CN103640349A - 晶硅太阳能电池的二次印刷对位方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种晶硅太阳能电池的二次印刷对位方法，该方法的步骤如下：a、提供一具有第一定位识别标记组的第一网版；b、通过第一印刷机采用该第一网版对硅片进行一次印刷，得到具有第一定位图案组的硅片，第一定位图案组与第一定位识别标记组相匹配；c、提供一具有第二定位识别标记组的第二网版，并且第二定位识别标记组的第二定位标记和第一定位识别标记组的第一定位识别标记一一对应；d、通过第二印刷机采用该第二网版对步骤b）中一次印刷后的硅片进行二次印刷，得到具有第二定位图案组的硅片，并且该硅片上同时也具有第一定位图案组，第二定位图案组和第二定位识别标记组相匹配。本发明能够实现二次印刷中定位图案的精确及数值定位，消除人为的随机性和数值判断误差，提高对位的精度，减少丝网印刷的加粗比例，提升生产良率。
Description
技术领域
本发明涉及一种晶硅太阳能电池的二次印刷对位方法，属于晶硅太阳能电池制备过程中丝网印刷领域。
背景技术
目前，原丝网印刷中的二次印刷技术的对准调试，主要是在设备进行Mark点基本定位后，靠生产操作人员根据实际印刷的样片进行人工判断偏移及大致数值，然后进行offset的人工设置，此项调试工作与人员的熟练程度及人为判断决定，具有人为的随机性和数值判断误差。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷，提供一种晶硅太阳能电池的二次印刷对位方法，它能够实现二次印刷中定位图案的精确及数值定位，消除人为的随机性和数值判断误差，提高对位的精度，减少丝网印刷的加粗比例，提升生产良率。
为了解决上述技术问题，本发明的技术方案是：一种晶硅太阳能电池的二次印刷对位方法，该方法的步骤如下：
a、提供一具有第一定位识别标记组的第一网版；
b、通过第一印刷机采用该第一网版对硅片进行一次印刷，得到具有第一定位图案组的硅片，第一定位图案组与第一定位识别标记组相匹配；
c、提供一具有第二定位识别标记组的第二网版，并且第二定位识别标记组的第二定位标记和第一定位识别标记组的第一定位识别标记一一对应；
d、通过第二印刷机采用该第二网版对步骤b）中一次印刷后的硅片进行二次印刷，得到具有第二定位图案组的硅片，并且该硅片上同时也具有第一定位图案组，第二定位图案组和第二定位识别标记组相匹配；
e、分别测量经过d步骤处理后的硅片上第一定位图案组的第一定位图案和第二定位图案组的第二定位图案的中心坐标，并且计算出第一定位图案与相对应的第二定位图案的中心坐标的横向偏移?X，纵向偏移?Y和角度偏移?m，并将其设置进第二印刷机中对第二网版进行补偿调整，从而实现二次精确打印。
进一步，所述的第一定位识别标记组为分别均布在第一网版四个角区域上的第一位置识别点，所述的第二定位识别标记组为分别均布在第二网版四个角区域上的第二位置识别点，并且每个第二位置识别点和第一网版上相对应的角区域上的第一位置识别点相对应，第二位置识别点的直径比第一位置识别点的直径大。
进一步，所述的第二位置识别点的直径为1.2mm，第一位置识别点的直径为0.8mm。
进一步，在步骤b中，第一印刷机通过其机器视觉***定位到硅片的位置，然后将第一网版1与硅片对准后在硅片上印刷第一定位图案组，得到具有第一定位图案组的硅片。
更进一步，在步骤d中，第二印刷机通过其机器视觉***找准硅片上的第一定位图案组将第二网版2和硅片对准后在已具有第一定位图案组的硅片上印刷第二定位图案组，得到具有第一定位图案组和第二定位图案组的硅片。
采用了上述技术方案后，经过一次和二次印刷出来后的硅片，两次印刷的第一定位图案的中心位置和第二定位图案的中心位置分别可在精密测量仪器进行测量，则可测量出二次套印的位置相对一次印刷的图案位置的偏移数值，然后进行一次性的补偿调整，从而实现二次印刷的精确性，消除人为的随机性和数值判断误差，提高对位的精度，减少丝网印刷的加粗比例，提升生产良率。
附图说明
图1为本发明的第一网版的结构示意图；
图2为本发明的第二网版的结构示意图；
图3为本发明方法生产的硅片上的第一定位图案组和第二定位图案组的示意图；
图4为图3中的其中一个第一定位图案和第二定位图案的放大示意图。
具体实施方式
为了使本发明的内容更容易被清楚地理解，下面根据具体实施例并结合附图，对本发明作进一步详细的说明，
如图1~3所示，一种晶硅太阳能电池的二次印刷对位方法，该方法的步骤如下：
a、提供一具有第一定位识别标记组的第一网版1；
b、通过第一印刷机采用该第一网版1对硅片进行一次印刷，得到具有第一定位图案组的硅片，第一定位图案组与第一定位识别标记组相匹配；
c、提供一具有第二定位识别标记组的第二网版2，并且第二定位识别标记组的第二定位标记2-1和第一定位识别标记组的第一定位识别标记1-1一一对应；
d、通过第二印刷机采用该第二网版对步骤b中一次印刷后的硅片进行二次印刷，得到具有第二定位图案组的硅片，并且该硅片上同时也具有第一定位图案组，第二定位图案组和第二定位识别标记组相匹配；
e、分别测量经过d步骤处理后的硅片上第一定位图案组的第一定位图案3和第二定位图案组的第二定位图案4的中心坐标，并且计算出第一定位图案3与相对应的第二定位图案4的中心坐标的横向偏移?X，纵向偏移?Y和角度偏移?m，并将其设置进第二印刷机中对第二网版2进行补偿调整，从而实现二次精确打印。
其中，第一定位识别标记组为分别均布在第一网版1四个角区域上的第一位置识别点，坐标分别为(x1,y1)，(x2,y2)，(x3,y3)，(x4,y4)；第二定位识别标记组为分别均布在第二网版2四个角区域上的第二位置识别点，坐标分别为(X1,Y1)，(X2,Y2)，(X3,Y3)，(X4,Y4)，并且每个第二位置识别点和第一网版上相对应的角区域上的第一位置识别点相对应，第二位置识别点的直径比第一位置识别点的直径大。
第二位置识别点的直径为1.2mm，第一位置识别点的直径为0.8mm。
在步骤b中，第一印刷机通过其机器视觉***定位到硅片的位置，譬如找准硅片的四个顶点，然后计算出硅片的坐标值和角度值，然后将第一网版1与硅片对准后在硅片上印刷第一定位图案组，得到具有第一定位图案组的硅片。
在步骤d中，第二印刷机通过其机器视觉***找准硅片上的第一定位图案组将第二网版2和硅片对准后在已具有第一定位图案组的硅片上印刷第二定位图案组，得到具有第一定位图案组和第二定位图案组的硅片。
印刷过程中，由于网版会慢慢变形，则只要对印刷出来的片子进行定期监控测量，然后进行相应的偏移补偿值调整即可很好的控制加粗现象的发生。
经过实际生产发现，现有技术生产二次印刷造成的加粗不良占比达到0.3%，通过本方法，加粗主要出现在调试的前几片，预期加粗比例可以控制在0.1%以下，提升0.2%的成品良率。
本发明的工作原理如下：
经过一次和二次印刷出来后的硅片，两次印刷的第一定位图案的中心位置和第二定位图案的中心位置分别可在精密测量仪器进行测量，则可测量出二次套印的位置相对一次印刷的图案位置的偏移数值，然后进行一次性的补偿调整，从而实现二次印刷的精确性，消除人为的随机性和数值判断误差，提高对位的精度，减少丝网印刷的加粗比例，提升生产良率。
以上所述的具体实施例，对本发明解决的技术问题、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (5)
1. 一种晶硅太阳能电池的二次印刷对位方法，其特征在于该方法的步骤如下：
a、提供一具有第一定位识别标记组的第一网版（1）；
b、通过第一印刷机采用该第一网版（1）对硅片进行一次印刷，得到具有第一定位图案组的硅片，第一定位图案组与第一定位识别标记组相匹配；
c、提供一具有第二定位识别标记组的第二网版（2），并且第二定位识别标记组的第二定位标记（2-1）和第一定位识别标记组的第一定位识别标记（1-1）一一对应；
d、通过第二印刷机采用该第二网版对步骤b中一次印刷后的硅片进行二次印刷，得到具有第二定位图案组的硅片，并且该硅片上同时也具有第一定位图案组，第二定位图案组和第二定位识别标记组相匹配；
e、分别测量经过d步骤处理后的硅片上第一定位图案组的第一定位图案（3）和第二定位图案组的第二定位图案（4）的中心坐标，并且计算出第一定位图案（3）与相对应的第二定位图案（4）的中心坐标的横向偏移?X，纵向偏移?Y和角度偏移?m，并将其设置进第二印刷机中对第二网版（2）进行补偿调整，从而实现二次精确打印。
2.根据权利要求1所述的晶硅太阳能电池的二次印刷对位方法，其特征在于：所述的第一定位识别标记组为分别均布在第一网版（1）四个角区域上的第一位置识别点，所述的第二定位识别标记组为分别均布在第二网版（2）四个角区域上的第二位置识别点，并且每个第二位置识别点和第一网版上相对应的角区域上的第一位置识别点相对应，第二位置识别点的直径比第一位置识别点的直径大。
3.根据权利要求2所述的晶硅太阳能电池的二次印刷对位方法，其特征在于：所述的第二位置识别点的直径为1.2mm，第一位置识别点的直径为0.8mm。
4.根据权利要求1所述的晶硅太阳能电池的二次印刷对位方法，其特征在于：在步骤b中，第一印刷机通过其机器视觉***定位到硅片的位置，然后将第一网版（1）与硅片对准后在硅片上印刷第一定位图案组，得到具有第一定位图案组的硅片。
5.根据权利要求1或4所述的晶硅太阳能电池的二次印刷对位方法，其特征在于：在步骤d中，第二印刷机通过其机器视觉***找准硅片上的第一定位图案组将第二网版（2）和硅片对准后在已具有第一定位图案组的硅片上印刷第二定位图案组，得到具有第一定位图案组和第二定位图案组的硅片。
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Address after: Solar photovoltaic industry park Tianhe Road 213031 north of Jiangsu Province, Changzhou City, No. 2 Patentee after: TRINASOLAR Co.,Ltd. Address before: Solar photovoltaic industry park Tianhe Road 213031 north of Jiangsu Province, Changzhou City, No. 2 Patentee before: trina solar Ltd. |
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Address after: Solar photovoltaic industry park Tianhe Road 213031 north of Jiangsu Province, Changzhou City, No. 2 Patentee after: trina solar Ltd. Address before: Tianhe Electronic Industrial Park Road 213022 north of Jiangsu Province, Changzhou City, No. 2 Patentee before: CHANGZHOU TRINA SOLAR ENERGY Co.,Ltd. |
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Effective date of registration: 20180521 Address after: 224000 No. five mountain road, Yancheng economic and Technological Development Zone, Jiangsu 101 Patentee after: YANCHENG TIANHE GUONENG PHOTOVOLTAIC TECHNOLOGY CO.,LTD. Address before: 213031 Tianhe PV Industrial Park No. 2, Xinbei District, Changzhou, Jiangsu Patentee before: TRINASOLAR Co.,Ltd. |