CN103682108A - 有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents

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王平
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Abstract

本发明公开了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的如下结构：透明基底、阳极、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和阴极；所述空穴阻挡层的材质为有机金属配合物，所述有机金属配合物的配体为羟基喹啉、羟基喹啉衍生物、羟基苯并喹啉或羟基苯并喹啉衍生物。这种有机电致发光器件的空穴阻挡层的材质为有机金属配合物，有机金属配合物成膜质量好，有利于阻挡空穴向发光层的扩散，相对于传统的有机电致发光器件，发光效率得到了提高。本发明还提供一种上述有机电致发光器件的制备方法。

Description

有机电致发光器件及其制备方法
技术领域
本发明涉及发光器件领域，特别是涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
有机电致发光二极管具有一种类似三明治的结构，其上下分别是阴极和阳极，二个电极之间夹着单层或多层不同材料种类和不同结构的有机材料功能层，依次为空穴注入层，空穴传输层，发光层，电子传输层，电子注入层。有机电致发光器件是载流子注入型发光器件，在阳极和阴极加上工作电压后，空穴从阳极，电子从阴极分别注入到工作器件的有机材料层中，两种载流子在有机发光材料中形成空穴-电子对发光，然后光从电极一侧发出。
通过选择合适的有机材料和合理的器件结构设计，已使器件性能的各项指标得到了很大的提升。例如采用PN掺杂传输层的工艺，可以降低器件的启动电压以提高光效，并且有利于寿命的提高。对于电子传输层的N掺杂而言，通常采用碱金属化合物进行掺杂，这是由于碱金属功函低，容易实现N掺杂效果，但是碱金属离子体积小，扩散能力强，在有机层中的扩散距离长，碱金属离子除了掺杂在传输层中，还有可能扩散至发光层中，直接导致激子的淬灭，影响器件的光效和寿命。
传统的有机电致发光器件采用电子传输材料，如Bphen，作为空穴阻挡层，然而传统的电子传输材料的成膜质量较差，从而导致其阻挡效果较差，影响了有机电致发光器件的发光效率。
发明内容
基于此，有必要提供一种发光效率较高的有机电致发光器件。
一种有机电致发光器件，包括依次层叠的如下结构：透明基底、阳极、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和阴极；
所述空穴阻挡层的材质为有机金属配合物；
所述有机金属配合物的配体为羟基喹啉、羟基喹啉衍生物、羟基苯并喹啉或羟基苯并喹啉衍生物。
在一个实施例中，所述有机金属配合物的金属为铍、镓、锌、铟或铝。
在一个实施例中，所述有机金属配合物为双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1'-联苯-4-羟基)铝、8-羟基喹啉铝、8-羟基喹啉镓、8-羟基喹啉铟、8-羟基喹啉锌、8-羟基喹啉铍、双(10-羟基苯并[h]喹啉)铍、三(5-羟甲基-8-羟基喹啉)铝和双(5,7-二氯-8-羟基喹啉)(8-羟基喹啉)铝中的至少一种。
在一个实施例中，所述空穴阻挡层的厚度为5nm~20nm。
在一个实施例中，所述电子传输层的材质为掺杂了Li2CO3、LiN3、LiF、CsN3、Cs2CO3和CsF中的至少一种的电子传输材料；
所述电子传输材料为2-（4-联苯基）-5-（4-叔丁基）苯基-1,3,4-噁二唑、(8-羟基喹啉)-铝、4,7-二苯基-邻菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲、1,2,4-***衍生物和双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1'-联苯-4-羟基)铝中的至少一种；
所述Li2CO3、LiN3、LiF、CsN3、Cs2CO3和CsF占所述电子传输层的质量百分比为5%~30%；
所述电子传输层的厚度为30nm~80nm。
在一个实施例中，所述发光层的材质为掺杂了发光材料的主体材料；
所述发光材料为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、二（2-甲基-8-羟基喹啉）-（4-联苯酚）铝、4-（二腈甲烯基）-2-异丙基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、二甲基喹吖啶酮、8-羟基喹啉铝、4,4'-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1'-联苯、双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱、双（4,6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合铱、二（2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱、二（1-苯基异喹啉）（乙酰丙酮）合铱、乙酰丙酮酸二（2-苯基吡啶）铱、三（1-苯基-异喹啉）合铱和三（2-苯基吡啶）合铱中的至少一种；
所述主体材料为酞菁锌、酞菁铜、4,4',4″-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、4,4',4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、(N,N,N',N″-四甲氧基苯基)-对二氨基联苯、4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺和1,1-二(4-(N,N′-二(p-甲苯基)氨基)苯基)环己烷、2-（4-联苯基）-5-（4-叔丁基）苯基-1,3,4-噁二唑、(8-羟基喹啉)-铝、4,7-二苯基-邻菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲、1,2,4-***衍生物和双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1'-联苯-4-羟基)铝中的至少一种；
所述发光材料占所述发光层的质量百分比为1%~10%；
所述发光层的厚度为1nm~15nm。
在一个实施例中，所述电子阻挡层的材质为酞菁锌、酞菁铜、4,4',4″-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、4,4',4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、(N,N,N',N″-四甲氧基苯基)-对二氨基联苯、4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺和1,1-二(4-(N,N′-二(p-甲苯基)氨基)苯基)环己烷中的至少一种。
在一个实施例中，所述空穴传输层的材质为掺杂了2,3,5,6-四氟-7,7’,8,8’-四氰醌-二甲烷、1,3,4,5,7,8-六氟-四氰-二甲对萘醌和2,2'-(2,5-二氰基-3,6-二氟环己烷-2,5-二烯-1,4-二亚基)二丙二腈中的至少一种的空穴传输材料；
所述空穴传输材料为酞菁锌、酞菁铜、4,4',4″-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、4,4',4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、(N,N,N',N″-四甲氧基苯基)-对二氨基联苯、4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺和1,1-二(4-(N,N′-二(p-甲苯基)氨基)苯基)环己烷中的至少一种；
所述2,3,5,6-四氟-7,7’,8,8’-四氰醌-二甲烷、1,3,4,5,7,8-六氟-四氰-二甲对萘醌和2,2'-(2,5-二氰基-3,6-二氟环己烷-2,5-二烯-1,4-二亚基)二丙二腈占所述空穴传输层的质量百分比为2%~30%；
所述空穴传输层的厚度为30nm~80nm。
在一个实施例中，所述阴极的材质为Ag、Al、Ag-Mg合金或Al-Mg合金；所述阴极的厚度为70nm~200nm。
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
提供洁净的透明基底；
在所述透明基底上形成阳极；
在所述阳极上依次形成空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和阴极；其中，所述空穴阻挡层的材质为有机金属配合物；所述有机金属配合物的配体为羟基喹啉、羟基喹啉衍生物、羟基苯并喹啉或羟基苯并喹啉衍生物。
这种有机电致发光器件的空穴阻挡层的材质为有机金属配合物，有机金属配合物成膜质量好，有利于阻挡空穴向发光层的扩散，相对于传统的有机电致发光器件，发光效率得到了提高。
附图说明
图1为一实施方式的有机电致发光器件的结构示意图；
图2为一实施方式的有机电致发光器件的制备方法的流程图；
图3为实施例1、对比例1和对比例2制备的有机电致发光器件的相对亮度-使用寿命曲线图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。
如图1所示的一实施方式的一种有机电致发光器件，包括依次层叠的如下结构：透明基底110、阳极120、空穴传输层130、电子阻挡层140、发光层150、空穴阻挡层160、电子传输层170和阴极180。
透明基底110可以为普通玻璃。
阳极120可以为透明氧化物薄膜。阳极120可以为ITO薄膜或AZO薄膜，厚度可以为70nm~200nm。
空穴传输层130的材质可以为空穴传输材料。
空穴传输层130的材质还可以为掺杂了2,3,5,6-四氟-7,7’,8,8’-四氰醌-二甲烷（F4-TCNQ）、1,3,4,5,7,8-六氟-四氰-二甲对萘醌（F6-TNAP）和2,2'-(2,5-二氰基-3,6-二氟环己烷-2,5-二烯-1,4-二亚基)二丙二腈(F2-HCNQ)中的至少一种的空穴传输材料。
空穴传输材料可以为酞菁锌(ZnPc)、酞菁铜（CuPc）、4,4',4″-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺(2-TNATA)、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)、(4,4',4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(TPD)、(N,N,N',N″-四甲氧基苯基)-对二氨基联苯(MeO-TPD)、4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)和1,1-二(4-(N,N′-二(p-甲苯基)氨基)苯基)环己烷（TAPC）中的至少一种。
F4-TCNQ、F6-TNAP和F2-HCNQ占空穴传输层130的质量百分比为2%~30%，空穴传输层130的厚度为30nm~80nm。
在优选的实施方式中，空穴传输层130的材质为F6-TNAP掺杂的MeO-TPD，其中，F6-TNAP占空穴传输层130的质量百分比为5％，空穴传输层130的厚度为60nm。
电子阻挡层140的材质可以为酞菁锌(ZnPc)、酞菁铜（CuPc）、4,4',4″-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺(2-TNATA)、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)、4,4',4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(TPD)、(N,N,N',N″-四甲氧基苯基)-对二氨基联苯(MeO-TPD)、4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)和1,1-二(4-(N,N′-二(p-甲苯基)氨基)苯基)环己烷（TAPC）中的至少一种。
发光层150的材质可以为掺杂了发光材料的主体材料。
发光材料可以为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃(DCJTB)、二（2-甲基-8-羟基喹啉）-（4-联苯酚）铝(BALQ)、4-（二腈甲烯基）-2-异丙基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃(DCJTI)、二甲基喹吖啶酮(DMQA)、8-羟基喹啉铝(Alq3)、4,4'-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1'-联苯(DPVBi)、双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱(FIrpic)、双（4,6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合铱(FIr6)、二（2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱（Ir(MDQ)2(acac)）、二（1-苯基异喹啉）（乙酰丙酮）合铱（Ir(piq)2(acac)）、乙酰丙酮酸二（2-苯基吡啶）铱（Ir(ppy)2(acac)）、三（1-苯基-异喹啉）合铱（Ir(piq)3）和三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)中的至少一种。
主体材料可以为酞菁锌(ZnPc)、酞菁铜（CuPc）、4,4',4″-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺(2-TNATA)、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)、4,4',4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(TPD)、(N,N,N',N″-四甲氧基苯基)-对二氨基联苯(MeO-TPD)、4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、1,1-二(4-(N,N′-二(p-甲苯基)氨基)苯基)环己烷（TAPC）、2-（4-联苯基）-5-（4-叔丁基）苯基-1,3,4-噁二唑（PBD）、(8-羟基喹啉)-铝(Alq3)、4,7-二苯基-邻菲咯啉(Bphen)、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲(BCP)、1,2,4-***衍生物（TAZ）和双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1'-联苯-4-羟基)铝(BAlq)中的至少一种。
发光材料占发光层的质量百分比为1%~10%。
发光层的厚度为1nm~15nm。
在优选的实施方式中，发光层150的材质为掺杂了Ir(MDQ)2(acac)的NPB，其中，Ir(MDQ)2(acac)占发光层150的质量百分比为5%。发光层150的厚度为15nm。
空穴阻挡层160的材质为有机金属配合物。空穴阻挡层160的厚度为5nm~20nm。
有机金属配合物的配体可以为羟基喹啉、羟基喹啉衍生物、羟基苯并喹啉或羟基苯并喹啉衍生物。
上述金属配合物，由于金属配位的关系，其具有较高的玻璃化转变温度，因此热稳定性能较好。此外，其配体中含有一些羟基，氧键，容易形成分子间和分子内氢氧键，使其共平面性较好，并且分子与分子之间形成较强的连接，因而成膜厚，薄膜的致密性好，均一，稳定，有利于对金属掺杂剂的阻挡。
有机金属配合物的金属可以为铍、镓、锌、铟或铝。
有机金属配合物可以为BAlq（双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1'-联苯-4-羟基)铝）、Alq3（8-羟基喹啉铝）、Gaq3（8-羟基喹啉镓）、Inq3（8-羟基喹啉铟）、Znq2（8-羟基喹啉锌）、Beq2（8-羟基喹啉铍）、Bebq2（双(10-羟基苯并[h]喹啉)铍）、AlOq（三(5-羟甲基-8-羟基喹啉)铝）和Alq(Clq)2(双(5,7-二氯-8-羟基喹啉)(8-羟基喹啉)铝)中的至少一种。
上述有机金属配合物的具体结构为：
Figure BDA00002087278400071
电子传输层170的材质可以为掺杂了碳酸锂(Li2CO3)、叠氮化锂(LiN3)、氟化锂(LiF)、叠氮化铯(CsN3)、碳酸铯(Cs2CO3)和氟化铯(CsF)中的至少一种的电子传输材料。Li2CO3、LiN3、LiF、CsN3、Cs2CO3和CsF占电子传输层170的质量百分比为5%~30%。电子传输层170的厚度为30nm~80nm。
电子传输材料可以为2-（4-联苯基）-5-（4-叔丁基）苯基-1,3,4-噁二唑（PBD）、(8-羟基喹啉)-铝(Alq3)、4,7-二苯基-邻菲啰啉(Bphen)、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲(BCP)、1,2,4-***衍生物(TAZ)和双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1'-联苯-4-羟基)铝(BAlq)中的至少一种。
在优选的实施方式中，电子传输材料为Bphen。
在优选的实施方式中，电子传输层170的材质为掺杂了CsN3的电子传输材料，CsN3占电子传输层170的质量百分比为15%，电子传输层170的厚度为50nm。
阴极180的材质可以为金属银(Ag)、铝(Al)、银镁合金(Ag-Mg合金)或者镁铝合金(Al-Mg合金)。阴极180的厚度为70nm~200nm。
在优选的实施方式中，阴极180的材质为Ag，厚度为100nm。
这种有机电致发光器件的空穴阻挡层的材质为有机金属配合物，有机金属配合物成膜质量好，有利于阻挡空穴向发光层的扩散，相对于传统的有机电致发光器件，发光效率得到了提高。同时，这种有机电致发光器件具有掺杂的空穴传输层结构和掺杂的电子传输层结构，电子和空穴的注入性能得到提高，也能够提高发光效率。
如图2所示的上述的有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
S10、提供洁净的透明基底110。
透明基底110可以为普通玻璃。将透明基底110放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次在异丙醇、丙酮中超声处理20min，然后再用氮气吹干，得到洁净的透明基底110。
S20、在S10得到的透明基底110上形成阳极120。
采用磁控溅射***，在透明基底110上磁溅控射形成阳极120。
阳极120可以为ITO薄膜或AZO薄膜，厚度可以为70nm~200nm。
S20还包括将形成有阳极120的透明基底110置于等离子处理室中进行等离子处理的操作。对阳极120进行等离子处理可以提高阳极120的功函，降低空穴的注入势垒。
S30、在阳极120上依次形成空穴传输层130、电子阻挡层140、发光层150、空穴阻挡层160、电子传输层170和阴极180。
空穴传输层130、电子阻挡层140、发光层150、空穴阻挡层160、电子传输层170和阴极180采用蒸镀的方式，在真空度为5×10-4Pa的真空镀膜***中形成。
空穴传输层130的材质可以为空穴传输材料。
空穴传输层130的材质还可以为掺杂了2,3,5,6-四氟-7,7’,8,8’-四氰醌-二甲烷（F4-TCNQ）、1,3,4,5,7,8-六氟-四氰-二甲对萘醌（F6-TNAP）和2,2'-(2,5-二氰基-3,6-二氟环己烷-2,5-二烯-1,4-二亚基)二丙二腈(F2-HCNQ)中的至少一种的空穴传输材料。
空穴传输材料可以为酞菁锌(ZnPc)、酞菁铜（CuPc）、4,4',4″-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺(2-TNATA)、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)、(4,4',4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(TPD)、(N,N,N',N″-四甲氧基苯基)-对二氨基联苯(MeO-TPD)、4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)和1,1-二(4-(N,N′-二(p-甲苯基)氨基)苯基)环己烷（TAPC）中的至少一种。
F4-TCNQ、F6-TNAP和F2-HCNQ占空穴传输层130的质量百分比为2%~30%，空穴传输层130的厚度为30nm~80nm。
电子阻挡层140的材质可以为酞菁锌(ZnPc)、酞菁铜（CuPc）、4,4',4″-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺(2-TNATA)、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)、4,4',4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(TPD)、(N,N,N',N″-四甲氧基苯基)-对二氨基联苯(MeO-TPD)、4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)和1,1-二(4-(N,N′-二(p-甲苯基)氨基)苯基)环己烷（TAPC）中的至少一种。
发光层150的材质可以为掺杂了发光材料的主体材料。
发光材料可以为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃(DCJTB)、二（2-甲基-8-羟基喹啉）-（4-联苯酚）铝(BALQ)、4-（二腈甲烯基）-2-异丙基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃(DCJTI)、二甲基喹吖啶酮(DMQA)、8-羟基喹啉铝(Alq3)、4,4'-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1'-联苯(DPVBi)、双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱(FIrpic)、双（4,6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合铱(FIr6)、二（2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱（Ir(MDQ)2(acac)）、二（1-苯基异喹啉）（乙酰丙酮）合铱（Ir(piq)2(acac)）、乙酰丙酮酸二（2-苯基吡啶）铱（Ir(ppy)2(acac)）、三（1-苯基-异喹啉）合铱（Ir(piq)3）和三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)中的至少一种。
主体材料可以为酞菁锌(ZnPc)、酞菁铜（CuPc）、4,4',4″-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺(2-TNATA)、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)、4,4',4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(TPD)、(N,N,N',N″-四甲氧基苯基)-对二氨基联苯(MeO-TPD)、4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、1,1-二(4-(N，N′-二(p-甲苯基)氨基)苯基)环己烷（TAPC）、2-（4-联苯基）-5-（4-叔丁基）苯基-1,3,4-噁二唑（PBD）、(8-羟基喹啉)-铝(Alq3)、4,7-二苯基-邻菲咯啉(Bphen)、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲(BCP)、1,2,4-***衍生物（TAZ）和双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1'-联苯-4-羟基)铝(BAlq)中的至少一种。
所述发光材料占所述发光层的质量百分比为1%~10%。
发光层的厚度为1nm~15nm。
空穴阻挡层160的材质为有机金属配合物。空穴阻挡层160的厚度为5nm~20nm。
有机金属配合物的配体可以为羟基喹啉、羟基喹啉衍生物、羟基苯并喹啉或羟基苯并喹啉衍生物。
空穴阻挡层的材质为有机金属配合物，有机金属配合物成膜质量好，有利于阻挡空穴向发光层的扩散，相对于传统的有机电致发光器件，发光效率得到了提高。
有机金属配合物的金属可以为铍、镓、锌、铟或铝。
有机金属配合物可以为BAlq、Alq3、Gaq3、Inq3、Znq2、Beq2、Bebq2、AlOq和Alq(Clq)2中的至少一种。
电子传输层170的材质可以为掺杂了碳酸锂(Li2CO3)、叠氮化锂(LiN3)、氟化锂(LiF)、叠氮化铯(CsN3)、碳酸铯(Cs2CO3)和氟化铯(CsF)中的至少一种的电子传输材料。Li2CO3、LiN3、LiF、CsN3、Cs2CO3和CsF占电子传输层170的质量百分比为5%~30%。电子传输层170的厚度为30nm~80nm。
电子传输材料可以为2-（4-联苯基）-5-（4-叔丁基）苯基-1,3,4-噁二唑（PBD）、(8-羟基喹啉)-铝(Alq3)、4,7-二苯基-邻菲啰啉(Bphen)、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲(BCP)、1,2,4-***衍生物(TAZ)和双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1'-联苯-4-羟基)铝(BAlq)中的至少一种。
阴极180的材质可以为金属银(Ag)、铝(Al)、银镁合金(Ag-Mg合金)或者镁铝合金(Al-Mg合金)。阴极180的厚度为70nm~200nm。
在制备完有机电致发光器件后，需要对有机电致发光器件进行封装，以便于测试，封装工艺采用玻璃盖板封装，采用行业内所常用的工艺进行制作。
下面为具体实施例部分。
实施例1
将透明基底放在含有洗涤剂的去离子水中超声清洗，清洗干净后依次在异丙醇、丙酮中超声处理20min，再用氮气吹干得到洁净的透明基底。
在透明基底上磁控溅射形成阳极，阳极的材质为AZO，阳极的厚度为70nm。将形成有阳极的透明基底置于等离子处理室中进行等离子处理。
在真空度为5×10-4Pa的真空镀膜***中，在阳极上蒸镀形成厚度为60nm的空穴传输层，空穴传输层的材质为掺杂了F6-TNAP的MeO-TPD，F6-TNAP占空穴传输层的质量百分比为5%。
在真空度为5×10-4Pa的真空镀膜***中，在空穴传输层上蒸镀形成厚度为5nm的电子阻挡层，电子阻挡层的材质为TAPC。
在真空度为5×10-4Pa的真空镀膜***中，在电子阻挡层上蒸镀形成厚度为15nm的发光层，发光层的材质为掺杂了Ir(MDQ)2(acac)的NPB，Ir(MDQ)2(acac)占发光层的质量百分比为6%。
在真空度为5×10-4Pa的真空镀膜***中，在发光层上蒸镀形成厚度为10nm的空穴阻挡层，空穴阻挡层的材质为BAlq。
在真空度为5×10-4Pa的真空镀膜***中，在空穴阻挡层上蒸镀形成厚度为50nm的电子传输层，电子传输层的材质为掺杂了CsN3的Bphen，CsN3占电子传输层的质量百分比为15%。
在真空度为5×10-4Pa的真空镀膜***中，在电子传输层上蒸镀形成阴极，阴极的材质为Ag，阴极的厚度为100nm，得到有机电致发光器件。
本实施例制备的有机电致发光器件的结构为：
玻璃透明基底/AZO/F6-TNAP:MeO-TPD/TAPC/Ir(MDQ)2(acac):NPB/Balq/CsN3:Bphen/Ag。
实施例2
将透明基底放在含有洗涤剂的去离子水中超声清洗，清洗干净后依次在异丙醇、丙酮中超声处理20min，再用氮气吹干得到洁净的透明基底。
在透明基底上磁控溅射形成阳极，阳极的材质为ITO，阳极的厚度为100nm。将形成有阳极的透明基底置于等离子处理室中进行等离子处理。
在真空度为5×10-4Pa的真空镀膜***中，在阳极上蒸镀形成厚度为60nm的空穴传输层，空穴传输层的材质为掺杂了F6-TNAP的MeO-TPD，F6-TNAP占空穴传输层的质量百分比为5%。
在真空度为5×10-4Pa的真空镀膜***中，在空穴传输层上蒸镀形成厚度为5nm的电子阻挡层，电子阻挡层的材质为TAPC。
在真空度为5×10-4Pa的真空镀膜***中，在电子阻挡层上蒸镀形成厚度为1nm的发光层，发光层的材质为掺杂了Ir(MDQ)2(acac)的NPB，Ir(MDQ)2(acac)占发光层的质量百分比为6%。
在真空度为5×10-4Pa的真空镀膜***中，在发光层上蒸镀形成厚度为5nm的空穴阻挡层，空穴阻挡层的材质为Alq。
在真空度为5×10-4Pa的真空镀膜***中，在空穴阻挡层上蒸镀形成厚度为50nm的电子传输层，电子传输层的材质为掺杂了CsN3的Bphen，CsN3占电子传输层的质量百分比为15%。
在真空度为5×10-4Pa的真空镀膜***中，在电子传输层上蒸镀形成阴极，阴极的材质为Ag，阴极的厚度为100nm，得到有机电致发光器件。
本实施例制备的有机电致发光器件的结构为：
玻璃透明基底/ITO/F6-TNAP:MeO-TPD/TAPC/Ir(MDQ)2(acac):NPB/Alq/CsN3:Bphen/Ag。
实施例3
将透明基底放在含有洗涤剂的去离子水中超声清洗，清洗干净后依次在异丙醇、丙酮中超声处理20min，再用氮气吹干得到洁净的透明基底。
在透明基底上磁控溅射形成阳极，阳极的材质为ITO，阳极的厚度为200nm。将形成有阳极的透明基底置于等离子处理室中进行等离子处理。
在真空度为5×10-4Pa的真空镀膜***中，在阳极上蒸镀形成厚度为60nm的空穴传输层，空穴传输层的材质为掺杂了F6-TNAP的MeO-TPD，F6-TNAP占空穴传输层的质量百分比为5%。
在真空度为5×10-4Pa的真空镀膜***中，在空穴传输层上蒸镀形成厚度为5nm的电子阻挡层，电子阻挡层的材质为TAPC。
在真空度为5×10-4Pa的真空镀膜***中，在电子阻挡层上蒸镀形成厚度为10nm的发光层，发光层的材质为掺杂了Ir(MDQ)2(acac)的NPB，Ir(MDQ)2(acac)占发光层的质量百分比为6%。
在真空度为5×10-4Pa的真空镀膜***中，在发光层上蒸镀形成厚度为15nm的空穴阻挡层，空穴阻挡层的材质为Gaq3。
在真空度为5×10-4Pa的真空镀膜***中，在空穴阻挡层上蒸镀形成厚度为50nm的电子传输层，电子传输层的材质为掺杂了CsN3的Bphen，CsN3占电子传输层的质量百分比为15%。
在真空度为5×10-4Pa的真空镀膜***中，在电子传输层上蒸镀形成阴极，阴极的材质为Ag，阴极的厚度为100nm，得到有机电致发光器件。
本实施例制备的有机电致发光器件的结构为：
玻璃透明基底/ITO/F6-TNAP:MeO-TPD/TAPC/Ir(MDQ)2(acac):NPB/Gaq3/CsN3:Bphen/Ag。
实施例4
将透明基底放在含有洗涤剂的去离子水中超声清洗，清洗干净后依次在异丙醇、丙酮中超声处理20min，再用氮气吹干得到洁净的透明基底。
在透明基底上磁控溅射形成阳极，阳极的材质为ITO，阳极的厚度为100nm。将形成有阳极的透明基底置于等离子处理室中进行等离子处理。
在真空度为5×10-4Pa的真空镀膜***中，在阳极上蒸镀形成厚度为60nm的空穴传输层，空穴传输层的材质为掺杂了F6-TNAP的MeO-TPD，F6-TNAP占空穴传输层的质量百分比为5%。
在真空度为5×10-4Pa的真空镀膜***中，在空穴传输层上蒸镀形成厚度为5nm的电子阻挡层，电子阻挡层的材质为TAPC。
在真空度为5×10-4Pa的真空镀膜***中，在电子阻挡层上蒸镀形成厚度为15nm的发光层，发光层的材质为掺杂了Ir(MDQ)2(acac)的NPB，Ir(MDQ)2(acac)占发光层的质量百分比为6%。
在真空度为5×10-4Pa的真空镀膜***中，在发光层上蒸镀形成厚度为12nm的空穴阻挡层，空穴阻挡层的材质为Inq3。
在真空度为5×10-4Pa的真空镀膜***中，在空穴阻挡层上蒸镀形成厚度为50nm的电子传输层，电子传输层的材质为掺杂了CsN3的Bphen，CsN3占电子传输层的质量百分比为15%。
在真空度为5×10-4Pa的真空镀膜***中，在电子传输层上蒸镀形成阴极，阴极的材质为Ag，阴极的厚度为100nm，得到有机电致发光器件。
本实施例制备的有机电致发光器件的结构为：
玻璃透明基底/ITO/F6-TNAP:MeO-TPD/TAPC/Ir(MDQ)2(acac):NPB/Inq3/CsN3:Bphen/Ag。
实施例5
将透明基底放在含有洗涤剂的去离子水中超声清洗，清洗干净后依次在异丙醇、丙酮中超声处理20min，再用氮气吹干得到洁净的透明基底。
在透明基底上磁控溅射形成阳极，阳极的材质为ITO，阳极的厚度为100nm。将形成有阳极的透明基底置于等离子处理室中进行等离子处理。
在真空度为5×10-4Pa的真空镀膜***中，在阳极上蒸镀形成厚度为60nm的空穴传输层，空穴传输层的材质为掺杂了F6-TNAP的MeO-TPD，F6-TNAP占空穴传输层的质量百分比为5%。
在真空度为5×10-4Pa的真空镀膜***中，在空穴传输层上蒸镀形成厚度为5nm的电子阻挡层，电子阻挡层的材质为TAPC。
在真空度为5×10-4Pa的真空镀膜***中，在电子阻挡层上蒸镀形成厚度为15nm的发光层，发光层的材质为掺杂了Ir(MDQ)2(acac)的NPB，Ir(MDQ)2(acac)占发光层的质量百分比为6%。
在真空度为5×10-4Pa的真空镀膜***中，在发光层上蒸镀形成厚度为15nm的空穴阻挡层，空穴阻挡层的材质为Znq2。
在真空度为5×10-4Pa的真空镀膜***中，在空穴阻挡层上蒸镀形成厚度为50nm的电子传输层，电子传输层的材质为掺杂了CsN3的Bphen，CsN3占电子传输层的质量百分比为15%。
在真空度为5×10-4Pa的真空镀膜***中，在电子传输层上蒸镀形成阴极，阴极的材质为Ag，阴极的厚度为100nm，得到有机电致发光器件。
本实施例制备的有机电致发光器件的结构为：
玻璃透明基底/ITO/F6-TNAP:MeO-TPD/TAPC/Ir(MDQ)2(acac):NPB/Znq2/CsN3:Bphen/Ag。
实施例6
将透明基底放在含有洗涤剂的去离子水中超声清洗，清洗干净后依次在异丙醇、丙酮中超声处理20min，再用氮气吹干得到洁净的透明基底。
在透明基底上磁控溅射形成阳极，阳极的材质为ITO，阳极的厚度为100nm。将形成有阳极的透明基底置于等离子处理室中进行等离子处理。
在真空度为5×10-4Pa的真空镀膜***中，在阳极上蒸镀形成厚度为60nm的空穴传输层，空穴传输层的材质为掺杂了F6-TNAP的MeO-TPD，F6-TNAP占空穴传输层的质量百分比为5%。
在真空度为5×10-4Pa的真空镀膜***中，在空穴传输层上蒸镀形成厚度为5nm的电子阻挡层，电子阻挡层的材质为TAPC。
在真空度为5×10-4Pa的真空镀膜***中，在电子阻挡层上蒸镀形成厚度为15nm的发光层，发光层的材质为掺杂了Ir(MDQ)2(acac)的NPB，Ir(MDQ)2(acac)占发光层的质量百分比为6%。
在真空度为5×10-4Pa的真空镀膜***中，在发光层上蒸镀形成厚度为20nm的空穴阻挡层，空穴阻挡层的材质为Beq2。
在真空度为5×10-4Pa的真空镀膜***中，在空穴阻挡层上蒸镀形成厚度为50nm的电子传输层，电子传输层的材质为掺杂了CsN3的Bphen，CsN3占电子传输层的质量百分比为15%。
在真空度为5×10-4Pa的真空镀膜***中，在电子传输层上蒸镀形成阴极，阴极的材质为Ag，阴极的厚度为100nm，得到有机电致发光器件。
本实施例制备的有机电致发光器件的结构为：
玻璃透明基底/ITO/F6-TNAP:MeO-TPD/TAPC/Ir(MDQ)2(acac):NPB/Beq2/CsN3:Bphen/Ag。
实施例7
将透明基底放在含有洗涤剂的去离子水中超声清洗，清洗干净后依次在异丙醇、丙酮中超声处理20min，再用氮气吹干得到洁净的透明基底。
在透明基底上磁控溅射形成阳极，阳极的材质为ITO，阳极的厚度为100nm。将形成有阳极的透明基底置于等离子处理室中进行等离子处理。
在真空度为5×10-4Pa的真空镀膜***中，在阳极上蒸镀形成厚度为30nm的空穴传输层，空穴传输层的材质为掺杂了F4-TCNQ的TPD，F4-TCNQ占空穴传输层的质量百分比为5%。
在真空度为5×10-4Pa的真空镀膜***中，在空穴传输层上蒸镀形成厚度为5nm的电子阻挡层，电子阻挡层的材质为TCTA。
在真空度为5×10-4Pa的真空镀膜***中，在电子阻挡层上蒸镀形成厚度为15nm的发光层，发光层的材质为掺杂了DCJTB的2-TNATA，DCJTB占发光层的质量百分比为6%。
在真空度为5×10-4Pa的真空镀膜***中，在发光层上蒸镀形成厚度为10nm的空穴阻挡层，空穴阻挡层的材质为Bebq2。
在真空度为5×10-4Pa的真空镀膜***中，在空穴阻挡层上蒸镀形成厚度为30nm的电子传输层，电子传输层的材质是掺杂了LiN3的PBD，LiN3占电子传输层的质量百分比为5%。
在真空度为5×10-4Pa的真空镀膜***中，在电子传输层上蒸镀形成阴极，阴极的材质为Al，阴极的厚度为70nm，得到有机电致发光器件。
本实施例制备的有机电致发光器件的结构为：
玻璃透明基底/ITO/F4-TCNQ:TPD/TCTA/DCJTB:2-TNATA/Bebq2/LiN3:PBD/Al。
实施例8
将透明基底放在含有洗涤剂的去离子水中超声清洗，清洗干净后依次在异丙醇、丙酮中超声处理20min，再用氮气吹干得到洁净的透明基底。
在透明基底上磁控溅射形成阳极，阳极的材质为ITO，阳极的厚度为100nm。将形成有阳极的透明基底置于等离子处理室中进行等离子处理。
在真空度为5×10-4Pa的真空镀膜***中，在阳极表面蒸镀形成厚度为80nm的空穴传输层，空穴传输层的材质为掺杂了F2-TCNQ的m-MTDATA，F2-TCNQ占空穴传输层的质量百分比为5%。
在真空度为5×10-4Pa的真空镀膜***中，在空穴传输层上蒸镀形成厚度为5nm的电子阻挡层，电子阻挡层的材质为ZnPc。
在真空度为5×10-4Pa的真空镀膜***中，在电子阻挡层上蒸镀形成厚度为15nm的发光层，发光层的材质为掺杂了BALQ的PBD，BALQ占发光层的质量百分比为6%。
在真空度为5×10-4Pa的真空镀膜***中，在发光层上蒸镀形成厚度为10nm空穴阻挡层，空穴阻挡层的材质为AlOq；
在真空度为5×10-4Pa的真空镀膜***中，在空穴阻挡层上蒸镀形成厚度为80nm的电子传输层，电子传输层的材质是掺杂了Li2CO3的Alq3，Li2CO3占电子传输层的质量百分比为15%；
在真空度为5×10-4Pa的真空镀膜***中，在电子传输层上蒸镀形成阴极，阴极的材质为Ag-Mg合金，阴极的厚度为200nm，得到有机电致发光器件。
本实施例制备的有机电致发光器件的结构为：
玻璃透明基底/ITO/F2-TCNQ:m-MTDATA/ZnPc/BALQ:PBD/AlOq/Li2CO3:Alq3/Ag-Mg合金。
实施例9
将透明基底放在含有洗涤剂的去离子水中超声清洗，清洗干净后依次在异丙醇、丙酮中超声处理20min，再用氮气吹干得到洁净的透明基底。
在透明基底上磁控溅射形成阳极，阳极的材质为ITO，阳极的厚度为100nm。将形成有阳极的透明基底置于等离子处理室中进行等离子处理。
在真空度为5×10-4Pa的真空镀膜***中，在阳极上蒸镀形成厚度为60nm的空穴传输层，空穴传输层的材质为掺杂了F6-TNAP的2-TNATA，F6-TNAP占空穴传输层的质量百分比为5%。
在真空度为5×10-4Pa的真空镀膜***中，在空穴传输层上蒸镀形成厚度为5nm的电子阻挡层，电子阻挡层的材质为m-MTDATA。
在真空度为5×10-4Pa的真空镀膜***中，在电子阻挡层上蒸镀形成厚度为15nm的发光层，发光层的材质为掺杂了FIr6的TPBi，FIr6占发光层的质量百分比为6%。
在真空度为5×10-4Pa的真空镀膜***中，在发光层上蒸镀形成厚度为15nm的空穴阻挡层，空穴阻挡层的材质为Alq(Clq)2。
在真空度为5×10-4Pa的真空镀膜***中，在空穴阻挡层上蒸镀形成厚度为50nm的电子传输层，电子传输层的材质为掺杂了LiF的BCP，LiF占电子传输层的质量百分比为15%。
在真空度为5×10-4Pa的真空镀膜***中，在电子传输层上蒸镀形成阴极，阴极的材质为Al-Mg合金，阴极的厚度为100nm，得到有机电致发光器件。
本实施例制备的有机电致发光器件的结构为：
玻璃透明基底/ITO/F6-TNAP:2-TNATA/m-MTDATA/FIr6:TPBi/Alq(Clq)2/LiF:BCP/Al-Mg合金。
对比例1
将透明基底放在含有洗涤剂的去离子水中超声清洗，清洗干净后依次在异丙醇、丙酮中超声处理20min，再用氮气吹干得到洁净的透明基底。
在透明基底上磁控溅射形成阳极，阳极的材质为ITO，阳极的厚度为100nm。将形成有阳极的透明基底置于等离子处理室中进行等离子处理。
在真空度为5×10-4Pa的真空镀膜***中，在阳极上蒸镀形成厚度为60nm的空穴传输层，空穴传输层的材质为掺杂了F6-TNAP的MeO-TPD，F6-TNAP占空穴传输层的质量百分比为5%。
在真空度为5×10-4Pa的真空镀膜***中，在空穴传输层上蒸镀形成厚度为5nm的电子阻挡层，电子阻挡层的材质为TAPC。
在真空度为5×10-4Pa的真空镀膜***中，在电子阻挡层上蒸镀形成厚度为15nm的发光层，发光层的材质为掺杂了Ir(MDQ)2(acac)的NPB，Ir(MDQ)2(acac)占发光层的质量百分比为6%。
在真空度为5×10-4Pa的真空镀膜***中，在发光层上蒸镀形成厚度为50nm的电子传输层，电子传输层的材质为掺杂了CsN3的Bphen，CsN3占电子传输层的质量百分比为15%。
在真空度为5×10-4Pa的真空镀膜***中，在电子传输层上蒸镀形成阴极，阴极的材质为Ag，阴极的厚度为100nm，得到有机电致发光器件。
本实施例制备的有机电致发光器件的结构为：
制备的有机电致发光器件的结构为：
玻璃透明基底/ITO/F6-TNAP:MeO-TPD/TAPC/Ir(MDQ)2(acac):NPB/CsN3:Bphen/Ag。
相比实施例1，对比例1没有空穴阻挡层。
对比例2
将透明基底放在含有洗涤剂的去离子水中超声清洗，清洗干净后依次在异丙醇、丙酮中超声处理20min，再用氮气吹干得到洁净的透明基底。
在透明基底上磁控溅射形成阳极，阳极的材质为ITO，阳极的厚度为100nm。将形成有阳极的透明基底置于等离子处理室中进行等离子处理。
在真空度为5×10-4Pa的真空镀膜***中，在阳极上蒸镀形成厚度为50nm的空穴传输层，空穴传输层的材质为CuPc。
在真空度为5×10-4Pa的真空镀膜***中，在空穴传输层上蒸镀形成厚度为10nm的电子阻挡层，电子阻挡层的材质为TAPC。
在真空度为5×10-4Pa的真空镀膜***中，在电子阻挡层上蒸镀形成厚度为20nm的发光层，发光层的材质为Alq3。
在真空度为5×10-4Pa的真空镀膜***中，在发光层上蒸镀形成厚度为50nm的电子传输层，电子传输层的材质为Bphen。
在真空度为5×10-4Pa的真空镀膜***中，在电子传输层上蒸镀形成阴极，阴极的材质为Ag，阴极的厚度为100nm，得到有机电致发光器件。
本实施例制备的有机电致发光器件的结构为：
制备的有机电致发光器件的结构为：
玻璃透明基底/ITO/CuPc/TCTA/Alq3/Bphen/Ag。
相比实施例1，对比例2没有采用掺杂的空穴传输层结构和掺杂的电子传输层结构，也没有采用空穴阻挡层。
如图3为实施例1和对比例1~对比例2所制备的有机电致发光器件在起始亮度为1000cd/m2下的相对亮度-使用寿命衰减曲线图。
对比实施例1和对比例1，可以看出，实施例1制备的有机电致发光器件的空穴阻挡层的材质为有机金属配合物，有机金属配合物成膜质量好，有利于阻挡空穴向发光层的扩散，相对于对比例1制备的有机电致发光器件，发光效率得到了提高。
对比对比例1和对比例2，可以看出，对比例1制备的有机电致发光器件的具有掺杂的空穴传输层结构和掺杂的电子传输层结构，电子和空穴的注入性能得到提高，因此发光效率优于对比例2制备的有机电致发光器件。
表1是实施例1~实施例6和对比例1~对比例2所制备的有机电致发光器件的发光性能数据对比数据表。
  T70寿命(h)   光效(lm/W)
  实施例1   2500   23.1
  实施例2   2000   19.5
  实施例3   2600   23.8
  实施例4   2700   24.4
  实施例5   2400   22.6
  实施例6   2600   22.9
  对比例1   1500   19.5
  对比例2   1100   14.1
从上表可以看出，由于实施例1~实施例6和对比例1的有机电致发光器件具有掺杂的空穴传输层结构和掺杂的电子传输层结构，电子和空穴的注入性能得到提高，因此发光效率优于对比例2制备的有机电致发光器件。
从表1还可以看出，实施例1~实施例6和对比例1~对比例2的有机电致发光器件在起始亮度为1000cd/m2下，亮度衰减到70%时的使用寿命。由于实施例1~实施例6制备的有机电致发光器件具有掺杂的空穴传输层结构和掺杂的电子传输层结构，使有机电致发光器件的驱动电流较小。并且采用了空穴阻挡层结构，空穴阻挡层的材质为有机金属配合物，有机金属配合物成膜质量好，有利于阻挡空穴向发光层的扩散，能够提高发光效率。此外，该空穴阻挡层属于电子传输材料，其存在不会对有机电致发光器件的电子传输带来太大影响。在相同的起始亮度下，亮度衰减到70%时，实施例1~实施例6均获得了超过2000小时的使用寿命，而对比例1和对比例2则分别只有1500h和1100h。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的如下结构：透明基底、阳极、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和阴极；
所述空穴阻挡层的材质为有机金属配合物；
所述有机金属配合物的配体为羟基喹啉、羟基喹啉衍生物、羟基苯并喹啉或羟基苯并喹啉衍生物。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机金属配合物的金属为铍、镓、锌、铟或铝。
3.根据权利要求2所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机金属配合物为双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1′-联苯-4-羟基)铝、8-羟基喹啉铝、8-羟基喹啉镓、8-羟基喹啉铟、8-羟基喹啉锌、8-羟基喹啉铍、双(10-羟基苯并[h]喹啉)铍、三(5-羟甲基-8-羟基喹啉)铝和双(5,7-二氯-8-羟基喹啉)(8-羟基喹啉)铝中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴阻挡层的厚度为5nm~20nm。
5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子传输层的材质为掺杂了Li2CO3、LiN3、LiF、CsN3、Cs2CO3和CsF中的至少一种的电子传输材料；
所述电子传输材料为2-（4-联苯基）-5-（4-叔丁基）苯基-1,3,4-噁二唑、(8-羟基喹啉)-铝、4,7-二苯基-邻菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲、1,2,4-***衍生物和双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1′-联苯-4-羟基)铝中的至少一种；
所述Li2CO3、LiN3、LiF、CsN3、Cs2CO3和CsF占所述电子传输层的质量百分比为5%~30%；
所述电子传输层的厚度为30nm~80nm。
6.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述发光层的材质为掺杂了发光材料的主体材料；
所述发光材料为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、二（2-甲基-8-羟基喹啉）-（4-联苯酚）铝、4-（二腈甲烯基）-2-异丙基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、二甲基喹吖啶酮、8-羟基喹啉铝、4,4′-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1′-联苯、双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱、双（4,6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合铱、二（2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱、二（1-苯基异喹啉）（乙酰丙酮）合铱、乙酰丙酮酸二（2-苯基吡啶）铱、三（1-苯基-异喹啉）合铱和三（2-苯基吡啶）合铱中的至少一种；
所述主体材料为酞菁锌、酞菁铜、4,4′,4″-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺、N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺、4,4′,4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、N,N′-二苯基-N,N′-二(3-甲基苯基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺、(N,N,N′,N′-四甲氧基苯基)-对二氨基联苯、4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺和1,1-二(4-(N,N′-二(p-甲苯基)氨基)苯基)环己烷、2-（4-联苯基）-5-（4-叔丁基）苯基-1,3,4-噁二唑、(8-羟基喹啉)-铝、4,7-二苯基-邻菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲、1,2,4-***衍生物和双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1′-联苯-4-羟基)铝中的至少一种；
所述发光材料占所述发光层的质量百分比为1%~10%；
所述发光层的厚度为1nm~15nm。
7.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子阻挡层的材质为酞菁锌、酞菁铜、4,4′,4″-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺、N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺、4,4′,4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、N,N′-二苯基-N,N′-二(3-甲基苯基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺、(N,N,N′,N′-四甲氧基苯基)-对二氨基联苯、4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺和1,1-二(4-(N,N′-二(p-甲苯基)氨基)苯基)环己烷中的至少一种。
8.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴传输层的材质为掺杂了2,3,5,6-四氟-7,7’,8,8’-四氰醌-二甲烷、1,3,4,5,7,8-六氟-四氰-二甲对萘醌和2,2′-(2,5-二氰基-3,6-二氟环己烷-2,5-二烯-1,4-二亚基)二丙二腈中的至少一种的空穴传输材料；
所述空穴传输材料为酞菁锌、酞菁铜、4,4′,4″-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺、N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺、4,4′,4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、N,N′-二苯基-N,N′-二(3-甲基苯基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺、(N,N,N′,N′-四甲氧基苯基)-对二氨基联苯、4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺和1,1-二(4-(N,N′-二(p-甲苯基)氨基)苯基)环己烷中的至少一种；
所述2,3,5,6-四氟-7,7’,8,8’-四氰醌-二甲烷、1,3,4,5,7,8-六氟-四氰-二甲对萘醌和2,2′-(2,5-二氰基-3,6-二氟环己烷-2,5-二烯-1,4-二亚基)二丙二腈占所述空穴传输层的质量百分比为2%~30%；
所述空穴传输层的厚度为30nm~80nm。
9.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述阴极的材质为Ag、Al、Ag-Mg合金或Al-Mg合金；
所述阴极的厚度为70nm~200nm。
10.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供洁净的透明基底；
在所述透明基底上形成阳极；
在所述阳极上依次形成空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和阴极；其中，所述空穴阻挡层的材质为有机金属配合物；所述有机金属配合物的配体为羟基喹啉、羟基喹啉衍生物、羟基苯并喹啉或羟基苯并喹啉衍生物。
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