CN103700404A

CN103700404A - Eeprom的擦写操作方法、擦写控制电路以及rifd标签芯片

Info

Publication number: CN103700404A
Application number: CN201210389986.7A
Authority: CN
Inventors: 王彬; 赵海波; 孔维新; 于跃
Original assignee: YANGZHOU DAOYUAN MICROELECTRONICS CO Ltd
Current assignee: YANGZHOU DAOYUAN MICROELECTRONICS CO Ltd
Priority date: 2012-09-27
Filing date: 2012-09-27
Publication date: 2014-04-02

Abstract

本发明提供一种EEPROM的擦写操作方法、擦写控制电路以及RIFD标签芯片，属于集成电路(IC)设计技术领域。该擦写控制电路用于对EEPROM进行擦写操作，其包括电荷泵***和验证电路；电荷泵***用于提供电压可阶梯式抬升的擦写操作高压信号；验证电路用于验证EEPROM在该擦写操作高压信号的作用下是否擦写操作成功，并输出控制信号至电荷泵***；如果验证电路判断为未擦写操作成功，则输出控制信号使电荷泵***的擦写操作高压信号的电压阶梯式抬升；如果验证电路判断为擦写操作成功，则输出控制信号使电荷泵***擦写操作高压信号的电压不抬升。该擦写操作方法包括电压阶梯抬升步骤和验证步骤。

Description

EEPROM的擦写操作方法、擦写控制电路以及RIFD标签芯片

技术领域

本发明属于集成电路(IC)设计技术领域，涉及EEPROM(ElectricallyErasable Programmable Read-Only Memory，电可擦可编程只读存储器)，尤其涉及低功耗实现EEPROM的擦写(擦除/编程)操作方法和用于实现该擦写操作方法的EEPROM擦写控制电路，以及包括该EEPROM的RFID(射频识别)标签芯片。

背景技术

RFID(射频识别)技术，特别是超高频(UHF)RFID技术，已经被广泛已经被广泛应用于各个领域，例如，货物销售、运输、生产、废物管理、邮政跟踪、航空行李管理、车辆收费管理等领域，传统的纸带条形码因其存储能力小、不能改写等缺点，在识别领域，其已经慢慢被RFID***所替代。

在RFID标签芯片，特别是超高频RFID标签芯片的设计中，对于低功耗的设计要求极高。由于距离远，相对于高频(HF)RFID标签芯片，超高频RFID标签芯片能够获得的能量更少。在对RFID标签芯片写入时，通常需要启动电荷泵电路以对RFID标签芯片中通常使用的存储器-EEPROM-进行擦写操作，并且持续时间很长，能量消耗极大，所以低功耗EEPROM的设计成为RFID标签芯片低功耗设计的难点之一，特别是成为超高频RFID标签芯片设计中的技术难点。

如上所述，EEPROM作为目前RFID芯片所使用的最主要的存储器形式之一，其低功耗设计成为一个主要的设计方向和难题。很多企业选择了MTP(Multi-Time-Programmable，多次可编程)存储器等新器件作为研发方向，避开EEPROM低功耗设计的难题。但是EEPROM工艺成熟，可靠性高，在部分大容量、高可靠性的RFID标签芯片设计中仍然有不可替代的需求，其低功耗设计成为必须克服的难题，特别是在擦写操作模式下的低功耗设计。

目前，EEPROM的擦写操作方法主要为：从字线/位线向存储单元偏置较高的高压信号(例如15V)，持续1.5ms～2.5ms，实现一次地擦写操作成功，擦写操作后没有验证步骤。由于EEPROM中包括多个存储单元，由于普遍存在的一致性问题，其擦写电压是相对分散地，在目前这种擦写操作方法中，高压信号的大小通常是能够使所有存储单元基本都能够擦写操作成功的电压，从而在不验证的情况下均基本能够一次地实现成功擦写操作。并且，这种高压信号也不能过高而导致存储器件在擦写操作中因此而损坏。

EEPROM的擦写操作中使用高压信号一般地由电荷泵电路提供。图1所示为现有技术的EEPROM擦写控制电路模块结构示意图，其应用于RFID标签芯片中。如图1所示，EEPROM擦写控制电路50主要地包括电荷泵电路51和稳压二极管52，电荷泵电路51的输出端接稳压二极管52，以稳压的形式提供擦写所需的高压信号。EEPROM擦写控制电路50与RFID标签芯片中的射频前端电路20耦接，射频前端电路20与天线10耦接，EEPROM擦写控制电路50输出的高压信号可以偏置至存储阵列60上，在存储阵列60的某一个存储单元被选中之后，该存储单元被该高压信号进行擦写操作。

具体在EEPROM擦写控制电路50中，利用电荷泵电路51以及稳压二极管52产生诸如15V的高压信号。其中，利用稳压二极管52在反向导通电压附近产生大电流的特性，在高压信号尚未达到稳压二极管52反向导通所需电压时，电荷泵电路51产生的能量能够持续抬高电压信号，在高压信号达到稳压二极管52反向导通所需电压时，稳压二极管52产生较大的反向漏电，电荷泵电路51输出的能量和稳压二极管52的泄放电流达到平衡，从而，使高压信号稳定在稳压二极管52的反向导通电压附近。

如上所述，为了使所有存储单元都能够基本一次擦写操作成功且不做验证，其用于擦写的高压信号必须有较大的冗余量，以保证在较差的工艺角下的存储单元也可以被擦写操作成功。目前的EEPROM的擦写操作方法和擦写控制电路主要有以下缺点：

第一，采用稳压二极管进行稳压，使得电荷泵的输出能量不可能太低。这是由于，稳压二极管的反向击穿电压并不是一个点，而是随着反偏电压的升高，反向漏电逐渐增大。如果电荷泵输出能量较低，稳压二极管会把输出电压箝位在较低电位，导致某些单元不能成功的擦写；如果电荷泵输出能量足够高，则其输出能量的大部分被稳压二极管泄放掉，稳压过程会造成能量的大量浪费。

第二，存储器单元的擦写操作方法中，擦写信号设置了大量的冗余，包括电压方面的冗余和操作时间的冗余，尤其不利于降低功耗。

发明内容

本发明目的之一在于，降低EEPROM擦写操作的功耗。

本发明的还一目的在于，降低超高频RFID标签芯片的功耗。

为实现以上目的或者其他目的，本发明提供以下技术方案。

按照本发明的一方面，提供一种EEPROM的擦写控制电路，用于对EEPROM进行擦写操作，该擦写控制电路包括：

电荷泵***，用于提供电压可阶梯式抬升的擦写操作高压信号；和

验证电路，其用于验证所述EEPROM在所述擦写操作高压信号的作用下是否擦写操作成功，并输出控制信号至所述电荷泵***；

其中，如果验证电路判断为未擦写操作成功，则输出所述控制信号使所述电荷泵***的擦写操作高压信号的电压阶梯式抬升；如果验证电路判断为擦写操作成功，则输出所述控制信号使所述电荷泵***擦写操作高压信号的电压不抬升。

按照本发明一实施例的擦写控制电路，其中，所述电荷泵***包括：

电荷泵电路，其用于抬升其输入电压以输出擦写操作高压信号；

时钟产生电路，其用于为所述电荷泵电路提供相对较快的第一时钟信号以及相对较慢的第二时钟信号；

分压电路，其用于将所述输出电压按比例地输出较低电压的分压信号；以及

分压检测电路，其根据所接收的所述分压信号与基准电压的比较结果控制输出时钟切换信号至所述时钟产生电路；

其中，所述验证电路输出控制信号至所述分压检测电路以设置所述基准电压，如果验证电路判断为未擦写操作成功，提高设置所述基准电压，如果验证电路判断为擦写操作成功，设置所述基准电压使其保持不变；

其中，如果所述分压信号的电压大于或等于所述基准电压，则所述分压检测电路输出时钟切换信号以使所述时钟产生电路输出第二时钟信号；如果所述分压信号的电压小于所述基准电压，则所述分压检测电路输出时钟切换信号以使所述时钟产生电路输出第一时钟信号；输出所述第一时钟信号时，所述电荷泵电路输出的擦写操作高压信号的电压抬升；输出所述第二时钟信号时，所述电荷泵电路输出的擦写操作高压信号的电压基本维持不变。

在之前所述实施例的电荷泵***中，优选地，所述分压检测电路包括电压比较器，其用于比较所述分压信号与所述基准电压之间的大小。

在之前所述实施例的电荷泵***中，优选地，所述基准电压通过所述分压检测电路基于验证电路输出的控制信号来设置。

按照本发明的又一方面，提供一种EEPROM的擦写操作方法，其包括：

电压阶梯抬升步骤：阶梯式抬升用于擦写操作高压信号的电压；和

验证步骤：验证擦写操作是否成功，如果未擦写操作成功，则进入所述电压阶梯抬升步骤以继续阶梯式抬升所述擦写操作高压信号的电压。

按照本发明一实施例的擦写操作方法，其中，在所述验证步骤中，如果擦写操作成功，则进入重复擦写操作步骤：基于该成功擦写操作的擦写操作高压信号对相应EEPROM重复进行一次擦写操作。

具体地，在所述电压阶梯抬升步骤中，所述擦写操作高压信号的电压的大小通过EEPROM的擦写操作控制电路设置。

按照本发明又一实施例的擦写操作方法，其中，所述基准电压包括N个由小到大依次设置的第1基准电压至第N基准电压，所述电压阶梯抬升步骤包括以下步骤：

通过分压检测电路可操作地选择设置第M基准电压；

第一比较步骤：通过分压检测电路比较所述分压信号与所述第M基准电压，

其中，如果所述分压信号的电压小于第M基准电压，则所述分压检测电路输出时钟切换信号以使所述时钟产生电路输出第一时钟信号，电荷泵电路的输出电压被抬升，直至使所述分压信号的电压大于或等于所述第M基准电压，

如果所述分压信号的电压大于或等于第M基准电压，则所述分压检测电路输出时钟切换信号以使所述时钟产生电路输出第二时钟信号，电荷泵电路的输出电压基本位置不变；

所述验证步骤中，如果未擦写操作成功，验证电路发出控制信号至所述分压检测电路以使M自加1，实现提高设置基准电压，返回进入所述第一比较步骤；

其中，N为大于或等于2的整数，M为大于或等于1且小于N的整数。

在之前所述任一实施例的擦写操作方法中，优选地，所述分压信号的电压小于或等于所述射频识别标签芯片的电源电压。

在之前所述任一实施例的擦写操作方法中，优选地所述EEPROM为射频识别标签芯片使用的存储器。

按照本发明的还一方面，提供一种射频识别标签芯片，特征在于，包括：

EEPROM；以及

以上所述及的任一种EEPROM的擦写控制电路。

优选地，所述射频识别标签芯片为超高频(UHF)射频识别标签芯片。

本发明的技术效果是，降低了擦写操作电路中的电荷泵电路的功耗，也降低了擦写操作过程的功耗，使用该擦写操作方法和擦写控制电路的RFID标签芯片的功耗低。并且，擦写操作后的EEPROM中的各个存储单元之间的特性均匀，也不易因擦写操作高压信号的电压过高而损害器件。

附图说明

从结合附图的以下详细说明中，将会使本发明的上述和其他目的及优点更加完全清楚，其中，相同或相似的要素采用相同的标号表示。

图1是现有技术的EEPROM擦写控制电路模块结构示意图。

图2是按照本发明一实施例的EEPROM的擦写操作方法流程示意图。

图3是按照本发明一实施例的EEPROM的擦写控制电路的模块结构示意图。

图4是图3所示电荷泵***在电压抬升过程的控制方法流程示意图。

具体实施方式

下面介绍的是本发明的多个可能实施例中的一些，旨在提供对本发明的基本了解，并不旨在确认本发明的关键或决定性的要素或限定所要保护的范围。容易理解，根据本发明的技术方案，在不变更本发明的实质精神下，本领域的一般技术人员可以提出可相互替换的其他实现方式。因此，以下具体实施方式以及附图仅是对本发明的技术方案的示例性说明，而不应当视为本发明的全部或者视为对本发明技术方案的限定或限制。

下面的描述中，为描述的清楚和简明，并没有对图中所示的所有多个部件进行描述。附图中示出了本领域普通技术人员完全能够实现的公开内容的多个部件。对于本领域技术人员来说，许多部件的操作都是熟悉而且明显的。

图2所示为按照本发明一实施例的EEPROM的擦写操作方法流程示意图。在该实施例中，被擦写操作的EEPROM与图1所示的现有技术中EEPROM相同，例如，15V为具有较大的冗余量的高压信号，即在15V的情况下基本可以将EEPROM中的所有存储单元成功擦写。同样地，用于擦写的高压信号由EEPROM的擦写控制电路中的电荷泵电路输出提供。具体结合2对擦写操作过程进行说明。

首先，步骤S501，设置V_R＝V_R(0)，例如，V_R(0)＝1.0V，通过设置V_R可以定义电荷泵电路所输出的高压信号的电压大小。

进一步，步骤S502，电荷泵电路输出10V进行擦写操作。电荷泵电路输出的电压信号是间接地通过V_R来控制，在该实施例中，V_R(0)＝1.0V时，电荷泵电路输出10V的高压信号。但是，V_R具体大小以及其所对应控制的电荷泵电路输出的高压信号的电压大小不是限制性的。

进一步，步骤S503，验证擦写操作是否成功。如果判断为成功，则优选地，则进入步骤S504，基于该高压信号重复擦写一次，以确保该擦写操作有效，进一步进入步骤S562，擦写操作成功；如果判断为不成功，则表示10V的高压信号不够高，需要进一步提高电荷泵电路的输出电压，进入步骤S511。

进一步，类似于以上步骤S501至步骤S504，重复执行步骤S511至步骤S514，电荷泵电路输出电压被升至11V。类推地，可以进一步执行步骤S521-S524、步骤S531-S534、步骤S541-S544、步骤S51-S554，在步骤S553中，如果以15V的高压信号仍然不能擦写操作成功，则判断该次擦写操作失败，即步骤S561。

在以上擦写操作方法过程中，用于擦写操作的高压信号的电压可以从相对较小值开始进行擦写操作，如果在较小值的情况下，擦写操作成功，功耗相对较低，并且，如果验证擦写不成功，则可以通过设置VR，进一步抬高高压信号的电压，直至达到成功擦写操作，或者直至达到设定的最高电压(例如15V)仍然没有成功擦写，则放弃此次擦写操作，此次擦写操作失败。因此，对于EEPROM的存储单元，在其擦写电压不一致的情形下，均可以在其对应的电压阶梯大小下进行擦写操作，擦写操作的电压相对较小，整体功耗降低，也有利于缩短擦写操作时间(现有技术的擦写操作时间中也设置有冗余以实现基本一次性擦写操作成功)。

图3所示为按照本发明一实施例的EEPROM的擦写控制电路的模块结构示意图。在该实施例中，其用于实现以上如图1所示的擦写操作方法过程，并且，并以其应用于RFID标签芯片为例进行示意性地说明。但是，需要理解的是，EEPROM的擦写控制电路并不限于应用于RFID标签芯片，在EEPROM所应用地其他***中，需要低功耗地实现擦写操作的情况下，均可以应用本发明的EEPROM的擦写控制电路。

如图3所示，EEPROM的擦写控制电路包括电荷泵***30和验证电路40，其用于对于EEPROM的存储阵列60进行擦写操作。EEPROM的存储阵列60中包括多个按行和列的形式排列的存储单元，其具体结构形式不是限制性的，被选中的某个或者多个存储单元可以被电荷泵***30的电荷泵电路31输出的高压信号偏置以进行擦写操作。验证电路40可以验证擦写后的数据是否为所需的数据，即验证擦写操作是否成功进行。

EEPROM的擦写控制电路的电荷泵***30的结构及其工作原理在中国专利中请号为CN201210060644.0、名称为“电荷泵***及其控制方法、和包括其的射频识别标签芯片”中被揭示，在此通过全文引用的方式包含于此申请中。具体地，电荷泵***30包括电荷泵电路32、时钟产生电路31、分压电路33、分压检测电路34。电荷泵电路32可以抬升输入电压(也即RFID标签芯片的电源电压V_DD)，从而输出相对较高的输出电压Vout，例如，如果RFID标签芯片的EEPROM所需的擦写操作电压为10V，其高于电源电压V_DD，那么电荷泵电路32可以提供目标输出电压为10V的高压信号至EEPROM，从而成功实现擦写操作；在电荷泵电路32将V_DD抬升至10V的过程中，即为电压抬升过程，其后将详细描述电荷泵***30的电压抬升过程。

电荷泵电路32的具体电路结构类型不是限制性的，其可以为各种常规使用的电荷泵，例如，可以为基于Dickson结构的NCP电荷泵、SP电荷泵、和基于电压倍增的电荷泵。电荷泵电路32的目标输出电压等也可以根据具体负载情况而发生变化，例如，如图1所示实施例的10V、11V、12V、13V、14V和15V。

时钟产生电路31用于为电荷泵电路32提供时钟信号，在该实施例中，时钟产生电路31可以提供两种时钟信号，一种是快时钟信号f₁，一种是慢时钟信号f₂。快时钟信号f₁与慢时钟信号f₂的具体频率设置可以根据具体应用情况来设定。电荷泵电路32使用快时钟信号时，其输出电压将抬升并且功耗相对较大；电荷泵电路32使用慢时钟信号时，其输出电压将基本保持不变并且功耗相对比较小。

分压电路33从电荷泵电路32的输出端采样输出电压(即高压信号)，从而可以按一定比例分出一个分压信号V_F，例如，比例为0.1，即V_F＝0.1Vout。这样，分压信号V_F能小于或等于RFID标签芯片的电源电压V_DD，并且能反映电荷泵电路32的输出电压的大小。

分压电路33输出的分压信号V_F输入至分压检测电路34，分压检测电路34可以在小于或等于RFID标签芯片的电源电压V_DD的范围内提供基准电压V_R，基准电压V_R的具体大小可以调节设置，例如，如图1所示实施例的V_R(1)、V_R(2)、V_R(3)、V_R(4)和V_R(5)，其具体可以根据输入至分压检测电路34的基准电压调节信号来控制实现。分压检测电路34包括设置有电压比较器，该电压比较器可以将分压信号V_F与基准电压V_R比较；如果V_F≥V_R，分压检测电路34输出快/慢时钟切换信号，控制时钟产生电路31输出慢时钟f₂；如果V_F＜V_R，分压检测电路34输出快/慢时钟切换信号，控制时钟产生电路31输出快时钟f₁。因此，时钟产生电路31输出的时钟信号由分压检测电路34输出的时钟切换信号所控制。

并且，对于分压检测电路34，其受验证电路40的输出信号控制。如果验证电路40验证擦写操作成功，则基准电压V_R不发生变化，V_F继续大于或等于V_R，控制时钟产生电路31继续输出快时钟f₂，电荷泵电路31的输出电压维持不变；如果验证电路40验证擦写操作不成功，则验证电路40输出信号使分压检测电路34中的基准电压V_R被调节设置，例如，由于V_R(1)变为V_R(2)，从而控制时钟产生电路31继续输出慢时钟f1，电荷泵电路31的输出电压阶梯式抬升。

图4所示为图3所示电荷泵***在电压抬升过程的控制方法流程示意图。在该实施例中，以电荷泵电路32的初始输出电压为10V的高压信号、可抬升的最高输出电压为15V、分压比例为0.1为例进行说明，其中可以设置基准电压V_R＝1V、1.1V、1.2V、1.3V、1.4V或1.5V，其可以依次地抬高设置其基准电压，其抬高设置受验证电路40控制。

如图4所示，首先开始，i＝0，n＝1，也即设置初始基准电压，初始基准电压V_R(1)＝1V，此时，电荷泵电路32的输出电压将抬升至Vout(1、)＝10V。在以下过程中，随着n的递增，表示基准电压V_R(n)将抬升设置，V_R(1，...,5)，分别等于1V、1.1V、1.2V、1.3V、1.4V、1.5V；随着i的递增，输出电压Vout(i)抬升，Vout(0，1，…，5)分别等于10V、11V、12V、13V、14V、15V，分压信号V_F(i)也伴随抬升，V_{F(0，1，...，5)}分别等于1V、1.1V、1.2V、1.3V、1.4V、1.5V。

进一步，步骤S110，分压检测电路34设置基准电压V_R(n)。

进一步，步骤S120，电荷泵电路32输出电压Vout(i)。

进一步，步骤S130，分压电路33从电荷泵电路32输出端分压输出分压信号V_F(i)＝0.1Vout(i)。分压比例的具体设置不受本发明实施例限制。

进一步，步骤S140，分压检测电路34比较V_F(i)与基准电压V_R(n)。该步骤可以通过分压检测电路34中的电压比较器来完成。

进一步，步骤S150，判断V_F(i)是否大于或等于V_R(n)。

如果判断为“否”，则表示输出电压Vout(i)可以继续抬升，进入步骤S161，时钟产生电路31输出快时钟信号；并且进一步，步骤S171，设置i＝i+1，输出电压抬升；即返回至步骤S120，Vout(i)＝Vout(i+1)，表示输出电压抬升。直至判断为“是”。在电荷泵电路工作于快时钟信号的情况下，其功耗可以大于外部输入能量，其不足的部分可以由RIFD标签芯片中的维持电容所存储的能量来补充。

如果判断为“是”，则表述输出电压Vout(i)暂时不继续抬升，进入步骤S162，时钟产生电路31输出慢时钟信号。此时，电荷泵电路32的功耗极低，输出电压也基本稳定。在电荷泵电路工作于慢时钟信号的情况下，其功耗一般小于外部输入能量。

进一步，步骤S172，电荷泵电路32的输出电压Vout(i)基本维持恒定，以该输出电压信号对被选中的EEPROM单元进行擦写操作。

进一步，步骤S180，验证电路40判断擦写操作是否成功。如果判断为操作成功，则结束抬升过程；如果判断为未操作成功，则进入步骤S190，设置n＝n+1。

在步骤S190中，具体可以是通过验证电路40发出控制信号使n自加一，从而使其基准电压V_R(n)增大，为进一步提高电荷泵电路31的输出电压做准备。

需要理解的是，图1所示实施例的步骤S501至S503、S511至S513、S521至S523、S531至S533、S541至S543、S551至S553均可以通过以上图4所示方法过程来实现。并且，以上步骤S110至S190可以不断循环进行，随着基准电压从1.0V抬升至1.5V，电荷泵电路32的输出电压也依次可以从10V抬升至目标输出电压15伏。

在以上步骤S110至S190的电压抬升过程中，结合图3和图4的说明可知，抬升过程中的平均工作电流和平均功耗降低，并且，尽可能多地利用了外部提供的能量，输出电压抬升过程中所需的外部输入平均电流可以得到降低，(例如，可以降到20uA，甚至降到10uA以下)。因此，电荷泵***30的功耗可以大大降低。

进一步，如图3所示，电荷泵***50通过射频前端模块30与RFID标签的天线10耦接。

由于EEPROM的擦写操作增加了验证步骤，从而对用于擦写操作的高压信号(即电荷泵电路31的输出电压)的精确性要求降低，高压信号有一些波动也不会产生多大问题；同时，避免使用稳压二极管。在采用慢时钟维持电荷泵的高压输出，避免了能量的浪费。由于高压信号是从相对较低的10V开始逐步抬升，使EEPROM单元擦写操作完成，所以不会出现高压过高，损坏器件的情况，也不会有过多冗余电压偏置在EEPROM上。

采用以上擦写操作方案主要有以下优点：

(1)低功耗

从存储单元级改变擦写操作模式，不同存储单元可以在其对应的不同擦写电压下进行擦写操作，不仅降低了电荷泵的功耗，而且降低了擦写操作全过程的整体功耗，缩短了绝大部分单元的擦写操作时间。

(2)擦写操作成功后的EEPROM的存储单元特性均匀

由于采用同等冗余量进行验证，所以验证通过后，EEPROM的单元特性比较均匀一致，对下次的擦写操作比较有利，对EEPROM的长期使用比较有利。

本实施例的又一方面公开一种RFID标签芯片，其使用如图3所示的电荷泵***50，其存储模块可以采用EEPROM(包括存储阵列60)，在对RFID标签芯片写入时，其EEPROM的擦写操作方法应用如图1所示实施例的擦写操作方法，因此，RFID标签芯片的功耗可以降低。优选地，RFID标签芯片为超高频RFID标签芯片，从而使超高频RFID标签芯片的低功耗难题得以克服。

在本文中，所述使用术语的“连接”和“耦接”中，在没有使用词语“直接”来限定术语“连接”和“耦接”时，其也可以表示被连接的或者耦接的两个部件之间还设置有其他部件。

以上例子主要说明了本发明的EEPROM的擦写操作方法、EEPROM的擦写控制电路以及应用该擦写操作方法和电路的RFID标签芯片。尽管只对其中一些本发明的实施方式进行了描述，但是本领域普通技术人员应当了解，本发明可以在不偏离其主旨与范围内以许多其他的形式实施。因此，所展示的例子与实施方式被视为示意性的而非限制性的，在不脱离如所附各权利要求所定义的本发明精神及范围的情况下，本发明可能涵盖各种的修改与替换。

Claims

1.一种EEPROM的擦写控制电路，用于对EEPROM进行擦写操作，其特征在于，其包括：

2.如权利要求1所述的擦写控制电路，其特征在于，所述电荷泵***包括：

3.如权利要求2所述的电荷泵***，其特征在于，所述分压检测电路包括电压比较器，其用于比较所述分压信号与所述基准电压之间的大小。

4.如权利要求2所述的电荷泵***，其特征在于，所述基准电压通过所述分压检测电路基于验证电路输出的控制信号来设置。

5.一种EEPROM的擦写操作方法，其特征在于，包括：

6.如权利要求5所述的擦写操作方法，其特征在于，在所述验证步骤中，如果擦写操作成功，则进入重复擦写操作步骤：基于该成功擦写操作的擦写操作高压信号对相应EEPROM重复进行一次擦写操作。

7.如权利要求5所述的擦写操作方法，其特征在于，在所述电压阶梯抬升步骤中，所述擦写操作高压信号的电压的大小通过EEPROM的擦写操作控制电路设置。

8.如权利要求5所述的擦写操作方法，其特征在于，所述基准电压包括N个由小到大依次设置的第1基准电压至第N基准电压，电压阶梯抬升步骤包括以下步骤：

通过分压检测电路可操作地选择设置第M基准电压；

9.如权利要求8所述的擦写操作方法，其特征在于，所述分压信号的电压小于或等于所述射频识别标签芯片的电源电压。

10.如权利要求8所述的擦写操作方法，其特征在于，所述EEPROM为射频识别标签芯片使用的存储器。

11.一种射频识别标签芯片，特征在于，包括：

EEPROM：以及

如权利要求1至4中任一项所述的EEPROM的擦写控制电路。

12.如权利要求10所述的控制方法，其特征在于，所述射频识别标签芯片为超高频射频识别标签芯片。