状。下面将更全面地说明公共电极CE和开口OP。
参照图3，显示基板100包括形成在基底基板110上的遮光图案BP。遮光图案BP与有源图案AP重叠，并且位于有源图案AP和基底基板110之间。因此，遮光图案BP阻挡来自有源图案AP下方的入射光，以减少或防止入射光进入有源图案AP。因此，可以减少或防止薄膜晶体管的电气特性改变。可以用于遮光图案BP的材料的示例可以包括金属、有机材料、多晶硅和/或类似物。
第一绝缘层120形成在遮光图案BP上。第一绝缘层120可以包括诸如氮化硅或二氧化硅等之类的绝缘材料。有源图案AP形成在第一绝缘层120上，并且与遮光图案BP重叠。
第二绝缘层130形成在有源图案AP上，并且可以包括诸如氮化硅或二氧化硅等之类的绝缘材料。栅极线GL和栅电极GE形成在第二绝缘层130上。
第三绝缘层140形成在栅极线GL和栅电极GE上，并且可以包括诸如氮化硅或二氧化硅等之类的绝缘材料。数据线DL、源电极SE和漏电极DE形成在第三绝缘层140上。源电极SE通过第二绝缘层130和第三绝缘层140中的接触孔接触有源图案AP的源极部SP。漏电极DE通过第二绝缘层130和第三绝缘层140中的另一接触孔接触有源图案AP的漏极部DP。
第四绝缘层150和第五绝缘层160形成在数据线DL、源电极SE和漏电极DE上。第四绝缘层150可以包括诸如氮化硅或二氧化硅等之类的绝缘材料。第五绝缘层160补偿高度差，以使显示基板100的上表面平整（例如平整层）。第五绝缘层160可以包括有机绝缘材料。像素电极PE形成在第五绝缘层160上，并且通过被形成为穿过第四绝缘层150和第五绝缘层160的接触孔接触漏电极DE。
第六绝缘层170形成在像素电极PE上，并且可以包括诸如氮化硅或二氧化硅等之类的绝缘材料。在另一实施例中，第六绝缘层170可以包括有机绝缘材料。公共电极CE形成在第六绝缘层170上。
在本发明的实施例中，公共电极CE位于像素电极PE上。在本发明的另一实施例中，公共电极CE可以位于像素电极PE的下方。
下取向层180位于公共电极CE上，并且沿一方向被摩擦，使得位于显示基板100和对基板之间的液晶分子沿一方向排列，以具有预倾角。在本发明的实施例中，下取向层180的摩擦方向基本平行于显示基板100的行方向D1。
参照图2和图4，开口OP包括第一突出部PP1和第二突出部PP2，第一突出部PP1沿列方向D2突出，第二突出部PP2沿列方向D2朝与第一突出部PP1的突出方向相反的方向突出。第一突出部PP1和第二突出部PP2分别与相应的数据线DL重叠。
具体地，第一像素区PX1中的第一开口OP1包括沿第一方向延伸的第一延伸部OP11、从第一延伸部OP11的一端（例如第一端）沿第二方向延伸的第二延伸部OP12以及从第一延伸部OP11的相对端（例如第二端）沿第三方向延伸的第三延伸部OP13。第一延伸部OP11、第二延伸部OP12和第三延伸部OP13彼此连续联接（例如第一延伸部OP11、第二延伸部OP12和第三延伸部OP13一起形成连续的第一开口OP1）。
在本发明的实施例中，第一方向不同于第二方向，并且第二方向基本平行于第三方向。因此，第二方向与第三方向相反（例如第二延伸部OP12和第三延伸部OP13从第一延伸部OP11沿相反的方向延伸）。第一方向相对于行方向D1倾斜，使得第一方向不与栅极线GL或数据线DL平行。
在本发明的实施例中，第一延伸部OP11与像素电极PE完全重叠，并且第二延伸部OP12和第三延伸部OP13与像素电极PE部分重叠。
在本发明的实施例中，第一像素区PX1包括沿列方向D2彼此间隔开的多个第一开口OP1。第一开口OP1沿行方向D1联接至第二开口OP2，第二开口OP2位于邻近第一像素区PX1的第二像素区PX2中。第二开口OP2的形状与第一开口OP1的形状关于数据线DL对称。
第二开口OP2包括第一延伸部OP21、第二延伸部OP22和第三延伸部OP23，第一延伸部OP21沿第四方向延伸，第二延伸部OP22从第一延伸部OP21的一端沿第五方向延伸，第三延伸部OP23从第一延伸部OP21的相对端沿第六方向延伸。第一延伸部OP21、第二延伸部OP22和第三延伸部OP23彼此连续联接（例如以形成连续的第二开口OP2）。第二开口OP2的第二延伸部OP22联接至第一开口OP1的第三延伸部OP13，以形成突出部PP。
在本发明的实施例中，第四方向不同于第五方向，并且第五方向基本平行于（例如反向于）第六方向。第四方向相对于行方向D1倾斜，使得第四方向不与栅极线GL或数据线DL平行。
沿列方向D2邻近第一像素区PX1的第三像素区PX3中的第三开口OP3的形状与第一开口OP1的形状关于栅极线GL对称（例如第三开口OP3和第一开口OP1关于栅极线GL对称）。因此，第三开口OP3的形状（例如形状和方向）与第二开口OP2的形状基本相同。具体地，第三开口OP3包括彼此连续联接的第一延伸部OP31、第二延伸部OP32和第三延伸部OP33。
沿列方向D2邻近第二像素区PX2的且也沿行方向D1邻近第三像素区PX3的第四像素区PX4中的第四开口OP4，具有与第二开口OP2关于栅极线GL对称的形状。此外，第四开口OP4具有与第三开口OP3关于数据线DL对称的形状。因此，第四开口OP4的形状与第一开口OP1的形状基本相同（例如相同的形状和方向）。具体地，第四开口OP4包括彼此连续联接的第一延伸部OP41、第二延伸部OP42和第三延伸部OP43（例如第一延伸部OP41、第二延伸部OP42和第三延伸部OP43一起形成或限定第四开口OP4）。
因此，实施例中的公共电极CE具有重复单元（例如重复图案），该重复单元包括与两个行和两个列对应的四个像素区（例如这四个像素区成2×2矩阵形式）。分别对应于第一像素区PX1、第二像素区PX2、第三像素区PX3和第四像素区PX4的第一像素、第二像素、第三像素和第四像素联接至不同的薄膜晶体管，以被单独驱动。
图5是图示图1所示的实施例的显示基板的区域“A”的放大平面图。图6是图示图5的显示基板的沿线II-II′截取的截面图。参照图5和图6，公共电极CE与***区PA以及显示区DA重叠，并且电联接至公共线CL。
公共线CL位于***区PA上，并且可以由与栅极线GL相同的层形成。例如，公共线CL形成在第一绝缘层120和第二绝缘层130上。
公共电极CE包括位于***区PA中的连接部CNP，并且连接部CNP通过被形成为穿过第三绝缘层140、第四绝缘层150、第五绝缘层160和第六绝缘层170的接触孔而接触公共线CL。从而，可以从公共线CL向公共电极CE提供公共电压。
连接部CNP沿列方向D2连续地延伸（例如延伸为一片连续的材料）。因此，即使显示区DA中的公共电极CE的一部分被开口OP分成多个电极部，公共电压也可以被施加给整个公共电极CE。
图7至图15是图示根据本发明示例实施例的制造显示基板的方法的截面图。参照图7，在基底基板110上形成遮光图案BP、第一绝缘层120、多晶硅图案PSP以及第二绝缘层130。
基底基板110可以是透明基板。基底基板110的示例可以包括玻璃基板、碱石灰基板（例如钠钙玻璃（soda-lime-silica）基板）、塑料基板和/或类似物。
在基底基板110上形成包括能够反射或吸收光的材料的遮光层，并且通过光刻等对遮光层进行图案化，以形成遮光图案BP。之后，形成第一绝缘层120，以覆盖遮光图案BP。
之后，在第一绝缘层120上形成非晶硅层，并且通过使用激光等使非晶硅层脱氢、晶化，以及通过光刻等被图案化，以形成多晶硅图案PSP。多晶硅图案PSP的至少一部分与遮光图案BP重叠。之后，形成覆盖多晶硅图案PSP的第二绝缘层130。
参照图8，在第二绝缘层130上形成栅极金属层，并且对栅极金属层图案化，以形成栅极线GL和栅电极GE。栅电极GE与多晶硅图案PSP重叠。
之后，形成光致抗蚀剂图案PR，来覆盖栅电极GE。光致抗蚀剂图案PR在平面图上的宽度大于栅电极GE的宽度，因此覆盖栅电极GE的端面（例如侧面，或上面和侧面）。
参照图9，通过使用光致抗蚀剂图案PR作为掩膜，将具有高浓度的离子IP注入到多晶硅图案PSP的一部分内，以形成源极部SP和漏极部DP。不将离子IP注入到多晶硅图案PSP的与光致抗蚀剂图案PR重叠（例如被光致抗蚀剂图案PR覆盖）的那部分内。
参照图10，移除光致抗蚀剂图案PR。之后，通过使用栅电极GE作为掩膜，将具有低浓度的离子IP注入到多晶硅图案PSP的一部分内，以形成低浓度掺杂部LD。不将离子IP注入到多晶硅图案PSP的与栅电极GE重叠的那部分内，并且该部分形成沟道部CP。低浓度掺杂部LD形成在源极部SP和沟道部CP之间，并且形成在漏极部DP和沟道部CP之间。
在本发明的另一实施例中，在形成栅电极GE之后，可以将具有低浓度的离子注入到多晶硅图案PSP的一部分内。之后，可以形成光致抗蚀剂图案，并且可以将具有高浓度的离子注入到低浓度掺杂部LD的一部分内，以形成漏极部DP和沟道部CP。
在本发明的另一实施例中，可以省略用于形成低浓度掺杂部LD的过程。
参照图11，在第二绝缘层130上形成第三绝缘层140，来覆盖栅电极GE和栅极线GL。之后，将第二绝缘层130和第三绝缘层140图案化，来形成使源极部SP暴露的第一接触孔CH1和使漏极部DP暴露的第二接触孔CH2。
参照图12，在第三绝缘层140上形成数据金属层，并且对数据金属层图案化，以形成通过第一接触孔CH1接触源极部SP的源电极SE、通过第二接触孔CH2接触漏极部DP的漏电极以及数据线（例如数据线DL的一部分）。
参照图13，在第三绝缘层140上形成第四绝缘层150，以覆盖源电极SE、漏电极DE和数据线。然后，在第四绝缘层150上形成第五绝缘层160。之后，将第四绝缘层150和第五绝缘层160图案化，以形成使漏电极DE暴露的第三接触孔CH3。
参照图14，在第五绝缘层160上形成像素电极层，并且将像素电极层图案化，来形成像素电极PE。可以用于像素电极层的材料的示例可以包括诸如氧化铟锡或氧化铟锌等之类的透明导电材料。
之后，在第五绝缘层160上形成第六绝缘层170，以覆盖像素电极PE。
参照图15，在第六绝缘层170上形成公共电极层，并且将公共电极层图案化，来形成具有开口OP的公共电极CE。可以用于公共电极层的材料的示例可以包括诸如氧化铟锡或氧化铟锌等之类的透明导电材料。开口OP与像素电极PE重叠。
之后，形成图16所示的下取向层180，以覆盖公共电极CE。例如，在公共电极CE上涂覆包括聚酰亚胺树脂的取向合成物，来形成取向层，并且可以通过使用摩擦织物等对该取向层进行摩擦（例如沿预定的方向摩擦），来形成下取向层180。
在本发明的实施例中，薄膜晶体管包括多晶硅沟道部。然而，包括非晶硅或氧化物半导体等的薄膜晶体管也可以用于本发明。
在本发明的另一实施例中，公共电极CE可以位于像素电极PE的下方。
图16是图示根据本发明示例实施例的液晶显示面板的截面图。图17是图示在液晶显示面板的公共电极和像素电极上排列的液晶分子的平面图。
参照图16，该液晶显示面板包括显示基板100、对基板200和位于显示基板100和对基板200之间的液晶层250。显示基板100和对基板200通过密封构件等彼此结合（例如彼此黏合）。本实施例的显示基板100与图2所示的实施例的显示基板基本相同。因此，将省略重复的说明。
对基板200包括基底基板210、形成在基底基板210的表面上的黑矩阵BM、形成在基底基板210的表面上的滤色层CF、覆盖黑矩阵BM和滤色层CF的平整层220以及接触液晶层250的上取向层230。
上取向层230的摩擦方向可以例如与下取向层180的摩擦方向平行。上取向层230的摩擦方向可以与下取向层180的摩擦方向相反。
位于显示基板100和对基板200之间的液晶层250的液晶分子按照预倾角排列（例如沿预定方向排列）。
图17是用于说明根据本发明示例实施例的液晶显示面板中的液晶分子的行为的平面图。参照图17，公共电极具有分别与不同的像素电极重叠的第一开口OP1、第二开口OP2、第三开口OP3和第四开口OP4。
当向像素电极中的每一个施加像素电压时，液晶分子LC通过由像素电极PE和公共电极CE形成的电场进行排列。例如，液晶分子LC可以排列为使得液晶分子LC的纵轴垂直于公共电极CE的开口OP的延伸方向。因此，第一像素区PX1中的液晶分子LC沿与第一开口OP1的延伸方向垂直的方向排列。沿行方向D1邻近第一像素区PX1的第二像素区PX2中的液晶分子LC，沿与第二开口OP2的延伸方向垂直（例如基本垂直）的方向排列。沿列方向D2邻近第一像素区PX1的第三像素区PX3中的液晶分子LC，沿与第三开口OP3的延伸方向垂直（例如基本垂直）的方向排列。沿行方向D1邻近第三像素区PX3且还沿列方向D2邻近第二像素区PX2的第四像素区PX4中的液晶分子LC，沿与第四开口OP4的延伸方向垂直的方向排列。
在本发明的实施例中，第一开口OP1的形状与第四开口OP4的形状基本相同。第二开口OP2的形状与第一开口OP1关于数据线对称，并且与第三开口OP3的形状基本相同。因此，当向每个像素电极施加相同电压时，第一像素区PX1中的液晶分子LC沿与第四像素区PX4中的液晶分子LC相同的方向排列，并且第二像素区PX2中的液晶分子LC沿与第一像素区PX1中的液晶分子LC不同的方向排列，并且第三像素区PX3中的液晶分子LC沿与第二像素区PX2中的液晶分子LC相同的方向排列。
根据本实施例，显示区DA中的液晶分子LC沿不同的方向排列，以形成多个畴。因此，可以防止观察者所察觉的颜色由于视角变化而变化（例如观察者所察觉的颜色可以具有降低的变化程度）。
此外，这些畴不是形成在一个像素区中，而是形成在不同的像素区中。因此，可以减少或防止在形成于同一像素区中的各畴之间的边界处引起的亮度下降。
此外，公共电极CE在显示区DA中连续延伸（例如由单片材料形成）。因此，可以减少或防止在各像素区之间的边界处引起的亮度下降或对比度下降。此外，当公共电极CE在显示区DA中连续延伸时，不需要在显示区DA中形成的公共线CL，使得开口率基本增大。
图18是图示根据本发明另一示例实施例的显示基板的平面图。图19是图示图18所示的显示基板的公共电极的平面图。
参照图18，显示基板包括栅极线GL、数据线DL、栅电极GE、源电极SE、漏电极DE、有源图案AP、像素电极PE和公共电极CE。公共电极CE具有与像素电极PE重叠的开口OP。
该显示基板与图2所示的实施例的显示基板100基本相同（但是公共电极CE的开口OP的形状不同）。因此，将省略重复说明。
参照图18和图19，第一像素区PX1中的第一开口OP1与沿行方向D1邻近第一像素区PX1的第二像素区PX2中的第二开口OP2分离并间隔开。因此，公共电极CE沿列方向D2连续地延伸。例如，公共电极CE可以与整个数据线DL重叠。在本发明的实施例中，第一开口OP1和第二开口OP2在平面图上与数据线DL间隔开（例如第一开口OP1和第二开口OP2与数据线DL不重叠）。
具体地，第一像素区PX1中的第一开口OP1包括沿第一方向延伸的第一延伸部OP11、从第一延伸部OP11的一端沿第二方向延伸的第二延伸部OP12以及从第一延伸部OP11的相对端沿第三方向延伸的第三延伸部OP13。第一延伸部OP11、第二延伸部OP12和第三延伸部OP13彼此连续联接。
在本发明的实施例中，第一方向不同于第二方向，并且第二方向基本平行于（例如反向于）第三方向。第一方向相对于行方向D1倾斜，使得第一方向不与栅极线GL或数据线DL平行。
在本发明的实施例中，第一延伸部OP11与像素电极PE完全重叠（例如像素电极PE位于第一延伸部OP11整体的下方），并且第二延伸部OP12和第三延伸部OP13与像素电极PE部分重叠。
在本发明的实施例中，第一像素区PX1包括沿列方向D2彼此间隔开的多个第一开口OP1。
沿行方向D1邻近第一像素区PX1的第二像素区PX2中的第二开口OP2具有与第一开口OP1的形状关于数据线DL对称的形状。
在本实施例中，第二开口OP2包括第一延伸部OP21、第二延伸部OP22和第三延伸部OP23，第一延伸部OP21沿第四方向延伸，第二延伸部OP22从第一延伸部OP21的一端沿第五方向延伸，第三延伸部OP23从第一延伸部OP21的相对端沿第六方向延伸。第一延伸部OP21、第二延伸部OP22和第三延伸部OP23彼此连续联接，以形成第二开口OP2。
在本发明的实施例中，第四方向不同于第五方向，并且第五方向基本平行于（例如反向于）第六方向。第四方向相对于行方向D1倾斜，使得第四方向不与栅极线GL或数据线DL平行。
沿列方向D2邻近第一像素区PX1的第三像素区PX3中的第三开口OP3具有与第一开口OP1的形状关于栅极线GL对称的形状。因此，第三开口OP3的形状与第二开口OP2的形状基本相似。具体地，第三开口OP3包括彼此连续联接的第一延伸部OP31、第二延伸部OP32和第三延伸部OP33。
沿列方向D2邻近第二像素区PX2的且沿行方向D1邻近第三像素区PX3的第四像素区PX4中的第四开口OP4，具有关于栅极线GL与第二开口OP2对称的形状。此外，第四开口OP4的形状与第三开口OP3的形状关于数据线DL对称。因此，第四开口OP4的形状与第一开口OP1的形状基本相同。具体地，第四开口OP4包括彼此连续联接的第一延伸部OP41、第二延伸部OP42和第三延伸部OP43。
因此，本发明实施例中的公共电极CE具有重复单元，该重复单元包括与两个行和两个列对应的四个像素区。分别对应于第一像素区PX1、第二像素区PX2、第三像素区PX3和第四像素区PX4的第一像素、第二像素、第三像素和第四像素联接至不同的薄膜晶体管，以被单独驱动。
图20是图示根据本发明另一实施例的显示基板的平面图。参照图20，显示基板包括栅极线GL、数据线DL、栅电极GE、源电极SE、漏电极DE、有源图案AP、像素电极PE和公共电极CE。公共电极CE具有与像素电极PE重叠的开口OP。
本实施例的显示基板与图18所示的实施例的显示基板100基本相同（但是公共电极CE的开口OP的形状不同）。因此，将省略重复说明。
参照图20，公共电极CE具有沿行方向D1彼此间隔开的多个开口OP。开口OP与数据线DL部分重叠。因此，公共电极CE与数据线DL的一部分重叠。
根据本发明示例实施例的显示基板、液晶显示面板和制造显示基板的方法可以用于诸如监视器、电视机或移动电话的屏幕等的显示设备。
以上仅是本发明示例实施例的图示说明，而不应解释为用于限制本发明。尽管已经描述了几个示例实施例，但本领域技术人员会很容易理解，可以在实质不超出本发明的新颖方面的情况下在示例实施例中进行多种改变。相应地，所有的这些改变意在包括在权利要求所限定的示例实施例的范围内。在权利要求中，装置加功能从句意在覆盖本文中描述的执行所记载的功能的结构，不仅覆盖结构性等同物还覆盖等同结构。因此，应当理解，以上内容不应解释为限于所公开的特定实施例，还应当理解，所公开的示例实施例的改变以及其它示例实施例，意在包括在所附权利要求的范围内。本发明的实施例由下面的权利要求以及权利要求的包含在本发明中的等同物来限定。

Claims (22)

1.一种显示基板，包括：
显示区，与多个像素相对应；
***区，环绕所述显示区；
薄膜晶体管，用于驱动所述多个像素中相对应的一个像素；
栅极线，电联接至所述薄膜晶体管；
数据线，与所述栅极线交叉并且电联接至所述薄膜晶体管；
像素电极，电联接至所述薄膜晶体管；以及
公共电极，与所述像素电极重叠，并且具有与所述多个像素中的第一像素重叠的第一开口以及与所述多个像素中邻近所述第一像素的第二像素重叠的第二开口；
其中所述第一开口和所述第二开口沿不同方向延伸，并且
其中所述公共电极在所述显示区中连续延伸，并且与所述第一像素和所述第二像素重叠。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其中所述第一开口和所述第二开口一起限定连续的开口。
3.根据权利要求2所述的显示基板，其中所述第一像素沿行方向邻近所述第二像素。
4.根据权利要求3所述的显示基板，其中所述第一开口与所述第二开口关于所述数据线对称。
5.根据权利要求4所述的显示基板，其中所述公共电极进一步具有：
第三开口，与所述多个像素中沿列方向邻近所述第一像素的第三像素重叠；以及
第四开口，与所述多个像素中沿所述列方向邻近所述第二像素且沿所述行方向邻近所述第三像素的第四像素重叠，
其中所述第三开口与所述第一开口关于所述栅极线对称，并且
其中所述第四开口与所述第二开口关于所述栅极线对称。
6.根据权利要求5所述的显示基板，其中所述第一开口具有：
第一延伸部，沿第一方向延伸；
第二延伸部，从所述第一延伸部的一端沿与所述第一方向不同的第二方向延伸；以及
第三延伸部，从所述第一延伸部的相对端沿与所述第一方向不同的第三方向延伸。
7.根据权利要求6所述的显示基板，其中所述第二方向与所述第三方向相反。
8.根据权利要求6所述的显示基板，其中所述第二延伸部和所述第三延伸部均与所述像素电极部分重叠。
9.根据权利要求1所述的显示基板，其中所述第一开口沿行方向邻近所述第二开口，并且与所述第二开口间隔开。
10.根据权利要求9所述的显示基板，其中所述第一开口具有：
第一延伸部，沿第一方向延伸；
第二延伸部，从所述第一延伸部的一端沿与所述第一方向不同的第二方向延伸；以及
第三延伸部，从所述第一延伸部的相对端沿与所述第一方向不同的第三方向延伸。
11.根据权利要求10所述的显示基板，其中所述第二延伸部和所述第三延伸部分别与邻近的数据线重叠。
12.根据权利要求10所述的显示基板，其中所述第二延伸部和所述第三延伸部在平面图中与邻近的数据线间隔开。
13.根据权利要求1所述的显示基板，进一步包括位于所述***区的电联接至所述公共电极的公共线。
14.根据权利要求1所述的显示基板，其中所述公共电极位于所述像素电极上。
15.根据权利要求1所述的显示基板，进一步包括位于所述公共电极上并且沿行方向经摩擦的下取向层。
16.一种显示基板，包括：
显示区，与多个像素相对应；
***区，环绕所述显示区；
薄膜晶体管，用于驱动所述多个像素中相对应的一个像素；
栅极线，电联接至所述薄膜晶体管；
数据线，与所述栅极线交叉并且电联接至所述薄膜晶体管；
像素电极，电联接至所述薄膜晶体管；以及
公共电极，与所述像素电极重叠，并且具有与所述多个像素中的第一像素以及所述多个像素中邻近所述第一像素的第二像素重叠的第一开口；
其中所述第一开口具有锯齿形状。
17.根据权利要求16所述的显示基板，其中所述第一开口具有沿列方向延伸并具有“V”形状的突出部。
18.根据权利要求16所述的显示基板，其中所述第一开口具有与所述数据线重叠的突出部。
19.根据权利要求16所述的显示基板，其中所述公共电极进一步具有与所述多个像素中沿列方向邻近所述第一像素的第三像素重叠并与所述多个像素中沿所述列方向邻近所述第二像素且沿行方向邻近所述第三像素的第四像素重叠的第二开口，
其中所述第一开口和所述第二开口关于所述栅极线对称。
20.一种液晶显示面板，包括：
根据权利要求1至14中任一项所述的显示基板；
对基板，联接至所述显示基板；
液晶层，位于所述显示基板和所述对基板之间。
21.根据权利要求20所述的液晶显示面板，其中所述显示基板进一步包括下取向层和上取向层，所述下取向层位于所述公共电极上并且是沿行方向被摩擦的，所述上取向层位于所述对基板下方并且是沿行方向被摩擦的。
22.一种液晶显示面板，包括：
根据权利要求16至19中任一项所述的显示基板；
对基板，联接至所述显示基板；
液晶层，位于所述显示基板和所述对基板之间。
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