CN103682080B - 一种局部极化压电薄膜传感器的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种局部极化压电薄膜传感器的制备方法,属于结构健康监测技术领域。本方法首先制备PZT/PVDF压电薄膜,然后对压电薄膜进行局部极化,最后进行压电薄膜传感器的封装。在局部极化时,先对所制压电薄膜进行单轴拉伸,再在压电薄膜上涂覆电极阵列,各电极通过在压电薄膜的正反两面涂覆银薄膜得到,然后采用油浴极化法进行极化,极化时仅在各电极处施加电场。采用本发明所提供的制备方法,能够降低传感器重量,不会改变飞行器自身气动外形,消除手工粘贴和导线布置存在的问题,便于与基体集成。
Description
技术领域
本发明涉及一种局部极化的压电薄膜传感器的制备方法,属于结构健康监测技术领域。
背景技术
Lamb波是在具有两个平行表面的结构(如板)中,由横波和纵波相互耦合而成的一种弹性波。Lamb波具有良好的导波特性,而且对微小损伤比较敏感。基于主动Lamb波的损伤监测方法是结构健康监测中一种非常有效的监测方法。Lamb波在结构中传播时,结构内部的各种损伤会引起应力集中、裂纹扩展,这会引起在结构中传播的Lamb波信号的散射和能量的吸收,通过在损伤附近布置传感器阵列,对接收的Lamb波信号进行分析处理,便可以提取损伤特征参数。基于主动Lamb波的损伤监测通常可分为四个过程:Lamb波的激励,Lamb波的传播,Lamb波的接收和对接收信号的分析处理。其中Lamb波的激励和接收都是利用压电元件来实现的。
飞行器随着服役时间的延长,结构内部会出现裂纹等损伤,导致性能退化,影响使用安全。基于主动Lamb波的损伤监测方法,在原理上可以对飞行器结构损伤进行实时监测。这对保证飞行器安全,延长飞行器寿命以及减少飞行器定期维修费用具有重大意义。传感器作为飞行器结构健康监测***的核心元件,通常处于非常苛刻的服役环境,如高低温、振动、噪声等,而且传感器必须轻质,不能改变飞行器的气动外形。但是传统的压电元件重量较大,手工粘贴和导线布置都很不方便,不能满足飞行器对传感器质轻且不能改变自身气动外形的要求,不便于与结构基体集成。
发明内容
本发明为了解决现有压电传感器不能满足飞行器应用要求的问题,提供了一种新型的局部极化压电薄膜传感器的制备方法。
本发明的一种局部极化压电薄膜传感器的制备方法,包括压电薄膜的制备、压电薄膜的局部极化和压电薄膜传感器的封装。
其中,压电薄膜为PZT/PVDF压电薄膜;
压电薄膜的局部极化具体是:将制备的PZT/PVDF压电薄膜进行单轴拉伸后,在压电薄膜上涂覆电极阵列,各电极通过在压电薄膜的正反两面涂覆银薄膜得到,并采用油浴极化法进行极化,在进行极化时,仅在各电极处施加电场;
压电薄膜传感器的封装具体是:将压电薄膜的电极边缘处钻孔,并用导电胶填充孔,将底部电极引至顶部;通过印制电路将底部电极和顶部电极连接,电路终端通过焊盘引出;在压电薄膜两侧均匀涂抹环氧树脂作为保护层。
采用本发明所提供的制备方法,能够降低传感器重量,不会改变飞行器自身气动外形,消除手工粘贴和导线布置存在的问题,便于与基体集成。
附图说明
图1是本发明的局部极化压电薄膜传感器制备方法的示意图;
图2是压电薄膜制备流程图;
图3是压电薄膜局部极化流程图;
图4是压电薄膜封装工艺流程示意图;
图5是线性阵列电极示意图;
图6是矩形阵列电极示意图;
图7是电极反引局部剖面图;
图8是压电阵列电路连接示意图。
具体实施方式
下面将结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。
如图1所示,本发明提供的局部极化压电薄膜传感器的制备方法,主要包括压电薄膜的制备、压电薄膜的局部极化和压电薄膜传感器的封装。
如图2所示,本发明选用流延法制备压电薄膜,包括步骤1.1~步骤1.4。薄膜制备材料选用PZT(锆钛酸铅)粉和PVDF(聚偏氟乙烯)粉,其中PZT颗粒粒径为3μm左右,PVDF颗粒粒径为5μm左右。
步骤1.1,将PZT粉和PVDF粉按体积比1:1混合,溶于NMP(N-甲基吡咯烷酮);
步骤1.2,通过磁力搅拌器,将混合物在80℃下搅拌60min,得到均匀混合溶液;
步骤1.3,将均匀混合溶液在真空静置30min,去除溶液中的气泡,将溶液倒入流延皿;
步骤1.4,将流延皿调整水平后放入烘箱中,在120℃下烘干60min制得所需PZT/PVDF压电薄膜。所得到的压电薄膜的厚度为80~100μm。
上述制备的压电薄膜不具备压电特性,只有在极化处理后才能用作压电传感器。
通常压电薄膜的极化都是对其整个薄膜进行的,传感器的整个压电薄膜都具有压电特性,而基于lamb波的结构健康监测技术需要布置压电阵列实现,即需要多个压电元件。本发明为了在薄膜上预置压电阵列,只对薄膜进行局部极化处理,具体极化流程如图3所示,包括步骤2.1~步骤2.2。
步骤2.1,对PZT/PVDF压电薄膜进行单轴拉伸,以提高PVDF中β相的含量,本发明实施例中选取拉伸温度为80℃,拉伸比为4,拉伸速率为100mm/min。
步骤2.2,选用油浴极化法对压电薄膜进行极化,按照具体需求在压电薄膜上涂覆线性、矩形或椭圆形等电极阵列,如图5所示为线性电极阵列,如图6所示为矩形电极阵列。各电极通过在压电薄膜的正反两面涂覆银薄膜得到。上、下银薄膜形成电极的顶部银电极和底部银电极。银薄膜的平均厚度为10μm。
将涂覆银薄膜后的压电薄膜在硅油中加热到120℃,然后在各电极处施加电场,电场强度为10kV/mm,持续极化40min,最后得到具有局部极化压电阵列的压电薄膜。电场仅施加在各局部电极处,而不是整个压电薄膜,如图5和6所标记出的极化部位和未极化部位。
PZT/PVDF压电薄膜具有体积小、质量轻、柔性和加工性能好等优异性能,但是其厚度较小,抗剪切能力差,因此需要对PZT/PVDF压电薄膜进行封装来提高它的耐久性和稳定性。压电薄膜的封装流程如图4所示,包括步骤3.1~步骤3.4。
步骤3.1,将压电薄膜切割成所需形状,如圆形、矩形等。
步骤3.2,在电极边缘处钻孔,并用导电胶填充,将底部电极引至顶部,如图7所示,以便于在压电薄膜同侧连接各压电阵列。
步骤3.3,考虑到具体工程需求,压电阵列之间的连接通过印制电路的方式实现,电路终端通过焊盘引出,其连接示意图如图8所示;将引至顶部的底部电极称为底部反引电极,通过印制电路将每个电极的顶部电极和底部反引电极连接至焊盘。
步骤3.4,为避免电极破损,防止外界噪声干扰,需要在压电薄膜两侧涂覆保护层,环氧树脂具有很好的弹性和绝缘性,便于加工,因此本发明选用环氧树脂作为保护层,均匀涂抹于压电薄膜两侧,在室温下固化而成。
Claims (2)
1.一种局部极化压电薄膜传感器的制备方法,其特征在于,包括:压电薄膜的制备、压电薄膜的局部极化和压电薄膜传感器的封装;
其中,制备PZT/PVDF压电薄膜,PZT为锆钛酸铅,PVDF为聚偏氟乙烯;制备PZT/PVDF压电薄膜的步骤为:步骤1.1,将PZT粉和PVDF粉按体积比1:1混合,溶于NMP;NMP为N-甲基吡咯烷酮;步骤1.2,通过磁力搅拌器,将混合物在80℃下搅拌60min,得到均匀混合溶液;步骤1.3,将均匀混合溶液在真空静置30min,去除溶液中的气泡,将溶液倒入流延皿;步骤1.4,将流延皿调整水平后放入烘箱中,在120℃下烘干60min,制得所需PZT/PVDF压电薄膜;
压电薄膜的局部极化具体包括如下步骤:步骤2.1,对PZT/PVDF压电薄膜进行单轴拉伸,以提高PVDF中β相的含量;其中,拉伸温度为80℃,拉伸比为4,拉伸速率为100mm/min;步骤2.2,在PZT/PVDF压电薄膜上涂覆电极阵列,各电极通过在压电薄膜的正反两面涂覆银薄膜得到,将涂覆银薄膜后的压电薄膜在硅油中加热到120℃,然后在各电极处施加电场,电场强度为10kV/mm,持续极化40min,最后得到具有局部极化压电阵列的压电薄膜;正面、反面银薄膜形成电极的顶部银电极和底部银电极,银薄膜的平均厚度为10μm;
压电薄膜传感器的封装具体是:将压电薄膜的电极边缘处钻孔,并用导电胶填充孔,将底部电极引至顶部;通过印制电路将底部电极和顶部电极连接,电路终端通过焊盘引出;在压电薄膜两侧均匀涂抹环氧树脂作为保护层。
2.根据权利要求1所述的一种局部极化压电薄膜传感器的制备方法,其特征在于,所述的PZT/PVDF压电薄膜的厚度为80~100μm。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201310705532.0A CN103682080B (zh) | 2013-11-25 | 2013-12-19 | 一种局部极化压电薄膜传感器的制备方法 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2013105986686 | 2013-11-25 | ||
CN201310598668 | 2013-11-25 | ||
CN201310598668.6 | 2013-11-25 | ||
CN201310705532.0A CN103682080B (zh) | 2013-11-25 | 2013-12-19 | 一种局部极化压电薄膜传感器的制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103682080A CN103682080A (zh) | 2014-03-26 |
CN103682080B true CN103682080B (zh) | 2016-06-01 |
Family
ID=50318955
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201310705532.0A Expired - Fee Related CN103682080B (zh) | 2013-11-25 | 2013-12-19 | 一种局部极化压电薄膜传感器的制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN103682080B (zh) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US12035632B2 (en) * | 2019-03-18 | 2024-07-09 | Sabic Global Technologies B.V. | Flexible and low cost piezoelectric composites with high d33 values |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN101192644A (zh) * | 2006-11-30 | 2008-06-04 | 中国科学院声学研究所 | 一种包含两种极化方向压电薄膜的传感振动膜 |
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JP2011114851A (ja) * | 2009-11-30 | 2011-06-09 | Ngk Insulators Ltd | 弾性波素子 |
JP2013143608A (ja) * | 2012-01-10 | 2013-07-22 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 共振子 |
-
2013
- 2013-12-19 CN CN201310705532.0A patent/CN103682080B/zh not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
CN103682080A (zh) | 2014-03-26 |
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PB01 | Publication | ||
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