CN103676505B - 一种用于芯片的光刻胶剥离液、制备方法及去胶工艺 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种用于芯片的光刻胶剥离液、制备方法及去胶工艺，所述剥离液包括剥离剂、润湿剂、有机胺或有机铵盐、缓蚀剂、助剂和有机溶剂。所述剥离液对各种芯片具有良好的光刻胶剥离和溶解能力，能够完全去除光刻胶，无残留，此外还能保证无腐蚀，具有广泛的工业应用潜力和价值。

Description

一种用于芯片的光刻胶剥离液、制备方法及去胶工艺

技术领域

本发明涉及一种电子元件清洗液，特别地涉及一种用于芯片的光刻胶剥离液、制备方法及去胶工艺，属于高精密度电子元器件的精密清洗领域。

背景技术

在现代电子精细加工领域中，集成电路(IC)、大规模集成电路(LSI)、超大规模集成电路(ULSI)、发光二极管(LED)芯片等多种半导体元件或液晶板元件具有大量极其细微的回路和电路构造，而为了形成这些构造，都需要使用光刻胶进行处理，该光刻工艺前后通常需要进行数十次，常规的加工处理方法通常是在基板、基片上经多种处理如电镀、化学蒸汽沉积等方法而形成特定功能膜，然后均匀涂覆光刻胶，然后经过曝光、显像处理而形成所需的线路图案，最后蚀刻该功能膜而形成细微回路或电路。而残留的光刻胶层，则需要使用进行剥离。

在芯片制造过程中，清洗芯片表面光刻胶、金属粒子等污染物是去胶的主要目的，去胶是芯片制造工艺中的关键工序，去胶不完全有可能导致整批芯片的报废。因此，芯片表面状态及污染物的去除程度是影响芯片优良率和器件质量与可靠性的最重要的因素之一。

在光刻胶的剥离清洗研究中，长期以来一般使用干法剥离或湿法剥离，但干法处理存在容易遗留残渣等诸多缺陷，因此目前主要使用湿法剥离。湿法剥离的原理是使用剥离液将残留的光刻胶进行溶解，从而得以顺利除去。

通过多年的深入研究，已制备出多种剥离液，并具有各自的优点和适用范围。

CN101295143B公开了一种光刻胶残留物清洗剂，其包括表面活性剂、氟化铵盐、有机磺酸、有机溶剂、渗透剂、含氮羧酸、缓蚀剂和纯水，其对干法剥离后的晶圆片具有良好的清洗作用。

CN101295144A公开了一种光刻胶剥离液，其包括表面活性剂、有机胺、有机溶剂、螯合剂、缓蚀剂和纯水，该剥离液具有良好的清洗效果。

CN1244023C公开了一种光刻胶用剥离液，其包含特定含量的HF酸和不含金属离子的碱形成的盐，水溶性有机溶剂、防腐蚀剂和余量水。该剥离液能够同时满足剥离性和防金属腐蚀性的双重要求。

CN101251722B公开了一种正性光刻胶剥离液，所述剥离液脂肪醇聚氧乙烯醚、环己酮和单乙醇胺，该剥离液对铝基板无腐蚀，清洗后玻璃表面无残留。

CN102147576B公开了一种光刻胶剥离组合物，所述组合物由有机硅类化合物、丙烯酸酯类共聚物和有机溶剂组成，其具有良好的光刻胶溶解性和剥离性。

CN102141743A公开了一种具有金属保护的光刻胶剥离组合物，其包括季铵类氢氧化物、水溶性链烷醇胺、水溶性有机极性溶剂和糖醇类添加剂。该组合物在优异的光刻胶剥离性能外，对金属基镀层膜的抗腐蚀性优良。

CN102012645A公开了一种光刻胶剥离液，其包括水合肼或有机胺化合物、溶剂、抗蚀剂和纯水。该剥离液能够剥离光刻胶，并对金属布线的腐蚀降低至最小。

CN103336412A公开了一种光刻胶剥离液，其包括有机溶剂、解交联催化剂、防腐蚀保护剂及其它添加剂。该剥离液能够缩短去胶周期，且能彻底清除负性光刻胶。

如上所述，虽然现有技术中存在多种光刻胶剥离液，但这些剥离液的去胶机理是基于溶解的单一作用，实现光刻胶的去除，从而导致存在着各种缺陷，例如对金属配线或衬底材料或多或少存在一定程度的腐蚀、光刻胶剥离不彻底等，以及其中存在强腐蚀性物质(如HF)等，从而导致三废多，处理耗费大、污染环境等。

因此，在开发新型光刻胶剥离液的行业需求下，进一步开发更为高效、环境友好的光刻胶剥离液，是当前的亟需所在，新型光刻胶剥离液必将对集成电路、LED以及液晶面板行业的发展具有重要意义。

发明内容

基于上述所述的现有光刻胶剥离液存在的各种缺陷，以及为了寻求新的光刻胶剥离液、制备方法和去胶工艺，本发明基于剥离和溶解的去胶原理，提供了一种用于芯片的光刻胶剥离液，具有剥离效率高、去胶完全、绿色环保、降低污染等诸多优点。

具体而言，本发明提供了一种用于芯片的光刻胶剥离液、制备方法及去胶工艺。

更具体而言，本发明的第一个目的在于提供一种用于芯片的光刻胶剥离液，所述光刻胶剥离液包括下述重量份的各种组分：

需要注意的是，除非另有规定，在本申请中涉及组分时的“包括”，其含义包括封闭式的“由….组成”或其等价定义，以及开放式的“包括”、“包含”等或其等价定义，而不能囿于其单纯的字面含义。

仍需要注意的是，组分“有机胺或有机铵盐”中的“或”仅仅对给组分起作用，即仅对“有机胺”和“有机铵盐”的选择起到限定作用，而对其它组分无限定作用。

进一步需要注意的是，本申请中所有的数值、数值范围同样可被“约”字所限定。

在本发明的所述光刻胶剥离液中，所述剥离剂为全氟烷基乙氧基聚氧乙烯醚，其结构式为C_mF_2m+1CH₂CH₂O(C₂H₄O)_nH，其中n为环氧乙烷的聚合数，m和n均选自6-12的整数，示例性地，例如两者可各自独立地为6、7、8、9、10、11或12。

其中作为端基的C_mF_2m+1中的C-C骨架形式并没有特别的限定，可为直链或支链。作为一种例举，非限定性地，所述C_mF_2m+1可为全氟正己基(C₆F₁₃)、全氟正辛基(C₈F₁₇)、全氟正癸基(C₁₀F₂₁)、全氟正十二烷基(C₁₂F₂₅)或(CF₃)₂CF(CF₂)₃-等。

所述剥离剂可为归属于该结构式范围内的任意一种或任意多种的混合物。

所述剥离剂的重量份为1-10份，该范围包括了其中的任何具体点值，如1份、2份、3份、4份、5份、6份、7份、8份、1份、9份或10份。

在本发明的所述光刻胶剥离液中，所述润湿剂为脂肪醇聚氧乙烯聚氧丙烯醚，结构式为R¹O(C₂H₄O)_p(C₃H₆O)_qH，其中p和q分别是环氧乙烷和环氧丙烷的聚合数，其中p为4-12之间的整数，q为4-10之间的整数。

示例性地，p可为4、5、6、7、8、9、10、11或12；q可为4、5、6、7、8、9或10。

其中R¹为C₁₀-C₁₈的直链或支链烷基，示例性地，R¹为正癸基、正十一烷基、正十二烷基、正十三烷基、正十四烷基、正十五烷基、正十六烷基、正十七烷基或正十八烷基。

所述润湿剂的重量份为3-10份，该范围包括其中的任何具体点值，如3份、4份、5份、6份、7份、8份、9份或10份。

在本发明的所述光刻胶剥离液中，所述有机胺或有机铵盐选自二乙胺、三乙胺、乙二胺、单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、异丙醇胺、二异丙醇胺、三异丙醇胺、四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、四丙基氢氧化铵、四丁基氢氧化铵中的任何一种或任何多种的混合物。

所述有机胺或有机铵盐的重量份为3-30份，该范围包括其中的任何具体点值，如3份、7份、11份、15份、19份、23份、27份或30份。

在本发明的所述光刻胶剥离液中，所述缓蚀剂为苯并三氮唑、1-C₁-C₆烷基苯并三氮唑、1-羟基苯并三氮唑、1-羟甲基苯并三氮唑、3-巯基-1,2,4-三氮唑、5-羧基苯并三氮唑、6-氯-1-羟基苯并三氮唑中的任何一种或任何多种的混合物。

其中，1-C₁-C₆烷基苯并三氮唑例如可为1-甲基苯并三氮唑、1-乙基苯并三氮唑、1-正丙基苯并三氮唑、1-正丁基苯并三氮唑、1-正戊基苯并三氮唑、1-正己基苯并三氮唑等。

所述缓蚀剂优选为1-羟基苯并三氮唑、6-氯-1-羟基苯并三氮唑，最优选为6-氯-1-羟基苯并三氮唑。

所述缓蚀剂的重量份为0.01-5份，该范围包括其中的任何具体点值，如0.01份、0.05份、0.1份、0.5份、1份、2份、3份、4份或5份。

在本发明的所述光刻胶剥离液中，所述助剂为冠醚类化合物，其选自开链冠醚、苯并冠醚、羟基苯并冠醚、环烷基并冠醚中的任何一种或任何多种的混合物。

其中，开链冠醚可为15-冠-5、18-冠-6；苯并冠醚可为二苯并-18-冠-6；羟基苯并冠醚可为羟基-二苯并-14-冠-4；环烷基并冠醚可为二环己基并-18-冠-6。

所述助剂优选为羟基苯并冠醚或环烷基并冠醚，最优选为二环己基并-18-冠-6。

所述助剂的重量份为0.05-3份，该范围包括其中的任何具体点值，如0.05份、0.1份、0.3份、0.5份、0.7份、0.9份、1.1、1.3份、1.5份、1.7份、1.9份、2.1份、2.3份、2.5份、2.7份、2.9份或3份。

在本发明的所述光刻胶剥离液中，所述有机溶剂为醇醚化合物、砜类化合物或吡咯烷酮类化合物。

其中，所述醇醚化合物类化合物既包括醇类化合物、醚类化合物，也包括醇形成的醇醚化合物。例如，其可为甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、正丁醇、异丁醇、乙二醇、丙二醇、乙二醇单甲醚、乙二醇单***、乙二醇单丙醚、乙二醇单丁醚、二乙二醇单甲醚、二乙二醇单***、二乙二醇单丙醚、二乙二醇单丁醚、丙二醇单甲醚、丙二醇单***、丙二醇单丙醚、丙二醇单丁醚、二丙二醇单甲醚、二丙二醇单***、二丙二醇单丙醚、二丙二醇单丁醚、苯甲醚、苯***、二苯醚其中的任何一种或任何多种的混合物。

所述砜类化合物可为二甲基亚砜、二乙基亚砜、二丙基亚砜、二丁基亚砜、环丁砜、2-甲基环丁砜、2-乙基环丁砜、2-丙基环丁砜、2-丁基环丁砜、3-甲基环丁砜、3-乙基环丁砜、3-丙基环丁砜、3-丁基环丁砜、4-甲基环丁砜、4-乙基环丁砜、4-丙基环丁砜、4-丁基环丁砜、2,4-二甲基环丁砜、2,4-二乙基环丁砜、2,4-二丙基环丁砜、2,4-二丁基环丁砜中的任何一种或任何多种的混合物。

所述吡咯烷酮类化合物可为N-甲基吡咯烷酮、N-乙基吡咯烷酮、N-丙基吡咯烷酮、N-丁基吡咯烷酮、N-十二烷基吡咯烷酮、N-乙烯基吡咯烷酮、N-丙烯基吡咯烷酮中的任何一种或任何多种的混合物。

所述有机溶剂的重量份为5-90份，例如可为5份、10份、15份、20份、25份、30份、35份、40份、45份、50份、55份、60份、65份、70份、75份、80份、85份或90份。优选为20-80份，最优选为40-60份。

本发明的第二个目的涉及上述光刻胶剥离液的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：

(1)分别称取上述各自重量份的各种组分；

(2)将有机溶剂加入到搅拌釜中，然后顺次加入有机胺或有机铵盐、剥离剂，搅拌至均匀透明；

(3)向步骤(2)中的均匀透明混合物中顺次加入润湿剂、缓蚀剂和助剂，搅拌至均匀透明，即得所述光刻胶剥离液。

其中在上述步骤(2)和(3)中，搅拌速度可为50-100rpm/min，优选为60-80rpm/min。

本发明的第三个目的涉及使用本发明所述光刻胶剥离液的芯片光刻胶剥离液的去胶工艺，所述去胶工艺包括如下步骤：

(1)将芯片在60-90℃下浸泡于光刻胶剥离液中，超声波10-30分钟；

(2)将去胶完毕后的芯片用纯水漂洗3-10分钟，漂洗1-3次，然后氮气吹干。

其中，在上述步骤(1)中，温度为60-90℃，例如可为60℃、65℃、70℃、75℃、80℃、85℃或90℃；时间为10-30分钟，例如可为10分钟、15分钟、20分钟、25分钟或30分钟。

任选地，当难以去胶时，可重复步骤(1)多次，例如2-4次。

在上述步骤(2)中，纯水漂洗时间为3-10分钟，例如可为3分钟、5分钟、7分钟或10分钟。

综上所述，本发明通过提供了具有特定组分、含量的光刻胶剥离液、其制备方法和使用它的去胶工艺，而开发出了一种新型光刻胶剥离液，其具有剥离效率高、无残留、清洁度好等诸多优点，适宜于各种芯片的光刻胶剥离，在微电子领域具有广阔的应用潜力和价值。

附图说明

图1是使用本发明实施例1的光刻胶剥离液对LED芯片去胶后的显微镜照片。

具体实施方式

下面通过具体的实施例对本发明进行详细说明，但这些例举性实施方式的用途和目的仅用来例举本发明，并非对本发明的实际保护范围构成任何形式的任何限定，更非将本发明的保护范围局限于此。

其中，在每个实施例的步骤(2)和(3)中的组分，均为步骤(1)中所称取的相应组分。

实施例1

(1)分别称取1重量份剥离剂C₆F₁₃CH₂CH₂O(C₂H₄O)₆H(其中C₆F₁₃为全氟正己基)、3重量份润湿剂C₁₀H₂₁O(C₂H₄O)₄(C₃H₆O)₄H(其中C₁₀H₂₁为正癸基)、3重量份有机胺二乙胺、0.01重量份缓蚀剂6-氯-1-羟基苯并三氮唑、0.05重量份助剂二环己基并-18-冠-6和5重量份有机溶剂乙醇。

(2)将步骤(1)的有机溶剂加入到搅拌釜中，然后顺次加入有机胺、剥离剂，搅拌至均匀透明，搅拌速度为60rpm/min；

(3)向步骤(2)中的均匀透明混合物中顺次加入润湿剂、缓蚀剂和助剂，搅拌至均匀透明，搅拌速度为60rpm/min，即得所述光刻胶剥离液，将其命名为BLY1。

实施例2

(1)分别称取5重量份剥离剂C₈F₁₇CH₂CH₂O(C₂H₄O)₈H(其中C₈F₁₇为全氟正辛基)、6重量份润湿剂C₁₂H₂₅O(C₂H₄O)₆(C₃H₆O)₆H(其中C₁₂H₂₅为正十二烷基)、10重量份有机胺单乙醇胺、0.05重量份缓蚀剂6-氯-1-羟基苯并三氮唑、0.1重量份助剂二环己基并-18-冠-6和40重量份有机溶剂乙二醇单甲醚。

(2)将步骤(1)的有机溶剂加入到搅拌釜中，然后顺次加入有机胺、剥离剂，搅拌至均匀透明，搅拌速度为70rpm/min；

(3)向步骤(2)中的均匀透明混合物中顺次加入润湿剂、缓蚀剂和助剂，搅拌至均匀透明，搅拌速度为70rpm/min。即得所述光刻胶剥离液，将其命名为BLY2。

实施例3

(1)分别称取10重量份剥离剂C₁₀F₂₁CH₂CH₂O(C₂H₄O)₁₀H(其中C₁₀F₂₁为全氟正癸基)、10重量份润湿剂C₁₄H₂₉O(C₂H₄O)₈(C₃H₆O)₈H(其中C₁₄H₂₉为正十四烷基)、20重量份有机胺二异丙醇胺、0.2重量份缓蚀剂6-氯-1-羟基苯并三氮唑、0.2重量份助剂二环己基并-18-冠-6和60重量份有机溶剂二丙二醇单甲醚。

(2)将步骤(1)的有机溶剂加入到搅拌釜中，然后顺次加入有机胺、剥离剂，搅拌至均匀透明，搅拌速度为80rpm/min；

(3)向步骤(2)中的均匀透明混合物中顺次加入润湿剂、缓蚀剂和助剂，搅拌至均匀透明，搅拌速度为80rpm/min。即得所述光刻胶剥离液，将其命名为BLY3。

实施例4

(1)分别称取3重量份剥离剂C₁₂F₂₅CH₂CH₂O(C₂H₄O)₁₂H(其中C₁₂F₂₅为全氟正十二烷基)、5重量份润湿剂C₁₆H₃₃O(C₂H₄O)₁₀(C₃H₆O)₁₀H(其中C₁₆H₃₃为正十六烷基)、30重量份有机铵盐四甲基氢氧化铵、1重量份缓蚀剂6-氯-1-羟基苯并三氮唑、1重量份助剂二环己基并-18-冠-6和80重量份有机溶剂二苯醚。

(2)将步骤(1)的有机溶剂加入到搅拌釜中，然后顺次加入有机铵盐、剥离剂，搅拌至均匀透明，搅拌速度为50rpm/min；

(3)向步骤(2)中的均匀透明混合物中顺次加入润湿剂、缓蚀剂和助剂，搅拌至均匀透明，搅拌速度为50rpm/min。即得所述光刻胶剥离液，将其命名为BLY4。

实施例5

(1)分别称取6重量份剥离剂C₆F₁₃CH₂CH₂O(C₂H₄O)₈H(其中C₆F₁₃为全氟正己基)、7重量份润湿剂C₁₈H₃₇O(C₂H₄O)₁₂(C₃H₆O)₄H(其中C₁₈H₃₇为正十八烷基)、7重量份有机胺乙二胺、3重量份缓蚀剂6-氯-1-羟基苯并三氮唑、2重量份助剂二环己基并-18-冠-6和10重量份有机溶剂二甲基亚砜。

(2)将步骤(1)的有机溶剂加入到搅拌釜中，然后顺次加入有机胺、剥离剂，搅拌至均匀透明，搅拌速度为90rpm/min；

(3)向步骤(2)中的均匀透明混合物中顺次加入润湿剂、缓蚀剂和助剂，搅拌至均匀透明，搅拌速度为90rpm/min。即得所述光刻胶剥离液，将其命名为BLY5。

实施例6

(1)分别称取8重量份剥离剂C₈F₁₇CH₂CH₂O(C₂H₄O)₁₂H(其中C₈F₁₇为全氟正辛基)、4重量份润湿剂C₁₀H₂₁O(C₂H₄O)₄(C₃H₆O)₈H(其中C₁₀H₂₁为正癸基)、15重量份有机胺三乙醇胺、2重量份缓蚀剂6-氯-1-羟基苯并三氮唑、3重量份助剂二环己基并-18-冠-6和90重量份有机溶剂3-甲基环丁砜。

(2)将步骤(1)的有机溶剂加入到搅拌釜中，然后顺次加入有机胺、剥离剂，搅拌至均匀透明，搅拌速度为60rpm/min；

(3)向步骤(2)中的均匀透明混合物中顺次加入润湿剂、缓蚀剂和助剂，搅拌至均匀透明，搅拌速度为60rpm/min。即得所述光刻胶剥离液，将其命名为BLY6。

实施例7

(1)分别称取2重量份剥离剂C₁₀F₂₁CH₂CH₂O(C₂H₄O)₆H(其中C₁₀F₂₁为全氟正癸基)、8重量份润湿剂C₁₂H₂₅O(C₂H₄O)₆(C₃H₆O)₁₀H(其中C₁₂H₂₅为正十二烷基)、25重量份有机铵盐四丁基氢氧化铵、5重量份缓蚀剂6-氯-1-羟基苯并三氮唑、0.5重量份助剂二环己基并-18-冠-6和50重量份有机溶剂N-甲基吡咯烷酮。

(2)将步骤(1)的有机溶剂加入到搅拌釜中，然后顺次加入有机铵盐、剥离剂，搅拌至均匀透明，搅拌速度为100rpm/min；

(3)向步骤(2)中的均匀透明混合物中顺次加入润湿剂、缓蚀剂和助剂，搅拌至均匀透明，搅拌速度为100rpm/min。即得所述光刻胶剥离液，将其命名为BLY7。

实施例8

(1)分别称取9重量份剥离剂C₁₂F₂₅CH₂CH₂O(C₂H₄O)₁₀H(其中C₁₂F₂₅为全氟正十二烷基)、9重量份润湿剂C₁₄H₂₉O(C₂H₄O)₁₀(C₃H₆O)₆H(其中C₁₄H₂₉为正十四烷基)、5重量份有机胺三乙胺、4重量份缓蚀剂6-氯-1-羟基苯并三氮唑、0.25重量份助剂二环己基并-18-冠-6和70重量份有机溶剂N-丙烯基吡咯烷酮。

(2)将步骤(1)的有机溶剂加入到搅拌釜中，然后顺次加入有机胺、剥离剂，搅拌至均匀透明，搅拌速度为70rpm/min；

(3)向步骤(2)中的均匀透明混合物中顺次加入润湿剂、缓蚀剂和助剂，搅拌至均匀透明，搅拌速度为70rpm/min。即得所述光刻胶剥离液，将其命名为BLY8。

实施例9

(1)分别称取4重量份剥离剂C₆F₁₃CH₂CH₂O(C₂H₄O)₁₂H(其中C₆F₁₃为全氟正己基)、10重量份润湿剂C₁₆H₃₃O(C₂H₄O)₁₂(C₃H₆O)₁₀H(其中C₁₆H₃₃为正十六烷基)、8重量份有机铵盐四丙基氢氧化铵、0.1重量份缓蚀剂6-氯-1-羟基苯并三氮唑、2.5重量份助剂二环己基并-18-冠-6和30重量份有机溶剂N-十二烷基吡咯烷酮。

(2)将步骤(1)的有机溶剂加入到搅拌釜中，然后顺次加入有机铵盐、剥离剂，搅拌至均匀透明，搅拌速度为80rpm/min；

(3)向步骤(2)中的均匀透明混合物中顺次加入润湿剂、缓蚀剂和助剂，搅拌至均匀透明，搅拌速度为80rpm/min。即得所述光刻胶剥离液，将其命名为BLY9。

实施例10

(1)分别称取7重量份剥离剂C₈F₁₇CH₂CH₂O(C₂H₄O)₁₀H(其中C₈F₁₇为全氟正辛基)、3重量份润湿剂C₁₈H₃₇O(C₂H₄O)₄(C₃H₆O)₁₂H(其中C₁₈H₃₇为正十八烷基)、10重量份有机胺异丙醇胺、3.5重量份缓蚀剂6-氯-1-羟基苯并三氮唑、1.5重量份助剂二环己基并-18-冠-6和15重量份有机溶剂2,4-二丁基环丁砜。

(2)将步骤(1)的有机溶剂加入到搅拌釜中，然后顺次加入有机胺、剥离剂，搅拌至均匀透明，搅拌速度为90rpm/min；

(3)向步骤(2)中的均匀透明混合物中顺次加入润湿剂、缓蚀剂和助剂，搅拌至均匀透明，搅拌速度为90rpm/min。即得所述光刻胶剥离液，将其命名为BLY10。

对比例1-10

除分别将其中的6-氯-1-羟基苯并三氮唑替换为如下的其它三氮唑外，以与实施例1-10的相同方式而实施了对比例1-10，分别制得了10个光刻胶剥离液，命名为D1-D10，其对应关系如下：

对比例11-20

除分别将其中的二环己基并-18-冠-6替换为如下的冠醚外，以与实施例1-10的相同方式而实施了对比例11-20，分别制得了10个光刻胶剥离液，命名为D11-D20，其对应关系如下：

对比例21-30

除不加入助剂外[即不包含助剂]，分别以与实施例1-10的相同方式而实施了对比例21-30，分别制得了10个光刻胶剥离液，顺次命名为D21-D30。

芯片光刻胶剥离工艺和测试方法

剥离工艺：

将涂胶后的LED芯片按照如下步骤进行光刻剥离处理：

(1)将芯片在80℃下浸泡于光刻胶剥离液中，超声波20分钟；

(2)将去胶完毕后的芯片用纯水漂洗8分钟，漂洗2次，然后氮气吹干。

测试方法：

将上述剥离后的LED芯片放大40倍进行显微镜扫描，观察是否去胶完全以及是否对其中的金属配线和表面产生腐蚀。

测试结果：

按照上述剥离工艺，分别使用上述实施例和对比例所得样品BLY1-BLY10、对比样品D1-D30对LED芯片进行光刻胶剥离，并按照上述测试方法观察其是否去胶完全。

以剥离率来衡量各个剥离液的剥离性能，其定义如下：剥离率(%)=[(剥离前光刻胶总面积-残留光刻胶的面积)/(剥离前光刻胶总面积)]×100%。

附图1是使用BLY1剥离后的显微镜照片，由此可见，光刻胶剥离完全、彻底，剥离率为100%；对ITO和SiO₂表面无腐蚀。

所有实施例和对比例的剥离液的剥离数据见下表1。

表1.不同剥离液的性能

注：其中，“腐蚀”的腐蚀程度要严重于“轻微腐蚀”。

通过上表数据，证明了当剥离液中同时存在6-氯-1-羟基苯并三氮唑和二环己基并-18-冠-6时，两者之间能够发挥意想不到的协同作用，从而取得了优异的去胶效果(100%)和防腐蚀效果(无腐蚀)。

此外，当将6-氯-1-羟基苯并三氮唑替换为其它苯并***时，则发生了明显腐蚀，这证明了6-氯-1-羟基苯并三氮唑具有最佳的防腐蚀效果。

而含有其它助剂时，则显著降低了其去胶性能；当不含助剂时，去胶性能进一步降低，这证明了二环己基并-18-冠-6有着最佳的去胶协同性能。

综上所述，本发明提供了一类新颖的光刻胶剥离液，通过特定组分如剥离剂、助剂、缓蚀剂和/或溶剂的选择，而发挥了意想不到的剥离和防腐蚀协同作用，取得了优异的剥离和防腐蚀效果，可用于各种芯片的光刻胶剥离，从而为最终精密电子元件的制备提供了基础。

应当理解，这些实施例的用途仅用于说明本发明而非意欲限制本发明的保护范围。此外，也应理解，在阅读了本发明的技术内容之后，本领域技术人员可以对本发明作各种改动、修改和/或变型，所有的这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的保护范围之内。

Claims (6)

1.一种用于芯片的光刻胶剥离液，所述光刻胶剥离液包括下述重量份的各种组分：

所述剥离剂为全氟烷基乙氧基聚氧乙烯醚，其结构式为C_mF_2m+1CH₂CH₂O(C₂H₄O)_nH，m和n均选自6-12的整数；

所述润湿剂为脂肪醇聚氧乙烯聚氧丙烯醚，结构式为R¹O(C₂H₄O)_p(C₃H₆O)_qH，其中R¹为C₁₀-C₁₈的直链或支链烷基，p为4-12之间的整数，q为4-10之间的整数；

所述缓蚀剂为6-氯-1-羟基苯并三氮唑。

2.如权利要求1所述的光刻胶剥离液，其特征在于：其特征在于：

所述有机胺或有机铵盐选自二乙胺、三乙胺、乙二胺、单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、异丙醇胺、二异丙醇胺、三异丙醇胺、四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、四丙基氢氧化铵、四丁基氢氧化铵中的任何一种或任何多种的混合物。

3.如权利要求1所述的光刻胶剥离液，其特征在于：

所述助剂为冠醚类化合物，其选自开链冠醚、苯并冠醚、羟基苯并冠醚、环烷基并冠醚中的任何一种或任何多种的混合物。

4.如权利要求1-3任一项所述的光刻胶剥离液，其特征在于：

所述有机溶剂为醇醚化合物、砜类化合物或吡咯烷酮类化合物。

5.如权利要求1-4任一项所述光刻胶剥离液的制备方法，所述方法包括如下步骤：

(1)分别称取上述各自重量份的各种组分；

(2)将有机溶剂加入到搅拌釜中，然后顺次加入有机胺或有机铵盐、剥离剂，搅拌至均匀透明；

(3)向步骤(2)中的均匀透明混合物中顺次加入润湿剂、缓蚀剂和助剂，搅拌至均匀透明，即得所述光刻胶剥离液。

6.使用权利要求1-4任一项所述芯片光刻胶剥离液的去胶工艺，所述去胶工艺包括如下步骤：

(1)将芯片在60-90℃下浸泡于光刻胶剥离液中，超声波10-30分钟；

(2)将去胶完毕后的芯片用纯水漂洗3-10分钟，漂洗1-3次，然后氮气吹干。