CN103710179B - 一种太阳能单晶硅片清洗剂 - Google Patents

一种太阳能单晶硅片清洗剂 Download PDF

Info

Publication number
CN103710179B
CN103710179B CN201310663959.9A CN201310663959A CN103710179B CN 103710179 B CN103710179 B CN 103710179B CN 201310663959 A CN201310663959 A CN 201310663959A CN 103710179 B CN103710179 B CN 103710179B
Authority
CN
China
Prior art keywords
clean
out system
monocrystalline silicon
silicon slice
sequestrant
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201310663959.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103710179A (zh
Inventor
孙湘辉
邵凡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
CHANGSHA AISEN EQUIPMENT MAINTENANCE TECHNOLOGY Co Ltd
Original Assignee
CHANGSHA AISEN EQUIPMENT MAINTENANCE TECHNOLOGY Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by CHANGSHA AISEN EQUIPMENT MAINTENANCE TECHNOLOGY Co Ltd filed Critical CHANGSHA AISEN EQUIPMENT MAINTENANCE TECHNOLOGY Co Ltd
Priority to CN201310663959.9A priority Critical patent/CN103710179B/zh
Publication of CN103710179A publication Critical patent/CN103710179A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103710179B publication Critical patent/CN103710179B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Detergent Compositions (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

本发明公开了一种太阳能单晶硅片清洗剂，包括以下组分：氢氧化钾、表面活性剂、渗透剂、螯合剂；该清洗剂对单晶硅片的清洗效果好，使用成本低，相对其它硅片清洗剂能简化清洗工艺，且不污染环境和危害人体健康。

Description

一种太阳能单晶硅片清洗剂
技术领域
本发明涉及一种太阳能单晶硅片清洗剂，属于硅片清洗与防护领域。
背景技术
单晶硅太阳能电池是发展最快应用最广泛的一种环保电池，其加工工艺已经定型并被广泛应用：将单晶硅棒切割成片，然后进行初抛、制绒。硅片切割成型后，需将其表面的屑沫与油污洗净，然后进行下一道工序。如硅片在初抛制绒之前未洗净，将会导致制绒后表面发花，以致产品报废。故工艺要求硅片在初抛制绒前需清洗至颜色均匀一致的灰色，但目前的清洗剂多使用HF酸或强碱进行清洗，对硅片腐蚀严重且污染环境，危害操作人员健康，影响下一步的工艺操作。
发明内容：
本发明针对现有技术中的硅片清洗剂存在清洗不彻底，对硅晶片腐蚀严重，成本高，环境污染等缺陷，目的是在于提供一种对单晶硅片清洗效果好，使用成本低，能简化清洗工艺，且不污染环境和危害人体健康的太阳能单晶硅片清洗剂。
本发明提供了一种太阳能单晶硅片清洗剂，每100g清洗剂中包括以下组分：氢氧化钾2～15g，表面活性剂1～5g，渗透剂1～3g，螯合剂1～5g。
优选的太阳能单晶硅片清洗剂，每100g清洗剂中包括以下组分：氢氧化钾8～10g，表面活性剂1～3g，渗透剂1g，螯合剂1～3g。
最优选的太阳能单晶硅片清洗剂，每100g清洗剂中包括以下组分：氢氧化钾9g，表面活性剂2g，渗透剂1g，螯合剂1g。
所述的表面活性剂优选为烷基葡萄糖苷（APG）和/或异构醇聚氧乙烯醚。
所述的渗透剂优选为异辛醇聚氧乙烯醚。
所述的螯合剂优选为EDTA·4Na、EDTA·2Na、柠檬酸铵中的一种或几种。
所述的清洗剂稀释10～20倍使用。
本发明清洗剂配制和清洗硅晶片的方法：
1、清洗剂的配制：将质量份氢氧化钾2～15份，表面活性剂1～5份和渗透剂1～3溶于水，配成总质量份为50份的A组分，将螯合剂1～5份溶于水，配成总质量份为50份B组分，使用时将A组分和B组分混合，稀释10～20倍后，配制成工作液；
2、清洗剂的使用方法：将单晶硅片置于50～60℃的由步骤1配制的工作液中，先通过超声预洗，把固体不溶物冲洗掉，再进行超声清洗，最后进行多次清水漂洗。
本发明的有益效果：针对现有技术中的硅片清洗工艺使用HF酸或强碱进行清洗，存在清洗不彻底，容易造成硅片表面发花的缺陷，本发明专门研发的一种双碱双组分太阳能单晶硅片清洗剂，该清洗剂能彻底清除单晶硅片的表面脏污，且对单晶硅片表面腐蚀小，能有效防止单晶硅片制绒后表面发花，大大提高了产品的合格率；同时该清洗剂耗酸碱量少，且可以稀释使用，大大降低了清洗剂的使用成本；此外，使用该清洗剂使用过程简单，简化了以往清洗工艺步骤，也有效防止对环境的污染。
具体实施方式
以下实施例旨在进一步说明本发明，而不是限制本发明的保护范围。
实施例1～4选用的试验材料：125#单晶硅片，试样尺寸为：125mm×125mm×2mm。
实施例1
1、清洗剂的配制：将质量份氢氧化钾8g，异构醇聚氧***1g和异辛醇聚氧乙烯醚1g溶于40g水，配成总质量份为50g的A组分，将螯合剂EDTA·4Na3g溶于47g水，配成总质量为50g的B组分，使用时将A组分和B组分混合，稀释15倍后，配制成工作液；
2、清洗硅晶片的方法：将单晶硅片置于50℃的1kg步骤1配制的工作液中，先通过超声预洗，把固体不溶物冲洗掉，再进行超声清洗，最后进行多次清水漂洗后离心干燥。清洗效果见表1。
实施例2
1、清洗剂的配制：将质量份氢氧化钾9g，异构醇聚氧***2g和异辛醇聚氧乙烯醚1g溶于38g水，配成总质量份为50g的A组分，将螯合剂EDTA·2Na1g溶于49g水，配成总质量为50g的B组分，使用时将A组分和B组分混合，稀释20倍后，配制成工作液；
2、清洗硅晶片的方法：将单晶硅片置于55℃的1kg步骤1配制的的工作液中，先通过超声预洗，把固体不溶物冲洗掉，再进行超声清洗，最后进行多次清水漂洗后离心干燥。清洗效果见表1。
实施例3
1、清洗剂的配制：将质量份氢氧化钾8g，APG2g和异辛醇聚氧乙烯醚1g溶于39g水，配成总质量份为50g的A组分，将螯合剂柠檬酸铵2g溶于48g水，配成总质量为50g的B组分，使用时将A组分和B组分混合，稀释10倍后，配制成工作液；
2、清洗硅晶片的方法：将单晶硅片置于60℃的1kg步骤1配制的的工作液中，先通过超声预洗，把固体不溶物冲洗掉，再进行超声清洗，最后进行多次清水漂洗后离心干燥。清洗效果见表1。
实施例4
1、清洗剂的配制：将质量份氢氧化钾10g，APG3g和异辛醇聚氧乙烯醚1g溶于36g水，配成总质量份为50g的A组分，将螯合剂EDTA·4Na1g溶于49g水，配成总质量为50g的B组分，使用时将A组分和B组分混合，稀释15倍后，配制成工作液；
2、清洗硅晶片的方法：将单晶硅片置于60℃的1kg步骤1配制的工作液中，先通过超声预洗，把固体不溶物冲洗掉，再进行超声清洗，最后进行多次清水漂洗后离心干燥。清洗效果见表1。
表1实施例1～4的清洗剂清洗硅片的清洗效果
实验结果表明：用本发明进行的清洗，99.5%以上的单晶硅片表面无痕迹、无刮花，表面光亮无痕，进入下一步制绒工序后在正常操作下制绒均匀。

Claims (5)

1.一种太阳能单晶硅片清洗剂，其特征在于，每100g清洗剂中包括以下组分：氢氧化钾2～15g，表面活性剂1～5g，渗透剂1～3g，螯合剂1～5g；所述的表面活性剂为烷基葡萄糖苷和/或异构醇聚氧乙烯醚；所述的渗透剂为异辛醇聚氧乙烯醚。
2.如权利要求1所述的太阳能单晶硅片清洗剂，其特征在于，每100g清洗剂中包括以下组分：氢氧化钾8～10g，表面活性剂1～3g，渗透剂1g，螯合剂1～3g。
3.如权利要求2所述的太阳能单晶硅片清洗剂，其特征在于，每100g清洗剂中包括以下组分：氢氧化钾9g，表面活性剂2g，渗透剂1g，螯合剂1g。
4.如权利要求3所述的太阳能单晶硅片清洗剂，其特征在于，所述的螯合剂为EDTA·4Na、EDTA·2Na、柠檬酸铵中的一种或几种。
5.如权利要求1～4任一项所述的太阳能单晶硅片清洗剂，其特征在于，所述的清洗剂稀释10～20倍使用。
CN201310663959.9A 2013-12-09 2013-12-09 一种太阳能单晶硅片清洗剂 Active CN103710179B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310663959.9A CN103710179B (zh) 2013-12-09 2013-12-09 一种太阳能单晶硅片清洗剂

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310663959.9A CN103710179B (zh) 2013-12-09 2013-12-09 一种太阳能单晶硅片清洗剂

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103710179A CN103710179A (zh) 2014-04-09
CN103710179B true CN103710179B (zh) 2015-08-05

Family

ID=50403542

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310663959.9A Active CN103710179B (zh) 2013-12-09 2013-12-09 一种太阳能单晶硅片清洗剂

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103710179B (zh)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105039006B (zh) * 2015-07-31 2018-05-15 陕西国防工业职业技术学院 一种用于太阳能级硅片的清洗剂及其制备方法
CN106350262A (zh) * 2016-08-28 2017-01-25 广西小草信息产业有限责任公司 一种太阳能电池***中的硅片清洗剂及其制作方法
CN108300583A (zh) * 2018-02-14 2018-07-20 常州协鑫光伏科技有限公司 硅片清洗剂及硅片清洗方法
CN108531297A (zh) * 2018-06-14 2018-09-14 富地润滑科技股份有限公司 一种环保型硅片清洗剂及制备方法
CN110669594B (zh) * 2019-10-18 2021-11-12 广州亦盛环保科技有限公司 一种碳化硅单晶片清洗剂及其制备方法和应用
CN110616008A (zh) * 2019-10-22 2019-12-27 李珊 一种水性印油自配剂及配制方法
CN112143590A (zh) * 2020-09-29 2020-12-29 常州时创能源股份有限公司 硅片清洗添加剂、硅片清洗液及其应用
CN112795438A (zh) * 2020-12-31 2021-05-14 句容协鑫光伏科技有限公司 一种电池片清洗剂及其清洗方法
CN113981543B (zh) * 2021-11-02 2024-04-12 常州君合科技股份有限公司 具有液晶结构的制绒添加剂及其制备方法与应用

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101735903A (zh) * 2008-11-04 2010-06-16 江阴市润玛电子材料有限公司 一种太阳能光伏专用电子清洗剂
CN101892132A (zh) * 2010-07-23 2010-11-24 北京工业大学 一种太阳能硅片清洗剂及其制备方法
CN102010797A (zh) * 2010-12-23 2011-04-13 西安隆基硅材料股份有限公司 硅料清洗剂及硅料清洗的方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101735903A (zh) * 2008-11-04 2010-06-16 江阴市润玛电子材料有限公司 一种太阳能光伏专用电子清洗剂
CN101892132A (zh) * 2010-07-23 2010-11-24 北京工业大学 一种太阳能硅片清洗剂及其制备方法
CN102010797A (zh) * 2010-12-23 2011-04-13 西安隆基硅材料股份有限公司 硅料清洗剂及硅料清洗的方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN103710179A (zh) 2014-04-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103710179B (zh) 一种太阳能单晶硅片清洗剂
CN109576077B (zh) 光学玻璃清洗剂
CN104893848B (zh) 一种易降解环保型硅片清洗剂及其制备方法
CN102560515B (zh) 高效低泡不锈钢钢板专用清洗剂
CN110229722A (zh) 用于增强食物污垢除去和沥青溶解的烷基酰胺
CN102796625A (zh) 一种光学玻璃镀膜前的水基清洗剂
CN109576084A (zh) 一种盖板玻璃的玻璃清洗剂及其制备方法
CN105779151A (zh) 一种去蜡清洗液及其制备方法与应用
CN104830549B (zh) 一种用于玻璃丝印后脱垢的清洗剂
CN103469237A (zh) 一种金属油污清洗剂
CN101265439A (zh) 单晶硅片水基清洗剂
CN104531382A (zh) 一种碱性含氯泡沫清洗剂
CN101096619A (zh) 一种陶瓷清洗液
CN105441200A (zh) 半导体硅片脱胶清洗液及生产方法
CN102329698B (zh) 一种新型环保液晶清洗剂及其制备方法
CN104312746A (zh) 一种低泡喷淋用硬表面清洗剂及其制备方法
CN102533470A (zh) 一种硅片清洗液
CN109183052A (zh) 一种除油粉及其制备方法
CN105505643A (zh) 一种硅片清洗剂及硅片清洗方法
CN106635454A (zh) 光学玻璃清洗剂及其制备方法
CN109456847A (zh) 一种清洗剂、制备方法及应用
CN105344641A (zh) 一种硅原材料的清洗方法
CN102399643A (zh) 一种高效清洁膏及其制备方法
CN110453232B (zh) 一种无磷常温复合型金属表面脱脂剂
CN106906059B (zh) 一种低泡易漂洗洗衣凝珠及其制备方法与应用

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant