CN103700674B - 阵列基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例公开了一种阵列基板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，能够简化阵列基板的层结构，降低阵列基板的制备难度，进而提高阵列基板的生产良品率。该阵列基板包括衬底基板、位于所述衬底基板之上的薄膜晶体管单元、彩膜和平坦保护层，所述平坦保护层与所述薄膜晶体管单元的漏极电连接，其中，所述平坦保护层导电。

Description

阵列基板及其制备方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，简称OLED)是一种有机薄膜电致发光器件，其具有制备工艺简单、成本低、发光效率高、易形成柔性结构、视角宽等优点；因此，利用有机发光二极管的显示技术已成为一种重要的显示技术。
发明人在实现OLED的阵列基板过程中发现，为了防止在彩膜上形成OLED电极时断线和不良，惯常技术需要在OLED的电极与彩膜之间设置平坦保护层，但这种结构比较复杂提高了阵列基板的制备难度，降低了阵列基板的生产良品率。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置，能够有效保证生产安全和生产效率。
为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：
本发明的第一方面提供了一种阵列基板，包括衬底基板、位于所述衬底基板之上的薄膜晶体管单元、彩膜和平坦保护层，所述平坦保护层与所述薄膜晶体管单元的漏极电连接，其中，所述平坦保护层导电。
所述的阵列基板还包括：位于所述薄膜晶体管单元和所述平坦保护层之间的第一绝缘层，所述第一绝缘层对应于所述薄膜晶体管单元的漏极的区域设置有第一过孔，所述平坦保护层通过所述第一过孔与所述薄膜晶体管单元的漏极电连接。
所述的阵列基板还包括：：位于所述平坦保护层之上的有机层和导电层，所述平坦保护层与所述导电层配合共同驱动所述有机层发光。
所述彩膜位于所述平坦保护层和所述薄膜晶体管单元之间。
所述平坦保护层之上形成有第二绝缘层，所述第二绝缘层设置有开口，所述有机层通过所述开口与所述平坦保护层电连接。
所述阵列基板还包括与所述平坦保护层配合的公共电极，以及位于所述平坦保护层和所述公共电极之间的第三绝缘层。
所述平坦保护层的材质为透明导电树脂。
在本发明实施例中，平坦保护层可导电，由于平坦保护层与薄膜晶体管单元的漏极电连接，使得平坦保护层可以充当阵列基板的像素电极，且为导电材料的平坦保护层无需经过溅射工艺，采用涂覆、沉积等其他工艺即可形成，能够有效保证生产安全和生产效率。
本发明的第二方面提供了一种显示装置，其特征在于，包括上述的阵列基板。
本发明的第三方面提供了一种阵列基板的制备方法，包括：
形成包括薄膜晶体管单元的漏极的图形、彩膜和与所述薄膜晶体管单元的漏极电连接的平坦保护层。
所述形成包括薄膜晶体管单元的漏极的图形、彩膜和与所述薄膜晶体管单元的漏极电连接的平坦保护层。包括：
形成包括薄膜晶体管单元的漏极的图形；
在所形成的薄膜晶体管单元的上方形成彩膜；
在所述彩膜的上方形成导电的平坦保护层，所述平坦保护层与所述薄膜晶体管单元的漏极电连接。
所述阵列基板的制备方法还包括：
在所形成的薄膜晶体管单元的漏极之上形成第一绝缘层，所述第一绝缘层对应于所述薄膜晶体管单元的漏极的区域设置有第一过孔，以使得所述平坦保护层通过所述第一过孔与所述漏极电连接；或，
在所述平坦保护层之上形成第一绝缘层，所述第一绝缘层对应于所述薄膜晶体管单元的漏极的区域设置有第一过孔，以使得所述平坦保护层通过所述第一过孔与所述漏极电连接。
所述阵列基板的制备方法还包括：
在所形成的平坦保护层的上方形成有机层，在所述有机层的上方形成导电层，以使得所述平坦保护层和所述有机层电连接、与所述导电层配合共同驱动所述有机层发光。
在所形成的平坦保护层的上方形成有机层，在所述有机层的上方形成导电层，以使得所述平坦保护层和所述有机层电连接、与所述导电层配合共同驱动所述有机层发光之前，还包括：
在所述平坦保护层之上形成第二绝缘层，所述第二绝缘层设置有开口，以使得所述有机层通过所述开口与所述平坦保护层电连接。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例中的阵列基板的结构示意图一；
图2为本发明实施例中的阵列基板的结构示意图二；
图3为本发明实施例中的阵列基板的结构示意图三；
图4为本发明实施例中的阵列基板的结构示意图四；
图5为本发明实施例中的阵列基板的结构示意图五；
图6为本发明实施例中的阵列基板的结构示意图六；
图7为本发明实施例中的阵列基板的结构示意图七；
图8为本发明实施例中的阵列基板的结构示意图八；
图9为本发明实施例中的阵列基板的结构示意图九；
图10为本发明实施例中的阵列基板的制备方法的流程图一；
图11为本发明实施例中的阵列基板的制备方法的流程图二；
图12为本发明实施例中的阵列基板的结构示意图十；
图13为本发明实施例中的阵列基板的结构示意图十一；
图14为本发明实施例中的阵列基板的结构示意图十二；
图15为本发明实施例中的阵列基板的结构示意图十三；
图16为本发明实施例中的阵列基板的结构示意图十四；
图17为本发明实施例中的阵列基板的结构示意图十五；
图18为本发明实施例中的阵列基板的制备方法的流程图三；
图19为本发明实施例中的阵列基板的结构示意图十六。
附图标记说明：
1—衬底基板； 2—薄膜晶体管单元； 21—栅极；
22—栅极绝缘层； 23—有源层； 24—源极；
25—漏极； 3—平坦保护层； 4—彩膜；
5—有机层； 6—导电层； 7—第一绝缘层；
8—第一过孔； 9—第二绝缘层； 10—开口；
11—黑矩阵； 12—第三绝缘层； 13—第四绝缘层；
14—公共电极。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例一
本发明实施例提供一种阵列基板，如图1所示，包括衬底基板1、位于所述衬底基板1之上的薄膜晶体管单元2、彩膜4和平坦保护层3，所述平坦保护层3与所述薄膜晶体管单元2的漏极25电连接，其中，所述平坦保护层3导电。
其中，阵列基板上形成的平坦保护层3，平坦保护层3通常利用具有一定粘度的树脂形成，可以平坦化阵列基板上的凹凸不平的结构，并且保护位于平坦保护层3之下的结构不受到腐蚀，保证阵列基板之后的制作工艺可以顺利进行。
但在本发明实施例中，平坦保护层3还可导电，使得该平坦保护层3不仅可起到平坦保护阵列基板的作用，而且由于平坦保护层3与薄膜晶体管单元2的漏极25电连接，使得平坦保护层3还可以充当阵列基板的像素电极，且为导电材料的平坦保护层3无需经过溅射工艺，采用涂覆、沉积等其他工艺即可形成，能够有效保证生产安全和生产效率。
进一步的，由于薄膜晶体管单元2主要是通过在有源层24中形成导电沟道，使得源极23和漏极25之间可以实现电信号的传递。而光照会影响有源层24内的导电沟道对载流子的传输能力，进而影响薄膜晶体管单元2的工作效果。一般的，需要在对应于所述薄膜晶体管单元的有源层23设置黑矩阵11。
该黑矩阵11可选用黑色或深色的树脂制作。由于黑矩阵11在制作过程中，首先在所形成的钝化层上沉积一层遮光材料，之后通过包括刻蚀在内的构图工艺形成对应各个薄膜晶体管单元2的多个黑矩阵11。为了减少阵列基板的制备流程，优选黑色的光刻胶来制作，利用光刻胶的感光性质，制备黑矩阵11时可以省略光刻胶的使用。
由于近年来人们对于显示装置的透光率、分辨率、功耗等的要求越来越高，显示装置都在向着高透过率、高分辨率、低功耗等方向发展。其中，分辨率越高，使得每一个像素单元的尺寸越小，当像素单元的边长由几十微米变为十几微米时，显然，像素单元的尺寸得到了大幅度的减小，此时，若划分像素单元的黑矩阵的宽度仍然保持不变，相对于像素单元而言，黑矩阵将变得明显，将会影响显示装置的显示效果。因此，黑矩阵的宽度应相应的减小以保证显示装置的显示效果。之后，在黑矩阵界定出来的对应像素单元的显示区域上方形成彩膜。
但是，黑矩阵的宽度减小有可能导致阵列基板和彩膜基板之间的对盒出现偏差，导致漏光等不良现象的产生，因此位于彩膜基板上的黑矩阵的宽度不能任意减小。人们为了克服黑矩阵减小带来的漏光等不良现象，将黑矩阵和彩膜形成在阵列基板上。由于此时黑矩阵位于阵列基板上，在适当减小黑矩阵的宽度时，也能保证黑矩阵能够充分遮挡栅线、数据线和薄膜晶体管单元等需遮光的结构，同时，减少漏光现象发生的可能性，在提高分辨率、透过率的同时又保证了显示装置的显示效果。这种技术又叫做COA（Color Filter onArray）技术。
在本发明实施例中，采用了COA技术，将所述彩膜4与所述薄膜晶体管单元2都在同一衬底基板1上形成。
如图1所示，该阵列基板还包括位于所述薄膜晶体管单元2和所述平坦保护层3之间的第一绝缘层7，所述第一绝缘层7对应于所述薄膜晶体管单元2的漏极25的区域设置有第一过孔8，所述平坦保护层3通过所述第一过孔8与所述薄膜晶体管单元2的漏极25电连接。
其中，平板保护层3可为平面板状结构或狭缝状结构等其他结构，本发明实施例对此不进行限制。
显然，图1所示的阵列基板中的薄膜晶体管单元2为一种底栅型的薄膜晶体管单元，即该薄膜晶体管单元2的结构由下至上包括：栅极21、栅极绝缘层22、同层设置且绝缘的源极24和漏极25、以及连接源极24和漏极25的有源层23。
本说明书虽然把底栅型薄膜晶体管作为实施例进行了说明，但不限于此，例如顶栅型薄膜晶体管；底栅型薄膜晶体管应该被解释为底栅薄膜晶体管的统称，所谓底栅薄膜晶体管：薄膜晶体管的栅极位于薄膜晶体管半导体层下方的这一类薄膜晶体管。依据同一理由，顶栅型薄膜晶体管应该被解释为顶栅薄膜晶体管的统称，所谓顶栅薄膜晶体管：薄膜晶体管的栅极位于薄膜晶体管半导体层上方的这一类薄膜晶体管。
在图1中，平坦保护层3位于薄膜晶体管单元2的上方，由于第一绝缘层7位于薄膜晶体管单元2的上方，此时，该第一绝缘层7通常又称为钝化层，采用钝化层工艺不仅提高了显示装置的耐严酷环境的能力，而且有助于改善薄膜晶体管单元2的光电参数性能。但是钝化层通常采用氧化硅、氮化硅、氧化铪、树脂等绝缘材料，为了实现所述平坦保护层3与漏极25之间的电连接，可以在第一绝缘层7对应于所述薄膜晶体管单元2的漏极25的区域设置有贯穿第一绝缘层7的第一过孔8，使得所述平坦保护层3可以通过所述第一过孔8与所述漏极25电连接。
需要说明的是，由于如图1所示，彩膜4位于平坦保护层3与第一绝缘层7之间，因此，第一过孔8还需贯穿彩膜4，才能实现平坦保护层3和漏极25的电连接。
另外，也可以如图2所示，黑矩阵11和平坦保护层3同层设置，均位于第一绝缘层7之上，此时彩膜4位于平坦保护层3上方，因此第一过孔8只需贯穿第一绝缘层7即可。
薄膜晶体管单元2也可如图3或图4所示的顶栅型。在图3或图4中，顶栅型的薄膜晶体管单元2由下至上包括：同层设置且绝缘的源极24和漏极25、连接源极24和漏极25的有源层23、栅极绝缘层22和栅极21。
对比图1和图3，在图3中，与图1一致的，第一绝缘层7之上依次设置有同层设置的黑矩阵11、彩膜4以及位于黑矩阵11和彩膜4之上的平坦保护层3，为了实现所述平坦保护层3与漏极25之间的电连接，可以在彩膜4、第一绝缘层7和栅极绝缘层22对应于所述薄膜晶体管单元2的漏极25的区域设置第一过孔8。即第一过孔8此时需要贯穿彩膜4、第一绝缘层7和栅极绝缘层22三层绝缘层，方可使得所述平坦保护层3可以通过所述第一过孔8与所述漏极25电连接。
对比图2和图4，在图4中，与图2一致的，第一绝缘层7之上依次设置有同层设置的平坦保护层3和黑矩阵11、以及位于之上的彩膜4，此时为了实现所述平坦保护层3与漏极25之间的电连接，可以在第一绝缘层7和栅极绝缘层22对应于所述薄膜晶体管单元2的漏极25的区域设置第一过孔7。即第一过孔7此时需要贯穿第一绝缘层7和栅极绝缘层22两层绝缘层，方可使得所述彩膜3可以通过所述第一过孔7与所述漏极25电连接。
需要说明的是，由于在本发明实施例中，平坦保护层3相当于各个像素单元的像素电极，因此，各个像素单元的平坦保护层3之间应该绝缘，可通过一次构图工艺的形式形成平坦保护层3的图形，或者如在图2或图4所示的阵列基板的结构中，可以直接利用黑矩阵11绝缘各个像素单元对应的平坦保护层3，也可以通过另外在黑矩阵11上方设置一层绝缘层的方式实现平坦保护层3之间的绝缘。
平坦保护层3也可位于薄膜晶体管单元2的下方。如图5所示，此时薄膜晶体管单元2为顶栅型的。显然，由于顶栅型的薄膜晶体管单元2的漏极25位于整个薄膜晶体管单元2的结构中的最下层，为了实现漏极25与平坦保护层3之间的电连接，第一过孔8仅需要贯穿第一绝缘层7。
另外，图5所示的彩膜4和黑矩阵11位于薄膜晶体管单元2的上方，但在其他结构的阵列基板中，彩膜4和黑矩阵11也可以位于薄膜晶体管单元2的下方、平坦保护层3的上方，或是位于薄膜晶体管单元2的下方并且位于平坦保护层3的下方，本发明实施例对此不进行限制，在此不再赘述。
需要说明的是，由于在图5中，薄膜晶体管单元2的源极24和漏极25同层设置，因此还需要在平坦保护层3和源极24、漏极25之间形成一层第四绝缘层13，以保证平坦保护层3和源极21之间不会相互干扰。或如图6所示，当彩膜4和黑矩阵11位于薄膜晶体管单元2的下方、平坦保护层3的上方时，此时，可以直接利用彩膜4和黑矩阵11作为平坦保护层3和薄膜晶体管单元2的源极24、漏极25之间的绝缘层。
当然，如图7所示，图5中的薄膜晶体管单元2也可为底栅型的，此时，彩膜4和黑矩阵11也可以位于薄膜晶体管单元2的下方、平坦保护层3的上方，或是位于薄膜晶体管单元2的下方并且位于平坦保护层3的下方，具体结构在此不再赘述。
其中，在图7中，与图5中类似的，为了防止平坦保护层3和栅极21之间相互干扰，影响阵列基板的工作效果，需要在薄膜晶体管单元2的栅极21和平坦保护层3之间设置一层第四绝缘层13；或者，可以类似图6所示，利用彩膜4和黑矩阵11作为这一层绝缘层，在此不再赘述。
在本发明实施例中，优选的，所述平坦保护层3位于薄膜晶体管单元2、黑矩阵11和彩膜4之上，如图1或2所示，即所述彩膜4位于所述平坦保护层3和所述衬底基板1之间，使得平坦保护层3更接近液晶层，能够更好地配合公共电极驱动液晶的偏转。
需要说明的是，在本发明实施例中，薄膜晶体管单元2的源极24和漏极25都是同层设置且在同一次构图工艺中形成的，但是，源极24和漏极25非同层设置的薄膜晶体管单元2同样适用于本发明实施例。
需要说明的是，由于图1-图7所示的结构具有一定的相似性，以下以图1所示的阵列基板为例进行具体说明。
在前文中叙述过，由于平坦保护层3连接薄膜晶体管单元2的漏极25，且平坦保护层3（相当于板状电极）采用透光的导电材料制作，则平坦保护层3相当于现有技术中的像素电极，显然，图1-图7所示的阵列基板为COA工艺的扭曲向列型（Twisted Nematic，简称TN）模式的阵列基板。在此基础上，可以考虑对图1所示的阵列基板的结构进行改进，例如，如图8所示，该阵列基板在图1所示的阵列基板的基础上还包括与所述平坦保护层3配合的公共电极14（相当于狭缝状电极），以及位于所述平坦保护层3和所述公共电极14之间的第三绝缘层12，此时该阵列基板为COA工艺的高级超维场转换（Advanced Super DimensionSwitch，简称ADS）模式的阵列基板。
所谓高级超维场转换技术（ADvanced Super Dimension Switch），简称ADS,其核心技术特性描述为：通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场转换技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹（push Mura）等优点。针对不同应用，ADS技术的改进技术有高透过率I-ADS技术、高开口率H-ADS和高分辨率S-ADS技术等。
本领域技术人员应该可以理解，上述实施例的公共电极可以为板状或者狭缝状，像素电极也是如此；当然，像素电极和公共电极的上下顺序可颠倒，而且像素电极和公共电极均可以为狭缝状电极。
当然，本实施例的阵列基板还适用于水平电场模式（In-Plane Switch,简称IPS）,IPS其核心技术特性描述为:通过同一平面内的狭缝状的公共电极与狭缝状的像素电极产生的电场形成水平电场。例如：同一层的平坦保护层一部分作为像素电极，一部分作为公共电极。
类似的，可在图2-图7所示的阵列基板的基础上添加与所述平坦保护层3配合的公共电极14，以及位于所述平坦保护层3和所述公共电极14之间的第三绝缘层12。
与第一绝缘层7、第四绝缘层13等类似的，第三绝缘层12也可采用氧化硅、氮化硅、氧化铪、树脂等绝缘材料制成。
或者，如图9所示，该阵列基板在图1所示的阵列基板的基础上还包括位于所述平坦保护层3之上的有机层5和导电层6，所述平坦保护层3与所述导电层6配合共同驱动所述有机层5发光，即此时的阵列基板为有机发光二极管（Organic Light-Emitting Diode，简称OLED）模式的阵列基板。
在图9所示的阵列基板的结构中，由于平坦保护层3连接薄膜晶体管单元2的漏极25且为导电材料，即该平坦保护层3相当于现有技术中的有机层5的金属阳极，因而，该阵列基板中可省去金属阳极这一层结构；显著地简化了OLED模式的阵列基板的层结构，同时由于该OLED模式的阵列基板的层结构简化了，该OLED模式的阵列基板的制备流程、制备难度也减少了，进而提高了该OLED模式的阵列基板的生产良品率。
一般的，OLED模式的阵列基板的出光方向如图9中的虚线箭头所示，为自有机层5发出、经过多层结构后从衬底基板1出射。
其中的有机层5优选能发出白光的材料，则在本发明实施例中，与平坦保护层3配合驱动有机层5发光的导电层6优选铝等成本较低、不透光的材料，可将有机层5发出的光反射进入彩膜4中，提高有机层5发出的光的利用率。同时，还可防止有机层5发出的光经由导电层反射后变色，保证显示装置的显示效果。
另外，由于并不是整个阵列基板在工作中都需要观看者发出光，因此，可以在平坦保护层3上不需要发光的区域（例如薄膜晶体管单元2的对应区域、黑矩阵11的覆盖区域等）设置第二绝缘层9，以将平坦保护层3和有机层5绝缘，防止该区域的有机层5发光；而在需要发光的区域，即亚像素区域，则通过在第二绝缘层9上设置有开口10，使得有机层5通过所述开口10与所述平坦保护层3电连接。由于该第二绝缘层9可对出光区域进行限定，即对亚像素区域进行限定，通常，该第二绝缘层9又称为像素限定层，则开口10对应的区域为发光区域，而第二绝缘层9覆盖的区域不发光。
类似的，可在图2-图4所示的阵列基板的基础上添加位于所述平坦保护层3之上的有机层5、第二绝缘层9和导电层6等结构，形成OLED模式的阵列基板，在此不再赘述。
与第一绝缘层7、第四绝缘层13等类似的，第二绝缘层9也可采用氧化硅、氮化硅、氧化铪、树脂等绝缘材料制成。
在本发明实施例中，该平坦保护层3不仅需要具有良好的导电效果，还需要具有较高的固化性、透光度等性质，例如：平坦保护层3作为OLED阳极时，平坦保护层3不仅满足透光度，还具有与有机层匹配的功函数。因此，平坦保护层3的材质优选透明导电树脂，具体的，可通过如下方法制成透明导电树脂：
将10～50质量份透光基体树脂，1～20质量份有机酸掺杂的聚苯胺，加入到40～90质量份甲苯中，搅拌至完全溶解形成所述透明导电树脂。
或者将10～50质量份透光基体树脂，1～20质量份有机酸掺杂的聚苯胺，1～15质量份交联单体，加入到40～90质量份甲苯中，搅拌至完全溶解形成所述透明导电树脂。
另外，也可将纳米级的掺锑的SnO2通过和高分子聚合物单体、分散剂、表面活性剂等均匀混合，形成制作平坦保护层3的透明导电树脂。
导电粒子除了可采用纳米级的掺锑的SnO2之外，还可采用纳米级氧化铟锡或纳米银等纳米级的导电粒子。一般的，导电粒子的尺寸为20～50nm。
另外，通过调节树脂的固化温度、导电粒子的大小、光照等因素可以改变最终形成的平坦保护层3的电阻率，保证平坦保护层3可以为漏极25和有机层5提供良好的电连接。
进一步的，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括上述任意一种阵列基板。具体的，该显示装置可以为：液晶面板、电子纸、OLED面板、液晶电视、液晶显示器、数码相框、手机、平板电脑等具有任何显示功能的产品或部件。
实施例二
本发明实施例提供一种实施例一所记载的阵列基板的制备方法，如图10所示，该制备方法包括：
步骤S101、形成包括薄膜晶体管单元的漏极的图形、彩膜和与所述薄膜晶体管单元的漏极电连接的平坦保护层。
由此，可以形成图1-图7所示的平坦保护层3和漏极25电连接的阵列基板。具体的，由实施例一可知，本发明实施例所提供的阵列基板至少有如图1-7所示七种结构，即薄膜晶体管单元2的漏极25既可以在所述平坦保护层3的上方，也可以在所述平坦保护层3的下方，并且，薄膜晶体管单元2可以为底栅型也可以为顶栅型。
具体的，若要形成图1所示的阵列基板，则如图11所示，步骤S101具体包括：
步骤S201、依次形成位于衬底基板上的包括薄膜晶体管单元的栅极、栅极绝缘层、有源层的图形。
如图12所示，该薄膜晶体管单元2由下到上依次包括栅极21、位于栅极21之上的栅极绝缘层22、位于栅极绝缘层22之上的有源层23，因此在制作时，依次在阵列基板上形成栅极21、栅极绝缘层22、有源层23。
需要说明的是，在形成薄膜晶体管单元2的栅极21的同时，衬底基板上的栅线（图中未示出）等结构也一体成型。
步骤S202、形成包括薄膜晶体管单元的漏极的图形。
除了上述的栅极21、栅极绝缘层22、有源层23、漏极25等结构外，薄膜晶体管单元2还包括源极24。在本发明实施例中，薄膜晶体管单元2的源极24和漏极25同层设置，因此可以考虑在步骤S202形成漏极25的同时形成源极24，如图13所示。
若是源极24与漏极25不同层设置，则可以考虑根据实际情况，在形成漏极25之前或之后形成源极24，本发明实施例对此不进行限制。
步骤S203、在所形成的薄膜晶体管单元的漏极之上形成第一绝缘层。
在步骤S202对应的图13的基础上，通过涂覆、沉积等方式在所述薄膜晶体管单元的漏极之上形成第一绝缘层7。因此第一绝缘层7位于薄膜晶体管单元2的上方，此时，该第一绝缘层7通常又称为钝化层，采用钝化层工艺不仅提高了显示装置的耐严酷环境的能力，而且有助于改善薄膜晶体管单元2的光电参数性能。但是钝化层通常采用氧化硅、氮化硅、氧化铪、树脂等绝缘材料。
步骤S204、在所述第一绝缘层之上形成包括黑矩阵的图形，所述黑矩阵对应于所述薄膜晶体管单元的有源层设置。
在所形成的第一绝缘层7的图形之上，通过涂覆、沉积等形式形成一层遮光材料，之后通过包括刻蚀在内的构图工艺形成对应各个薄膜晶体管单元2的有源层23的多个黑矩阵11，如图15所示。为了简化阵列基板的制备流程，优选黑色的光刻胶来制作，利用光刻胶的感光性质，制备黑矩阵11时可以省略光刻胶的使用。
需要说明的是，为了保证薄膜晶体管单元2在工作时，其有源层23内形成的导电沟道不会被光照射到，因此黑矩阵11通常要对应覆盖整个有源层23。
步骤S205、在所形成的薄膜晶体管单元的上方形成彩膜。
进一步的，在形成彩膜4后，还需通过构图工艺，在对应于所示薄膜晶体管单元2的漏极25的区域设置第一过孔8，如图16所示，第一过孔8贯穿彩膜4和第一绝缘层7，以保证之后形成的平坦保护层3和漏极25的有效电连接。
步骤S206、在所述彩膜的上方形成导电的平坦保护层，所述平坦保护层与所述薄膜晶体管单元的漏极电连接。
如图17所示，在步骤S204的基础上，在所形成的薄膜晶体管单元2的漏极25的上方形成平坦保护层3，该平坦保护层3可以通过贯穿彩膜3和第一绝缘层7的第一过孔8与薄膜晶体管单元2的漏极25电连接。
为了保证平坦保护层3不仅具有良好的导电能力，还具有较高的固化性、透光度等性质，在本发明实施例中，优选的，所述平坦保护层3的材质为透明导电树脂。具体的，可通过如下方法制成透明导电树脂：
将10～50质量份透光基体树脂，1～20质量份有机酸掺杂的聚苯胺，加入到40～90质量份甲苯中，搅拌至完全溶解形成所述透明导电树脂。
或者将10～50质量份透光基体树脂，1～20质量份有机酸掺杂的聚苯胺，1～15质量份交联单体，加入到40～90质量份甲苯中，搅拌至完全溶解形成所述透明导电树脂。
或者将10～50质量份透光基体树脂，1～20质量份有机酸掺杂的聚苯胺，1～15质量份交联单体，0.1～1质量份固化引发剂，加入到40～90质量份甲苯中，搅拌至完全溶解形成所述透明导电树脂。
另外，也可将纳米级的掺锑的SnO2通过和高分子聚合物单体、分散剂、表面活性剂等均匀混合，形成制作平坦保护层3的透明导电树脂。
例如可以将纳米级的导电粒子、高分子聚合物单体、分散剂、表面活性剂等均匀混合后，通过涂覆、沉积等形式，形成平坦保护层3的透明导电树脂。
其中，纳米级的导电粒子可选为纳米级的掺锑的SnO2之外，还可采用纳米级氧化铟锡或纳米银等。
在前文中叙述过，由于平坦保护层3连接薄膜晶体管单元2的漏极25，且平坦保护层3采用透光的导电材料制作，则平坦保护层3相当于现有技术中的像素电极，显然，图1所示的阵列基板为COA工艺的扭曲向列型（Twisted Nematic，简称TN）模式的显示面板中的阵列基板。在此基础上，可以考虑对图1所示的阵列基板的结构进行改进，例如，如图8所示，该阵列基板在图1所示的阵列基板的基础上还形成与所述平坦保护层3配合的公共电极14，以及位于所述平坦保护层3和所述公共电极14之间的第三绝缘层12，此时该阵列基板为COA工艺的高级超维场转换（Advanced Super Dimension Switch，简称ADS）模式的显示面板中的阵列基板。
进一步的，还可以在图1所示的基础上形成有机发光二极管（Organic Light-Emitting Diode，简称OLED）显示面板中的阵列基板，具体的，如图18所示，在步骤S205之后还包括：
步骤S301、在所述平坦保护层之上形成第二绝缘层，所述第二绝缘层设置有开口，以使得所述有机层通过所述开口与所述平坦保护层电连接。
与第一绝缘层7类似的，所述第二绝缘层9也可采用氧化硅、氮化硅、氧化铪、树脂等绝缘材料制成，如图19所示，但是由于同样需要对第二绝缘层9进行构图工艺以形成开口10，因而优选的，可以采用光刻胶形成第二绝缘层9。利用光刻胶的感光性质，制备开口10时可以省略光刻胶的使用，简化阵列基板的制备流程，降低阵列基板的制作成本。
在本发明实施例中，该开口10所对应的区域为该阵列基板在工作时的发光区域，而开口10周围保留有第二绝缘层9为不发光区域，如图19所示，因此，第二绝缘层9又称为像素限定层。
步骤S302、在所形成的平坦保护层的上方形成有机层，在所述有机层的上方形成导电层，以使得所述平坦保护层和所述有机层电连接、与所述导电层配合共同驱动所述有机层发光。
步骤S302之后，该阵列基板的结构如图9所示。
具体的，有机层5内包括空穴传输层、发光层与电子传输层，当平坦保护层3和导电层6之间的电压适当时，空穴传输层中的正极空穴与电子传输层中的阴极电荷就会在发光层中结合，使发光层产生光亮。
需要说明的是，由于适合传递电子的有机材料不一定适合传递空穴，所以有机发光二极体的电子传输层和空穴传输层应选用不同的有机材料或仅是掺杂的杂质不同的有机材料。目前最常被用来制作电子传输层的材料必须制膜安定性高、热稳定且电子传输性佳，一般通常采用荧光染料化合物，如蒽二唑类衍生物、含萘环类衍生物、1-萘基、3-甲基苯基等。而空穴传输层的材料属于一种芳香胺荧光化合物，如1-萘基等有机材料。
有机层5的材料须具备固态下有较强荧光、载子传输性能好、热稳定性和化学稳定性佳、量子效率高且能够真空蒸镀的特性，例如可采用八羟基喹啉铝。
其中，优选能够发出白光的有机层5。
通常，通过蒸镀、溅射等方式形成导电层6。在本发明实施例中，与彩膜3配合驱动有机层5发光的导电层6成本较低、表面平滑、不透光的材料，可防止有机层5发出的光从导电层6一侧射出，降低阵列基板对光线的利用率。
进一步的，若有机层5发出的光为白色的，则导电层6优选白色的表面光滑的金属，如铝，可以防止有机层5发出的光被导电层6反射后变色，保证显示装置的显示效果。
该制备方法制备形成的阵列基板中的平坦保护层采用透明导电树脂制成，所述平坦保护层与所述薄膜晶体管单元的漏极和所述有机层电连接，所述平坦保护层与所述导电层配合共同驱动所述有机层发光，因而，该阵列基板中可省去金属阳极这一层结构，显著地简化了阵列基板的层结构，同时由于阵列基板的层结构简化了，阵列基板的制备流程、制备难度也减少了，进而提高了阵列基板的生产良品率。
进一步的，由图11所示的阵列基板的制备方法，可以推知其他图2-图7各阵列基板的制备方法，具体如下：
例如，图2和图1之间的区别在于图2中的薄膜晶体管单元2为顶栅型的，则由图11所示的制作步骤可知图2的阵列基板的制作步骤大致如下：
顶栅型的薄膜晶体管单元2由下至上包括：同层设置且绝缘的源极24和漏极25、连接源极24和漏极25的有源层23、栅极绝缘层22和栅极21，因此首先需要在衬底基板上形成包括漏极25、源极24、有源层23、栅极绝缘层22和栅极21等薄膜晶体管单元2的各结构，类似的，漏极25和源极24可以同层形成也可以非同层形成。
之后，在薄膜晶体管单元2的上方形成第一绝缘层7，并在第一绝缘层7上对应有源层23之处形成黑矩阵11。之后，为了使得平坦保护层3可以与位于底层的漏极25电连接，在第一绝缘层7和栅极绝缘层22上形成第一过孔8。最后，透明导电树脂形成该导电的平坦保护层3，同时，第一过孔8内也填充有平坦保护层3，使得平坦保护层3可以与漏极25电连接。至此，可形成图2所示的阵列基板。
显然，如图1和图2所示，平坦保护层3都位于漏极25的上方。类似的，也可考虑采用顺序不同的制备方法，使得平坦保护层3位于漏极25的下方，在此不再赘述。此时，需要在所述平坦保护层3之上形成第一绝缘层7，所述第一绝缘层7对应于所述薄膜晶体管单元2的漏极25的区域设置有第一过孔8，以使得所述平坦保护层3通过所述第一过孔8与所述漏极25电连接。
类似的，可在图2-图7所示的阵列基板的基础上添加与所述平坦保护层3配合的公共电极14，以及位于所述平坦保护层3和所述公共电极14之间的第三绝缘层12，同样形成ADS模式的阵列基板。
进一步的，也可类似图18所示的步骤，在图3所示的阵列基板的基础上添加第二绝缘层8、有机层5和导电层6等结构，形成OLED模式的阵列基板。具体不再赘述。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (8)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底基板、位于所述衬底基板之上的薄膜晶体管单元、彩膜和平坦保护层，所述平坦保护层与所述薄膜晶体管单元的漏极电连接，其中，所述平坦保护层导电，所述平坦保护层的材质为透明导电树脂；
所述平坦保护层位于所述薄膜晶体管的下方；或者，
所述薄膜晶体管单元为底栅型薄膜晶体管单元，且所述平坦保护层位于所述薄膜晶体管的上方；所述阵列基板还包括位于所述平坦保护层上方的有机层和导电层，所述平坦保护层与所述导电层配合共同驱动所述有机层发光；所述阵列基板还包括位于所述平坦保护层和所述有机层之间的第二绝缘层，所述第二绝缘层的材质为光刻胶，所述第二绝缘层设置有开口，所述有机层通过所述开口与所述平坦保护层电连接。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述平坦保护层位于所述薄膜晶体管的下方，所述阵列基板还包括位于所述薄膜晶体管单元与所述平坦保护层之间的第四绝缘层，所述第四绝缘层对应于所述薄膜晶体管单元的漏极的区域设置有第一过孔，所述平坦保护层通过所述第一过孔与所述薄膜晶体管单元的漏极电连接；或者，
所述薄膜晶体管单元为底栅型薄膜晶体管单元，且所述平坦保护层位于所述薄膜晶体管的上方，所述阵列基板还包括：位于所述薄膜晶体管单元和所述平坦保护层之间的第一绝缘层，所述第一绝缘层对应于所述薄膜晶体管单元的漏极的区域设置有第一过孔，所述平坦保护层通过所述第一过孔与所述薄膜晶体管单元的漏极电连接。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述彩膜位于所述平坦保护层和所述薄膜晶体管单元之间。
4.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-3任一项所述的阵列基板。
5.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：形成包括薄膜晶体管单元的漏极的图形、彩膜和与所述薄膜晶体管单元的漏极电连接的平坦保护层，所述平坦保护层的材质为透明导电树脂；
所述平坦保护层形成于所述薄膜晶体管的下方；或者，
所述薄膜晶体管单元为底栅型薄膜晶体管单元，且所述平坦保护层形成于所述薄膜晶体管的上方；所述制备方法还包括：在所述平坦保护层的上方形成有机层，在所述有机层的上方形成导电层，以使所述平坦保护层与所述导电层配合共同驱动所述有机层发光；所述制备方法还包括：在所述平坦保护层和所述有机层之间形成第二绝缘层，所述第二绝缘层的材质为光刻胶，所述第二绝缘层设置有开口，以使所述有机层通过所述开口与所述平坦保护层电连接。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述平坦保护层形成于所述薄膜晶体管的下方，在所述薄膜晶体管单元与所述平坦保护层之间形成第四绝缘层，所述第四绝缘层对应于所述薄膜晶体管单元的漏极的区域设置有第一过孔，以使所述平坦保护层通过所述第一过孔与所述薄膜晶体管的漏极电连接。
7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述薄膜晶体管单元为底栅型薄膜晶体管单元，且所述平坦保护层位于所述薄膜晶体管的上方，形成包括薄膜晶体管单元的漏极的图形、彩膜和与所述薄膜晶体管单元的漏极电连接的平坦保护层包括：
形成包括薄膜晶体管单元的漏极的图形；
在所形成的薄膜晶体管单元的上方形成彩膜；
在所述彩膜的上方形成导电的平坦保护层，所述平坦保护层与所述薄膜晶体管单元的漏极电连接。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，还包括：
在所形成的薄膜晶体管单元的漏极之上形成第一绝缘层，所述第一绝缘层对应于所述薄膜晶体管单元的漏极的区域设置有第一过孔，以使得所述平坦保护层通过所述第一过孔与所述漏极电连接。
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