CN103699269B - 一种双面触摸显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种双面触摸显示装置。一种双面触摸显示装置，包括触控反馈电极，还包括第一触控接收电极和所述第二触控接收电极，所述第一触控接收电极和所述第二触控接收电极分别位于所述触控反馈电极的两侧。该双面触摸显示装置集双面触控和透明显示于一体，且结构简单，生产成本低。

Description

一种双面触摸显示装置
技术领域
本发明属于显示技术领域，具体涉及一种双面触摸显示装置。
背景技术
随着现代显示技术的不断发展进步，触控技术也日益深入人们的生活。目前触控技术中比较受欢迎的两大技术是“In-cell”型触控结构和“On-cell”型触控结构。其中，“In-cell”型触控结构是将触控面板功能嵌入到像素区域内的结构，“On-cell”型触控结构是将触控面板功能嵌入到像素区域外的结构。相比之下，“In-cell”型触控结构以其更轻便、抗干扰能力更强、可以实现多点触控而成为近年来的研究热点。
与此同时，透明显示已经逐渐展露头角。就视觉观感而言，由于观看者可以从透明显示装置的一侧看到另一侧的物体，因此在视觉上不存在厚重感，且带给观看者无限拓展的空间感受。此外，由于透明显示装置在整体结构上可以省去许多部件(例如透明显示装置背面的壳体可以被省略)，因此在制造成本上具有一定程度的优势。
随着透明显示和触控技术不断深入社会生活的各个领域，并且在不断的影响着人们的生活，实现集透明显示和触控技术于一体的显示技术在未来有很大的发展前景。而目前，尚未出现将透明显示和触控技术进行完美结合的产品。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在的上述不足，提供一种双面触摸显示装置，该双面触摸显示装置集双面触控和透明显示于一体，且结构简单，能耗更低。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是该一种双面触摸显示装置，包括触控反馈电极，还包括第一触控接收电极和所述第二触控接收电极，所述第一触控接收电极和所述第二触控接收电极分别位于所述触控反馈电极的两侧。
一种优选方案是，所述显示装置包括相对设置的彩膜基板和阵列基板，所述第一触控接收电极设置于所述彩膜基板上，所述第二触控接收电极设置于所述阵列基板上，所述第一触控接收电极和所述第二触控接收电极均与所述触控反馈电极交叉形成互电容。
优选的是，所述触控反馈电极设置于所述阵列基板的内侧；所述第一触控接收电极设置于所述彩膜基板的外侧或内侧，所述第二触控接收电极设置于所述阵列基板的外侧或内侧，所述第二触控接收电极与所述触控反馈电极在交叉区域绝缘。
优选的是，所述阵列基板包括第二基板以及设置于所述第二基板上方的薄膜晶体管以及像素电极和公共电极，所述薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极，所述像素电极与所述漏极电连接，所述触控反馈电极与所述公共电极采用同一层薄膜，在同一构图工艺中形成。
优选的是，所述彩膜基板与所述阵列基板之间设置有液晶层，所述阵列基板的侧面对应设置有侧光源，所述侧光源包括光源以及设置于所述光源靠近所述阵列基板侧的导光板，所述光源发射的光经所述导光板导光后进入所述阵列基板。
优选的是，所述第二基板采用聚甲基丙烯酸甲酯形成，所述第二基板中掺杂有光致反射颗粒，使得侧光源射向第二基板的光既能够被折射，也能够被反射。
优选的是，所述光致反射颗粒为纳米级金属氧化物、纳米级非金属氧化物、纳米级金属盐或纳米级稀土金属。
一种优选方案是，所述阵列基板中设置有能发光的WOLED器件。
一种优选方案是，所述显示装置包括阵列基板，所述阵列基板中设置有OLED显示器件。
优选的是，所述触控反馈电极设置于所述阵列基板的内侧；所述第一触控接收电极和所述第二触控接收电极分设于所述阵列基板远离所述OLED显示器件的两侧。
优选的是，所述OLED器件包括像素电极，所述像素电极为所述OLED器件的阳极或阴极，所述触控反馈电极与所述像素电极采用同一层薄膜，在同一构图工艺中形成。
其中，所述第一触控接收电极包括多个平行排列、且互相电连接的第一触控接收子电极，所述第二触控接收电极包括多个平行排列、且互相电连接的第二触控接收子电极，所述触控反馈电极包括多个平行排列、且互相电连接的触控反馈子电极，所述第一触控接收子电极与所述第二触控接收子电极的排列方向相同、且分别与所述触控反馈子电极的排列方向正交。
优选的是，所述第一触控接收子电极、所述第二触控接收子电极和所述触控接收子电极的形状均为菱形。
优选的是，所述显示装置还包括触控控制器和中央控制器，所述第一触控接收电极、所述第二触控接收电极和所述触控反馈电极均与所述触控控制器电连接，所述触控控制器用于接收所述中央控制器的命令并传送给所述触控反馈电极，使所述触控反馈电极进行逐行扫描，并同时向所述第一触控接收电极的一端、所述第二触控接收电极的一端输入初始信号，并在所述第一触控接收电极的另一端、所述第二触控接收电极的另一端读取终端信号，根据所述终端信号的不同来确定触点的坐标，并传送给所述中央控制器。
本发明的有益效果是：通过将两个触控接收电极设置在触控反馈电极的两侧，并连接相应的驱动电路，达到双面触控的目的；同时提供光源，通过外接电路控制光源的亮度，达到对显示画面灰阶的控制，从而实现双面触控、透明显示的效果。该双面触摸显示装置集双面触控和透明显示于一体，且结构简单、耗能更低。附图说明
图1为本发明实施例1中双面触摸显示装置的剖视图；
图2为图1中触控接收电极和触控反馈电极的平面示意图；
图3为图2中触控接收电极和触控反馈电极在触控时的等效电路图；
图4为本发明实施例1中侧光源与阵列基板相对位置的俯视图；
图5为本发明实施例1中侧光源中出射光的光路示意图；
图6为本发明实施例3中双面触摸显示装置的剖视图；
图中：1-第一触控接收电极，11-第一触控接收子电极，2-阵列基板，21-光致反射颗粒，3-薄膜晶体管，4-触控反馈电极，41-触控反馈子电极，5-像素电极，6-液晶层，7-彩膜基板，71-黑矩阵，72-彩膜层，8-第二触控接收电极，81-第二触控接收子电极，9-侧光源，91-光源，92-导光板，10-触控控制器；110-WOLED器件；12-背景物体。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明双面触摸显示装置作进一步详细描述。
一种双面触摸显示装置，包括触控反馈电极，还包括第一触控接收电极和所述第二触控接收电极，所述第一触控接收电极和所述第二触控接收电极分别位于所述触控反馈电极的两侧。
实施例1：
一种双面触摸显示装置，包括触控反馈电极，还包括第一触控接收电极和第二触控接收电极，第一触控接收电极和第二触控接收电极分别位于触控反馈电极的两侧。
在本实施列中，该双面触摸显示装置为液晶显示装置。如图1所示，该液晶显示装置包括相对设置的彩膜基板7（Color Filter）和阵列基板2（Array），第一触控接收电极1（Rx1）设置于彩膜基板7上，第二触控接收电极8（Rx2）设置于阵列基板2上，第一触控接收电极1和第二触控接收电极8均与触控反馈电极4（Tx）交叉形成互电容。
本实施例中，既可以采用“In-cell”型触控结构，也可以采用“On-cell”型触控结构。其中，触控反馈电极4设置于阵列基板2的内侧；第一触控接收电极1设置于彩膜基板7的外侧或内侧，第二触控接收电极8设置于阵列基板2的外侧或内侧，第二触控接收电极8与触控反馈电极4在交叉区域绝缘。
如图1所示，彩膜基板7包括第一基板（图1未具体标识）以及设置于第一基板上方的黑矩阵71以及彩膜层72，阵列基板2包括第二基板（图1未具体标识）以及设置于第二基板上方的薄膜晶体管3以及像素电极5和公共电极（图1中与触控反馈电极4相同部分），薄膜晶体管3包括栅极、源极和漏极（图1中未具体标识），像素电极5与薄膜晶体管的漏极电连接。在本实施例中，像素电极5与公共电极在正投影方向上至少部分重叠，像素电极5处于公共电极的上方或下方；而且，为简化制备工艺，本实施例优选采用同一层薄膜，在同一构图工艺中形成触控反馈电极4与公共电极的图形。
如图2所示，第一触控接收电极1包括多个平行排列、且互相电连接的第一触控接收子电极11，第二触控接收电极8包括多个平行排列、且互相电连接的第二触控接收子电极81，触控反馈电极4包括多个平行排列、且互相电连接的触控反馈子电极41，第一触控接收子电极11与第二触控接收子电极81的排列方向相同、且分别与触控反馈子电极41的排列方向正交。其中，第一触控接收子电极11、第二触控接收子电极81和触控反馈子电极41的形状均为菱形。
为实现触控控制，并与显示装置的显示信号协调，如图4所示，显示装置还包括触控控制器10和中央控制器（图4中未示出），第一触控接收电极1、第二触控接收电极8和触控反馈电极4均与触控控制器10电连接，触控控制器10用于接收中央控制器的命令并传送给触控反馈电极4，使触控反馈电极4进行逐行扫描，并同时向第一触控接收电极1的一端、第二触控接收电极8的一端输入初始信号（例如：恒定电压），并在第一触控接收电极的另一端、第二触控接收电极的另一端读取终端信号（例如：恒定电压或因触摸互感而引起的电压变化），根据终端信号的不同来确定触点的坐标，并传送给中央控制器。
在该双面触摸显示装置工作过程中，当给任一列触控反馈子电极41施加高脉冲信号时，其他列为低脉冲信号（相当于接地）；同时，对第一触控接收子电极11和/或第二触控接收子电极81逐行进行检测，当检测到触控接收子电极与触控反馈子电极的一个交叉点位置处的互电容改变时，通过触控控制器10的计算，便可得出在显示面板上的哪个点被触摸，进而通过中央控制器做出响应，从而达到触控的目的。
触控接收子电极与触控反馈子电极等效为互电容改变，图3为互电容电荷检测等效电路，互电容检测一般是在触控接收子电极端（sense端），检测对象为电压或者电荷。当手指触碰显示面板时，被手指触碰后的等效互电容减小，此时将检测到互电容上的电荷减小。本实施例正是在彩膜基板和阵列基板分别制作触控接收电极图形，同时还相应地设置触控接收线；并在阵列基板制备过程中形成TFT的同时形成触控反馈电极图形，通过连接外部的触控控制器10和中央控制器，从而达到双面触控的目的。
在本实施例中，如图1所示，彩膜基板7与阵列基板2之间设置有液晶层6，阵列基板2的侧面对应设置有侧光源9，侧光源9包括光源91以及设置于光源91靠近阵列基板2侧的导光板92。光源91例如可以是LED，导光板92用于引导光源91发出的光的传播方向，使得光源91发射的光经导光板92导光后进入阵列基板2。为获得较高的光利用率并实现透明显示，第二基板采用特殊的有机玻璃基板，例如采用聚甲基丙烯酸甲酯形成，第二基板中掺杂有光致反射颗粒21，使得侧光源射向第二基板的光既能够被折射到阵列基板2的外侧，也能够被反射到阵列基板2的内侧。
其中，光致反射颗粒21为纳米级金属氧化物、纳米级非金属氧化物、纳米级金属盐或纳米级稀土金属。光致反射颗粒21可以改变光的传播方向，实现对侧光源的光线的反射，使得侧光源的光线能够垂直射向显示屏，如图5中带箭头的实线表示。同时，因为阵列基板2本身是透明的，所以侧光源的光线可以透过它射到其后面的背景物体12上，经物体反射的光线能够垂直射向显示屏，如图5中带箭头的虚线表示。由于无需设置直入式背光源、也不需要支撑背光源的背板，因此本实施例易于达到透明显示的目的。
同时，为了能更好地实现透明显示的目的，阵列基板和彩膜基板中的各层具有更好的透过率，一种较为简单的实现方式是使阵列基板和彩膜基板中的各层的厚度相对现有技术中相应各层的厚度可以有所减薄，例如：可以将阵列基板中栅绝缘层、钝化层等层的厚度做薄；并选择高透过率的液晶分子，进一步提高显示装置的透过率。
相应的，本实施例中显示装置的制备工艺包括如下步骤：阵列基板的制备、彩膜基板的制备、阵列基板与彩膜基板的对盒、驱动电路的设置和安装背光源。
在阐述具体制备方法之前，应该理解，在本发明中，构图工艺，可只包括光刻工艺，或，包括光刻工艺以及刻蚀步骤，同时还可以包括打印、喷墨等其他用于形成预定图形的工艺；光刻工艺，是指包括成膜、曝光、显影等工艺过程的利用光刻胶、掩模板、曝光机等形成图形的工艺。可根据本发明中所形成的结构选择相应的构图工艺。
在本实施例中，第一触控接收子电极、第二触控接收子电极和触控接收子电极可以采用相同的透明材料形成，具体的，透明材料可以为氧化铟镓锌、氧化铟锌（Indium ZincOxide，简称IZO）、氧化铟锡（Indium Tin Oxide，简称ITO）、氧化铟镓锡中的至少一种。在后续的制备工艺的描述中，将以ITO为例进行详细说明。
步骤S1）.阵列基板的制备步骤。具体为：
步骤S11）：在清洗好的第一基板（玻璃基板）的其中一面溅射ITO，采用构图工艺形成包括第二触控接收电极8的图形，第二触控接收电极8的厚度范围为
步骤S12）：将第二基板翻转，在第二基板的另一面依次形成包括栅极、栅绝缘层、半导体层、源极和漏极、第一保护层（PVX1）以及有机树脂层（Resin）的图形，经过上述步骤后，即形成了薄膜晶体管3以及相应的第一保护层，具体的薄膜晶体管3的工艺条件参数可以选择量产条件相符合的参数；
步骤S13）：在第一保护层的上方溅射ITO，采用一次构图工艺形成包括触控反馈电极4的图形，触控反馈电极4的厚度范围为
步骤S14）：在触控反馈电极4的上方沉积第二保护层（PVX2）,制作出像素电极5与漏极连接的过孔；
步骤S15）：在第二保护层的上方溅射ITO，形成包括像素电极5的图形，完成阵列基板的制备。
上述阵列基板示例了将触控接收电极形成在通称阵列基板意义的外侧的过程，容易理解的是，上述在玻璃基板的一面形成第二触控接收电极8的图形、以及在玻璃基板的另一面形成其他图形的顺序可以交换，即该阵列基板的制备顺序可以为：步骤S12）、步骤S13）、步骤S14）、步骤S15）、步骤S11）；同样容易理解的是，触控接收电极也可以形成在通称阵列基板意义的内侧，即将形成在玻璃基板的一面的第二触控接收电极8形成在与薄膜晶体管3相同的一面，优选的是，此时第二触控接收电极8与公共电极在一次构图工艺中形成。
步骤S2）.彩膜基板的制备步骤。具体为：
步骤S21）：在清洗好的第一基板（玻璃基板）的其中一面溅射ITO，采用构图工艺形成包括第一触控电极1的图形；
步骤S22）：将第一基板翻转，在第一基板的另一面依次形成黑矩阵71和RGB彩膜层72。
当然，还可以进一步包括步骤S23）：将完成步骤S22)后的
玻璃基板进行后续退火工艺，完成彩膜基板的制备。
同样容易理解的是，步骤S21）和步骤S22）的顺序也是可以交换的，这里不再详述。
步骤S3）.阵列基板与彩膜基板的对盒。通过对盒工艺（cell），完成彩膜基板与阵列基板的对盒灌晶，即形成显示面板。
步骤S4）.驱动电路的设置和安装背光源。
为实现透明显示，本实施例在对应着阵列基板2的至少一个侧面设置侧光源9（优选在阵列基板2的两侧均分别设置对称的侧光源9），通过控制像素电极的电压大小，改变液晶层6中液晶分子的偏转，从而实现显示画面的不同的灰阶，达到透明显示的目的。在阵列基板的侧视图中，侧光源9与阵列基板2的相对位置如图4所示。
在本实施例的双面触摸显示装置中：在施加电压时可以看到显示屏上的图像画面，而在不施加电压时可以通过显示屏看到显示屏背面的物体画面。如图5所示为侧光源中出射光的光路图，在该双面触摸显示装置的工作过程中，当像素电极上施加电压时，从侧光源射向显示面板的光线，一部分（实线箭头部分）光线经第二基板反射，并穿过液晶层，从彩膜基板射出显示面板，使得人眼看见显示画面，该显示画面为输入至双面触摸显示装置的视频数据源的直观显示的图像画面；当像素电极上未施加电压时，显示屏可视为一个透明体，在白天等光线较强的时间段，侧光源可以不点亮，自然光照射到背景物体12，经该背景物体12反射折射后，通过液晶层和彩膜基板进入人眼，该物体画面为在双面触摸显示装置与人相背侧的背景物体12的直观显示；或者，在夜晚等光线较弱的时间段，侧光源9点亮，其一部分（虚线箭头部分）光线透射至第二触控接收电极并射出显示面板，当第二基板的背面设置有背景物体12时，该部分光线将投射至该背景物体12，经该背景物体12反射折射后，通过液晶层和彩膜基板进入人眼，该物体画面为在双面触摸显示装置与人相背侧的背景物体12的直观显示。
本发明中的显示装置适用于ADS（ADvanced Super Dimension Switch，高级超维场转换技术）模式的液晶显示装置。该液晶显示装置通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极与板状电极间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场转换技术可以提高LCD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹（push Mura）等优点。
在本实施例中，像素电极可以为板状，公共电极可以为狭缝状，如图1所示；或者，作为一种变型，像素电极可以为狭缝状，公共电极可以为板状。
实施例2：
本实施例提供一种双面触摸显示装置，与实施例1相比，本实施例中无需背光源，双面触摸显示装置的光源来自WOLED（White Organic Light-Emitting Diode:白光有机发光二极管）。
在本实施例中，阵列基板中设置有能发光的发光器件，发光器件为WOLED器件，像素电极为WOLED器件的阳极或阴极，可以采用透明导电薄膜制成。阳极或阴极的上方进一步设置像素限定层（Pixel Define Layer，简称PDL）和涂覆或蒸镀发光层（Emitting Layer：简称EL），最后溅射形成阴极或阳极。
由于OLED器件本身就可以发光，且OLED器件本身具有透明特性，因此相对实施例1，本实施例还省去了侧光源的设置，在达到透明显示的效果的同时，使得双面触摸显示装置的结构更简单。
本实施例中，可以将显示装置中的触控电极设置为in cell触控型结构，从而实现双面触控、透明显示的目的。如图6所示，彩膜层72直接形成在阵列基板2中，WOLED器件110形成在彩膜层72的上方，WOLED器件72的阳极或阴极与薄膜晶体管的漏极电连接。阵列基板2中包括触控反馈电极4的图形，可选的，触控反馈电极4可以设置在彩膜层72的上方。本实施例优选采用同一层薄膜，在同一构图工艺中形成触控反馈电极4与像素电极（WOLED器件的阳极）的图形。在阵列基板2远离WOLED器件110的一侧设置有触控接收电极8，在WOLED器件110的上方设置有触控接收电极1。
在本实施例中，WOLED器件110可以做成双面发射型（从WOLED器件的顶端和底端双面均可发光），从而实现双面触控、透明显示的目的。当然，WOLED器件110也可以做成顶发射型或底发射型的，这里不做限定。
本实施例中阵列基板的其他结构与实施例1相同，实现双面触控和透明显示的原理也与实施例1相同，这里不再详述。
实施例3：
本实施例提供的双面触摸显示装置中，与实施例1或2相比，光源来自OLED（Organic Light-Emitting Diode:有机发光二极管）。
本实施例的双面触摸显示装置，包括阵列基板，阵列基板中设置有OLED显示器件。OLED显示器件包括OLED器件。由于OLED器件本身就可以发出多个颜色的光，且OLED器件本身具有透明特性，因此相对实施例1，本实施例还省去了侧光源的设置；相对实施例2，本实施例还省去了彩膜层的设置，在达到透明显示的效果的同时，使得双面触摸显示装置的结构更简单。
同样的，本实施例中，可以将显示装置中的触控电极设置为in cell触控型结构，从而实现双面触控、透明显示的目的。例如：将OLED器件形成在阵列基板中，OLED器件包括像素电极，像素电极为OLED器件的阳极或阴极，OLED器件的阳极或阴极与薄膜晶体管的漏极电连接；触控反馈电极设置于阵列基板的内侧；第一触控接收电极和第二触控接收电极分设于阵列基板远离OLED显示器件的两侧。本实施例优选采用同一层薄膜，在同一构图工艺中形成触控反馈电极与像素电极（OLED器件的阳极）的图形。
在本实施例中，OLED器件可以做成双面发射型（从OLED器件的顶端和底端双面均可发光），从而实现双面触控、透明显示的目的。当然，OLED器件也可以做成顶发射型或底发射型的，这里不做限定。
本实施例中阵列基板的其他结构与实施例2相同，实现双面触控和透明显示的原理也与实施例1相同，这里不再详述。
实施例1-3中的双面触摸显示装置，通过将两个触控接收电极设置在触控反馈电极的两侧，并连接相应的驱动电路，达到双面触控的目的；同时提供光源，通过外接电路控制光源（例如侧光源中的LED、WOLED器件或OLED器件）的亮度，达到对显示画面灰阶的控制，从而实现双面触控、透明显示的效果。该双面触摸显示装置集双面触控和透明显示于一体，结构简单，在现有技术阵列基板的制备工艺基础上即可进行生产，工艺简单、生产成本低；且由于其中的显示面板的各层材料均具有较好的透过率，在相同的显示亮度条件下，可以在较小的功率条件下获得更高的透过率，耗能更低。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (9)

1.一种双面触摸显示装置，包括触控反馈电极，其特征在于，还包括第一触控接收电极和第二触控接收电极，所述第一触控接收电极和所述第二触控接收电极分别位于所述触控反馈电极的两侧；所述显示装置包括相对设置的彩膜基板和阵列基板，所述阵列基板包括第二基板；
所述彩膜基板与所述阵列基板之间设置有液晶层，所述阵列基板的侧面对应设置有侧光源，所述侧光源包括光源以及设置于所述光源靠近所述阵列基板侧的导光板，所述光源发射的光经所述导光板导光后进入所述阵列基板；
所述第二基板中掺杂有光致反射颗粒，使得侧光源射向第二基板的光既能够被折射，也能够被反射。
2.根据权利要求1所述的双面触摸显示装置，其特征在于，所述第一触控接收电极设置于所述彩膜基板上，所述第二触控接收电极设置于所述阵列基板上，所述第一触控接收电极和所述第二触控接收电极均与所述触控反馈电极交叉形成互电容。
3.根据权利要求2所述的双面触摸显示装置，其特征在于，所述触控反馈电极设置于所述阵列基板的内侧；所述第一触控接收电极设置于所述彩膜基板的外侧或内侧，所述第二触控接收电极设置于所述阵列基板的外侧或内侧，所述第二触控接收电极与所述触控反馈电极在交叉区域绝缘。
4.根据权利要求2所述的双面触摸显示装置，其特征在于，所述阵列基板还包括设置于所述第二基板上方的薄膜晶体管以及像素电极和公共电极，所述薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极，所述像素电极与所述漏极电连接，所述触控反馈电极与所述公共电极采用同一层薄膜，在同一构图工艺中形成。
5.根据权利要求1所述的双面触摸显示装置，其特征在于，所述第二基板采用聚甲基丙烯酸甲酯形成。
6.根据权利要求1所述的双面触摸显示装置，其特征在于，所述光致反射颗粒为纳米级金属氧化物、纳米级非金属氧化物、纳米级金属盐或纳米级稀土金属。
7.根据权利要求2所述的双面触摸显示装置，其特征在于，所述第一触控接收电极包括多个平行排列、且互相电连接的第一触控接收子电极，所述第二触控接收电极包括多个平行排列、且互相电连接的第二触控接收子电极，所述触控反馈电极包括多个平行排列、且互相电连接的触控反馈子电极，所述第一触控接收子电极与所述第二触控接收子电极的排列方向相同、且分别与所述触控反馈子电极的排列方向正交。
8.根据权利要求7所述的双面触摸显示装置，其特征在于，所述第一触控接收子电极、所述第二触控接收子电极和所述触控接收子电极的形状均为菱形。
9.根据权利要求2所述的双面触摸显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括触控控制器和中央控制器，所述第一触控接收电极、所述第二触控接收电极和所述触控反馈电极均与所述触控控制器电连接，所述触控控制器用于接收所述中央控制器的命令并传送给所述触控反馈电极，使所述触控反馈电极进行逐行扫描，并同时向所述第一触控接收电极的一端、所述第二触控接收电极的一端输入初始信号，并在所述第一触控接收电极的另一端、所述第二触控接收电极的另一端读取终端信号，根据所述终端信号的不同来确定触点的坐标，并传送给所述中央控制器。
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