CN103700782B - 一种oled显示面板及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例提供了一种OLED显示面板及其制备方法，涉及显示技术领域，可改善柔性衬底基板的表面平整度和抗水氧渗透性，提高显示面板的光输出率，并可控制电致发光光谱的中心波长；该显示面板包括设置在柔性衬底基板上的阳极和阴极、以及位于阳极和阴极之间的有机材料功能层，还包括设置在柔性衬底基板上并与柔性衬底基板接触的一层网状光输出耦合层；阳极、阴极、有机材料功能层均设置在网状光输出耦合层上；网状光输出耦合层、阳极和阴极、有机材料功能层构成微腔；该微腔用于控制电致发光光谱的中心波长及光输出率；网状光输出耦合层的材料为具有高折射率且在可见光范围内低吸收率的网状高分子材料；用于柔性OLED显示面板的制造。

Description

一种OLED显示面板及其制备方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种OLED显示面板及其制备方法。
背景技术
与液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，简称LCD)相比，有机电致发光二极管器件(OrganicLight-EmittingDiode，简称OLED)具有薄、轻、宽视角、主动发光、发光颜色连续可调、成本低、响应速度快、能耗小、驱动电压低、发光效率高、工作温度范围宽、生产工艺简单、以及可柔性显示等优点，受到了产业界和科学界的极大关注。
OLED的基本结构包括设置在衬底基板10上的阳极20和阴极30、以及设置在所述阳极20和所述阴极30之间的有机材料功能层40。为了提高OLED的光输出率，减少阳极20表面的发射损失，如图1(a)和1(b)所示，可以在所述阳极20与所述衬底基板10之间或者所述衬底基板10外侧设置增透膜50，利用薄膜的干涉相消来减少反射光，从而提高光输出率。
此外，当所述衬底基板10为柔性衬底基板10时，由于柔性衬底基板10的表面粗糙度往往大于玻璃衬底基板的表面粗糙度，因此在弯折的情况下，很容易因为柔性衬底基板10表面的凹凸不平和应力作用而导致设置在所述柔性衬底基板10上的膜层的破裂或脱落。为了解决所述柔性衬底基板10与膜层之间的平整性问题，通常会在所述柔性衬底基板10与膜层之间设置缓冲层60，该缓冲层60与所述柔性衬底基板10和所述膜层均有较强的附着力。这类缓冲层60包括很多种，其中最重要的一种为例如光刻胶的具有光交联基团的物质，这种物质的材料通过紫外光固化之后形成的高分子结构，不仅有助于改善所述柔性衬底基板10的表面平整度和附着力，而且还有助于改善抗水氧渗透性。
现有技术中，采用柔性衬底基板10的OLED显示面板需要同时设置增透膜50和缓冲层60两层结构，才可实现改善柔性衬底基板10表面平整度和增加光输出率的作用，但这会导致OLED面板制备工艺的复杂化。
发明内容
本发明的实施例提供一种OLED显示面板及其制备方法，可改善柔性衬底基板的表面平整度和抗水氧渗透性，并提高显示面板的光输出率。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案；
一方面，提供一种OLED显示面板，包括设置在柔性衬底基板上的阳极和阴极、以及设置在所述阳极和所述阴极之间的有机材料功能层；所述显示面板还包括设置在所述柔性衬底基板上并与所述柔性衬底基板接触的一层网状光输出耦合层；其中，所述阳极、所述阴极、以及所述有机材料功能层均设置在所述网状光输出耦合层上；所述网状光输出耦合层、所述阳极和所述阴极、以及所述有机材料功能层构成微腔；所述微腔用于控制电致发光光谱的中心波长以及光输出率；所述网状光输出耦合层的材料为具有高折射率且在可见光范围内低吸收率的网状高分子材料。
优选的，所述网状光输出耦合层的材料包括高分子三(8-羟基喹啉)铝的衍生物。
进一步优选的，所述网状光输出耦合层的厚度在0-100nm之间。
可选的，所述阳极为透明电极或金属电极；所述阴极为金属电极；其中，所述阳极靠近所述网状光输出耦合层设置，且在所述阳极为金属电极的情况下，所述阳极的厚度20-40nm在之间。
可选的，所述显示面板还包括设置在所述柔性衬底基板上薄膜晶体管；其中，所述薄膜晶体管的漏极与所述阳极电连接。
可选的，所述显示面板还包括柔性封装基板或封装薄膜。
另一方面，提供一种OLED显示面板的制备方法，包括：在柔性衬底基板上形成一层网状光输出耦合层；在形成有所述网状光输出耦合层的基板上形成阳极和阴极、以及位于所述阳极和所述阴极之间的有机材料功能层；其中，所述网状光输出耦合层、所述阳极和所述阴极、以及所述有机材料功能层构成微腔；所述微腔用于控制电致发光光谱的中心波长以及光输出率；所述网状光输出耦合层的材料为具有高折射率且在可见光范围内低吸收率的网状高分子材料。
优选的，所述网状光输出耦合层的材料包括高分子三(8-羟基喹啉)铝的衍生物。
进一步优选的，所述网状光输出耦合层的厚度在0-100nm之间。
可选的，所述方法还包括在所述柔性衬底基板上形成薄膜晶体管;其中，所述薄膜晶体管的漏极与所述阳极电连接。
可选的，所述方法还包括形成柔性封装基板或封装薄膜。
本发明实施例提供一种OLED显示面板及其制备方法，包括设置在柔性衬底基板上的阳极和阴极、以及设置在所述阳极和所述阴极之间的有机材料功能层;所述显示面板还包括设置在所述柔性衬底基板上并与所述柔性衬底基板接触的一层网状光输出耦合层;其中，所述阳极、所述阴极、以及所述有机材料功能层均设置在所述网状光输出耦合层上;所述网状光输出耦合层、所述阳极和所述阴极、以及所述有机材料功能层构成微腔;所述微腔用于控制电致发光光谱的中心波长以及光输出率；所述网状光输出耦合层的材料为具有高折射率且在可见光范围内低吸收率的网状高分子材料。
由于形成所述网状光输出耦合层的材料具有网状的分子结构，使得所述网状光输出耦合层不仅有助于改善所述柔性衬底基板的表面平整度，从而增加设置在所述柔性衬底基板上的膜层与所述柔性衬底基板之间的附着力，而且还可以提高所述显示面板的抗水氧渗透性；此外，所述网状光输出耦合层的材料具有折射率高、在可见光范围内吸收少等特点，可以作为一种增透膜，有助于减少所述显示面板的阳极表面的发射损失，从而可提高OLED的光输出率；进一步的，可以通过控制所述网状光输出耦合层、所述阳极和所述阴极、以及所述有机材料功能层构成的微腔的腔长以实现对光谱窄化和波长偏移的控制，从而控制电致发光光谱的中心波长、并提高光输出率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1(a)和1(b)为现有技术中OLED显示面板的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的一种OLED显示面板的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的一种网状光输出耦合层的材料(高分子三(8-羟基喹啉)铝的衍生物)的分子结构示意图；
图4为本发明实施例提供的一种用于反应形成网状光输出耦合层的材料(小分子三(8-羟基喹啉)铝的衍生物)的分子结构示意图；
图5为本发明实施例提供的一种有源矩阵OLED显示面板的结构示意图；
图6为本发明实施例提供的一种OLED显示面板的制备流程图。
附图标记：
10-(柔性)衬底基板；20-阳极；30-阴极；40-有机材料功能层；50-增透膜；60-缓冲层；70-光输出耦合层；80-薄膜晶体管。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供一种OLED显示面板，如图2所示，包括设置在柔性衬底基板10上的阳极20和阴极30、以及设置在所述阳极20和所述阴极30之间的有机材料功能层40；所述显示面板还包括设置在所述柔性衬底基板10上并与所述柔性衬底基板10接触的一层网状光输出耦合层70；其中，所述阳极20、所述阴极30、以及所述有机材料功能层40均设置在所述网状光输出耦合层70上；所述网状光输出耦合层70、所述阳极20和所述阴极30、以及所述有机材料功能层40构成微腔；所述微腔用于控制电致发光光谱的中心波长以及光输出率；所述网状光输出耦合层70的材料为具有高折射率且在可见光范围内低吸收率的网状高分子材料。
其中，所述有机材料功能层40用于使所述显示面板发光；基于此，所述有机材料功能层40至少可以包括电子传输层和空穴传输层、以及位于二者之间的发光层；为了能够提高电子和空穴注入发光层的的效率，所述有机材料功能层40还可以包括设置在所述阴极30与所述电子传输层之间的电子注入层，以及设置在所述阳极20与所述空穴传输层之间的空穴注入层。
当向所述显示面板的所述阳极20和所述阴极30施加工作电压时，所述阳极20中的空穴和所述阴极30中的电子均注入到所述发光层中；所述空穴和所述电子在所述发光层中相遇，二者由于库伦力的作用复合在一起形成电子-空穴对、并释放出能量；该能量以光的形式发出，经过所述发光层中的不同发光分子而显示为不同颜色的光，并从所述有机材料功能层40的两侧均匀的射出。
在此基础上，所述发光层至少可以包括红光、绿光、蓝光的发光分子；当然，还可以包括白光的发光分子。
基于上述描述可知，由所述有机材料功能层40发出的光是一种双向光，即，从所述有机材料功能层40的上方和下方均可发出光；那么，在光线传输的过程中，若未遇到阻挡，所述光线便可直接从所述显示面板射出，若遇到阻挡例如不透明材料的电极，所述光线则会被该不透明材料的电极反射回去，而从所述显示面板的另一方向射出。
因此，根据所述阳极20和所述阴极30的材料的不同，所述显示面板可以分为单面发光型显示面板和双面发光型显示面板；即，当所述阳极20和所述阴极30中的其中一个电极的材料为不透光材料时，所述显示面板为单面发光型显示面板；当所述阳极20和所述阴极30的材料均为透光材料时，所述显示面板为双面发光型显示面板。
需要说明的是，第一，所述网状光输出耦合层70是指形成光输出耦合层的材料为一种具有网状分子结构的材料，这种材料可以由具有光交联基团的小分子材料经过紫外光固化发生光交联反应而形成；利用该材料形成的所述网状光输出耦合层70不仅有助于改善所述柔性衬底基板10的表面平整度，从而增加膜层与所述柔性衬底基板10之间的附着力，而且还有助于改善所述显示面板的抗水氧渗透性。
进一步的，当这种材料具有折射率高、在可见光范围内吸收少等特性时，利用该材料形成的所述网状光输出耦合层70可以作为一种增透膜；在此基础上，所述网状光输出耦合层70还具有减少所述显示面板的阳极表面的发射损失的作用，从而可以提高OLED的光输出率。
第二，此处对所述阳极20和所述阴极30的相对位置以及材料不做限定，但是在发明实施例中，由于设置所述网状光输出耦合层70的作用之一是增加光输出率，因此，本发明实施例至少在所述有机材料功能层40靠近所述网状光输出耦合层70一侧为光输出端；在此基础上，靠近所述网状光输出耦合层70的电极采用透光材料。
进一步的，本发明实施例可以仅在所述有机材料功能层40靠近所述网状光输出耦合层70一侧为光输出端，在此情况下，所述有机材料功能层40远离所述网状光输出耦合层70一侧的电极采用不透光材料；或者可以在所述有机材料功能层40远离所述网状光输出耦合层70一侧也为光输出端，在此情况下，所述有机材料功能层40远离所述网状光输出耦合层70一侧的电极也采用透光材料。
第三，所述网状光输出耦合层70、所述阳极20和所述阴极30、以及所述有机材料功能层40构成了一个微腔。其中，所述微腔是一种光学微腔；所述光学微腔是指至少在一个方向上腔的尺寸小至与谐振光波相比拟的光学微型谐振腔。
这里，在垂直于所述显示面板的方向上，所述网状光输出耦合层70、所述阳极20和所述阴极30、以及所述有机材料功能层40构成的微腔的厚度即为所述微腔的腔长，该微腔的腔长的尺寸可与谐振光波相比拟。
进一步的，所述网状光输出耦合层70的厚度的变化会引起该微腔的腔长发生变化，从而使得总光学厚度以及发光光谱的中心波长的改变；此处，总光学厚度与微腔发光光谱的波长峰值满足以下关系：
L = Q ij λ m 4 π + Σ i n i d i = m λ m 2
其中，L为所述微腔的总腔长或总光程；Qij为光分别在所述网状光输出耦合层70和所述阴极30的反射面的相移之和；ni、di分别为所述有机材料功能层40的折射率和厚度；m为发射膜的级数；λm为级数为m的膜的波长。
根据上述描述可知，微腔的总腔长L可以通过改变所述网状光输出耦合层70的厚度来进行调节，而微腔的总腔长L又与微腔器件的发光模数m和峰值对应。因此，通过改变所述网状光输出耦合层70的厚度，可以调节微腔的总光程L，从而改变发射模数m的位置以及微腔器件的发射波长，以使电致发光光谱的中心波长发生移动。
需要强调的是，上述的微腔效应引起的发光光谱的中心波长移动的现象，并不是微腔对光波简单的过滤效应，它体现了微腔对某些波长的增强和对其它波长的抑制效应。
本发明实施例提供一种OLED显示面板，包括设置在柔性衬底基板10上的阳极20和阴极30、以及设置在所述阳极20和所述阴极30之间的有机材料功能层40；所述显示面板还包括设置在所述柔性衬底基板10上并与所述柔性衬底基板10接触的一层网状光输出耦合层70；其中，所述阳极20、所述阴极30、以及所述有机材料功能层40均设置在所述网状光输出耦合层70上；所述网状光输出耦合层70、所述阳极20和所述阴极30、以及所述有机材料功能层40构成微腔；所述微腔用于控制电致发光光谱的中心波长以及光输出率；所述网状光输出耦合层70的材料为具有高折射率且在可见光范围内低吸收率的网状高分子材料。
由于形成所述网状光输出耦合层70的材料具有网状的分子结构，使得所述网状光输出耦合层70不仅有助于改善所述柔性衬底基板10的表面平整度，从而增加设置在所述柔性衬底基板上的膜层与所述柔性衬底基板10之间的附着力，而且还可以提高所述显示面板的抗水氧渗透性；此外，所述网状光输出耦合层70的材料具有折射率高、在可见光范围内吸收少等特点，可以作为一种增透膜，有助于减少所述显示面板的阳极表面的发射损失，从而可提高OLED的光输出率；进一步的，可以通过控制所述网状光输出耦合层70、所述阳极20和所述阴极30、以及所述有机材料功能层40构成的微腔的腔长以实现对光谱窄化和波长偏移的控制，从而控制电致发光光谱的中心波长、并提高光输出率。
优选的，所述网状光输出耦合层70的材料包括高分子三(8-羟基喹啉)铝的衍生物。
其中，所述高分子三(8-羟基喹啉)铝的衍生物的分子结构如图3所示，该高分子三(8-羟基喹啉)铝的衍生物即为一种具有网状分子结构的高分子材料。
这里，所述高分子三(8-羟基喹啉)铝的衍生物可以由如图4所示的具有小分子结构的三(8-羟基喹啉)铝的衍生物经过紫外光固化发生光交联反应形成；其中，所述具有小分子结构的三(8-羟基喹啉)铝的衍生物的分子结构中包括可以发生光交联反应的光交联基团。
由于具有小分子结构的三(8-羟基喹啉)铝的衍生物具有折射率高、在可见光范围内吸收少等特性，可以满足增透膜的性能需求，并且易加工、无毒害，因此，这种材料被广泛地应用于增透膜；而当上述具有小分子结构的三(8-羟基喹啉)铝的衍生物发生光交联反应形成所述高分子三(8-羟基喹啉)铝的衍生物时，由于仅通过光交联反应使具有小分子结构的材料转变成了具有高分子结构的材料，但其结构未发生本质的变化，因此，所形成的具有高分子结构的材料仍保持原有的特性；也就是说，具有高分子结构的三(8-羟基喹啉)铝的衍生物与具有小分子结构的三(8-羟基喹啉)铝的衍生物的性能相同，也可应用于增透膜，从而可提高所述显示面板的光输出率。
此外，由具有小分子结构的三(8-羟基喹啉)铝的衍生物形成的所述高分子三(8-羟基喹啉)铝的衍生物具有网状的分子结构，其不仅有助于改善所述柔性衬底基板10的表面平整度，从而可提高膜层与所述柔性衬底基板10之间的附着力，还有助于改善所述显示面板的抗水氧渗透性。
进一步的，对于所述OLED显示面板而言，所述网状光输出耦合层70的最佳厚度需要考虑所述阳极20、所述阴极30、以及所述有机材料功能层40的性能和厚度而定。在此基础上，优选的，所述网状光输出耦合层70的厚度在0-100nm之间。
其中，所述网状光输出耦合层70的厚度可以借助菲涅尔系数矩阵转移理论进行设计，以最大程度抑制微腔效应(多束光干涉效应)，实现低反射率和高透光率为准。
基于上述的描述，本发明实施例提供的所述OLED显示面板优选为单面发光型显示面板，即，仅在所述有机材料功能层40靠近所述网状光输出耦合层70一侧为光输出端，在此情况下，所述阳极20可以为透明电极或金属电极；所述阴极30可以为金属电极。
其中，所述阳极20靠近所述网状光输出耦合层70设置，所述阴极30远离所述网状光输出耦合层70设置。
这里，当所述阳极20为金属电极时，需要保证该金属电极的厚度很小，这样才可使得所述金属电极呈透明状；基于此，在所述阳极20为金属电极的情况下，所述阳极20的厚度20-40nm在之间；或者，所述阳极20可以采用透明电极，例如ITO(IndiumTinOxides，氧化铟锡)电极。
需要说明的是，所述阳极20和所述阴极30均可以是单层结构，或者可以是多层结构，在此不做限定。
对于有源矩阵OLED而言，如图5所示，所述显示面板还可以包括设置在所述柔性衬底基板10上薄膜晶体管80；其中，所述薄膜晶体管80的漏极与所述阳极20电连接。
由于上述的所述有机材料功能层40中的有机材料和作为电极的金属材料对氧气和水气相当敏感，渗透进入所述显示面板内部的氧气和水气会影响所述显示面板的寿命，因此，所述显示面板都会包括与所述柔性衬底基板10相对设置的封装基板，用于隔绝氧气和水气；其中，所述封装基板可以为柔性封装基板或封装薄膜。
本发明实施例还提供一种OLED显示面板的制备方法，包括：在柔性衬底基板10上形成一层网状光输出耦合层70；在形成有所述网状光输出耦合层70的基板上形成阳极20和阴极30、以及位于所述阳极20和所述阴极30之间的有机材料功能层40；其中，所述网状光输出耦合层70、所述阳极20和所述阴极30、以及所述有机材料功能层40构成微腔；所述微腔用于控制电致发光光谱的中心波长以及光输出率；所述网状光输出耦合层70的材料为具有高折射率且在可见光范围内低吸收率的网状高分子材料。
这里，所述柔性衬底基板10可以包括聚乙烯(polyethylene，简称PE)、聚丙烯(Polypropylene，简称PP)、聚苯乙烯(Polystyrene，简称PS)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PolyethyleneTerephthalate，简称PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PolyethyleneNaphthalate，简称PEN)、以及聚酰亚胺(Polyimide，简称PI)中的至少一种。
由于所述网状光输出耦合层70具有改善所述柔性衬底基板10的表面平整度的作用，因此，所述网状光输出耦合层70需与所述柔性衬底基板10直接接触，且所述阳极20、所述阴极30、以及所述有机材料功能层40位于所述网状光输出耦合层70的上方。
此外，所述阳极20和所述阴极30的相对位置可以互换，而所述有机材料功能层40位于二者之间。
优选的，所述网状光输出耦合层70的材料包括高分子三(8-羟基喹啉)铝的衍生物；所述高分子三(8-羟基喹啉)铝的衍生物的分子结构参考图3所示。
其中，在形成所述高分子三(8-羟基喹啉)铝的衍生物时，可以在清洗后的所述柔性衬底基板10表面旋涂一层参考图4所示的具有光交联基团的小分子结构的三(8-羟基喹啉)铝的衍生物与微量的光引发剂例如过氧化苯甲酰(掺杂浓度为0.1%)的混合物，并对旋涂于所述柔性衬底基板10表面的混合物进行紫外光照射，从而使得该混合物在紫外光的照射下发生光交联反应，形成所述高分子三(8-羟基喹啉)铝的衍生物。这里，可以采用吉林奥来德光电材料股份有限公司生产的三(8-羟基喹啉)铝的衍生物。
在此基础上，进一步优选的，所述网状光输出耦合层70的厚度在0-100nm之间。
在所述OLED显示面板为单面发光型显示面板的情况下，所述有机材料功能层40靠近所述网状光输出耦合层70一侧为光输出端；此时，所述阳极20可以为透明电极或金属电极，所述阴极30可以为金属电极；其中，所述阳极20靠近所述网状光输出耦合层70设置，所述阴极30远离所述网状光输出耦合层70设置。
当所述阳极20为金属电极时，为了保证所述阳极20呈透明状，优选的，所述阳极的厚度20-40nm在之间；或者，所述阳极20可以采用透明电极例如ITO电极。
需要说明的是，所述阳极20和所述阴极30均可以是单层结构，或者可以是多层结构，在此不做限定。
对于有源矩阵OLED而言，参考图5所示，优选的，所述方法还包括在所述柔性衬底基板10上形成薄膜晶体管80；其中，所述薄膜晶体管80的漏极与所述阳极20电连接。
此外，由于所述有机材料功能层40中的有机材料和作为电极的金属材料对氧气和水气相当敏感，因此，所述方法还包括形成与所述柔性衬底基板10相对的封装基板；其中，所述封装基板包括柔性封装基板或封装薄膜。
下面提供一个具体的实施例对所述显示面板的具体制备方法进行说明。
所述显示面板包括依次设置在柔性衬底基板10上的一层网状光输出耦合层70、阳极20和阴极30、以及位于所述阳极20和所述阴极30之间的有机材料功能层40。
其中，所述柔性衬底基板10采用PET基板；所述网状光输出耦合层70的材料为高分子三(8-羟基喹啉)铝的衍生物，厚度为20nm；所述阳极20为银电极，厚度为20nm；所述阴极30为铝电极，厚度为120nm；所述有机材料功能层40包括电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层。
所述显示面板的制备方法具体包括如下步骤：
S101、将所述PET基板依次放入乙醇、去离子水中进行各10分钟的超声波清洗，然后置于烘箱中烘干，大约为20分钟。
其中，在乙醇中进行清洗可以去除所述PET基板表面的油脂等污染物。
S102、将具有光交联基团的小分子结构的三(8-羟基喹啉)铝的衍生物溶于甲苯中，并加入微量的过氧化苯甲酰(掺杂浓度为0.1%)，形成混合物，将该混合物旋涂于清洗后的所述PET基板的表面，厚度为20nm。
S103、在室温氮气气氛中进行紫外光(波长300nm，功率100mWcm-2)照射100秒，使所述具有小分子结构的三(8-羟基喹啉)铝的衍生物发生光交联反应生成所述高分子三(8-羟基喹啉)铝的衍生物，从而形成所述网状光输出耦合层70。
S104、将形成有所述网状光输出耦合层70的基板置于真空腔内，待真空度达到4×10-4Pa时，在所述网状光输出耦合层70的表面蒸镀银电极，通过一次构图工艺形成所述阳极20。
这里，可以在所述网状光输出耦合层70的表面形成一层厚度为20nm的银电极。
S105、在形成有所述阳极20的基板上依次形成空穴注入层(m-MTDATA，厚度25nm)、空穴传输层(NPB，厚度10nm)、发光层(CBP与FIrpic的混合物，FIrpic的质量分数为10%，厚度25nm)、电子传输层(Alq3，25nm)、电子注入层(LiF，厚度1nm)，从而形成所述有机材料功能层40。
S106、在形成有所述有机材料功能层40的基板上真空蒸镀铝电极，通过一次构图工艺形成所述阴极30。
这里，可以在所述电子注入层的表面形成一层厚度为120nm的铝电极。
通过在所述PET基板上依次形成所述网状光输出耦合层70、所述阳极20、所述有机材料功能层40、以及所述阴极30，便可以构成一个微腔；其中，在垂直于显示面板的方向上，所述网状光输出耦合层70、所述阳极20和所述阴极30、以及所述有机材料功能层40构成的微腔的厚度即为所述微腔的腔长。
对于有源矩阵OLED显示面板，所述显示面板还包括薄膜晶体管80；在此情况下，所述方法还包括：在上述步骤S104之前，还可以在形成有所述网状光输出耦合层70的基板上形成所述薄膜晶体管80。
具体地，可以首先通过一次构图工艺在所述网状光输出耦合层70上形成栅极，再形成栅绝缘层；然后通过一次构图工艺形成半导体有源层；再通过一次构图工艺形成源极和漏极。
在此基础上，在形成有所述薄膜晶体管80的基板上再进行步骤S104-S106，依次形成所述阳极20、所述有机材料功能层40、以及所述阴极30，从而形成有源矩阵OLED显示面板。
本发明实施例提供的所述OLED显示面板的制备方法，通过形成具有网状分子结构的高分子三(8-羟基喹啉)铝的衍生物作为光输出耦合层，将现有技术中的增透膜50和缓冲层60合二为一，不仅简化了所述显示面板的结构，还可以改善所述柔性衬底基板10的表面平整度以及所述显示面板的抗水氧渗透性，并提高所述显示面板的光输出率；进一步的，可以通过控制所述网状光输出耦合层70、所述阳极20和所述阴极30、以及所述有机材料功能层40构成的微腔的腔长以实现对光谱窄化和波长偏移的控制，从而控制电致发光光谱的中心波长、并提高光输出率。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (11)

1.一种OLED显示面板，包括设置在柔性衬底基板上的阳极和阴极、以及设置在所述阳极和所述阴极之间的有机材料功能层；其特征在于，所述显示面板还包括设置在所述柔性衬底基板上并与所述柔性衬底基板接触的一层网状光输出耦合层；
其中，所述阳极、所述阴极、以及所述有机材料功能层均设置在所述网状光输出耦合层上；
所述网状光输出耦合层、所述阳极和所述阴极、以及所述有机材料功能层构成微腔；所述微腔用于控制电致发光光谱的中心波长以及光输出率；
所述网状光输出耦合层的材料为具有高折射率且在可见光范围内低吸收率的网状高分子材料。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述网状光输出耦合层的材料包括高分子三(8-羟基喹啉)铝的衍生物。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述网状光输出耦合层的厚度在0-100nm之间。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述阳极为透明电极或金属电极；
所述阴极为金属电极；
其中，所述阳极靠近所述网状光输出耦合层设置，且在所述阳极为金属电极的情况下，所述阳极的厚度在20-40nm之间。
5.根据权利要求1至4任一项所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括设置在所述柔性衬底基板上的薄膜晶体管；
其中，所述薄膜晶体管的漏极与所述阳极电连接。
6.根据权利要求1至4任一项所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括柔性封装基板或封装薄膜。
7.一种OLED显示面板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
在柔性衬底基板上形成一层网状光输出耦合层；
在形成有所述网状光输出耦合层的基板上形成阳极和阴极、以及位于所述阳极和所述阴极之间的有机材料功能层；
其中，所述网状光输出耦合层、所述阳极和所述阴极、以及所述有机材料功能层构成微腔；所述微腔用于控制电致发光光谱的中心波长以及光输出率；
所述网状光输出耦合层的材料为具有高折射率且在可见光范围内低吸收率的网状高分子材料。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述网状光输出耦合层的材料包括高分子三(8-羟基喹啉)铝的衍生物。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述网状光输出耦合层的厚度在0-100nm之间。
10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述方法还包括在所述柔性衬底基板上形成薄膜晶体管；
其中，所述薄膜晶体管的漏极与所述阳极电连接。
11.根据权利要求7至10任一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括形成柔性封装基板或封装薄膜。
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