CN103664184B - 一种片状AlON陶瓷粉体的制备方法 - Google Patents
一种片状AlON陶瓷粉体的制备方法 Download PDFInfo
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Abstract
一种片状AlON陶瓷粉体的制备方法，其特征在于：将粒度为0.1~2μm的氧化镁1~20wt%、AlN-AlON混合粉体80~99wt%混合均匀，经干压成型后在氩气气氛下1500~2000℃的温度下30~180分钟烧制成片状AlON陶瓷粉体。本发明制备的AlON陶瓷粉体为片状结构，显微结构均匀。
Description
技术领域
本发明涉及一种片状AlON陶瓷粉体的制备方法，属于陶瓷制备技术领域。
背景技术
AlON陶瓷材料具有优良的耐高温性能、高温力学性能和热学性能，被广泛应用于航空航天、电子、机械、冶金等领域。但是，由于其抗氧化能力较差，在有氧存在的条件下约1000℃左右开始氧化，因此，严重制约该材料的应用领域。
发明内容
本发明的目的在于提供一种片状AlON陶瓷粉体的制备方法。其技术方案为：
一种片状AlON陶瓷粉体的制备方法，将粒度为0.1~2μm的氧化镁1~20wt%、AlN-AlON混合粉体80~99wt%混合均匀，经干压成型后在氩气气氛下1500~2000℃的温度下30~180分钟烧制，研磨制成片状AlON陶瓷粉体，其中AlN-AlON混合粉体是粒度为0.3~3μm的AlN粉体和Al2O3粉体以摩尔比为1~5的比例均匀混合制成的。
本发明与现有技术相比，其优点为：
1、本发明制备的片状AlON陶瓷粉体显微结构均匀，片与片之间成一定角度，并与机体相连；
2、每一个晶粒表面为片状AlON相连形成网络结构，在与其他晶体复合时形成弱界面联系。
附图说明
图1是实施例1制备的片状AlON陶瓷粉体的XRD照片；图2是实施例2制备的片状AlON陶瓷粉体显微照片。
具体实施方式
实施例1
将粒度为0.1μm的氧化镁1wt%、AlN-AlON混合粉体99wt%混合均匀，经干压成型后在氩气气氛下2000℃的温度下180分钟烧制成片状AlON陶瓷粉体，其中AlN-AlON混合粉体是粒度为0.3μm的AlN粉体和Al2O3粉体以摩尔比为1的比例均匀混合制成的。
实施例2
将粒度为0.1μm的氧化镁1wt%、AlN-AlON混合粉体99wt%混合均匀，经干压成型后在氩气气氛下1800℃的温度下60分钟烧制成片状AlON陶瓷粉体，其中AlN-AlON混合粉体是粒度为0.3μm的AlN粉体和Al2O3粉体以摩尔比为2的比例均匀混合制成的。
实施例3
将粒度为2μm的氧化镁20wt%、AlN-AlON混合粉体80wt%混合均匀，经干压成型后在氩气气氛下1500℃的温度下30分钟烧制成片状AlON陶瓷粉体，其中AlN-AlON混合粉体是粒度为1μm的AlN粉体和Al2O3粉体以摩尔比为3.5的比例均匀混合制成的。
实施例4
将粒度为1μm的氧化镁10wt%、AlN-AlON混合粉体90wt%混合均匀，经干压成型后在氩气气氛下1700℃的温度下90分钟烧制成片状AlON陶瓷粉体，其中AlN-AlON混合粉体是粒度为2μm的AlN粉体和Al2O3粉体以摩尔比为5的比例均匀混合制成的。
Claims (1)
1.一种片状AlON陶瓷粉体的制备方法，其特征在于：将粒度为0.1~2μm的氧化镁1~20wt%、AlN-AlON混合粉体80~99wt%混合均匀，经干压成型后在氩气气氛下1500~2000℃的温度下30~180分钟烧制，研磨制成片状AlON陶瓷粉体，其中AlN-AlON混合粉体是粒度为0.3~3μm的AlN粉体和Al2O3粉体以摩尔比为1~5的比例均匀混合制成的。
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