CN103608485A - 层叠膜及电子器件 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种层叠膜，其是具备基材和形成于所述基材的至少一个表面上的至少一层的薄膜层的层叠膜，所述薄膜层当中的至少一层含有硅、氧及氢，基于所述薄膜层的在²⁹Si固体NMR测定中求出的、与氧原子的键合状态不同的硅原子的存在比，Q¹、Q²、Q³的峰面积相加而得的值相对于Q⁴的峰面积的比满足下述条件式（I）：（Q¹、Q²、Q³的峰面积相加而得的值）/（Q⁴的峰面积）＜1.0…（I）Q¹：与一个中性氧原子及三个羟基键合的硅原子，Q²：与两个中性氧原子及两个羟基键合的硅原子，Q³：与三个中性氧原子及一个羟基键合的硅原子，Q⁴：与4个中性氧原子键合的硅原子。

Description

层叠膜及电子器件

技术领域

本发明涉及一种具有气体屏蔽性的层叠膜。另外，还涉及具有此种层叠膜的电子器件。本申请主张基于2011年6月21日在日本申请的日本特愿2011－137397号的优先权，在这里援引其内容。

背景技术

气体屏蔽性薄膜可以作为适于饮料食品、化妆品、洗涤剂之类的物品的填充包装的包装用容器合适地使用。近年来，提出过如下的气体屏蔽性薄膜，即，以塑料膜等作为基材，在基材的一个表面形成以氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氧化铝之类的物质作为形成材料的薄膜而成。

作为在塑料基材的表面上形成此种薄膜的方法，已知有真空蒸镀法、溅射法、离子镀法等物理气相沉积法（PVD）、减压化学气相沉积法、等离子体化学气相沉积法等化学气相沉积法（CVD）。另外，作为利用此种成膜方法形成的层叠膜，例如，在专利文献1中，公开过通过在塑料基材的表面上设置硅氧化物系的薄膜而得的层叠膜。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2010－260347号公报

发明内容

发明所要解决的问题

但是，上述的专利文献1中记载的层叠膜虽然弯曲性优异，然而要求进一步提高气体屏蔽性。

本发明是鉴于此种情况而完成的，其目的在于，提供一种具有高的气体屏蔽性的层叠膜。

用于解决问题的方法

但是，气体屏蔽性可以作为水蒸气透过度（也称作水蒸气透过率）来评价。水蒸气透过度是这样的指标，即，其值越低，则气体屏蔽性越好。

本发明具有以下的方式。

本发明的第一方式提供一种层叠膜，其是具备基材、和形成于所述基材的至少一个表面上的至少1层的薄膜层的层叠膜，所述薄膜层当中的至少1层含有硅、氧及氢，基于所述薄膜层的在²⁹Si固体NMR测定中求出的、与氧原子的键合状态不同的硅原子的存在比，Q¹、Q²、Q³的峰面积相加而得的值相对于Q⁴的峰面积的比满足下述条件式（I）。

（Q¹、Q²、Q³的峰面积相加而得的值）/（Q⁴的峰面积）＜1.0…（I）

（Q¹表示与1个中性氧原子及3个羟基键合的硅原子，Q²表示与两个中性氧原子及两个羟基键合的硅原子，Q³表示与3个中性氧原子及1个羟基键合的硅原子，Q⁴表示与4个中性氧原子键合的硅原子）

本发明的第二方式提供如下的所述第一方式中记载的层叠膜，其中，所述薄膜层还含有碳原子。

本发明的第三方式提供如下的所述第一或第二方式中记载的层叠膜，其中，所述薄膜层是利用等离子体化学气相沉积法形成的层。

本发明的第四方式提供如下的所述第三方式中记载的层叠膜，其中，所述等离子体化学气相沉积法中所用的成膜气体含有有机硅化合物和氧。

本发明的第五方式提供如下的所述第四方式中记载的层叠膜，其中，所述薄膜层是在将所述成膜气体中的所述氧的含量设为将所述成膜气体中的所述有机硅化合物的全部量完全氧化所必需的理论氧量以下的条件下成膜的层。

本发明的第六方式提供如下的所述第三～第五的任一方式中记载的层叠膜，其中，所述薄膜层是使用作为所述薄膜层的形成材料的成膜气体的放电等离子体形成的层，所述放电等离子体是通过对第一成膜辊与第二成膜辊之间施加交流电压而在所述第一成膜辊与所述第二成膜辊之间的空间中产生的，所述第一成膜辊是卷绕所述基材的辊，所述第二成膜辊与所述第一成膜辊相面对，相对于所述第一成膜辊在所述基材的搬送路径的下游卷绕所述基材。

本发明的第七方式提供如下的所述第六方式中记载的层叠膜，其中，所述薄膜层是如下形成的层，即，通过在所述第一成膜辊与所述第二成膜辊相面对的空间中，形成无终端的隧道状的磁场，以沿着所述隧道状的磁场形成的第一放电等离子体与形成于所述隧道状的磁场的周围的第二放电等离子体重叠的方式搬送所述基材而形成。

本发明的第八方式提供如下的所述第一～第七的任一方式中记载的层叠膜，其中，所述基材呈带状，所述薄膜层是在将所述基材沿长度方向搬送的同时在所述基材的表面连续地形成的层。

本发明的第九方式提供如下的所述第一～第八的任一方式中记载的层叠膜，其中，所述基材使用了选自聚酯系树脂及聚烯烃系树脂中的至少一种树脂。

本发明的第十方式提供如下的所述第九方式中记载的层叠膜，其中，聚酯系树脂是聚对苯二甲酸乙二醇酯或聚萘二甲酸乙二醇酯。

本发明的第十一方式提供如下的所述第一～第十的任一方式中记载的层叠膜，其中，所述薄膜层的厚度为5nm以上且3000nm以下。

本发明的第十二方式提供如下的所述第一～第十一的任一方式中记载的层叠膜，即，在分别表示所述薄膜层的厚度方向的从该层的表面算起的距离、与相对于硅原子、氧原子及碳原子的合计量而言的硅原子的量的比率（硅的原子比）、氧原子的量的比率（氧的原子比）、及碳原子的量的比率（碳的原子比）之间的关系的硅分布曲线、氧分布曲线及碳分布曲线中，满足所有的下述条件（i）～（iii）：

（i）硅的原子比、氧的原子比及碳的原子比在该层的厚度的90％以上的区域中满足由下述式（1）：

（氧的原子比）＞（硅的原子比）＞（碳的原子比）···（1）

表示的条件，或者硅的原子比、氧的原子比及碳的原子比在该层的厚度的90％以上的区域中满足由下述式（2）：

（碳的原子比）＞（硅的原子比）＞（氧的原子比）···（2）

表示的条件；

（ii）所述碳分布曲线具有至少1个极值；

（iii）所述碳分布曲线中的碳的原子比的最大值与最小值的差的绝对值为5原子％（即，at％）以上。

本发明的第十三方式提供如下的所述第十二方式中记载的层叠膜，其中，所述碳分布曲线实质上是连续的。

本发明的第十四方式提供如下的所述第十二或十三方式中记载的层叠膜，其中，所述氧分布曲线具有至少1个极值。

本发明的第十五方式提供如下的所述第十二～第十四的任一方式中记载的层叠膜，即，所述氧分布曲线中的氧的原子比的最大值与最小值的差的绝对值为5原子％以上。

本发明的第十六方式提供如下的所述第十二～第十五的任一方式中记载的层叠膜，其中，所述硅分布曲线中的硅的原子比的最大值与最小值的差的绝对值小于5原子％。

本发明的第十七方式提供一种电子器件，其具有设于第一基板上的功能性元件、与所述第一基板的形成有所述功能性元件的面相面对的第二基板，所述第一基板和所述第二基板形成将所述功能性元件密封在内部的密封结构的至少一部分，所述第一基板及所述第二基板的至少一者是所述第一～十六的任一方式中记载的层叠膜。

本发明的第十八方式提供如下的所述第十七方式中记载的电子器件，其中，所述功能性元件构成有机电致发光元件。

本发明的第十九方式提供如下的所述第十七方式中记载的电子器件，其中，所述功能性元件构成液晶显示元件。

本发明的第二十方式提供如下的所述第十七方式中记载的电子器件，其中，所述功能性元件构成接收光而发电的光电转换元件。

发明效果

根据本发明，可以提供具有高的气体屏蔽性的层叠膜。

附图说明

图1是表示本实施方式的层叠膜的例子的示意图。

图2是表示层叠膜的制造中所用的制造装置的一个实施方式的示意图。

图3是表示²⁹Si固体NMR测定结果的谱图。

图4是表示²⁹Si固体NMR测定结果的谱图。

图5是表示²⁹Si固体NMR测定结果的谱图。

图6是作为本发明的电子器件的有机EL装置的侧剖面图。

图7是作为本发明的电子器件的液晶显示装置的侧剖面图。

图8是作为本发明的电子器件的光电转换装置的侧剖面图。

具体实施方式

［第一实施方式］

以下，在参照图1、2的同时，对本发明的实施方式的层叠膜进行说明。而且，在以下的所有的附图中，为了易于看附图，使各构成要素的尺寸、比率等适当地不同。

（层叠膜）

图1是表示本实施方式的层叠膜的例子的示意图。本实施方式的层叠膜是在基材F的表面层叠确保气体屏蔽性的薄膜层H而成的膜。薄膜层H当中的至少1层含有硅、氧及氢，包括大量地含有因后述的成膜气体的完全氧化反应而形成的SiO₂的第一层Ha、大量地含有因不完全氧化反应而产生的SiO_xC_y的第二层Hb，其成为第一层Ha与第二层Hb交替地层叠的3层结构。

但是，附图是示意性地表示出在膜组成中具有分布的情况的图，实际上第一层Ha与第二层Hb之间没有明确地产生界面，组成连续地改变。薄膜层H也可以层叠多个。在后面详述关于图1中所示的层叠膜的制造方法。

（薄膜层）

本实施方式的层叠膜所具备的薄膜层H的至少1层含有硅、氧及氢，薄膜层H的在²⁹Si固体NMR测定中求出的、Q¹、Q²、Q³的峰面积相加而得的值相对于Q⁴的峰面积的比满足下述条件式（I）。

（Q¹、Q²、Q³的峰面积相加而得的值）/（Q⁴的峰面积）＜1.0…（I）

这里，Q¹、Q²、Q³、Q⁴是对构成薄膜层H的硅原子根据与该硅原子键合的氧的性质加以区别表示的记号。即，Q¹、Q²、Q³、Q⁴的各记号表示，在相对于羟基将形成Si－O－Si键的氧原子设为“中性”氧原子时，与硅原子键合的氧原子如下所示。

Q¹：与1个中性氧原子、以及3个羟基键合的硅原子

Q²：与两个中性氧原子、以及两个羟基键合的硅原子

Q³：与3个中性氧原子、以及1个羟基键合的硅原子

Q⁴：与4个中性氧原子键合的硅原子

这里，在测定“薄膜层H的²⁹Si固体NMR”的情况下，在测定中所用的试验片中，也可以包含基材F。

在²⁹Si固体NMR测定中求出的各峰的面积比表示各键合状态的硅原子的存在比。

固体NMR的峰面积例如可以如下所示地算出。

首先，对利用²⁹Si固体NMR测定得到的谱图进行平滑处理。

在以下的说明中，将平滑后的谱图称作“测定谱图”。利用²⁹Si固体NMR测定得到的谱图中，经常包含比峰的信号高的频率的噪声，因此在平滑中将这些噪声去除。对利用²⁹Si固体NMR测定得到的谱图先进行傅里叶变换，去除100Hz以上的高频。去除100Hz以上的高频噪声后进行反傅里叶变换，将其作为“测定谱图”。

然后，将测定谱图分离为Q¹、Q²、Q³、Q⁴各峰。即，假定以Q¹、Q²、Q³、Q⁴的峰显示出以各自固有的化学位移为中心的高斯分布（正态分布）曲线，以使包括Q¹、Q²、Q³、Q⁴的模型谱图与测定谱图的平滑后的谱图一致的方式，将各峰的高度及半峰宽等参数最佳化。

参数的最佳化例如通过使用迭代法来进行。即，使用迭代法，算出模型谱图与测定谱图的偏差的平方之和收敛为极小值的参数。

然后，通过将如此求出的Q¹、Q²、Q³、Q⁴的峰分别积分，算出各峰面积。使用如此求出的峰面积，求出上述式（I）左边（Q¹、Q²、Q³的峰面积相加而得的值）/（Q⁴的峰面积），作为气体屏蔽性的评价指标使用。

即，本实施方式的层叠膜的必要条件在于，利用²⁹Si固体NMR测定定量的构成薄膜层H的硅原子当中，半数以上为Q⁴的硅原子。对于Q⁴的硅原子，可以认为，硅原子的周围由4个中性氧原子包围，此外4个中性氧原子与硅原子键合而形成网状结构。与此相对，Q¹、Q²、Q³的硅原子由于与1个以上的羟基键合，因此存在无法与相邻的硅原子之间形成共价键的微细的空隙。

所以，Q⁴的硅原子越多，则薄膜层H就越致密，可以形成实现高的气体屏蔽性的层叠膜。本申请中，根据发明人的研究发现，如果如上述式（I）所示（Q¹、Q²、Q³的峰面积相加而得的值）/（Q⁴的峰面积）小于1，则会形成显示出高的气体屏蔽性的层叠膜。

（Q¹、Q²、Q³的峰面积相加而得的值）/（Q⁴的峰面积）的值优选为0.8以下，更优选为0.6以下。

即，（Q¹、Q²、Q³的峰面积相加而得的值）/（Q⁴的峰面积）的值优选为0以上0.8以下，更优选为0以上0.6以下。

本发明的层叠膜中，利用²⁹Si固体NMR测定得到的谱图是利用CP法（Cross Polarization法）测定得到，而在利用DD法（DipolarDecoupling法）测定的情况下，即使（Q¹、Q²、Q³的峰面积相加而得的值）/（Q⁴的峰面积）是大于1的值，只要利用CP法测定的结果是，（Q¹、Q²、Q³的峰面积相加而得的值）/（Q⁴的峰面积）为1以下的情况，是具备基材和形成于所述基材的至少一个表面上的至少1层的薄膜层的层叠膜，且是所述薄膜层当中的至少1层含有硅、氧及氢的层叠膜，就包含于本发明的层叠膜中。

成为本实施方式的对象的薄膜层H是在层叠膜中形成于基材F的至少一面的层。另外，薄膜层H当中的至少1层也可以还含有氮、铝、钛。对于薄膜层H的构成，将在后面详述。

本实施方式的层叠膜中，薄膜层H的厚度优选为5nm以上且3000nm以下的范围，更优选为10nm以上且2000nm以下的范围，特别优选为100nm以上且1000nm以下的范围。通过使薄膜层的厚度为所述下限值以上，氧气屏蔽性、水蒸气屏蔽性等气体屏蔽性就会进一步提高。另外，通过为所述上限值以下，就可以获得更高的抑制使其弯曲时的气体屏蔽性的降低的效果。

另外，在本实施方式的层叠膜具有层叠两层以上的所述薄膜层的屏蔽层的情况下，这些薄膜层的厚度的合计值（层叠所述薄膜层而得的屏蔽膜的厚度）优选为大于100nm且3000nm以下。通过使薄膜层的厚度的合计值为所述下限值以上，氧气屏蔽性、水蒸气屏蔽性等气体屏蔽性就会进一步提高。另外，通过为所述上限值以下，就可以获得更高的抑制使其弯曲时的气体屏蔽性的降低的效果。此外，所述薄膜层的每1层的厚度优选大于50nm。

（基材）

作为本实施方式的层叠膜中所用的基材F，例如可以举出聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）、聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN）等聚酯树脂；聚乙烯（PE）、聚丙烯（PP）、环状聚烯烃等聚烯烃树脂；聚酰胺树脂；聚碳酸酯树脂；聚苯乙烯树脂；聚乙烯醇树脂；乙烯－醋酸乙烯酯共聚物的皂化物；聚丙烯腈树脂；缩醛树脂；聚酰亚胺树脂；聚硫醚（PES），根据需要也可以将它们的两种以上组合使用。优选与透明性、耐热性、线性膨胀性等必需的特性匹配地，从聚酯树脂、聚烯烃树脂中选择，更优选PET、PEN、环状聚烯烃。另外，作为含有树脂的复合材料，可以举出聚二甲基硅氧烷、聚倍半硅氧烷等硅酮树脂、玻璃复合基板、玻璃环氧基板等。这些树脂当中，从耐热性高、线性膨胀率小的观点考虑，优选聚酯系树脂、聚烯烃系树脂、玻璃复合基板、玻璃环氧基板。另外，这些树脂可以单独使用1种或组合使用两种以上。

在作为基材F使用含有硅酮树脂或玻璃的材料的情况下，为了避免固体NMR测定中的基材F中的硅的影响，从基材F中分离薄膜层H，仅测定薄膜层H中所含的硅的固体NMR。

作为将薄膜层H与基材F分离的方法，例如可以举出将薄膜层H用金属制的刮勺等刮落、采集到固体NMR测定的试样管中的方法。另外，也可以使用仅溶解基材F的溶剂除去基材F，采集作为残渣残留的薄膜层H。

基材F的厚度可以考虑制造层叠膜时的稳定性等适当地设定，然而由于在真空中也易于搬送基材F，因此优选为5μm～500μm。此外，在本实施方式中采用的薄膜层H的形成中，如后所述穿过基材F地进行放电，因此基材的厚度更优选为50μm～200μm，特别优选为50μm～100μm。

而且，对于基材F，从与所形成的薄膜层H的密合性的观点考虑，也可以实施用于清洁其表面的表面活性处理。作为此种表面活性处理，例如可以举出电晕处理、等离子体处理、火焰处理。

（其他的构成）

本实施方式的层叠膜具备所述基材及所述薄膜层，然而根据需要，也可以具备底涂层、热密封性树脂层、粘接剂层等。此种底涂层可以使用能够提高与所述基材及所述薄膜层的粘接性的公知的底涂剂来形成。另外，此种热密封性树脂层可以适当地使用公知的热密封性树脂形成。此外，此种粘接剂层可以适当地使用公知的粘接剂形成，也可以利用此种粘接剂层将多个层叠膜之间粘接。

（层叠膜的制造方法）

图2是表示层叠膜的制造中所用的制造装置的一个实施方式的示意图。而且，在图2中，为了易于看图，使各构成要素的尺寸、比率等适当地不同。

图中所示的制造装置10具备送出辊11、卷绕辊12、搬送辊13～16、成膜辊（第一制膜辊）17、制膜辊（第二制膜辊）18、气体供给管19、等离子体发生用电源20、电极21、22、设置于成膜辊17的内部的磁场形成装置23、以及设置于成膜辊18的内部的磁场形成装置24。制造装置10的构成要素当中至少成膜辊17、18、气体供给管19、以及磁场形成装置23、24在制造层叠膜时，配置于图示中省略的真空室内。该真空室与图示中省略的真空泵连接。利用真空泵的工作来调整真空室的内部的压力。

当使用该装置时，通过控制等离子体发生用电源20，可以在成膜辊17与成膜辊18之间的空间中，产生从气体供给管19供给的成膜气体的放电等离子体，使用所产生的放电等离子体可以进行使用了等离子体化学气相沉积法的等离子体CVD成膜。

在送出辊11中，以卷绕的状态设置有成膜前的带状的基材F，在将基材F沿长度方向卷出的同时送出。另外，在基材F的端部侧设有卷绕辊12，在牵引进行成膜后的基材F的同时卷绕，以卷筒状收容。

成膜辊17与成膜辊18被平行延伸地对置配置。两个辊由导电性材料形成。在制膜辊17中，卷绕有基材F，另外，在相对于制膜辊17配置于基材F的搬送路径的下游的制膜辊18中，也卷绕有基材F，分别旋转并同时搬送基材F。另外，成膜辊17与成膜辊18被相互绝缘，并且与共用的等离子体发生用电源20连接。当用等离子体发生用电源20施加交流电压时，就会在成膜辊17与成膜辊18之间的空间SP中形成电场。

此外，成膜辊17与成膜辊18在内部收纳有磁场形成装置23、24。磁场形成装置23、24是在空间SP中形成磁场的构件，其被以不与成膜辊17及成膜辊18一起旋转的方式收纳。

磁场形成装置23、24具有沿与成膜辊17、成膜辊18的延伸方向相同的方向延伸的中心磁铁23a、24a、和在围绕中心磁铁23a、24a的周围的同时沿与成膜辊17、成膜辊18的延伸方向相同的方向延伸地配置的圆环状的外部磁铁23b、24b。磁场形成装置23中，连结中心磁铁23a与外部磁铁23b的磁感线（磁场）形成无终端的隧道。在磁场形成装置24中也相同，连结中心磁铁24a与外部磁铁24b的磁感线形成无终端的隧道。

利用该磁感线与形成于成膜辊17与成膜辊18之间的交流电场交叉的磁控放电，生成成膜气体的放电等离子体。即，具体来说如后所述，空间SP被作为进行等离子体CVD成膜的成膜空间使用，在基材F中不与成膜辊17、18接触的面（成膜面）上，形成以成膜气体作为形成材料的薄膜层。

在空间SP的附近，设有向空间SP供给等离子体CVD的原料气体等成膜气体的气体供给管19。气体供给管19具有沿与成膜辊17及成膜辊18的延伸方向相同的方向延伸的管状的形状，从设在多处的的开口部向空间SP供给成膜气体。图中，以箭头表示出从气体供给管19向空间SP供给成膜气体的样子。

原料气体可以根据所形成的屏蔽膜的材质适当地选择使用。作为原料气体，例如可以使用含有硅的有机硅化合物。作为此种有机硅化合物，例如可以举出六甲基二硅氧烷、1，1，3，3－四甲基二硅氧烷、乙烯基三甲基硅烷、甲基三甲基硅烷、六甲基二硅烷、甲基硅烷、二甲基硅烷、三甲基硅烷、二乙基硅烷、丙基硅烷、苯基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、八甲基环四硅氧烷、二甲基二硅氮烷、三甲基二硅氮烷、四甲基二硅氮烷、五甲基二硅氮烷、六甲基二硅氮烷。这些有机硅化合物当中，从化合物的处置性、所得的屏蔽膜的气体屏蔽性等观点考虑，优选六甲基二硅氧烷、1，1，3，3－四甲基二硅氧烷。另外，这些有机硅化合物可以单独使用1种或组合使用两种以上。此外，作为原料气体，也可以除了上述的有机硅化合物以外还含有单硅烷，作为所形成的屏蔽膜的硅源使用。

作为成膜气体，除了原料气体以外还可以使用反应气体。作为此种反应气体，可以适当地选择使用与原料气体反应而变为氧化物、氮化物等无机化合物的气体。作为用于形成氧化物的反应气体，例如可以使用氧、臭氧。另外，作为用于形成氮化物的反应气体，例如可以使用氮、氨。这些反应气体可以单独使用1种或组合使用两种以上，例如在形成氧氮化物的情况下，可以将用于形成氧化物的反应气体与用于形成氮化物的反应气体组合使用。

作为成膜气体，为了将原料气体向真空室内供给，根据需要，也可以使用载气。此外，作为成膜气体，为了产生放电等离子体，根据需要，也可以使用放电用气体。作为此种载气及放电用气体，可以适当地使用公知的气体，例如可以使用氦气、氩气、氖气、氙气等稀有气体；氢气。

真空室内的压力（真空度）可以根据原料气体的种类等适当地调整，然而空间SP的压力优选为0.1Pa～50Pa。在出于抑制气相反应的目的，将等离子体CVD设为低压等离子体CVD法的情况下，通常为0.1Pa～10Pa。另外，等离子体发生装置的电极转筒的功率可以根据原料气体的种类、真空室内的压力等适当地调整，然而优选为0.1kW～10kW。

基材F的搬送速度（生产线速度）可以根据原料气体的种类、真空室内的压力等适当地调整，然而优选为0.1m/min～100m/min，更优选为0.5m/min～20m/min。如果生产线速度小于下限，则会有容易在基材F中产生由热引起的褶皱的趋势，另一方面，如果生产线速度超过上限，则会有所形成的屏蔽膜的厚度变薄的趋势。

在如上所述的制造装置（等离子体CVD成膜装置）10中，如下所示地对基材F进行成膜。

首先，在成膜前，为了使从基材F中产生的排出气体足够少，最好进行事先的处理。对于来自基材F的排出气体的产生量，可以将基材F安装于制造装置中，使用将装置内（腔室内）减压时的压力来判断。例如，如果制造装置的腔室内的压力为1×10^－3Pa以下，则可以判断来自基材F的排出气体的产生量足够少。

作为减少来自基材F的排出气体的产生量的方法，可以举出真空干燥、加热干燥、以及利用它们的组合的干燥、以及利用自然干燥的干燥方法。无论是哪种干燥方法，为了促进卷绕成卷筒状的基材F的内部的干燥，都优选在干燥中反复进行卷筒的重绕（开卷及卷绕），将整个基材F暴露于干燥环境下。

真空干燥是通过将基材F放入耐压性的真空容器中，使用真空泵等减压机将真空容器内排气成真空而进行。真空干燥时的真空容器内的压力优选为1000Pa以下，更优选为100Pa以下，进一步优选为10Pa以下。真空容器内的排气既可以通过连续地运转减压机而连续地进行，也可以通过在使内压不超过一定值以上进行管理的同时，间断地运转减压机而间断地进行。干燥时间优选至少为8小时以上，更优选为1周以上，进一步优选为1个月以上。

加热干燥是通过将基材F暴露于50℃以上的环境下而进行。加热温度优选为50℃以上且200℃以下，更优选为70℃以上且150℃以下。在超过200℃的温度下，基材F有可能变形。另外，因低聚物成分从基材F溶出并在表面析出，从而有可能产生凹陷。干燥时间可以根据加热温度或所用的加热机构适当地选择。

作为加热机构，只要是可以在常压下将基材F加热到50℃以上且200℃以下的机构，就没有特别限定。在通常已知的装置中，优选使用红外线加热装置、微波加热装置、或加热滚筒。

这里所说的红外线加热装置，是通过从红外线发生机构放射红外线而将对象物加热的装置。

所谓微波加热装置，是通过从微波发生机构照射微波而将对象物加热的装置。

所谓加热滚筒，是通过对滚筒表面加热、使对象物接触滚筒表面而从接触部分利用热传导进行加热的装置。

自然干燥是通过将基材F配置于低湿度的气氛中，流通干燥气体（干燥空气、干燥氮气），维持低湿度的气氛而进行。在进行自然干燥时，优选在配置基材F的低湿度环境中一并配置硅胶等干燥剂。

干燥时间优选至少为8小时以上，更优选为1周以上，进一步优选为1个月以上。

这些干燥既可以在将基材F安装到制造装置中以前另行进行，也可以在将基材F安装到制造装置中后，在制造装置内进行。

作为将基材F安装到制造装置中后使之干燥的方法，可以举出在从送出辊将基材F送出并搬送的同时将腔室内减压的方法。另外，还可以将所要通过的卷筒设为具备加热器的卷筒，通过对卷筒加热而将该卷筒作为上述的加热滚筒使用来加热。

作为减少来自基材F的排出气体的另外的方法，可以举出预先在基材F的表面形成无机膜的方法。作为无机膜的成膜方法，可以举出真空蒸镀（加热蒸镀）、电子束（Electron Beam、EB）蒸镀、溅射、离子镀等物理的成膜方法。另外，还可以利用热CVD、等离子体CVD、大气压CVD等化学的堆积法来形成无机膜。此外，也可以通过对在表面形成无机膜的基材F实施借助上述的干燥方法的干燥处理，而进一步减少排出气体的影响。

然后，将未图示的真空室内设为减压环境，对成膜辊17、成膜辊18施加交流电压而在空间SP中产生电场。

此时，由于在磁场形成装置23、24中形成上述的无终端的隧道状的磁场，因此通过导入成膜气体，而利用该磁场和向空间SP中放出的电子，形成沿着该隧道的圆环状的成膜气体的放电等离子体。由于该放电等离子体可以在数Pa附近的低压力下产生，因此可以将真空室内的温度设为室温附近。

另一方面，由于由磁场形成装置23、24所形成的磁场高密度地捕捉到的电子的温度高，因此会产生因该电子与成膜气体的碰撞而产生的放电等离子体。即，通过利用形成于空间SP中的磁场和电场将电子封入空间SP中，而在空间SP中形成高密度的放电等离子体。更具体来说，在与无终端的隧道状的磁场重叠的空间中，形成高密度的（高强度的）放电等离子体（第一放电等离子体），在未与无终端的隧道状的磁场重叠的空间中形成低密度的（低强度的）放电等离子体（第二放电等离子体）。这些放电等离子体的强度连续地变化。

一旦产生放电等离子体，就会生成很多自由基、离子而进行等离子体反应，产生成膜气体中所含的原料气体与反应气体的反应。例如，作为原料气体的有机硅化合物与作为反应气体的氧反应，产生有机硅化合物的氧化反应。

这里，在形成了高强度的放电等离子体的空间中，由于可以提供给氧化反应的能量多，因此反应容易进行，可以主要发生有机硅化合物的完全氧化反应。另一方面，在形成了低强度的放电等离子体的空间中，由于可以提供给氧化反应的能量少，因此反应难以进行，可以主要发生有机硅化合物的不完全氧化反应。

而且，本说明书中所谓“有机硅化合物的完全氧化反应”，是指进行有机硅化合物与氧的反应，将有机硅化合物氧化分解至二氧化硅（SiO₂）、水和二氧化碳为止。所谓“有机硅化合物的不完全氧化反应”，是指有机硅化合物不进行完全氧化反应，而变成发生并非SiO₂而是在结构中含有碳的SiO_xC_y（0＜x＜2、0＜y＜2）的反应。

如上所述，由于放电等离子体在成膜辊17、成膜辊18的表面以圆环状形成，因此经成膜辊17、成膜辊18的表面搬送的基材F就会交替地通过形成了高强度的放电等离子体的空间、和形成了低强度的放电等离子体的空间。由此，在从成膜辊17、成膜辊18的表面通过的基材F的表面，就会交替地形成因完全氧化反应而产生的SiO₂和因不完全氧化反应而产生的SiO_xC_y。

除了这些，还可以防止高温的2次电子在磁场的作用下流入基材F，这样，就可以在将基材F的温度抑制得较低的状态下施加高的功率，从而实现高速成膜。由于膜的堆积主要仅发生于基材F的成膜面，成膜辊被基材F覆盖而不易脏，由此可以进行长时间的稳定成膜。

对于如此形成的薄膜层H，含有硅、氧及碳的薄膜层H在分别表示该层的厚度方向的从该层的表面算起的距离、与相对于硅原子、氧原子及碳原子的合计量来说的硅原子的量的比率（硅的原子比）、氧原子的量的比率（氧的原子比）及碳原子的量的比率（碳的原子比）的关系的硅分布曲线、氧分布曲线及碳分布曲线中，满足所有的下述条件（i）～（iii）。

（i）首先，薄膜层H的硅的原子比、氧的原子比及碳的原子比在该层的厚度的90％以上（更优选为95％以上、特别优选为100％）的区域中满足由下述式（1）：

（氧的原子比）＞（硅的原子比）＞（碳的原子比）···（1）

表示的条件，或者硅的原子比、氧的原子比及碳的原子比在该层的厚度的90％以上（更优选为95％以上、特别优选为100％）的区域中满足由下述式（2）：

（碳的原子比）＞（硅的原子比）＞（氧的原子比）···（2）

表示的条件。

在薄膜层H中的硅的原子比、氧的原子比及碳的原子比满足（i）的条件的情况下，所得的气体屏蔽性层叠膜的气体屏蔽性充分。

（ii）其次，此种薄膜层H的碳分布曲线具有至少1个极值。

此种薄膜层H中，更优选碳分布曲线具有至少两个极值，特别优选具有至少3个极值。在碳分布曲线不具有极值的情况下，使所得的气体屏蔽性层叠膜的薄膜弯曲时的气体屏蔽性就会不足。另外，在像这样具有至少3个极值的情况下，碳分布曲线所具有的一个极值及与该极值相邻的极值的在薄膜层H的厚度方向的从薄膜层H的表面算起的距离的差的绝对值都优选为200nm以下，更优选为100nm以下。

而且，本实施方式中所谓极值，是指薄膜层H的厚度方向的相对于从薄膜层H的表面算起的距离来说的元素的原子比的极大值或极小值。另外，本说明书中所谓极大值，是改变从薄膜层H的表面算起的距离的情况下元素的原子比的值从增加变为减少的点，并且是如下的点，即与该点的元素的原子比的值相比，从该点起将薄膜层H的厚度方向的从薄膜层H的表面算起的距离再改变20nm的位置的元素的原子比的值减少3原子％以上。此外，本实施方式中所谓极小值，是在改变从薄膜层H的表面算起的距离的情况下元素的原子比的值从减少变为增加的点，并且是如下的点，即，与该点的元素的原子比的值相比，从该点起将薄膜层H的厚度方向的从薄膜层H的表面算起的距离再改变20nm的位置的元素的原子比的值增加3原子％以上。

（iii）再者，此种薄膜层H的碳分布曲线上的碳的原子比的最大值与最小值的差的绝对值为5原子％以上。

此种薄膜层H中，碳的原子比的最大值与最小值的差的绝对值更优选为6原子％以上，特别优选为7原子％以上。如果绝对值小于5原子％，在使所得的气体屏蔽性层叠膜的薄膜弯曲时会有气体屏蔽性不足的情况。

本实施方式中，薄膜层H的氧分布曲线优选具有至少1个极值，更优选具有至少两个极值，特别优选具有至少3个极值。在氧分布曲线不具有极值的情况下，在使所得的气体屏蔽性层叠膜的薄膜弯曲时会有气体屏蔽性降低的趋势。另外，像这样在具有至少3个极值的情况下，氧分布曲线所具有的一个极值及与该极值相邻的极值的在薄膜层H的厚度方向的从薄膜层H的表面算起的距离的差的绝对值优选都为200nm以下，更优选为100nm以下。

另外，本实施方式中，薄膜层H的氧分布曲线上的氧的原子比的最大值与最小值的差的绝对值优选为5原子％以上，更优选为6原子％以上，特别优选为7原子％以上。如果绝对值小于下限，在使所得的气体屏蔽性层叠膜的薄膜弯曲时会有气体屏蔽性降低的趋势。

本实施方式中，薄膜层H的硅分布曲线上的硅的原子比的最大值与最小值的差的绝对值优选小于5原子％，更优选小于4原子％，特别优选小于3原子％。如果绝对值超过上限，则所得的气体屏蔽性层叠膜的气体屏蔽性有降低的趋势。

另外，本实施方式中，在表示薄膜层H的厚度方向的从该层的表面算起的距离与相对于硅原子、氧原子及碳原子的合计量来说的氧原子及碳原子的合计量的比率（氧及碳的原子比）的关系的氧碳分布曲线中，氧碳分布曲线上的氧及碳的原子比的合计的最大值与最小值的差的绝对值优选小于5原子％，更优选小于4原子％，特别优选小于3原子％。如果绝对值超过上限，则所得的气体屏蔽性层叠膜的气体屏蔽性会有降低的趋势。

这里，硅分布曲线、氧分布曲线、碳分布曲线及氧碳分布曲线可以通过将X射线光电子能谱法（XPS：Xray Photoelectron Spectroscopy）的测定和氩气等稀有气体离子溅射并用，在使试样内部露出的同时依次进行表面组成分析，利用所谓的XPS深度剖析测定来制成。此种利用XPS深度剖析测定得到的分布曲线例如可以将纵轴设为各元素的原子比（单位：原子％），将横轴设为蚀刻时间（溅射时间）而制成。而且，在像这样将横轴设为蚀刻时间的元素的分布曲线中，蚀刻时间大致上与厚度方向的薄膜层H的厚度方向的从薄膜层H的表面算起的距离相关，因此作为“薄膜层H的厚度方向的从薄膜层H的表面算起的距离”，可以采用在XPS深度剖析测定时采用的根据蚀刻速度与蚀刻时间的关系算出的从薄膜层H的表面算起的距离。另外，作为此种XPS深度剖析测定时采用的溅射法，优选采用作为蚀刻离子种类使用了氩气（Ar^＋）的稀有气体离子溅射法，优选将其蚀刻速度（etching rate）设为0.05nm/sec（SiO₂热氧化膜换算值）。

另外，本实施方式中，从在整个膜面中形成均匀并且具有优异的气体屏蔽性的薄膜层H的观点考虑，优选薄膜层H在膜面方向（与薄膜层H的表面平行的方向）实质上一样。本说明书中，所谓薄膜层H在膜面方向实质上一样是指，在利用XPS深度剖析测定针对薄膜层H的膜面的任意的2处测定部位制成氧分布曲线、碳分布曲线及氧碳分布曲线的情况下，在该任意的2处测定部位得到的碳分布曲线所具有的极值的个数相同，各个碳分布曲线中的碳的原子比的最大值与最小值的差的绝对值彼此相同或者是5原子％以内的差。

此外，本实施方式中，优选碳分布曲线实质上是连续的。

本说明书中，所谓碳分布曲线实质上连续是指，不含有碳分布曲线中的碳的原子比不连续地变化的部分，具体来说，在根据蚀刻速度和蚀刻时间算出的薄膜层H的厚度方向的从该层的表面算起的距离（x、单位：nm）与碳的原子比（C、单位：原子％）的关系中，满足以下述数学式（F1）表示的条件：

｜dC/dx｜≤1···（F1）。

利用本实施方式的方法制造的气体屏蔽性层叠膜具备至少1层的满足所有上述条件（i）～（iii）的薄膜层H，然而也可以具备两层以上的满足此种条件的层。此外，在具备两层以上的此种薄膜层H的情况下，多个薄膜层H的材质既可以相同，也可以不同。另外，在具备两层以上的此种薄膜层H的情况下，此种薄膜层H既可以形成于基材的一个表面上，也可以形成于基材的两个表面上。另外，作为此种多个薄膜层H，也可以包括不一定具有气体屏蔽性的薄膜层H。

另外，在硅分布曲线、氧分布曲线及碳分布曲线中，在硅的原子比、氧的原子比及碳的原子比在该层的厚度的90％以上的区域中满足由式（1）表示的条件的情况下，薄膜层H中的相对于硅原子、氧原子及碳原子的合计量来说的硅原子的含量的原子比率优选为25原子％以上且45原子％以下，更优选为30原子％以上且40原子％以下。另外，薄膜层H中的相对于硅原子、氧原子及碳原子的合计量来说的氧原子的含量的原子比率优选为33原子％以上且67原子％以下，更优选为45原子％以上且67原子％以下。此外，薄膜层H中的相对于硅原子、氧原子及碳原子的合计量的碳原子的含量的原子比率优选为3原子％以上且33原子％以下，更优选为3原子％以上且25原子％以下。

此外，在硅分布曲线、氧分布曲线及碳分布曲线中，在硅的原子比、氧的原子比及碳的原子比在该层的厚度的90％以上的区域中满足由式（2）表示的条件的情况下，薄膜层H中的相对于硅原子、氧原子及碳原子的合计量来说的硅原子的含量的原子比率优选为25原子％以上且45原子％以下，更优选为30原子％以上且40原子％以下。另外，薄膜层H中的相对于硅原子、氧原子及碳原子的合计量来说的氧原子的含量的原子比率优选为1原子％以上且33原子％以下，更优选为10原子％以上且27原子％以下。此外，薄膜层H中的相对于硅原子、氧原子及碳原子的合计量来说的碳原子的含量的原子比率优选为33原子％以上且66原子％以下，更优选为40原子％以上且57原子％以下。

另外，薄膜层H的厚度优选为5nm以上且3000nm以下的范围，更优选为10nm以上且2000nm以下的范围，特别优选为100nm以上且1000nm以下的范围。如果薄膜层H的厚度不足下限，则氧气屏蔽性、水蒸气屏蔽性等气体屏蔽性就有劣化的趋势，另一方面，如果超过上限，就会因弯曲而有使气体屏蔽性容易降低的趋势。

另外，在本实施方式的气体屏蔽性层叠膜具备多个薄膜层H的情况下，这些薄膜层H的厚度的合计值通常为10nm以上且10000nm以下的范围，优选为10nm以上且5000nm以下的范围，更优选为100nm以上且3000nm以下的范围，特别优选为200nm以上且2000nm以下的范围。如果薄膜层H的厚度的合计值不足下限，则氧气屏蔽性、水蒸气屏蔽性等气体屏蔽性就有劣化的趋势，另一方面，如果超过上限，就会因弯曲而有容易使气体屏蔽性降低的趋势。

为了形成此种薄膜层H，作为成膜气体中所含的原料气体与反应气体的比率，优选与为了使原料气体与反应气体完全反应而在理论上必需的反应气体的量的比率相比，不使反应气体的比率过大。如果使反应气体的比率过大，则难以得到满足所有上述条件（i）～（iii）的薄膜层H。

以下，以作为成膜气体使用含有作为原料气体的六甲基二硅氧烷（HMDSO：（CH₃）₆Si₂O：）和作为反应气体的氧（O₂）的气体来制造硅－氧系薄膜层的情况为例，对成膜气体中的原料气体与反应气体的合适的比率等进行更详细的说明。

在利用等离子体CVD使含有作为原料气体的HMDSO和作为反应气体的氧的成膜气体反应而制作硅－氧系薄膜层的情况下，利用该成膜气体引起下述反应式（1）中记载的反应，制造二氧化硅。

[化1]

（ＣＨ₃）₆Ｓｉ₂Ｏ＋12Ｏ₂→6ＣＯ₂＋9Ｈ₂Ｏ＋2ＳｉＯ₂…（1）

该反应中，为将1摩尔HMDSO完全氧化而必需的氧量是12摩尔。为此，在成膜气体中，在相对于1摩尔HMDSO含有12摩尔以上的氧而使之完全反应的情况下，就会形成均匀的二氧化硅膜，因此无法形成满足所有上述条件（i）～（iii）的薄膜层H。由此，在形成本实施方式的薄膜层H时，为了不使上述（1）式的反应完全地进行，需要使氧量相对于1摩尔HMDSO来说小于作为为将1摩尔HMDSO完全氧化而必需的理论氧量的化学计量比的12摩尔。

而且，制造装置10的真空室内的反应中，由于将原料的HMDSO和反应气体的氧从气体供给部向成膜区域供给而成膜，因此即使反应气体的氧的摩尔量（流量）是原料的HMDSO的摩尔量（流量）的12倍的摩尔量（流量），在现实中也无法使反应完全进行，可以认为，使氧的含量与化学计量比相比大过量地供给才会使反应完全（例如，为了利用CVD使之完全氧化而得到氧化硅，也有将氧的摩尔量（流量）设为原料的HMDSO的摩尔量（流量）的20倍以上的程度的情况）。由此，相对于原料的HMDSO的摩尔量（流量）来说的氧的摩尔量（流量）优选为作为化学计量比的12倍量以下（更优选为10倍以下）的量。

通过以该比含有HMDSO及氧，就可以将没有完全地氧化的HMDSO中的碳原子、氢原子纳入薄膜层H中，可以形成满足所有上述条件（i）～（iii）的薄膜层H，可以使所得的气体屏蔽性层叠膜发挥优异的屏蔽性及耐弯曲性。

而且，如果成膜气体中的相对于HMDSO的摩尔量（流量）来说的氧的摩尔量（流量）过少，则会将未被氧化的碳原子、氢原子过多地纳入薄膜层H中，因此该情况下屏蔽膜的透明性就会降低。此种气体屏蔽性薄膜无法用于有机EL器件、有机薄膜太阳能电池等那样的必须要有透明性的器件用的柔性基板中。从此种观点考虑，成膜气体中的相对于HMDSO的摩尔量（流量）来说的氧的摩尔量（流量）的下限优选设为比HMDSO的摩尔量（流量）的0.1倍大的量，更优选设为比0.5倍大的量。

像这样，对于是否将有机硅化合物完全氧化，除了成膜气体中的原料气体与反应气体的混合比以外，还可以利用对成膜辊17、成膜辊18施加的外加电压来控制。

利用此种使用了放电等离子体的等离子体CVD法，可以对卷绕在成膜辊17、成膜辊18上的基材F的表面进行薄膜层的形成。

（薄膜层的构成例）

另外，在如上所述地形成的层叠膜中，也可以在所述薄膜层当中的至少1层中，使表示该层的厚度方向的从该层的表面算起的距离与电子束透过度的关系的电子束透过度曲线具有至少1个极值。在电子束透过度曲线具有至少1个极值的情况下，可以利用该薄膜层充分地实现高度的气体屏蔽性，并且即使弯曲薄膜也可以充分地抑制气体屏蔽性的降低。

作为此种薄膜层，由于可以获得更高的效果，因此更优选所述电子束透过度曲线具有至少两个极值，特别优选具有至少3个极值。另外，在像这样具有至少3个极值的情况下，优选所述电子束透过度曲线所具有的一个极值及与该极值相邻的极值的在所述薄膜层的厚度方向的从所述薄膜层的表面算起的距离的差的绝对值都为200nm以下，更优选为100nm以下。而且，本实施方式中所谓极值，是指对薄膜层的厚度方向的从薄膜层的表面算起的距离绘制电子束透过度的大小而得的曲线（电子束透过度曲线）的极大值或极小值。另外，对于本实施方式中电子束透过度曲线的极值（极大值或极小值）的有无，可以基于后述的极值的有无的判定方法来判断。

另外，本实施方式中所谓电子束透过度，表示的是在薄膜层内的规定的位置电子线透过形成薄膜层的材料的程度。作为此种电子束透过度的测定方法可以采用各种公知的方法，例如可以采用（i）使用了透射型电子显微镜的电子束透过度的测定方法、（ii）通过使用扫描型电子显微镜测定2次电子或反射电子而测定电子束透过度的方法。

以下，以使用透射型电子显微镜的情况为例，对电子束透过度的测定方法及电子束透过度曲线的测定方法进行说明。

在此种使用了透射型电子显微镜的情况下的电子束透过度的测定方法中，首先，制成将具备薄膜层的基材沿垂直于薄膜层的表面的方向切出而得的薄片状的试样。然后，使用透射型电子显微镜，得到所述试样的表面（垂直于所述薄膜层的表面的面）的透射型电子显微镜的图像。此后，通过像这样测定透射型电子显微镜的图像，就可以基于该图像上的各位置的对比度求出薄膜的各位置的电子束透过度。

这里，在针对将具备薄膜层的基材沿垂直于薄膜层的表面的方向切出而得的薄片状的试样使用透射型电子显微镜观察的情况下，透射型电子显微镜的图像的各位置的对比度表示出各位置的材料的电子束透过度的变化。为了使此种对比度与电子束透过度对应，优选确保适合于透射型电子显微镜的图像的对比度，优选恰当地选择试样的厚度（与所述薄膜层的表面平行的方向的厚度）、加速电压及物镜光圈的直径等观测条件等。

所述试样的厚度优选为10nm以上且300nm以下，更优选为20nm以上且200nm以下，进一步优选为50nm以上且200nm以下，特别优选为100nm。

所述加速电压优选为50kV以上且500kV以下，更优选为100kV以上且300kV以下，进一步优选为150kV以上且250kV以下，特别优选为200kV。

所述物镜光圈的直径优选为5μm以上且800μm以下，更优选为10μm以上且200μm以下，特别优选为160μm。

另外，作为此种透射型电子显微镜，优选使用对于透射型电子显微镜的图像具有足够的分辨率的显微镜。作为此种分辨率优选至少为10nm以下，更优选为5nm以下，特别优选为3nm以下。

另外，此种电子束透过度的测定方法中，为了基于图像上的各位置的对比度求出薄膜的各位置的电子束透过度，将透射型电子显微镜的图像（灰度图像）分割为一定的单位区域的重复排列，对各单位区域赋予与该单位区域所具有的深浅的程度对应的剖面灰度值（C）。此种图像处理通常可以利用使用了计算机的电子图像处理容易地进行。

此种图像处理中，首先，优选从所得的灰度图像中切出适于分析的任意的区域。

如此切出的灰度图像必须至少包含从薄膜层的一个表面到与之相面对的另一个表面的部分。另外，也可以包含与薄膜层相邻的层。作为像这样与薄膜层相邻的层，例如可以举出基材、为了实施获得灰度图像的观察而必需的保护层。

另外，如此切出的灰度图像的端面（基准面）必须是与薄膜层的表面平行的面。另外，如此切出的灰度图像优选为至少由相对于与薄膜层的表面垂直的方向（厚度方向）来说垂直地相互面对的两个边包围的梯形或平行四边形形状，更优选为由此种两个边和垂直于它们的（与厚度方向平行的）两个边构成的正方形。

将如此切出的灰度图像分割为一定的单位区域的重复排列，而作为该分割方法，例如可以采用以格子状的划分来分割的方法。此种情况下，利用格子状的划分分割出的各单位区域分别构成一个像素。为了减小误差，此种灰度图像的像素越小越好，然而像素越小则分析所需的时间就越有增大的趋势。所以，此种灰度图像的像素的一边的长度换算为试样的实际尺寸，优选为10nm以下，更优选为5nm以下，特别优选为3nm以下。

像这样赋予的剖面灰度值（C）是将各区域的深浅的程度转换为数值信息的值。对于转换为该剖面灰度值（C）的方法没有特别限定，然而例如可以通过将最深的单位区域设为0，将最浅的单位区域设为255，与各单位区域的深浅的程度对应地赋予0～255之间的整数来进行设定（256灰度设定）。但是，该数值优选以使电子束透过度高的部分的数值变大的方式来确定数值。

此后，根据该剖面灰度值（C），利用以下的方法可以算出薄膜层的厚度方向的从基准面算起的距离（z）处的厚度方向灰度值（CZ）。即，算出薄膜层的厚度方向的从基准面算起的距离（z）为规定的值的单位区域的剖面灰度值（C）的平均值，求出厚度方向灰度值（CZ）。

而且，这里所说的剖面灰度值（C）的平均值优选为从基准面算起的距离（z）为规定的值（相同的值）的任意的100点以上的单位区域的剖面灰度值（C）的平均值。另外，在像这样求出厚度方向灰度值（CZ）的情况下，优选适当地实施用于除去噪声的噪声除去处理。

作为噪声除去处理，可以采用移动平均法、内插法等。作为移动平均法，可以举出单纯移动平均法、加权移动平均法、指数平滑移动平均法等，然而更优选采用单纯移动平均法。另外，在使用单纯移动平均法的情况下，优选以比薄膜层的厚度方向的结构的典型的大小足够小并且所得的数据足够平滑的方式，适当地选择取平均的范围。另外，作为内插法，可以举出样条内插法、拉格朗日内插法、线性内插法等，然而更优选采用样条内插法、拉格朗日内插法。

利用上述噪声除去操作，在薄膜层的两个界面附近产生厚度方向灰度值（CZ）的相对于厚度方向的位置的变化平缓的区域（将其称作过渡区域）。从使得后述的电子束透过度曲线的极值的有无判定的基准明确的观点考虑，最好将该过渡区域从薄膜层的电子束透过度曲线的极值的判定区域中除去。

而且，作为产生此种过渡区域的要因，认为是薄膜界面的非平面性、前述的噪声除去操作等。由此，所述过渡区域可以通过采用以下的方法而从电子束透过度曲线的判定区域中除去。

即，首先，在基于所述灰度图像求出的、在薄膜层的两个界面附近将斜率的绝对值｜dCZ/dz｜达到最大的薄膜层的厚度方向的从基准面算起的距离（z）的位置设定为假界面位置。

然后，从假界面位置的外侧朝向内侧（薄膜层侧）地依次确认所述斜率（dCZ/dz）的绝对值，将该绝对值为0.1nm^－1（256灰度设定的情况下）的位置的薄膜层的厚度方向的从基准面算起的距离（z）（在考虑纵轴为dCZ/dz的绝对值并且横轴为从所述电子枪面算起的距离（z）的曲线图的情况下，从假界面位置的外侧的距离（z）朝向内侧（薄膜层侧）地顺着该曲线图，所述dCZ/dz的绝对值首次低于0.1nm^－1的部位的距离（z））的位置设定为薄膜的界面。

此后，通过将所述界面的外侧的区域从薄膜层的电子束透过度曲线的判定区域中除去，就可以将所述过渡区域从判定区域中除去。另外，在像这样求出厚度方向灰度值（CZ）的情况下，优选以使相当于薄膜层的范围的厚度方向灰度值（CZ）的平均值为1的方式进行标准化。

如此算出的厚度方向灰度值（CZ）与电子束透过度（T）呈比例关系。由此，通过相对于薄膜层的厚度方向的从基准面算起的距离（z）显示出厚度方向灰度值（CZ），就可以制成电子束透过度曲线。即，通过相对于薄膜层的厚度方向的从基准面算起的距离（z）绘制厚度方向灰度值（CZ），就可以求出电子束透过度曲线。另外，通过算出将厚度方向灰度值（CZ）用薄膜层的厚度方向的从基准面算起的距离（z）微分而得的斜率（dCZ/dz），还可知电子束透过度（T）的斜率（dT/dz）的变化。

另外，在如此求出的电子束透过度曲线中，可以如下所示地判定极值的有无。即，在电子束透过度曲线具有极值（极大值或极小值）的情况下，厚度方向的灰度系数的斜率（dCZ/dz）的最大值为正的值，并且其最小值为负的值，两者的差的绝对值变大，而在没有极值的情况下，斜率（dCZ/dz）的最大值及最小值双方都为正或负的值，两者的差的绝对值变小。由此，在判定极值的有无时，通过判定斜率（dCZ/dz）的最大值及最小值是否双方都为正的值或双方都为负的值这一点，就可以判断是否具有极值，并且还可以基于斜率（dCZ/dz）的最大值（dCZ/dz）MAX及最小值（dCZ/dz）MIN的差的绝对值的大小，来判断电子束透过度曲线是否具有极值。

而且，所述厚度方向灰度值（CZ）在没有极值的情况下应当总是显示出作为被标准化了的平均值的1，然而实际上信号经常包含轻微的噪声，接近被标准化了的平均值1的值因噪声在电子束透过度曲线中产生变动。由此，在判断在电子束透过度曲线中是否有极值时，在仅基于电子束透过度曲线的斜率的最大值及最小值是否是正或负的值的观点或电子束透过度曲线的斜率的最大值与最小值的差的绝对值的观点判断极值的情况下，会有因噪声而判断为在电子束透过度曲线中有极值的情况。

所以，在判定所述极值的有无时，利用如下所示的基准来区别由噪声造成的变动和极值。即，在将厚度方向灰度值（CZ）的斜率（dCZ/dz）跨越零而符号反转的点设为假极值点时，在该假极值点处的厚度方向灰度值（CZ）与相邻的假极值点处的厚度方向灰度值（CZ）的差的绝对值（在有两个相邻的假极值点的情况下选择差的绝对值大的一方）为0.03以上的情况下，可以判断为该假极值点是具有极值的点。换言之，在该假极值点处的厚度方向灰度值（CZ）与相邻的假极值点处的厚度方向灰度值（CZ）的差的绝对值（在有两个相邻的假极值点的情况下，选择差的绝对值大的一方）小于0.03的情况下，可以判断为该假极值点是噪声。

而且，在该假极值点只有1点的情况下，可以采用如下的方法，即，在厚度方向灰度值（CZ）与该被标准化了的平均值1的差的绝对值大到0.03以上的情况下，判断为并非噪声，而是极值。另外，这样的“0.03”的数值是将利用上述的256灰度设定求出的厚度方向灰度值（CZ）的平均值设为1而将厚度方向灰度值（CZ）的数值的大小标准化时求出的数值（而且，标准化时利用256灰度设定求出的厚度方向灰度值的数值“0”仍然设为“0”。）。

成为本实施方式的对象的层叠膜也可以设为至少1层的薄膜层在电子束透过度曲线中具有至少1个极值。此种在电子束透过度曲线中具有至少1个极值的薄膜层可以说是在厚度方向组成出现变动的层。这样，利用具备此种薄膜层的层叠膜，可以充分地实现高度的气体屏蔽性，并且即使使薄膜弯曲也可以充分地抑制气体屏蔽性的降低。

另外，所述电子束透过度曲线优选实质上连续。本说明书中，所谓电子束透过度曲线实质上连续，是指不包含电子束透过度曲线中的电子束透过度不连续地变化的部分，具体来说，是指所述厚度方向灰度值（CZ）的斜率（dCZ/dz）的绝对值为规定的值以下，优选为5.0×10^－2/nm以下。

另外，本实施方式中，从在整个膜面中形成均匀并且具有优异的气体屏蔽性的薄膜层的观点考虑，优选所述薄膜层在膜面方向（与薄膜层的表面平行的方向）实质上一样。本说明书中，所谓薄膜层在膜面方向实质上一样，是指在薄膜层的膜面的任意的部位测定电子束透过度而制成电子束透过度曲线的情况下所得的电子束透过度曲线所具有极值的个数都相同。而且，在从薄膜层的膜面中切出任意的2点的测定用的所述试样，制成各试样的电子束透过度曲线的情况下，在所有所述试样中电子束透过度曲线所具有的极值的个数都相同时，可以将该薄膜层视为实质上一样。

本实施方式的层叠膜例如可以如上所述地制造。

对于如此制造的层叠膜，进行薄膜层H的²⁹Si固体NMR测定，Q¹、Q²、Q³的峰面积相加而得的值相对于Q⁴的峰面积的比满足上述条件式（I）的层叠膜具有高的气体屏蔽性。

作为评价本发明的层叠膜的气体屏蔽性的指标之一，如上所述，有水蒸气透过度，而本发明的层叠膜的水蒸气透过度例如可以利用实施例中记载的测定方法来测定。作为本发明的层叠膜所具有的水蒸气透过度，例如在温度40℃、低湿度侧的湿度0％RH、高湿度侧的湿度90％RH的条件下，优选为10^－5g/（m²·day）以下，更优选为10^－6g/（m²·day）以下。

例如，像上述的制造方法所示那样，制造对长条状的基材F形成薄膜层H而成的层叠膜的情况下，每隔长度方向的一定间隔制成试验片作为代表性样品，通过测定该试验片的固体NMR，可以确认层叠膜满足上述条件式（I）。

根据如上所述的构成的层叠膜，可以制成具有高的气体屏蔽性的材料。

图6是表示作为本实施方式的电子器件的有机电致发光（有机EL）装置的构成例的侧剖面图。

本实施方式的有机EL装置可以适用于利用光的各种电子设备中。本实施方式的有机EL装置既可以是例如便携式设备等的显示部的一部分，也可以是例如打印机等的图像形成装置的一部分。本实施方式的有机EL装置既可以是例如液晶显示面板等的光源（背光灯），也可以是例如照明设备的光源。

图6中所示的有机EL装置50具备一对电极（第一电极52及第二电极53）、发光层54、层叠膜（第一基板）55、层叠膜（第二基板）56及密封材料65。在层叠膜55、56中，使用上述的本发明的层叠膜，层叠膜55具备基材57及屏蔽膜58，层叠膜56具备基材59及屏蔽膜60。

发光层54配置于第一电极52与第二电极53之间，第一电极52、第二电极53、发光层54形成有机EL元件（功能性元件）。层叠膜55相对于第一电极52配置于发光层54的相反一侧。层叠膜56相对于第二电极53配置于发光层54的相反一侧。此外，层叠膜55和层叠膜56被环绕有机EL元件的周围地配置的密封材料65贴合，形成将有机EL元件密封在内部的密封结构。

有机EL装置50中，当向第一电极52与第二电极53之间提供功率时，就会向发光层54提供载流子（电子及空穴），在发光层54中产生光。向有机EL装置50的功率的供给源既可以搭载于与有机EL装置50相同的装置中，也可以设于该装置的外部。从发光层54中发出的光可以根据包含有机EL装置50的装置的用途等，用于图像的显示或形成、照明等中。

本实施方式的有机EL装置50中，作为第一电极52、第二电极53、发光层54的形成材料（有机EL元件的形成材料），可以使用通常所知的材料。一般来说，已知有机EL装置的形成材料容易因水分、氧而劣化，而在本实施方式的有机EL装置50中，以由气体屏蔽性高的本发明的层叠膜55、56和密封材料65包围的密封结构将有机EL元件密封。由此，可以形成性能的劣化少而可靠性高的有机EL装置50。

图7是作为本实施方式的电子器件的液晶显示装置的侧剖面图。

图中所示的液晶显示装置100具备第一基板102、第二基板103、以及液晶层104。第一基板102被与第二基板103相面对地配置。液晶层104配置于第一基板102与第二基板103之间。液晶显示装置100例如可以通过将第一基板102和第二基板103使用密封材料130贴合，并且向由第一基板102、第二基板103和密封材料130包围的空间中封入液晶层104来制造。

液晶显示装置100具有多个像素。多个像素以矩阵状排列。本实施方式的液晶显示装置100可以显示全彩色的图像。液晶显示装置100的各像素包括子像素Pr、子像素Pg、以及子像素Pb。子像素之间成为遮光区域BM。3种子像素向图像的显示侧射出与图像信号对应的灰度彼此不同的色光。本实施方式中，从子像素Pr中射出红色光，从子像素Pg中射出绿色光，从子像素Pb中射出蓝色光。因从3种子像素中射出的3色的色光混合而被看到，而显示出全彩色的1个像素。

第一基板102具备层叠膜（第一基板）105、元件层106、多个像素电极107、取向膜108、以及偏振片109。像素电极107与后述的共用电极114形成一对电极。层叠膜105具备基材110及屏蔽膜111。基材110为薄板状或薄膜状。屏蔽膜111形成于基材110的一面。元件层106层叠形成于形成有屏蔽膜111的基材110上。在元件层106上，对于液晶显示装置100的每个子像素独立地设置多个像素电极107。取向膜108遍布所有多个子像素，在像素电极107上设于其间。

第二基板103具备层叠膜（第二基板）112、滤色片113、共用电极114、取向膜115、以及偏振片116。层叠膜112具备基材117及屏蔽膜118。基材117为薄板状或薄膜状。屏蔽膜118形成于基材117的一面。滤色片113层叠形成于形成有屏蔽膜111的基材110上。共用电极114设于滤色片113上。取向膜115设于共用电极114上。

第一基板102和第二基板103被以将像素电极107与共用电极114相面对地对置配置而夹着液晶层104的状态相互贴合。像素电极107、共用电极114、液晶层104形成液晶显示元件（功能性元件）。此外，层叠膜105和层叠膜112与环绕液晶显示元件的周围地配置的密封材料130一起，形成将液晶显示元件密封在内部的密封结构。

此种液晶显示装置100中，由于气体屏蔽性高的本发明的层叠膜105和层叠膜112形成将液晶显示元件密封在内部的密封结构的一部分，因此液晶显示元件因空气中的氧、水分而劣化、性能降低的可能性小，可以形成可靠性高的液晶显示装置100。

图8是作为本实施方式的电子器件的光电转换装置的侧剖面图。本实施方式的光电转换装置可以用于像光检测传感器、太阳能电池等那样将光能转变为电能的各种器件等中。

图中所示的光电转换装置400具备一对电极（第一电极402及第二电极403）、光电转换层404、层叠膜（第一基板）405、以及层叠膜（第二基板）406。层叠膜405具备基材407及屏蔽膜408。层叠膜406具备基材409及屏蔽膜410。光电转换层404配置于第一电极402与第二电极403之间，第一电极402、第二电极403、光电转换层404形成光电转换元件（功能性元件）。

层叠膜405相对于第一电极402配置于光电转换层404的相反一侧。层叠膜406相对于第二电极403配置于光电转换层404的相反一侧。此外，层叠膜405和层叠膜406被环绕光电转换元件的周围地配置的密封材料420贴合，形成将光电转换元件密封在内部的密封结构。

光电转换装置400的第一电极402为透明电极，第二电极403为反射电极。本例的光电转换装置400中，穿过第一电极402射入光电转换层404的光的光能由光电转换层404转变为电能。该电能被经由第一电极402及第二电极403向光电转换装置400的外部取出。对于配置在从光电转换装置400的外部射入光电转换层404的光的光路中的各构成要素，以使至少相当于光路的部分具有透光性的方式，适当地选择材质等。对于配置在来自光电转换层404的光的光路以外的构成要素，既可以是透光性的材质，也可以是遮挡该光的一部分或全部的材质。

本实施方式的光电转换装置400中，作为第一电极402、第二电极403、光电转换层404，可以使用通常所知的材料。本实施方式的光电转换装置400中，利用由气体屏蔽性高的本发明的层叠膜405、406和密封材料420包围的密封结构将光电转换元件密封。由此，光电转换层、电极因空气中的氧、水分而劣化、性能降低的可能性小，可以形成可靠性高的光电转换装置400。

以上，在参照附图的同时对本发明的优选的实施方式例进行了说明，然而本发明当然并不限定于上述例子。上述的例子中所示的各构成构件的各种形状、组合等只是一例，可以在不脱离本发明的主旨的范围中基于设计要求等进行各种变型。

实施例

以下，基于实施例及比较例对本发明进行更具体的说明，然而本发明并不限定于以下的实施例。而且，层叠膜的水蒸气透过度及层叠膜的屏蔽膜的²⁹Si固体NMR的谱图利用以下的方法测定。

（i）层叠膜的水蒸气透过度测定

在温度40℃、低湿度侧的湿度0％RH、高湿度侧的湿度90％RH的条件下，使用水蒸气透过度测定机（GTR Tech公司制、机型名“GTR－3000”），依照JIS K7129：2008“塑料‐薄膜及薄片‐水蒸气透过度的求法（机器测定法）”附录C“基于气相色谱法的水蒸气透过度的求法”，测定出层叠膜的水蒸气透过度。

（ii）²⁹Si固体NMR谱图的测定

使用²⁹Si－NMR（BRUKER制AVANCE300）测定出²⁹Si固体NMR谱图。详细的测定条件如下所示（累积次数：49152次、弛豫时间：5秒、共振频率：59.5815676MHz、MAS转速：3kHz、CP法）。

²⁹Si固体NMR的峰面积如下所示地算出。已事先知道，在本实施例中成为测定对象的薄膜层中，含有Q³或Q⁴的硅原子的某种，不含有Q¹或Q²的硅原子。

首先，对利用²⁹Si固体NMR测定所得的谱图进行平滑处理。以下的说明中，将平滑后的谱图称作“测定谱图”。

然后，将测定谱图分离为Q³及Q⁴的峰。即，假定Q³的峰及Q⁴的峰显示出以各自固有的化学位移（Q³：－102ppm、Q⁴：－112ppm）为中心的高斯分布（正态分布）曲线，以使包括Q³与Q⁴的模型谱图与测定谱图的平滑后的谱图一致的方式，将各峰的高度及半峰宽等参数最佳化。

在参数的最佳化中使用迭代法，以使模型谱图与测定谱图的偏差的平方之和收敛为极小值的方式进行计算。

然后，积分求出由如此求出的Q³、Q⁴的峰和基线包围的部分的面积，作为Q³、Q⁴的峰面积算出。继而，使用算出的峰面积，求出（Q³的峰面积）/（Q⁴的峰面积），进行（Q³的峰面积）/（Q⁴的峰面积）的值与气体屏蔽性的关系的确认。

（实施例1）

使用前述的图2中所示的制造装置制造出层叠膜。

即，将双轴拉伸聚萘二甲酸乙二醇酯薄膜（PEN膜、厚度：100μm、宽度：700mm、帝人杜邦薄膜（株）制、商品名“Teonex Q65FA”）作为基材（基材F）使用，将其安装在送出辊11上。此后，在成膜辊17与成膜辊18之间的空间中形成无终端的隧道状的磁场，并且向成膜辊17和成膜辊18分别提供功率，在成膜辊17与成膜辊18之间放电而产生等离子体，向此种放电区域供给成膜气体（作为原料气体的六甲基二硅氧烷（HMDSO）和作为反应气体的氧气（也作为放电气体发挥作用）的混合气体），在下述条件下进行借助等离子体CVD法的薄膜形成。通过将该工序进行3次，而得到实施例1的层叠膜。

〈成膜条件〉

成膜气体的混合比（六甲基二硅氧烷/氧）：100/1000［单位：sccm（Standard Cubic Centimeter per Minute）］

真空室内的真空度：3Pa

来自等离子体发生用电源的外加功率：1.6kW

等离子体发生用电源的频率：70kHz

薄膜的搬送速度：0.5m/min

为了使来自基材薄膜的排出气体足够少，在成膜之日的前一天将基材薄膜安装在制造装置的送出辊上后，在设为真空的状态下放置一夜，使基材薄膜充分地干燥。成膜前的真空度为5×10^－4Pa以下。利用成膜得到的层叠膜的屏蔽膜的厚度为1.02μm，在温度40℃、低湿度侧的湿度0％RH、高湿度侧的湿度90％RH的条件下的水蒸气透过度为2×10^－5g/（m²·day）。

另外，为了算出屏蔽膜的Q³/Q⁴的比，使用²⁹Si固体NMR测定出谱图。样品是将带有屏蔽膜的基材用剪子剪碎而得。将所得的谱图表示于图3中。另外，将用Q⁴的峰面积进行了标准化的峰面积表示于表1中。

[表1]

化学位移（ppm）	归属	积分比
			-102.0	Q3	0.51
-112.0	Q4	1.00

如表1所示，在所得的谱图中，算出Q³及Q⁴的面积比，求出Q³/Q⁴的比，其结果是，Q³/Q⁴＝0.51。

（比较例1）

在成膜之日的当天将基材薄膜安装在制造装置的送出辊上后，在设为真空的状态下放置1小时后成膜。成膜前的真空度为3×10^－3Pa左右，是排出气体从基材中持续排出的状态。除了成膜前的制造装置内的真空度不同以外，利用与实施例1相同的方法制造出层叠膜。

所得的层叠膜的屏蔽膜的厚度为1.09μm，在温度40℃、低湿度侧的湿度0％RH、高湿度侧的湿度90％RH的条件下的水蒸气透过度为2×10^－3g/（m²·day）。

另外，为了算出屏蔽膜的Q³/Q⁴的比，使用²⁹Si固体NMR测定出谱图。样品是将带有屏蔽膜的基材用剪刀剪碎而得。将所得的谱图表示于图4中。另外，将用Q⁴的峰面积进行了标准化的峰面积表示于表2中。

[表2]

化学位移（ppm）	归属	积分比
			-102.0	Q3	1.10
-112.0	Q4	1.00

如表2所示，在所得的谱图中，算出Q³及Q⁴的面积比，求出Q³/Q⁴的比，其结果是，Q³/Q⁴＝1.10。

（比较例2）

将双轴拉伸聚萘二甲酸乙二醇酯薄膜（PEN膜、厚度：100μm、宽度：350mm、帝人杜邦薄膜（株）制、商品名“Teonex Q65FA”）作为基材（基材F）使用，在下述条件下进行借助等离子体CVD法的薄膜形成，除此以外，与实施例1相同地得到比较例2的层叠膜。

〈成膜条件〉

成膜气体的混合比（六甲基二硅氧烷/氧）：50/500［单位：sccm（Standard Cubic Centimeter per Minute）］

真空室内的真空度：3Pa

来自等离子体发生用电源的外加功率：0.8kW

等离子体发生用电源的频率：70kHz

薄膜的搬送速度：0.5m/min

将基材薄膜安装在制造装置的送出辊上后，没有耗费充分的与比较例1同样地设置为真空所要干燥的时间，制造出层叠膜。所得的层叠膜的屏蔽膜的厚度为1.23μm，在温度40℃、低湿度侧的湿度0％RH、高湿度侧的湿度90％RH的条件下的水蒸气透过度为1.4×10^－3g/（m²·day）。

另外，为了研究屏蔽膜的Q³/Q⁴的比，使用固体²⁹Si－NMR测定出谱图。样品是将带有屏蔽膜的基材用剪刀剪碎而得。将所得的谱图表示于图5中。另外，将用Q⁴的峰面积进行了标准化的峰面积表示于表3中。

[表3]

化学位移（ppm）	归属	积分比
			-102.0	Q3	5.0
-112.0	Q4	1.0

如表3所示，在所得的谱图中，算出Q³及Q⁴的面积比，求出Q³/Q⁴的比，其结果是，Q³/Q⁴＝5.0。

以上的测定的结果是，Q³/Q⁴小于1的实施例1的样品由于水蒸气透过度相对较小，因此可以评价为显示出高的气体屏蔽性，Q³/Q⁴为1以上的样品（比较例1、2）由于水蒸气透过度相对较大，因此可以评价为显示出低的气体屏蔽性。

根据这些结果，可以确认本发明的有用性。

产业上的可利用性

本发明的层叠膜具有高的气体屏蔽性，例如可以适用于电子器件等中。

符号说明

10…制造装置，13～16…搬送辊，17…第一成膜辊，18…第二成膜辊，50…有机EL装置（电子器件），100…液晶显示装置（电子器件），400…光电转换装置（电子器件），55、105、405…层叠膜（第一基板），56、106、406…层叠膜（第二基板），F…薄膜（基材），SP…空间（成膜空间）

Claims (16)

1.一种层叠膜，其具备基材和形成于所述基材的至少一个表面上的至少1层的薄膜层，

所述薄膜层中的至少1层含有硅、氧及氢，

基于所述薄膜层的在²⁹Si固体NMR测定中求出的、与氧原子的键合状态不同的硅原子的存在比，Q¹、Q²、Q³的峰面积相加而得的值相对于Q⁴的峰面积的比满足下述条件式（I）：

Q¹、Q²、Q³的峰面积相加而得的值/Q⁴的峰面积＜1.0…（I）

Q¹表示与1个中性氧原子及3个羟基键合的硅原子，Q²表示与两个中性氧原子及两个羟基键合的硅原子，Q³表示与3个中性氧原子及1个羟基键合的硅原子，Q⁴表示与4个中性氧原子键合的硅原子。

2.根据权利要求1所述的层叠膜，其中，

所述薄膜层还含有碳。

3.根据权利要求1或2所述的层叠膜，其中，

所述薄膜层是利用等离子体化学气相沉积法形成的层。

4.根据权利要求3所述的层叠膜，其中，

所述等离子体化学气相沉积法中所用的成膜气体含有有机硅化合物和氧。

5.根据权利要求4所述的层叠膜，其中，

所述薄膜层是在将所述成膜气体中的所述氧的含量设为将所述成膜气体中的所述有机硅化合物的全部量完全氧化所必需的理论氧量以下的条件下成膜的层。

6.根据权利要求3～5中任一项所述的层叠膜，其中，

所述薄膜层是使用作为所述薄膜层的形成材料的成膜气体的放电等离子体形成的层，所述放电等离子体是通过对第一成膜辊与第二成膜辊之间施加交流电压而在所述第一成膜辊与所述第二成膜辊之间的空间中产生的，所述第一成膜辊是卷绕所述基材的辊，所述第二成膜辊与所述第一成膜辊相面对，相对于所述第一成膜辊在所述基材的搬送路径的下游卷绕所述基材。

7.根据权利要求6所述的层叠膜，其中，

所述薄膜层是如下形成的层，即，通过在所述第一成膜辊与所述第二成膜辊相面对的空间中，形成无终端的隧道状的磁场，以沿着所述隧道状的磁场形成的第一放电等离子体与形成于所述隧道状的磁场的周围的第二放电等离子体重叠的方式搬送所述基材而形成。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的层叠膜，其中，

所述基材呈带状，

所述薄膜层是在将所述基材沿长度方向搬送的同时在所述基材的表面连续地形成的层。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的层叠膜，其中，

所述基材使用了选自聚酯系树脂及聚烯烃系树脂中的至少一种树脂。

10.根据权利要求9所述的层叠膜，其中，

所述聚酯系树脂是聚对苯二甲酸乙二醇酯或聚萘二甲酸乙二醇酯。

11.根据权利要求1～10中任一项所述的层叠膜，其中，

所述薄膜层的厚度为5nm以上且3000nm以下。

12.根据权利要求1～11中任一项所述的层叠膜，其中，

在硅分布曲线、氧分布曲线及碳分布曲线中，满足所有下述条件（i）～（iii），所述硅分布曲线、氧分布曲线及碳分布曲线分别表示所述薄膜层的厚度方向的从该层的表面算起的距离、与相对于硅原子、氧原子及碳原子的合计量而言的硅原子的量的比率即硅的原子比、氧原子的量的比率即氧的原子比、及碳原子的量的比率即碳的原子比之间的关系，

（i）硅的原子比、氧的原子比及碳的原子比在该层的厚度的90％以上的区域中满足由下述式（1）：

氧的原子比＞硅的原子比＞碳的原子比···（1）

表示的条件，或者硅的原子比、氧的原子比及碳的原子比在该层的厚度的90％以上的区域中满足由下述式（2）：

碳的原子比＞硅的原子比＞氧的原子比···（2）

表示的条件；

（ii）所述碳分布曲线具有至少1个极值；

（iii）所述碳分布曲线中的碳的原子比的最大值与最小值的差的绝对值为5原子％以上。

13.一种电子器件，其具有：

设于第一基板上的功能性元件、以及

与所述第一基板的形成有所述功能性元件的面相面对的第二基板，

所述第一基板和所述第二基板形成将所述功能性元件密封在内部的密封结构的至少一部分，

所述第一基板及所述第二基板的至少一者是权利要求1～12中任一项所述的层叠膜。

14.根据权利要求13所述的电子器件，其中，

所述功能性元件构成有机电致发光元件。

15.根据权利要求13所述的电子器件，其中，

所述功能性元件构成液晶显示元件。

16.根据权利要求13所述的电子器件，其中，

所述功能性元件构成接收光而发电的光电转换元件。

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