CN103592032A - 一种非制冷红外成像焦平面阵列探测器 - Google Patents
一种非制冷红外成像焦平面阵列探测器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103592032A CN103592032A CN201210289554.9A CN201210289554A CN103592032A CN 103592032 A CN103592032 A CN 103592032A CN 201210289554 A CN201210289554 A CN 201210289554A CN 103592032 A CN103592032 A CN 103592032A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- focal plane
- plane array
- array detector
- infrared imaging
- imaging focal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000003331 infrared imaging Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 50
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 30
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 29
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 28
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 19
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 12
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims description 11
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 11
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 abstract 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 9
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000005057 refrigeration Methods 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005676 thermoelectric effect Effects 0.000 description 2
- 206010003084 Areflexia Diseases 0.000 description 1
- 206010037660 Pyrexia Diseases 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 210000003128 head Anatomy 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000008520 organization Effects 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
本发明实施例提供一种非制冷红外成像焦平面阵列探测器，包括透明衬底（1）以及以非嵌套的方式平铺在所述透明衬底（1）上的多个单层可动微梁单元（2）；所述透明衬底（1）对与所述非制冷红外成像焦平面阵列探测器相配套的读出光路的光线透明。本发明实施例提供的非制冷红外成像焦平面阵列探测器，对目标物体进行检测时，由于衬底透明，避免了硅衬底对于来自目标物体的红外光的遮挡和反射引起的能量损失，可有效提高检测灵敏度；同时，因为衬底透明，也无需对衬底进行镂空，避免了制作全镂空结构所需的长时间体硅腐蚀工艺，简化制作流程，提高产品成品率。
Description
技术领域
本发明涉及红外成像技术领域，尤其涉及一种非制冷红外成像焦平面阵列探测器。
背景技术
众所周知，一切温度高于绝对零度的物体均可产生红外辐射，且该红外辐射的强度及能量分布与物体温度有关，载有物体的特征信息。通过检测物体的红外辐射，可将人类不可见的红外图景转化为可见的图像。
常见的红外探测装置可分为量子型（制冷）红外探测器和热型（非制冷）红外探测器两种。其中量子型红外探测器将红外辐射的光子能量直接转化为电子能量；热型红外探测器则是通过检测目标物体的红外辐射引起的探测器温度变化来捕捉红外信息。
由于红外光光子的受激电子能量与室温下的电子热运动能量相当，因此量子型的红外探测器需要在液氮（温度77K）制冷以抑制电子热运动，这导致量子型红外探测器价格昂贵。
热型红外探测器无需液氮制冷，大大减少了制作成本，使红外技术大面积应用成为可能。但是，常见的基于热电效应工作的探测器的其他情况，如由于输入电流会在探测器单元上产生附加热量，所以这种探测器很难准确检测到入射的红外辐射；由于金属导线的存在使该探测器单元之间热隔离困难，限制了探测器的温升性能；此外，所述热型红外探测器的热电效应都很微弱，这些情况要求与所述热型红外探测器配合的读出电路具有极高的信噪比和增益，这不仅增加了设计难度，而且提高了器件成本。
应用光-机械原理的光读出非制冷红外焦平面阵列探测器，大多采用双材料悬臂梁阵列结构，所述非制冷红外焦平面阵列探测器的检测单元吸收入射红外光后温度升高，并发生热致形变，再由光学读出***非接触检测形变，便得到了目标的红外信息。光读出非制冷红外焦平面阵列探测器无需互联导线，探测器单元间热隔离更加容易，也省去了读出电路的设计和制作，大大降低了开发成本。
目前采用的光读出非制冷焦平面阵列通常在硅衬底上制作，其结构包括带有牺牲层的多层双材料悬臂梁热隔离结构和镂空单层双材料悬臂梁热隔离结构。前者需要保留硅衬底，于是当红外线经过硅衬底时，会因反射现象损失40%的红外光，这将降低探测器的灵敏度；后者虽无硅衬底反射，红外辐射的利用率很高，然而这种结构需要长时间背腔腐蚀工艺和可靠的应力控制技术来制作平整薄膜上全镂空结构阵列，对制作工艺有很高的要求，同时这种结构的图形利用率低，难以进一步降低像素面积并提高分辨率。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种非制冷红外成像焦平面阵列探测器，降低工艺复杂度，提高探测器的灵敏度。
一种非制冷红外成像焦平面阵列探测器，包括透明衬底（1）以及以非嵌套的方式平铺在所述透明衬底（1）上的多个单层可动微梁单元（2）；所述透明衬底（1）对与所述非制冷红外成像焦平面阵列探测器相配套的读出光路的光线透明。
优选地，所述单层可动微梁单元（2）包括支撑结构（201）、热形变结构（202）和红外吸收及可见光反射复合结构（203），所述热形变结构（202）有两组，分别位于所述红外吸收及可见光反射复合结构（203）的两侧，所述热形变结构（202）一端与同一平面内的所述红外吸收及可见光复合结构（203）相连接，另一端与所述支撑结构（201）相连接。
优选地，所述单层可动微梁单元（2）通过所述支撑结构（201）与所述透明衬底（1）锚接。
优选地，所述热形变结构（202），包括热隔离梁（204）和热形变梁（205），所述热隔离梁（204）和所述热形变梁（205）在同一平面内多次间隔回折连接。
优选地，所述热形变梁（205）为双材料复合梁，构成所述热形变梁（205）的两种材料的热膨胀系数不同。
优选地，构成所述热形变梁（205）的两种材料中热膨胀系数高的材料所在一侧朝向所述透明衬底(1)。
优选地，所述红外吸收及可见光复合结构（203）为一板状双材料结构。
优选地，所述红外吸收及可见光复合结构（203）朝向所述透明衬底（1）一侧为金属层，另一侧为介质层;所述金属层下表面与所述介质层上表面直接接触。
本发明实施例提供的非制冷红外成像焦平面阵列探测器，采用红外吸收及可见光复合结构（203）的金属层朝向透明衬底的设计结构，对目标物体进行检测时，来自目标物体的红外光直接照射在非制冷红外焦平面阵列探测器的红外吸收及可见光复合结构（203）的介质层上，避免了硅衬底对于来自目标物体的红外光的遮挡和反射引起的能量损失，可有效提高检测灵敏度；同时，因为衬底透明，也无需对衬底进行镂空，避免了制作全镂空结构所需的长时间体硅腐蚀工艺，简化制作流程，提高产品成品率。
附图说明
图1为本发明一实施例提供的一种非制冷红外成像焦平面阵列探测器结构示意图；
图2为本发明一实施例提供的一种非制冷红外成像焦平面阵列探测器的探测单元结构示意图；
图3为本发明一实施例提供的一种非制冷红外成像焦平面阵列探测器的单层可动微梁单元结构示意图；
图4为本发明一实施例提供的非制冷红外成像焦平面阵列探测器的热形变结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
本发明实施例提供的非制冷红外成像焦平面阵列探测器如图1所示，由多个单层微梁单元（2）以非嵌套的方式在透明衬底（1）上平铺构成，各单层微梁单元（2）的检测结果即构成了目标物体的红外图景。
所述透明衬底（1）对可见光透明，尤其是对与所述非制冷红外成像焦平面阵列探测器相配套的读出光路的光线透明。在一些实施例中，所述明衬底（1）可为玻璃衬底或蓝宝石衬底。
所述单层可动微梁单元（2）包括支撑结构（201）、热形变结构（202）和红外吸收及可见光反射复合结构（203）。
参见图2，所述支撑结构（201）将所述单层可动微梁单元（2）锚接于透明衬底（1）。所述支撑结构（201）可以使用低热导率材料制作，以增大可动微梁单元（2）与透明衬底（1）之间的热隔离。在一些实施例中，所述支撑结构（201）可由氧化硅制成。
参见图3，所述热形变结构（202）有两组，分别位于红外吸收及可见光反射复合结构（203）的两侧，各组热形变结构（202）一端与同一平面内的所述红外吸收及可见光复合结构（203）相连接，另一端与所述支撑结构（201）相连接。
所述红外吸收及可见光复合结构（203）为一板状双材料结构，其中朝向所述透明衬底（1）的一侧为金属层，用于反射与所述非制冷红外成像焦平面阵列探测器相配套的读出光路中的可见光；另一侧为具有较高的红外吸收系数的介质层，用于吸收来自目标物体的红外辐射。所述金属层下表面与介质层上表面直接接触。在一些实施例中，所述红外吸收及可见光复合结构（203）可以是氧化硅薄膜和铝膜构成的矩形板状结构，其中，氧化硅薄膜（介质层）可为0.3微米，铝膜（金属层）可为0.02微米。
参见图4，所述热形变结构（202）包括热隔离梁（204）和热形变梁（205），所述热隔离梁（204）和热形变梁（205）在同一平面内间隔回折连接。
所述热隔离梁（204）可以采用热导系数较低的材料制作，例如，在一些实施例中，所述热隔离梁（204）可选择氧化硅材料，用于所述热形变梁（205）与其他结构之间的热隔离。所述热形变梁（205）为双材料复合梁，构成所述热形变梁（205）的两种材料的热膨胀系数不同。在可用材料范围内，最好选择两种热膨胀系数差异较大的两种材料制作，而且两种材料的热膨胀系数差异越大越好，且这两种材料的翘曲程度与它们的温度相关。例如，所述热形变梁（205）可选择0.3微米厚氧化硅及0.2微米厚铝构成双材料梁，其中铝即为热膨胀系数高的材料，氧化硅热膨胀系数相对较低的材料。氧化硅热膨胀系数为0.5E-6K-1。而铝为23.5E-6K-1。
如图2所示，构成所述热形变梁（205）的种材料中热膨胀系数高的材料所在一侧朝向所述透明衬底(1)。
在利用本发明实施例所提供的非制冷红外成像焦平面阵列探测器捕获红外目标图景时，所述非制冷红外成像焦平面阵列探测器和与之配套的读出光路协同工作，所述读出光路的出射光透过透明衬底（1）照射在所述红外吸收及可见光复合结构（203）的金属层上，发生反射后又透过透明衬底（1）继续在所述读出光路内部传递。
所述红外吸收及可见光复合结构（203）的介质层朝向目标物体。当来自目标物体的红外辐射到达所述单层可动微梁单元（2）后，所述红外吸收及可见光复合结构（203）的介质层吸收红外能量，温度升高，该能量的一部分沿着热形变结构（202）传导，引起热形变梁（205）温度升高，使得构成热形变梁（205）的两种材料因热失配而发生翘曲，同时带动红外吸收及可见光复合结构（203）转动，亦即使红外吸收及可见光复合结构（203）的金属层发生偏转，该偏转角度可由与所述非制冷红外成像焦平面阵列探测器相配套的读出光路检出。
由于所述红外吸收及可见光复合结构（203）的金属层的偏转角度与所述单层可动微梁单元（2）的吸能量正相关，而所述单层可动微梁单元（2）的吸热量与目标物体的红外辐强度正相关，因此通过本发明实施例所提供的非制冷红外成像焦平面阵列探测器可获得所述红外吸收及可见光复合结构（203）的金属层的偏转角度与对应的目标物体红外辐射强度的相关关系。从而，本发明实施例所提供的所述非制冷红外焦平面阵列探测器可以将目标物体的红外图景转化为焦平面阵列上各像素不同程度的红外吸收及可见光复合结构（203）的金属层偏转角度，该偏转角度由与所述非制冷红外成像焦平面阵列探测器相配套的读出光路检出。所述读出光路的出射光线被检测光路中的CCD接收，形成图像。至此，目标物体的红外信号转化为CCD的可见光信号，人眼可识别。
与所述非制冷红外成像焦平面阵列探测器相配套的读出光路在对所述金属层的偏转角度进行检测时，由读出光路发射入射光线，并接收经该金属层反射出的反射光线计算所述金属层的偏转角度。目标物体不能与读出光路位于同一侧，这是因为目标物体发出的红外光线也将被所述金属层反射，无法实现检测了。
现有技术中读出光路的光对衬底，尤其是硅衬底，是不透明的，这就决定了读出光路必须置于非衬底所在一侧（即与探测器在同一侧），目标物体只好放置在衬底所在一侧，这导致目标物体发出的红外光必须经通过衬底入射到探测器上。本发明实施例提供的非制冷红外成像焦平面阵列探测器，通过使用透明衬底（该衬底对与所述非制冷红外成像焦平面阵列探测器相配套的读出光路中的光线透明），使得读出光路的位置不再被限定，目标物体也可以位于探测器所在平面非衬底所在一侧。具体地，在本发明实施例中，红外吸收及可见光复合结构（203）的金属层朝向透明衬底（1），对目标物体进行检测时，来自读出光路的入射光线通过透明衬底（1）直接照射到红外吸收及可见光复合结构（203）的金属层上，来自目标物体的红外光直接照射在非制冷红外焦平面阵列探测器的红外吸收及可见光复合结构（203）的介质层上，避免了硅衬底对于来自目标物体的红外光的遮挡和反射引起的能量损失，可有效提高检测灵敏度；同时，也无需对衬底进行镂空，避免了制作全镂空结构所需的长时间体硅腐蚀工艺，简化制作流程，提高产品成品率。
以上对本发明所提供的一种探测器，进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
Claims (8)
1.一种非制冷红外成像焦平面阵列探测器，其特征在于，包括透明衬底（1）以及以非嵌套的方式平铺在所述透明衬底（1）上的多个单层可动微梁单元（2）；所述透明衬底（1）对与所述非制冷红外成像焦平面阵列探测器相配套的读出光路的光线透明。
2.根据权利要求1所述的非制冷红外成像焦平面阵列探测器，其特征在于，所述单层可动微梁单元（2）包括支撑结构（201）、热形变结构（202）和红外吸收及可见光反射复合结构（203），所述热形变结构（202）有两组，分别位于所述红外吸收及可见光反射复合结构（203）的两侧，所述热形变结构（202）一端与同一平面内的所述红外吸收及可见光复合结构（203）相连接，另一端与所述支撑结构（201）相连接。
3.根据权利要求2所述的非制冷红外成像焦平面阵列探测器，其特征在于，所述单层可动微梁单元（2）通过所述支撑结构（201）与所述透明衬底（1）锚接。
4.根据权利要求2所述的非制冷红外成像焦平面阵列探测器，其特征在于，所述热形变结构（202）包括热隔离梁（204）和热形变梁（205），所述热隔离梁（204）和所述热形变梁（205）在同一平面内多次间隔回折连接。
5.根据权利要求4所述的非制冷红外成像焦平面阵列探测器，其特征在于，所述热形变梁（205）为双材料复合梁，构成所述热形变梁（205）的两种材料的热膨胀系数不同。
6.根据权利要求5所述的非制冷红外成像焦平面阵列探测器，其特征在于，构成所述热形变梁（205）的两种材料中热膨胀系数高的材料所在一侧朝向所述透明衬底(1)。
7.根据权利要求2所述的非制冷红外成像焦平面阵列探测器，其特征在于，所述红外吸收及可见光复合结构（203）为一板状双材料结构。
8.根据权利要求2所述的非制冷红外成像焦平面阵列探测器，其特征在于，所述红外吸收及可见光复合结构（203）朝向所述透明衬底（1）一侧为金属层，另一侧为介质层;所述金属层下表面与所述介质层上表面直接接触。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210289554.9A CN103592032A (zh) | 2012-08-14 | 2012-08-14 | 一种非制冷红外成像焦平面阵列探测器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210289554.9A CN103592032A (zh) | 2012-08-14 | 2012-08-14 | 一种非制冷红外成像焦平面阵列探测器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103592032A true CN103592032A (zh) | 2014-02-19 |
Family
ID=50082263
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201210289554.9A Pending CN103592032A (zh) | 2012-08-14 | 2012-08-14 | 一种非制冷红外成像焦平面阵列探测器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103592032A (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103728025A (zh) * | 2012-10-10 | 2014-04-16 | 中国科学院微电子研究所 | 一种非制冷红外成像焦平面阵列探测器 |
| CN103922270A (zh) * | 2014-04-25 | 2014-07-16 | 昆山光微电子有限公司 | 非制冷光读出红外焦平面阵列结构和制作方法 |
| CN104913852A (zh) * | 2015-06-18 | 2015-09-16 | 中国科学院上海微***与信息技术研究所 | 一种基于键合技术的光学读出红外探测器阵列的制作方法 |
| WO2023015654A1 (zh) * | 2021-08-13 | 2023-02-16 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 一种光谱分离与全透复合的超像素红外探测器 |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5479018A (en) * | 1989-05-08 | 1995-12-26 | Westinghouse Electric Corp. | Back surface illuminated infrared detector |
| US5561295A (en) * | 1994-07-29 | 1996-10-01 | Litton Systems, Inc. | Infrared-responsive photoconductive array and method of making |
| US6097031A (en) * | 1997-07-25 | 2000-08-01 | Honeywell Inc. | Dual bandwith bolometer |
| CN1533588A (zh) * | 2001-05-23 | 2004-09-29 | 马特森热力产品有限责任公司 | 用于热处理衬底的方法和装置 |
| CN100453443C (zh) * | 2006-12-01 | 2009-01-21 | 中国科学技术大学 | 玻璃基底光学读出红外传感器 |
| US20100038539A1 (en) * | 2008-08-14 | 2010-02-18 | Cincinnati Electronics Corporation | Pixel Interconnect Insulators and Methods Thereof |
| CN102226719A (zh) * | 2011-04-08 | 2011-10-26 | 华中科技大学 | 红外吸收结构及基于该结构的非致冷红外探测器 |
| CN102564596A (zh) * | 2011-12-27 | 2012-07-11 | 上海巨哥电子科技有限公司 | 一种基于光读出红外探测的红外成像设备及其方法 |
| CN202734967U (zh) * | 2012-08-14 | 2013-02-13 | 中国科学院微电子研究所 | 一种非制冷红外成像焦平面阵列探测器 |
-
2012
- 2012-08-14 CN CN201210289554.9A patent/CN103592032A/zh active Pending
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5479018A (en) * | 1989-05-08 | 1995-12-26 | Westinghouse Electric Corp. | Back surface illuminated infrared detector |
| US5561295A (en) * | 1994-07-29 | 1996-10-01 | Litton Systems, Inc. | Infrared-responsive photoconductive array and method of making |
| US6097031A (en) * | 1997-07-25 | 2000-08-01 | Honeywell Inc. | Dual bandwith bolometer |
| CN1533588A (zh) * | 2001-05-23 | 2004-09-29 | 马特森热力产品有限责任公司 | 用于热处理衬底的方法和装置 |
| CN100453443C (zh) * | 2006-12-01 | 2009-01-21 | 中国科学技术大学 | 玻璃基底光学读出红外传感器 |
| US20100038539A1 (en) * | 2008-08-14 | 2010-02-18 | Cincinnati Electronics Corporation | Pixel Interconnect Insulators and Methods Thereof |
| CN102226719A (zh) * | 2011-04-08 | 2011-10-26 | 华中科技大学 | 红外吸收结构及基于该结构的非致冷红外探测器 |
| CN102564596A (zh) * | 2011-12-27 | 2012-07-11 | 上海巨哥电子科技有限公司 | 一种基于光读出红外探测的红外成像设备及其方法 |
| CN202734967U (zh) * | 2012-08-14 | 2013-02-13 | 中国科学院微电子研究所 | 一种非制冷红外成像焦平面阵列探测器 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103728025A (zh) * | 2012-10-10 | 2014-04-16 | 中国科学院微电子研究所 | 一种非制冷红外成像焦平面阵列探测器 |
| CN103922270A (zh) * | 2014-04-25 | 2014-07-16 | 昆山光微电子有限公司 | 非制冷光读出红外焦平面阵列结构和制作方法 |
| CN104913852A (zh) * | 2015-06-18 | 2015-09-16 | 中国科学院上海微***与信息技术研究所 | 一种基于键合技术的光学读出红外探测器阵列的制作方法 |
| WO2023015654A1 (zh) * | 2021-08-13 | 2023-02-16 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 一种光谱分离与全透复合的超像素红外探测器 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101285709B (zh) | 基于哈特曼波前传感器的光力学红外成像仪 | |
| KR101910575B1 (ko) | 적외선 검출기 및 적외선 이미지 센서 | |
| CN104458011A (zh) | 一种基于mems技术的全波段红外焦平面阵列 | |
| CN106595876B (zh) | 集成有效元与光学参考元的像素以及微测辐射热计 | |
| KR101922119B1 (ko) | 적외선 검출기 및 이를 사용하는 적외선 검출 방법 | |
| CN103575403A (zh) | 一种基于mems技术的太赫兹焦平面阵列 | |
| CN103592032A (zh) | 一种非制冷红外成像焦平面阵列探测器 | |
| WO2009039683A1 (fr) | Capteur infrarouge, réseau de plan focal et leur système d'imagerie infrarouge | |
| Ishizuya et al. | Optically readable bi-material infrared detector | |
| CN102435319A (zh) | 一种非致冷红外探测器 | |
| CN100594175C (zh) | 光-机械式双层结构非制冷红外成像焦平面阵列探测器 | |
| CN111886483A (zh) | 电磁波传感器 | |
| CN202734967U (zh) | 一种非制冷红外成像焦平面阵列探测器 | |
| CN101866031B (zh) | 利用光纤束进行调制的光学读出方法 | |
| CN102564596A (zh) | 一种基于光读出红外探测的红外成像设备及其方法 | |
| CN102288302B (zh) | 利用双三角棱镜***进行调制的光学读出方法 | |
| CN102650547B (zh) | 非制冷红外成像***微透镜阵列光学读出方法 | |
| CN202836765U (zh) | 一种非制冷红外成像焦平面阵列探测器 | |
| CN103630246A (zh) | 一种非制冷红外成像焦平面阵列探测器 | |
| CN202869656U (zh) | 高应力平衡的红外探测器 | |
| CN106949978A (zh) | 一种热成像传感器像素单元及其阵列 | |
| CN103728025A (zh) | 一种非制冷红外成像焦平面阵列探测器 | |
| CN103630242A (zh) | 一种非制冷红外成像焦平面阵列探测器 | |
| CN203116855U (zh) | 一种非制冷红外成像焦平面阵列探测器 | |
| JP5706174B2 (ja) | 赤外線センサおよび赤外線センサアレイ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20140219 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |