CN103579731A - 层叠构造型平衡-不平衡变换器 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种层叠构造型平衡-不平衡变换器（1），其包含：设置在输入和输出不平衡信号的不平衡端子（2）与输入和输出平衡信号的第1平衡端子（3A）之间并且包含第1线圈（4A）和第1电容器（5A）的低通滤波器（6）；以及设置在不平衡端子（2）与输入和输出平衡信号的第2平衡端子（3B）之间并且包含第2电容器（5B）和第2线圈（4B）的高通滤波器（7）。当从层叠体的层叠方向看时，第1电容器（5A）和第2电容器（5B）配置在与第1线圈（4A）和第2线圈（4B）不同的区域中。

Description

层叠构造型平衡-不平衡变换器

技术领域

本发明涉及一种层叠构造型平衡-不平衡变换器，其为使平衡信号与不平衡信号相互转换的元件。

背景技术

平衡-不平衡变换器是使平衡信号与不平衡信号相互转换的元件。一些平衡-不平衡变换器组合使用高通滤波器（HPF）与低通滤波器（LPF）（参照例如日本专利申请特开平第2000-236227号和日本专利申请特开平第H10-200360号）。具有这种构造的平衡-不平衡变换器具有电连接的转换输入和转换输出。因为这个原因，例如，与电磁耦合型的平衡-不平衡变换器相比较，***损耗更小，可以在平衡和不平衡信号转换的同时进行输入与输出阻抗的匹配。另外，日本专利申请特开平第2000-236227号和日本专利申请特开平第H10-200360号记载了在绝缘层间形成导体图案的层叠构造平衡-不平衡变换器（层叠构造型平衡-不平衡变换器）。

然而，在日本专利申请特开平第2000-236227号和日本专利申请特开平第H10-200360号中所记载的平衡-不平衡变换器在提高电性能方面仍有改善的余地。

发明内容

根据本发明的一方面，提供一种层叠构造型平衡-不平衡变换器，其包含：低通滤波器，设置在输入和输出不平衡信号的不平衡端子与输入和输出平衡信号的第1平衡端子之间，并且包含第1线圈和第1电容器；高通滤波器，设置在不平衡端子与输入和输出平衡信号的第2平衡端子之间，并且包含第2电容器和第2线圈；以及层叠体，包含层叠在基板表面上的含有具导体图案的多个导体层与多个绝缘层的多个层，并且包含低通滤波器和高通滤波器，其中，当从层叠体的层叠方向看时，第1电容器和第2电容器配置在不同于第1线圈和第2线圈的区域中。

通过结合附图阅读下面的本发明优选实施方式的详细说明，将更好地理解本发明的上述和其他目的、特征、优点以及在技术和产业上的重要性。

附图说明

图1是示出在本发明实施方式1中层叠构造型平衡-不平衡变换器的等效电路的电路图；

图2是示出在实施方式1中平衡-不平衡变换器的构造的截面图；

图3A是示出在实施方式1中平衡-不平衡变换器的各个导体层的平面图；

图3B是示出实施方式1中平衡-不平衡变换器的各个导体层的平面图；

图3C是示出实施方式1中平衡-不平衡变换器的各个导体层的平面图；

图3D是示出实施方式1中平衡-不平衡变换器的各个导体层的平面图；

图3E是示出实施方式1中平衡-不平衡变换器的各个导体层的平面图；

图4A是示出制造实施方式1中平衡-不平衡变换器的方法的例子的图；

图4B是示出制造实施方式1中平衡-不平衡变换器的方法的例子的图；

图4C是示出制造实施方式1中平衡-不平衡变换器的方法的例子的图；

图4D是示出制造实施方式1中平衡-不平衡变换器的方法的例子的图；

图4E是示出制造实施方式1中平衡-不平衡变换器的方法的例子的图；

图4F是示出制造实施方式1中平衡-不平衡变换器的方法的例子的图；

图4G是示出制造实施方式1中平衡-不平衡变换器的方法的例子的图；

图4H是示出制造实施方式1中平衡-不平衡变换器的方法的例子的图；

图4I是示出制造实施方式1中平衡-不平衡变换器的方法的例子的图；

图4J是示出制造实施方式1中平衡-不平衡变换器的方法的例子的图；

图4K是示出制造实施方式1中平衡-不平衡变换器的方法的例子的图；

图4L是示出制造实施方式1中平衡-不平衡变换器的方法的例子的图；

图4M是示出制造实施方式1中平衡-不平衡变换器的方法的例子的图；

图5是示出实施方式1中平衡-不平衡变换器的层叠构造的第1变形例的截面图；

图6A是示出制造第1变形例中平衡-不平衡变换器的方法的例子的图；

图6B是示出制造第1变形例中平衡-不平衡变换器的方法的例子的图；

图6C是示出制造第1变形例中平衡-不平衡变换器的方法的例子的图；

图6D是示出制造第1变形例中平衡-不平衡变换器的方法的例子的图；

图6E是示出制造第1变形例中平衡-不平衡变换器的方法的例子的图；

图6F是示出制造第1变形例中平衡-不平衡变换器的方法的例子的图；

图6G是示出制造第1变形例中平衡-不平衡变换器的方法的例子的图；

图6H是示出制造第1变形例中的平衡-不平衡变换器的方法的一个例子的图；

图6I是示出制造第1变形例中平衡-不平衡变换器的方法的例子的图；

图6J是示出制造第1变形例中平衡-不平衡变换器的方法的例子的图；

图6K是示出制造第1变形例中平衡-不平衡变换器的方法的例子的图；

图6L是示出制造第1变形例中平衡-不平衡变换器的方法的例子的图；

图7是示出实施方式1中平衡-不平衡变换器的层叠构造的第2变形例的截面图；

图8是示出实施方式1中平衡-不平衡变换器的层叠构造的第3变形例的截面图；

图9是示出实施方式1中平衡-不平衡变换器的层叠构造的第4变形例的截面图；

图10是示出本发明实施方式2中的平衡-不平衡变换器的平面图；

图11是示出本发明实施方式3中的平衡-不平衡变换器的平面图；

图12是示出本发明实施方式4中的平衡-不平衡变换器的平面图；

图13是示出比较例1中的平衡-不平衡变换器的构造的截面图；

图14是比较例1中平衡-不平衡变换器的平面图；

图15是比较例2中平衡-不平衡变换器的平面图；

图16A是示出实施例1、比较例1和比较例2的评价结果的图；

图16B是示出实施例1、比较例1和比较例2的评价结果的图；

图16C是示出实施例1、比较例1和比较例2的评价结果的图；

图16D是示出实施例1、比较例1和比较例2的评价结果的图；

图17A是示出实施例2与比较例1的评价结果的图；

图17B是示出实施例2与比较例1的评价结果的图；

图17C是示出实施例2与比较例1的评价结果的图；

图17D是示出实施例2与比较例1的评价结果的图；

图18A是示出实施例3与比较例1的评价结果的图；

图18B是示出实施例3与比较例1的评价结果的图；

图18C是示出实施例3与比较例1的评价结果的图；

图18D是示出实施例3与比较例1的评价结果的图；

图19A是示出实施例4与比较例1的评价结果的图；

图19B是示出实施例4与比较例1的评价结果的图；

图19C是示出实施例4与比较例1的评价结果的图；

图19D是示出实施例4与比较例1的评价结果的图；

图20A是示出实施例1～实施例4与比较例1的评价结果的图；

图20B是示出实施例1～实施例4与比较例1的评价结果的图；

图20C是示出实施例1～实施例4与比较例1的评价结果的图；

图20D是示出实施例1～实施例4与比较例1的评价结果的图。

具体实施方式

实施方式1

图1是示出本发明实施方式1中层叠构造型平衡-不平衡变换器的等效电路的电路图。层叠构造型平衡-不平衡变换器（在下文中，如果需要的话称为平衡-不平衡变换器）1是LC型平衡-不平衡变换器。LC型平衡-不平衡变换器是通过组合各个由L（线圈）和C（电容器）构成的低通滤波器（LPF）和高通滤波器（HPF）而使平衡信号与不平衡信号相互转换的元件。不平衡信号是将地电位作为基准电位的信号。平衡信号是由两个彼此相位差为约180度（π）且振幅大致相等的信号所组成的信号。

在本实施方式中，平衡-不平衡变换器1包含不平衡端子2、第1平衡端子3A、第2平衡端子3B、具有第1线圈4A和第1电容器5A的低通滤波器6、以及具有第2线圈4B和第2电容器5B的高通滤波器7。平衡-不平衡变换器1还包含接地端子8。接地端子8连接于地GND。不平衡端子2输入和输出不平衡信号。第1平衡端子3A和第2平衡端子3B均输入和输出平衡信号。低通滤波器6设置在不平衡端子2与第1平衡端子3A之间。高通滤波器7设置在不平衡端子2与第2平衡端子3B之间。

关于低通滤波器6，在不平衡端子2与第1平衡端子3A之间连接有第1线圈4A，并在第1平衡端子3A与接地端子8之间连接有第1电容器5A。即，第1线圈4A相对于在不平衡端子2与第1平衡端子3A之间流动的第1信号为串联，而第1电容器5A相对于第1信号为并联。就高通滤波器7而言，在不平衡端子2与第2平衡端子3B之间连接有第2电容器5B，且在第2平衡端子3B与接地端子8之间连接有第2线圈4B。即，第2线圈4B相对于在不平衡端子2与第2平衡端子3B之间流动的第2信号为并联，而第2电容器5B相对于第2信号为串联。

低通滤波器6和高通滤波器7各自具备带有线圈和电容器的电路配置。低通滤波器6的第1线圈4A和第1电容器5A的常数，以及高通滤波器7的第2线圈4B和第2电容器5B的常数随着平衡-不平衡变换器1的规格不同而变化，并被设定成在目标频率下达到阻抗匹配。只要能实现平衡-不平衡变换器1中所预期的磁耦合，第1线圈4A和第2线圈4B的形状不限定于特定的形态，且可以任意的，例如涡卷状（线圈状）、蜿蜒状、直线状或曲线状。

图2是示出实施方式1中平衡-不平衡变换器的构造的截面图。平衡-不平衡变换器1包含层叠体10。层叠体10包含层叠在基板上的包含具有导体图案的多个导体层以及多个绝缘层的多个层，以及上述的低通滤波器6和高通滤波器7。在本实施方式中，层叠体10的层叠方向是从基板11的形成有导体层和绝缘层的表面11S离开的方向（图2中箭头S所示的方向）。

再有，在本说明书中，“从层叠方向看”是指，如图2的箭头S所示的垂直于层叠体的层叠面的方向，或者沿着堆积各层的方向看层叠体的情况，例如层叠体的俯视图的情况。另外，“在层叠方向上”是指，在垂直于层叠面切断层叠体的截面（如图2那样的截面）上看到的堆积各层的情况，并且“在层叠方向上配置在层叠体的相同区域”是指，在这样的截面上配置在处于相同高度（同一水平位置）的区域。

基板11是例如铁氧体等的绝缘基板。基板11在形成有导体层和绝缘层的表面11S上具有填埋凹凸以使表面11S平滑的平滑层12。在平滑层12的表面上，依次层叠有第1导体层13、介电层14、中间导体层15、第1绝缘层16、第2导体层17、第2绝缘层18、第3导体层19、第3绝缘层（覆盖层）20、第4导体层21、和端子镀层22。

第1导体层13、中间导体层15、第2导体层17、第3导体层19、第4导体层21相当于多个导体层。这些导体层是铜、银等的导体层，并形成例如配线图案或端子图案等的图案（导体图案）。第1导体层13具有成为第1线圈4A的第1线圈导体13LA、成为第2线圈4B的第2线圈导体13LB、成为第1电容器5A的一个电极的第1电容器基板侧电极13CA、成为第2电容器5B的一个电极的第2电容器基板侧电极13CB、以及成为图1所示的不平衡端子2与接地端子8等的端子用导体13T。中间导体层15具有成为第1电容器5A的另一个电极的第1电容器对向电极15CA、以及成为第2电容器5B的另一个电极的第2电容器对向电极15CB。

第2导体层17具有成为第1线圈4A的第1线圈导体17LA、成为第2线圈4B的第2线圈导体17LB、与第1电容器对向电极15CA连接的第1电容器电极17CA、与第2电容器对向电极15CB连接的第2电容器电极17CB、以及成为图1所示的不平衡端子2与接地端子8等的端子用导体17T。第3导体层19具有成为第1线圈4A的第1线圈导体19LA、成为第2线圈4B的第2线圈导体19LB、与第1电容器电极17CA连接的第1电容器电极19CA、与第2电容器电极17CB连接的第2电容器电极19CB、以及成为图1所示的不平衡端子2与接地端子8等的端子用导体19T。第4导体层21具有用于将图1所示的不平衡端子2或接地端子8带出至层叠体10表面的端子用导体21T。端子用导体21T的表面覆盖有端子镀层22。端子用导体21T从层叠体10的表面突出，成为不平衡端子2、第1平衡端子3A、第2平衡端子3B和接地端子8。

第1导体层13的第1线圈导体13LA与第2导体层17的第1线圈导体17LA经由通孔（via）23A彼此连接。相似地，第1导体层13的第2线圈导体13LB与第2导体层17的第2线圈导体17LB经由通孔23B彼此连接。另外，第2导体层17的第1线圈导体17LA与第3导体层19的第1线圈导体19LA经由通孔24A彼此连接。相似地，第2导体层17的第2线圈导体17LB与第3导体层19的第2线圈导体19LB经由通孔24B彼此连接。第2导体层17的第1电容器电极17CA与第3导体层19的第1电容器电极19CA经由通孔25A彼此连接，第2导体层17的第2电容器电极17CB与第3导体层19的第2电容器电极19CB经由通孔25B彼此连接。端子用导体17T、19T和21T分别连接在第2导体层17、第3导体层19和第4导体层21中。

第1绝缘层16、介电层14、第2绝缘层18和第3绝缘层20相当于绝缘层。第1绝缘层16、第2绝缘层18和第3绝缘层20由绝缘材料制成。作为绝缘材料，例如使用聚酰亚胺或环氧树脂。作为介电层14的材料，使用氮化硅（SiN）等。介电层14插在第1导体层13与中间导体层15之间以使两者彼此电隔离。另外，介电层14插在第1电容器基板侧电极13CA与第1电容器对向电极15CA之间、以及在第2电容器基板侧电极13CB与第2电容器对向电极15CB之间，以与这些元件共同构成第1电容器5A和第2电容器5B。第1绝缘层16插在介电层14与第2导体层17之间以使两者彼此电隔离。第1绝缘层16具有经由通孔23A和23B而使第1导体层13与第2导体层17之间、以及使中间导体层15与第2导体层17之间电连接的开口部。第2绝缘层18插在第2导体层17与第3导体层19之间以使两者彼此电隔离。第2绝缘层18具有经由通孔24A、25A、24B和25B而使第3导体层19与第2导体层17之间电连接的开口部。第3绝缘层20覆盖第3导体层19的表面，以保护其免受来自于产品外部的物理损伤。平衡-不平衡变换器1的层叠体10具有如上所述的构造。接下来，将详细地描述平衡-不平衡变换器1的各个导体层的平面构造。

图3A～图3E是示出实施方式1中平衡-不平衡变换器的各个导体层的平面图。如图3A所示，第1导体层13具有第1线圈导体13LA、第2线圈导体13LB、第1电容器基板侧电极13CA、第2电容器基板侧电极13CB、以及成为不平衡端子2、第1平衡端子3A、第2平衡端子3B和接地端子8的端子用导体13T。第1线圈导体13LA和第1电容器基板侧电极13CA构成低通滤波器6的一部分，且第2线圈导体13LB和第2电容器基板侧电极13CB构成高通滤波器7的一部分。对于第1导体层13中的第1线圈导体13LA和第2线圈导体13LB，宽度或匝数没有限定，且两个线圈导体13LA和13LB之间可以相同或不同。在第1导体层13中，第1电容器基板侧电极13CA和第2电容器基板侧电极13CB布置在不同于第1线圈导体13LA和第2线圈导体13LB的区域中。

低通滤波器6侧的第1线圈导体13LA连接至不平衡端子2和通孔23A。高通滤波器7侧的第2线圈导体13LB连接至接地端子8和通孔23B。低通滤波器6侧的第1电容器基板侧电极13CA与接地端子8连接，且高通滤波器7侧的第2电容器基板侧电极13CB与不平衡端子2连接。不平衡端子2、第1平衡端子3A、第2平衡端子3B和接地端子8分别连接在图3A～图3E所示的端子用导体13T、17T、19T和21T上，并且它们以相同的方式配置在各个导体层中。

如图3B所示，中间导体层15在不平衡端子2与接地端子8之间具有低通滤波器6侧的第1电容器对向电极15CA、高滤波器7侧的第2电容器对向电极15CB、以及端子用导体17T。如图3C所示，第2导体层17具有第1线圈导体17LA、第2线圈导体17LB、第1电容器电极17CA、第2电容器电极17CB、以及端子用导体17T。第1线圈导体17LA经由通孔23A而与第1导体层13的第1线圈导体13LA连接。第2线圈导体17LB经由通孔23B而与第1导体层13的第2线圈导体13LB连接。第1线圈导体17LA连接于通孔24A，第2线圈导体17LB连接于通孔24B。同样在第2导体层17中，对于第1线圈导体17LA和第2线圈导体17LB，宽度和匝数没有限定，且两个线圈导体17LA和17LB之间可以相同或不同。在第2导体层17中，第1电容器电极17CA和第2电容器电极17CB布置不同于第1线圈导体17LA和第2线圈导体17LB的区域中。

如图3D所示，第3导体层19具有第1线圈导体19LA、第2线圈导体19LB、第1电容器电极19CA、第2电容器电极19CB、以及端子用导体19T。第1线圈导体19LA经由通孔24A而与第2导体层17的第1线圈导体17LA连接。第2线圈导体19LB经由通孔24B而与第2导体层17的第2线圈导体17LB连接。第1电容器电极19CA经由图2所示的通孔25A而与第2导体层17的第1电容器电极17CA连接，第2电容器电极19CB经由图2所示的通孔25B而与第2导体层17的第2电容器电极17CB连接。

成为第1平衡端子3A的端子用导体19T与低通滤波器6侧的第1电容器电极19CA经由配线19PA而彼此连接。低通滤波器6侧的第1线圈导体19LA与配线19PA连接。成为第2平衡端子3B的端子用导体19T与高通滤波器7侧的第2电容器电极19CB经由配线19PB彼此连接。高通滤波器7侧的第2线圈导体19LB与配线19PB连接。同样，在第3导体层19中，对于第1线圈导体19LA和第2线圈导体19LB，宽度和匝数没有限定，且两个线圈导体19LA和19LB之间可以相同或不同。在第3导体层19中，完成低通滤波器6的第1线圈4A和高通滤波器7的第2线圈4B。接着，如图3E所示，在第4导体层21中，端子用导体21T成为外部连接端子，从而完成构成图1所示的等效电路的平衡-不平衡变换器1。

通过这样的构造，在平衡-不平衡变换器1中，当从层叠方向看时，第1电容器5A和第2电容器5B配置在不同于第1线圈4A和第2线圈4B的区域中。因此，可以降低第1电容器5A与第2电容器5B对由第1线圈4A与第2线圈4B所产生的磁场的影响。在平衡-不平衡变换器1中，第1电容器5A与第2电容器5B在层叠方向上配置在与第1线圈4A和第2线圈4B相同的区域中。因此，可以实现平衡-不平衡变换器1的薄化（减小层叠方向上的尺寸）。其结果是，改善了平衡-不平衡变换器1的电特性。接下来，描述制造平衡-不平衡变换器1的方法的例子。

图4A～图4M是示出制造实施方式1中平衡-不平衡变换器的方法的例子的图。首先，如图4A所示，准备基板11。接着，如图4B所示，在基板11的表面上形成平滑层12。之后，如图4C所示，在基板11的表面上，更具体而言是在平滑层12的表面上形成第1导体层13。第1导体层13可以由例如镀铜（Cu）而形成。接着，如图4D所示，形成决定第1电容器5A与第2电容器5B的容量的介电层14。介电层14例如以通过化学气相沉积（CVD）使氮化硅（SiN）沉积的方式形成。

接着，如图4E所示，在介电层14表面上的对应于作为构成第1电容器5A和第2电容器5B的部分的第1导体层13的位置上，形成中间导体层15。中间导体层15可以例如由镀铜（Cu）而形成。如此，第1导体层13、介电层14和中间导体层15构成第1电容器5A和第2电容器5B。接着，如图4F所示，在介电层14的表面上形成第1绝缘层16。第1绝缘层16例如以利用光刻在介电层14表面的必要位点上沉积聚酰亚胺的方式而形成。

接着，如图4G所示，在通孔（through-hole）工序中，由第1导体层13与第2导体层17之间的连接而形成的在第1线圈4A和第2线圈4B的连接部分上的、以及在成为不平衡端子2、第1平衡端子3A、第2平衡端子3B和接地端子8的部分上的介电层14（SiN膜）被除去。接着，如图4H所示，在第1绝缘层16的表面上形成第2导体层17。第2导体层17例如由镀铜（Cu）而形成。

接着，如图4I所示，在第2导体层17的表面上形成第2绝缘层18。第2绝缘层18例如以利用光刻在第2导体层17表面的必需位点上沉积聚酰亚胺的方式形成。接着，如图4J所示，在第2绝缘层18的表面上形成第3导体层19。第3导体层19例如由镀铜（Cu）而形成。接着，如图4K所示，在第3导体层19的表面上形成第3绝缘层（覆盖层）20。第3绝缘层20例如由聚酰亚胺形成。接着，如图4L所示，形成成为不平衡端子2、第1平衡端子3A、第2平衡端子3B和接地端子8的第4导体层21。第4导体层21例如由镀铜（Cu）而形成。最后，如图4M所示，用端子镀层22覆盖第4导体层21的表面，从而完成平衡-不平衡变换器1。端子镀层22可以通过镍（Ni）金（Au）化学镀而形成。注意到，制造平衡-不平衡变换器1的方法和平衡-不平衡变换器1的材料并不限于上述（下面的例子也是如此）。

层叠构造的第1变形例

图5是实施方式1中平衡-不平衡变换器的层叠构造的第1变形例的截面图。图5所示的平衡-不平衡变换器1a的不同点在于：没有实施方式1中平衡-不平衡变换器1所具有的中间导体层15（参见图2）；由第1电容器共用电极17A构成平衡-不平衡变换器1的第1电容器对向电极15CA和第1电容器电极17CA，且由第2电容器共用电极17B构成平衡-不平衡变换器1的第2电容器对向电极15CB和第2电容器电极17CB。在平衡-不平衡变换器1中，形成第1电容器对向电极15CA和第2电容器对向电极15CB，接着在各个表面上形成第1电容器电极17CA和第2电容器电极17CB。在平衡-不平衡变换器1a中，如稍后所述，第1电容器共用电极17A和第2电容器共用电极17B在单次工序中形成。第1电容器共用电极17A具有平衡-不平衡变换器1中第1电容器对向电极15CA与第1电容器电极17CA的功能，且第2电容器共用电极17B具有平衡-不平衡变换器1中第2电容器对向电极15CB和第2电容器电极17CB的功能。

低通滤波器6侧的第1线圈4A由低通滤波器6侧的第1线圈导体13LA、第2线圈导体17LA、第3线圈导体19LA、通孔23A、通孔24A、第1绝缘层16、第2绝缘层18、以及第3绝缘层20构成。高通滤波器7侧的第2线圈4B由高通滤波器7侧的第2线圈导体13LB、第2线圈导体17LB、第3线圈导体19LB、通孔23B、通孔24B、第1绝缘层16、第2绝缘层18、以及第3绝缘层20构成。低通滤波器6侧的第1电容器5A具有第1电容器基板侧电极13CA、介电层14和第1电容器共用电极17A。高通滤波器7侧的第2电容器5B具有第2电容器基板侧电极13CB、介电层14和第2电容器共用电极17B。端子部由端子用导体13T、17T、19T和21T、以及端子镀层22构成。接着，说明制造平衡-不平衡变换器1a的方法的例子。

图6A～图6L是示出制造第1变形例中平衡-不平衡变换器的方法的例子的图。直至如图6D所示的介电层14形成为止的工序与制造实施方式1中平衡-不平衡变换器的方法相同，因而省略其说明。在形成介电层14之后，如图6E所示，在除了对应于作为构成第1电容器5A和第2电容器5B的部分的第1导体层13的表面位置、以及对应于作为构成不平衡端子2、第1平衡端子3A、第2平衡端子3B和接地端子8的部分的第1导体层13的位置以外的介电层14的表面上，形成第1绝缘层16。第1绝缘层16例如以利用光刻在介电层14表面的必需位点上沉积聚酰亚胺的方式而形成。

接着，如图6F所示，在通孔工序中，由第1导体层13与第2导体层17之间的连接所形成的在第1线圈4A和第2线圈4B的连接部分上的、以及在成为不平衡端子2、第1平衡端子3A、第2平衡端子3B和接地端子8的部分上的介电层14被去除。接着，如图6G所示，在第1绝缘层16的表面上、以及在开口于介电层14的第1导体层13的表面上形成第2导体层17。第2导体层17成为图5所示的第1电容器共用电极17A和第2电容器共用电极17B。随后，如图6H所示，在第2导体层17的表面上形成第2绝缘层18。随后，进行图6I～图6L所示的各工序。这些工序与图4J～图4M中的工序相同。

在制造第1变形例中平衡-不平衡变换器的方法中，在图6G所示的形成第2导体层17的单次工序中，形成与实施方式1中平衡-不平衡变换器1的第1电容器对向电极15CA和第1电容器电极17CA相当的第1电容器共用电极17A。以同样的方式形成与平衡-不平衡变换器1的第2电容器对向电极15CB和第2电容器电极17CB相当的第2电容器共用电极17B。如此，制造第1变形例中平衡-不平衡变换器的方法不需要在制造实施方式1中平衡-不平衡变换器的方法中形成中间导体层15的工序。因此，可以减少制造平衡-不平衡变换器1的工序。

层叠构造的第2变形例

图7是实施方式1中平衡-不平衡变换器的层叠构造的第2变形例的截面图。在图7所示的平衡-不平衡变换器1b中，当从层叠方向看时，低通滤波器6侧的第1线圈4A、高通滤波器7侧的第2线圈4B、以及低通滤波器6侧的第1电容器5A和高通滤波器7侧的第2电容器5B布置在不同的区域中。在平衡-不平衡变换器1b中，低通滤波器6侧的第1电容器5A和高通滤波器7侧的第2电容器5B在层叠方向上布置在相同的区域中。此外，在平衡-不平衡变换器1b中，当从层叠方向看时，第1电容器5A和第2电容器5B布置在低通滤波器6侧的第1线圈4A与高通滤波器7侧的第2线圈4B之间的、且不同于形成线圈4A和线圈4B的区域的区域中。

低通滤波器6侧的第1线圈4A由低通滤波器6侧的第1线圈导体13LA、第2线圈导体17LA、第3线圈导体19LA、通孔23A和通孔24A，以及低通滤波器6侧的第1绝缘层16A、第2绝缘层18A和第3绝缘层20A所构成。高通滤波器7侧的第2线圈4B由高通滤波器7侧的第1线圈导体13LB、第2线圈导体17LB、第3线圈导体19LB、通孔23B和通孔24B，以及高通滤波器7侧的第1绝缘层16B、第2绝缘层18B、以及第3绝缘层20B所构成。低通滤波器6侧的第1电容器5A由第1电容器基板侧电极13CA、第1电容器对向电极15CA和介电层14所构成。高通滤波器7侧的第2电容器5B由第2电容器基板侧电极13CB、第2电容器对向电极15CB和介电层14所构成。端子部由端子用导体13TA、17TA、19TA、13TC、15TC、13TB、17TB、19TB和21T以及端子镀层22构成。

在用于填埋凹凸以使基板11的表面11S平滑的平滑层12的表面上，平衡-不平衡变换器1b的层叠顺序为低通滤波器6侧的第1线圈4A、低通滤波器6侧的第1电容器5A和高通滤波器7侧的第2电容器5B、以及之后的高通滤波器7侧的第2线圈4B。以这样的方式，形成第2变形例中的层叠构造。

在平衡-不平衡变换器1b中，当从层叠方向看时，第1电容器5A和第2电容器5B布置在不同于第1线圈4A和第2线圈4B的区域中。通过这样的配置，与当从层叠方向看时线圈和电容器的形成区域相重叠的现有技术构造相比，可以降低第1电容器5A和第2电容器5B对由第1线圈4A和第2线圈4B所产生的磁场的影响。因此，与第1实施方式中的平衡-不平衡变换器1相似，平衡-不平衡变换器1b的电特性也可以得到改善。在平衡-不平衡变换器1b中，第1电容器5A和第2电容器5B在层叠方向上布置在相同的区域中，并且布置在第1线圈4A与第2线圈4B之间的且与形成线圈4A和4B的区域不同的区域中。

层叠构造的第3变形例

图8是实施方式1中平衡-不平衡变换器的层叠构造的第3变形例的截面图。在平衡-不平衡变换器1c中，第1电容器5A的第1电容器基板侧电极13CA和第2电容器5B的第2电容器基板侧电极13CB形成在与第1线圈导体13LA和第2线圈导体13LB不同的层中。因此，在平衡-不平衡变换器1c中，第1电容器5A和第2电容器5B布置在第1线圈4A和第2线圈4B的内侧的且与形成线圈4A和4B的区域不同的区域中。即，在平衡-不平衡变换器1c中，当从层叠方向上看时，第1电容器5A和第2电容器5B布置在第1线圈4A与第2线圈4B的之间。另外，在平衡-不平衡变换器1c中，第1电容器5A和第2电容器5B在层叠方向上布置在相同的区域中。此外，在平衡-不平衡变换器1c中，当从层叠方向看时，第1电容器5A和第2电容器5B布置在不同于第1线圈4A和第2线圈4B的区域中。在平衡-不平衡变换器1c中，低通滤波器6侧的第1线圈4A和高通滤波器7侧的第2线圈4B在层叠方向上布置在相同的区域中。

低通滤波器6侧的第1线圈4A由低通滤波器6侧的第1线圈导体13LA、第2线圈导体17LA、第3线圈导体19LA、通孔23A和通孔24A，以及低通滤波器6侧的第1绝缘层16、介电层侧的第2绝缘层18a、在电容器与线圈之间的第2绝缘层18b、线圈侧的第2绝缘层18c、以及第3绝缘层20所构成。高通滤波器7侧的第2线圈4B由高通滤波器7侧的第2线圈导体13LB、第2线圈导体17LB、第3线圈导体19LB、通孔23B和通孔24B，以及高通滤波器7侧的第1绝缘层16、介电层侧的第2绝缘层18a、在电容器与线圈之间的第2绝缘层18b、线圈侧的第2绝缘层18c、以及第3绝缘层20所构成。

低通滤波器6侧的第1电容器5A由第1电容器基板侧电极13CA、第1电容器对向电极15CA和介电层14构成。高通滤波器7侧的第2电容器5B由第2电容器基板侧电极13CB、第2电容器对向电极15CB和介电层14构成。端子部由端子用导体13T、13CT、15T、17TA、19T、21T和端子镀层22构成。与实施方式1中层叠法的显著差异在于，增大通孔23A和通孔23B的层叠尺寸，从而在层叠方向上更大地形成低通滤波器6侧的第1线圈4A和高通滤波器7侧的第2线圈4B。这样的构造可以通过普通的光刻和电镀法而形成。以这样的方式，形成第3变形例的层叠构造。

在平衡-不平衡变换器1c中，当从层叠方向上看时，第1电容器5A和第2电容器5B布置在不同于第1线圈4A和第2线圈4B的区域中。通过这样的配置，与当从层叠方向看时线圈和电容器的形成区域相重叠的现有技术构造相比，可以降低第1电容器5A和第2电容器5B对由第1线圈4A和第2线圈4B所产生的磁场的影响。因此，与实施方式1的平衡-不平衡变换器1相似，平衡-不平衡变换器1c的电特性也可以得到改善。在平衡-不平衡变换器1c中，第1电容器5A和第2电容器5B在层叠方向上布置在相同的区域中，且当从层叠方向上看时，布置在第1线圈4A和第2线圈4B的内侧的且与形成线圈4A和4B的区域不同的区域中。

层叠构造的第4变形例

图9是实施方式1中平衡-不平衡变换器的层叠构造的第4变形例的截面图。在平衡-不平衡变换器1d中，当从层叠方向上看时，第1电容器5A和第2电容器5B形成在不同于第1线圈4A和第2线圈4B的区域中。在平衡-不平衡变换器1d中，低通滤波器6侧的第1线圈4A、低通滤波器6侧的第1电容器5A和高通滤波器7侧的第2电容器5B在层叠方向上布置在相同的区域中。仅有高通滤波器7侧的第2线圈4B在层叠方向上布置在不同于第1线圈4A、第1电容器5A和第2电容器5B的区域中。以这样的方式，在平衡-不平衡变换器1d中，当从层叠方向看时，第1电容器5A和第2电容器5B布置在第1线圈4A与第2线圈4B之间。

在平衡-不平衡变换器1d中，低通滤波器6侧的第1线圈4A由低通滤波器6侧的第1线圈导体13LA、第2线圈导体17LA、第3线圈导体19LA、通孔23A和通孔24A，以及低通滤波器6侧的第1绝缘层16、第2绝缘层18A和第3绝缘层20A构成。高通滤波器7侧的第2线圈4B由高通滤波器7侧的第2线圈导体13LB、第2线圈导体17LB、第3线圈导体19LB、通孔23B、通孔24B，以及高通滤波器7侧的第1绝缘层16B、第2绝缘层18B和第3绝缘层20B构成。低通滤波器6侧的第1电容器5A由第1电容器基板侧电极13CA、第1电容器对向电极15CA、第1电容器电极17CA和介电层14构成。高通滤波器7侧的第2电容器5B由第2电容器基板侧电极13CB、第2电容器对向电极15CB、第2电容器电极17CB和介电层14构成。端子部由端子用导体13TA、15TA、17TA、19TA、13TB、17TB、19TB和21T、以及端子镀层22构成。以这样的方式，形成第4变形例的层叠构造。

在平衡-不平衡变换器1d中，当从层叠方向上看时，第1电容器5A和第2电容器5B布置在不同于第1线圈4A和第2线圈4B的区域中。通过这样的配置，与当从层叠方向看时线圈和电容器的形成区域相重叠的现有技术构造相比，可以降低第1电容器5A和第2电容器5B对由第1线圈4A和第2线圈4B所产生的磁场的影响。因此，与实施方式1的平衡-不平衡变换器1相似，平衡-不平衡变换器1d的电特性也可以得到改善。在平衡-不平衡变换器1d中，第1电容器5A和第2电容器5B在层叠方向上布置在与形成第1线圈4A的区域相同的且在层叠方向上与形成第2线圈4B的区域不同的区域中。

实施方式2

图10是本发明实施方式2中平衡-不平衡变换器的平面图。在实施方式2的平衡-不平衡变换器1A中，在平面视图中，即当从层叠方向上看时，第1线圈4A、第2线圈4B、第1电容器5A和第2电容器5B布置成与实施方式1及其变形例中的平衡-不平衡变换器1、1a等不同。意在图10中示出第1线圈4A、第2线圈4B、第1电容器5A和第2电容器5B互相之间在平面上的位置关系。因此，如图3A～图3E所示的层叠构造的细节被省略和简化。

在平衡-不平衡变换器1A中，低通滤波器6侧的第1电容器5A布置在低通滤波器6侧的第1线圈4A与高通滤波器7侧的第2线圈4B之间，并且高通滤波器7侧的第2电容器5B布置在不平衡端子2与接地端子8之间。

实施方式3

图11是本发明实施方式3中的平衡-不平衡变换器的平面图。层叠构造的省略与在实施方式2中的相同。在平衡-不平衡变换器1B中，高通滤波器7侧的第2电容器5B布置在高通滤波器7侧的第2线圈4B与低通滤波器6侧的第1线圈4A之间，并且低通滤波器6侧的第1电容器5A布置在不平衡端子2与接地端子8之间。

实施方式4

图12是本发明实施方式4中平衡-不平衡变换器的平面图。层叠构造的省略与在实施方式2和3中相同。在平衡-不平衡变换器1C中，高通滤波器7侧的第2电容器5B和低通滤波器6侧的第1电容器5A布置在高通滤波器7侧的第2线圈4B与低通滤波器6侧的第1线圈4A之间。

评价

对低通滤波器6侧的电容器5A与高通滤波器7侧的电容器5B相对于低通滤波器6侧的第1线圈4A与高通滤波器7侧的第2线圈4B的位置关系对电特性的影响进行评价。评价对象分别为上述的实施方式1～实施方式4中的平衡-不平衡变换器1、1A、1B、1C，以及稍后描述的比较例1和比较例2。实施方式1的平衡-不平衡变换器对应于实施例1，实施方式2的平衡-不平衡变换器对应于实施例2，实施方式3的平衡-不平衡变换器对应于实施例3，实施方式4的平衡-不平衡变换器对应于实施例4。

对于评价，使用计算机模拟。2.5维模拟器SONNET被用作模拟软件。对于实施例1～实施例4以及稍后描述的比较例1和比较例2之间，在各例中改变低通滤波器6侧的第1电容器5A与高通滤波器7侧的第2电容器5B相对于低通滤波器6侧的第1线圈4A与高通滤波器7侧的第2线圈4B的位置关系，进行电特性的比较。出于该原因，实施例1～实施例4、比较例1和比较例2中各线圈与各导体层的各端子在位置、配置和形状上进行完全相同的设定。

作为评价平衡-不平衡变换器的必需电特性的4个特性，即***损耗特性、相位差特性、振幅差特性和反射损耗特性，被考虑用于评价。目标频带为用在无线局域网（LAN）和蓝牙等中的240MHz～2500MHz。***损耗特性表示传送效率，因而当损耗值越接近0dB时，特性越好。相位差特性在2个平衡信号的相位差为180deg.时为理想，因而当相位差越接近180deg.时特性越好。振幅差特性在2个平衡信号的振幅完全相同时为理想，因而当振幅差越接近0dB时特性越好。反射损耗特性表示反射效率，因而当dB值越大时特性越好。特别地，由于***损耗促成电力的节省，而这是移动电子设备所需要的，因此***损耗被认为是最重要的电特性。

比较例1

图13是示出比较例1中平衡-不平衡变换器的构造的截面图。在平衡-不平衡变换器101中，低通滤波器106侧的第1电容器105A和高通滤波器107侧的第2电容器105B被配置成，当从层叠方向看时，重叠于低通滤波器106侧的第1线圈104A和高通滤波器107侧的线圈104B所布置的区域，更具体而言为线圈开口内的区域。这源自于类似现有技术（quasi-conventional）构造。

在平衡-不平衡变换器101中，第1线圈104A和第1电容器105A构成低通滤波器106，第2线圈104B和第2电容器105B构成高通滤波器107。用于制造平衡-不平衡变换器101的方法与实施方式1中的制造方法相同，除第1电容器105A和第2电容器105B在层叠方向上形成在与第1线圈104A和第2线圈104B所形成的区域不同的区域外。第1电容器105A和第2电容器105B由导体层B1、导体层B2和介于B1层与B2层之间的SiN膜的I1层所构成。第1线圈104A和第2线圈104B由导体层M1、导体层M2、导体层M3、介于这些层间的绝缘层I2和I3、以及使导体层M3免受来自于产品外部的物理损伤的绝缘层I4所构成。

图14是比较例1中平衡-不平衡变换器的平面图。平衡-不平衡变换器101具有不平衡端子102、第1平衡端子103A、第2平衡端子103B和接地端子108的端子，具有第1线圈104A和第1电容器105A的低通滤波器106，以及具有第2线圈104B和第2电容器105B的高通滤波器107。注意到，在图14中，意在示出第1线圈104A、第2线圈104B、第1电容器105A和第2电容器105B相互间在平面上的位置关系。因此，如上述图3A～图3E所示的层叠构造的细节被省略和简化。第1电容器105A和第2电容器105B的容量值被设定成与实施例1～实施例4相同。此外，有必要将用于使导体层B2与导体层M1隔离的绝缘层I2的厚度设定成与实施例1～实施例4中第1线圈4A与第1电容器5A之间的平面方向距离以及第2线圈与第2电容器之间的平面方向距离相同，以进行比较，因此，绝缘层I2的厚度被设定成在层叠方向上与第1线圈4A与第1电容器5A之间的平面方向距离相同。

比较例2

图15是比较例2中平衡-不平衡变换器的平面图。平衡-不平衡变换器101a具有不平衡端子102、第1平衡端子103A、第2平衡端子103B和接地端子108的端子，具有第1线圈104A和第1电容器105Aa的低通滤波器106，以及具有第2线圈104B和第2电容器105Ba的高通滤波器107。在图15中，与图14相似，意在示出第1线圈104A、第2线圈104B、第1电容器105Aa和第2电容器105Ba相互间在平面上的位置关系。因此，如上述图3A～图3E所示的层叠构造的细节被省略和简化。

对于平衡-不平衡变换器101a的截面构造，仅增大了比较例1中第1电容器105A和第2电容器105B的尺寸。即，仅改变了图13中平衡-不平衡变换器101的B1与B2在平面方向上的面积，而其他构造与比较例1相同。在平衡-不平衡变换器101a中，不同于比较例1，第1电容器105Aa和第2电容器105Ba的电容器没有分别收纳在第1线圈104A和第2线圈104B的开口内。然而，第1电容器105Aa和第2电容器105Ba的容量值被设定成与实施例1～实施例4以及比较例1相同。另外，与比较例1相似，用于使导体层B2与导体层M1隔离的绝缘层I2的厚度，设定成在层叠方向上与第1线圈4A与第1电容器5A之间的平面方向距离相同。

实施例1的评价

图16A～图16D是示出实施例1、比较例1和比较例2的评价结果的图。在图16A～图16D中，实线表示实施例1的电特性，点线表示比较例1的电特性，短划线表示比较例2的电特性。就图16A～图16D而论，尽管相对于所有的***损耗特性、振幅差特性和反射损耗特性而言，相位差特性没有显著差异，但实施例1比比较例1和比较例2更好。另外，比较例2的全部电特性都比差于比较例1。认为原因在于，比较例2中第1电容器105Aa和第2电容器105Ba的尺寸大于比较例1中第1电容器105A和第2电容器105B的尺寸。即，结果表明，在具有比较例1和比较例2的构造的LC层叠构造型平衡-不平衡变换器中，电容器的尺寸对电特性有影响。

下面示出实施例2～实施例4与比较例1的评价结果。相比于比较例2，比较例1的电特性在一定程度上为更好。另外，在比较例1中，低通滤波器106侧的第1电容器105A和高通滤波器107侧的第2电容器105B的电极面积被设定成与实施例2～实施例4中低通滤波器6侧的第1电容器5A和高通滤波器7侧的第2电容器5B的电极面积相同。因此，比较例1与实施例2～实施例4的比较具有更大的意义。

实施例2的评价

图17A～图17D是示出实施例2与比较例1的评价结果的图。在图17A～图17D中，实线表示实施例2的电特性，点线表示比较例1的电特性。就图17A～图17D而论，尽管实施例2在相位差上要稍差于比较例1，但由于实施例2改善了被认为是最重要的电特性的***损耗，其综合电特性更好。

实施例3的评价

图18A～图18D是示出实施例3与比较例1的评价结果的图。在图18A～图18D中，实线表示实施例3的电特性，点线表示比较例1的电特性。就图18A～图18D而论，实施例3的所有电特性均优于比较例1。实施例4的评价

图19A～图19D是示出实施例4与比较例1的评价结果的图。在图19A～图19D中，实线表示实施例4的电特性，点线表示比较例1的电特性。就图19A～图19D而论，实施例4的所有电特性均优于比较例1。

实施例1～实施例4之间的比较

图20A～图20D是示出实施例1～实施例4与比较例1的评价结果的图。在图20A～图20D中，用实线表示实施例1的各个电特性，并用短划线表示实施例2，用点线表示实施例3，用链线表示实施例4，用粗线表示比较例1。结果显示，实施例3具有最好的电特性。

上述结果显示，与比较例1和比较例2的在形成第1线圈104A和第2线圈104B的区域形成第1电容器105A和第2电容器105B的构造相比，实施例1～实施例4中当从层叠方向看时在与形成第1线圈4A和第2线圈4B的区域不同的区域中形成第1电容器5A和第2电容器5B的构造，产生更大的改善电特性的效果。另外，在实施例1～实施例4中，第1电容器5A和第2电容器5B在层叠方向上布置在与第1线圈4A和第2线圈4B相同的区域中。因此，在实施例1～实施例4中，与第1电容器105A和第2电容器105B层叠在第1线圈104A和第2线圈104B上的比较例1与比较例2相比，可以实现薄化（减小层叠方向上的尺寸）。

在比较例1和2中，当从层叠方向上看时，第1电容器105A和第2电容器105B被配置成与布置第1线圈104A和第2线圈104B的区域相重叠。因此，推测对于第1线圈104A和第2线圈104B上下左右的所有导体所产生的磁场的影响相当大。电特性在第1电容器105A和第2电容器105B的电极尺寸更大的比较例2中进一步恶化的事实确认了这一现象。

在实施例1～实施例4中，第1电容器5A和第2电容器5B形成在与形成第1线圈4A和第2线圈4B不同的区域中，并且在层叠体中，第1电容器5A和第2电容器5B在层叠方向上布置在与第1线圈4A和第2线圈4B相同的区域中。因此，推测在实施例1～实施例4中，由于第1电容器5A与第2电容器5B的配置仅仅显著地影响由与第1线圈4A和第2线圈4B邻近的导体所产生的磁场，因此发挥了在电特性改善上的效果。然而，实施例1～实施例4中所产生的有利效果不限于此。

本发明不限于上述的实施方式、其变形例和实施例，在不改变本发明范围的情况下可以进行各种变形。例如，不平衡端子、第1平衡端子、第2平衡端子和接地端子的配置不限于上述位置。构成平衡-不平衡变换器的多层布线构造可以具有少于上述的层数。第1线圈4A和第2线圈4B也可以单独地形成在不同的导体层中，或可以仅部分地形成在相同的导体层中。第1电容器5A和第2电容器5B中的至少一个的电极可以设置在与第1线圈4A或第2线圈4B相同的导体层中，或者第1电容器5A和第2电容器5B的电极可以设置在与形成第1线圈4A和第2线圈4B的导体层不同的导体层中。形成有第1电容器5A和第2电容器5B的电极的导体层不限于第1导体层和中间导体层，可以由与第1线圈4A和第2线圈4B的导体相同的第1导体层和第2导体层构成，或者由第2导体层和第3导体层构成。显然，该构造可以在绝缘性基板上具有相反顺序的导体层。在不脱离本发明的范围内，可以采用各种线圈的配置和形状。例如，第1线圈4A与第2线圈4B或两者之一的线圈形状可以是圆形、椭圆形、多边形例如六边形、仅角部为圆的形状、蜿蜒形、或者螺旋形。

Claims (8)

1.一种层叠构造型平衡-不平衡变换器，包含：

低通滤波器，设置在输入和输出不平衡信号的不平衡端子与输入和输出平衡信号的第1平衡端子之间，并且包含第1线圈和第1电容器；

高通滤波器，设置在所述不平衡端子与输入和输出平衡信号的第2平衡端子之间，并且包含第2电容器和第2线圈；以及

层叠体，包含层叠在基板的表面上的多个层，该多个层包含具有导体图案的多个导体层和多个绝缘层，且所述层叠体包含所述低通滤波器和所述高通滤波器，

其中，当从所述层叠体的层叠方向看时，所述第1电容器和所述第2电容器配置在与所述第1线圈和所述第2线圈不同的区域中。

2.根据权利要求1所述的层叠构造型平衡-不平衡变换器，其中，

当从所述层叠方向看时，所述第1电容器和所述第2电容器配置在所述第1线圈与所述第2线圈之间。

3.根据权利要求2所述的层叠构造型平衡-不平衡变换器，其中，

所述第1电容器和所述第2电容器中的至少一个与所述第1线圈和所述第2线圈中的至少一个，在所述层叠方向上配置在所述层叠体的相同区域中。

4.根据权利要求3所述的层叠构造型平衡-不平衡变换器，其中，

所述第1线圈和所述第2线圈，在所述层叠方向上配置在所述层叠体的相同区域中。

5.根据权利要求3所述的层叠构造型平衡-不平衡变换器，其中，

所述第1电容器和所述第2电容器与所述第1线圈或所述第2线圈，在所述层叠方向上配置在所述层叠体的相同区域中。

6.根据权利要求3所述的层叠构造型平衡-不平衡变换器，其中，

所述第1电容器和所述第2电容器与所述第1线圈和所述第2线圈，在所述层叠方向上配置在所述层叠体的相同区域中。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的层叠构造型平衡-不平衡变换器，其中，

当从所述层叠方向看时，所述第1电容器和所述第2电容器中的至少一个配置在所述第1线圈与所述第2线圈之间。

8.根据权利要求1～6中任一项所述的层叠构造型平衡-不平衡变换器，其中，

当从所述层叠方向看时，所述第1电容器和所述第2电容器中的至少一个配置在所述不平衡端子与连接于地的接地端子之间。

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