CN103548170A - 顶发射有机电致发光二极管及其制备方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 34
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 61
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 41
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 29
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 27
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 27
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 27
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 22
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 22
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 claims description 20
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 18
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 18
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 14
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 14
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 11
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 11
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 11
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 11
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 11
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 10
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical group [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 9
- 239000004425 Makrolon Substances 0.000 claims description 5
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 claims description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 2
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 claims 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims 2
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 claims 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 abstract description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 166
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 26
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 16
- DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 12
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 9
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 1-(2,2-diphenylethenyl)-4-[4-(2,2-diphenylethenyl)phenyl]benzene Chemical compound C=1C=C(C=2C=CC(C=C(C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=CC=1C=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 8
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 6
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 6
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 4-carbazol-9-yl-n,n-bis(4-carbazol-9-ylphenyl)aniline Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 101000837344 Homo sapiens T-cell leukemia translocation-altered gene protein Proteins 0.000 description 4
- 102100028692 T-cell leukemia translocation-altered gene protein Human genes 0.000 description 4
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 4
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 4
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 4
- GDRVFDDBLLKWRI-UHFFFAOYSA-N 4H-quinolizine Chemical compound C1=CC=CN2CC=CC=C21 GDRVFDDBLLKWRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 3
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 2
- 150000005360 2-phenylpyridines Chemical class 0.000 description 2
- DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CN=C21 DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N Li2O Inorganic materials [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 2
- XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M dilithium;hydroxide Chemical compound [Li+].[Li+].[OH-] XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- SIOXPEMLGUPBBT-UHFFFAOYSA-N picolinic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=N1 SIOXPEMLGUPBBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N benzidine Chemical class C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1 HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/828—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
- H10K2102/3023—Direction of light emission
- H10K2102/3026—Top emission
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
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Abstract
一种顶发射有机电致发光二极管及其制备方法，包括依次层叠的衬底（101）、阳极层（102）、空穴注入层（103）、空穴传输层（104）、发光层（105）、电子传输层（106）、电子注入层（107）和阴极层（108）；阴极层（108）包括设置在电子注入层（107）上的铝层（1081）以及设置在铝层（1081）上由银和氧化硅构成的混合薄膜层（1082）。由于阴极层（108）采用铝层（1081）和混合薄膜层（1082）组成的复合层结构，提高了器件的光透过率，从而提高了器件的发光效率。
Description
技术领域
本发明涉及光电子器件领域，尤其涉及一种顶发射有机电致发光二极管。本发明还涉及该顶发射有机电致发光二极管的制备方法。
背景技术
有机电致发光 (Organic Light Emission Diode ，简称 OLED)
二极管，具有亮度高、材料选择范围宽、驱动电压低、全固化主动发光等特性，同时拥有高清晰、广视角， 以及可顺畅显示动画的高速响应等优势，并且 OLED
器件可制作成柔性结构，可进行折叠弯曲，是一种极具潜力的平板显示技术和平面光源，符合信息时代移动通信和信息显示的发展趋势，以及绿色照明技术的要求，是最近十几年相当热门的研究领域。
有机电致发光二极管具有一种类似三明治的结构，其上下分别是阴极和阳极，二个电极之间夹着单层或多层不同材料种类和不同结构的有机材料功能层，依次为空穴注入层，空穴传输层，发光层，电子传输层，电子注入层。有机电致发光二极管是载流子注入型发光器件，在阳极和阴极加上工作电压后，空穴从阳极，电子从阴极分别注入到工作器件的有机材料层中，两种载流子在有机发光材料中形成空穴
- 电子对发光，然后光从电极一侧发出。
然而，有机电致发光二极管发展到现在，其结构大多是底部发光式的，其光透过率较低，且阴极层材料一般采用金属 Ag
，而 Ag 在厚度较薄时，具有较好的透过率。但是 Ag 的功函为 4.6 eV ，与常用的电子传输材料的 LUMO 能级之间存在较大势垒；此外，当 Ag
的厚度稍厚时， Ag 层的光透过率较低。
发明内容
本发明的目的在于提供一种可见光透过率较高的顶发射有机电致发光二极管。
一种顶发射有机电致发光二极管，包括依次层叠的衬底、阳极层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极层；其中，所述阴极层包括设置在所述电子注入层表面的铝层以及设置在所述铝层表面的银和氧化硅的混合薄膜层。
上述顶发射有机电致发光二极管的所述混合薄膜层中，银的质量百分比为 45~90% ，且所述铝层的厚度为
0.3~1nm ，所述混合薄膜层的厚度为 20~35nm 。
本发明提供的 顶发射有机电致发光二极管 ，其采用的衬底 材料为聚合物薄膜，如， 聚对苯二甲酸乙二醇酯
(PET) 、 聚醚砜 (PES) 、 透明聚酰亚胺 (PI) 或 聚碳酸酯 (PC) 。
该顶发射有机电致发光二极管的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层所用材料为本领域所常用的材质，比如：
空穴注入层的材料选用 4,4',4'- 三 (N-3- 甲基苯基 -N- 苯基 - 氨基 )- 三苯基胺
(m-MTDATA) 或酞菁铜 (CuPc) ；
空穴传输层的材料选用 NPB ( N,N'- 二苯基 -N,N'- 二 (1- 萘基 )-1,1'- 联苯
-4,4'- 二胺 ) 、 TPD(N,N'- 二苯基 -N,N'- 二 (3- 甲基苯基 )-1,1'- 联苯 -4,4'- 二胺 ) 或
TCTA(4,4',4''- 三 ( 咔唑 -9- 基 )- 三苯胺 ) ；
发光层的材料选用 Alq3:C545T ( 其中，
C545T(1H,5H,11H-[1] 苯丙吡喃酮基 [6,7,8-ij] 喹嗪 -11- 酮 ) 作为客体材料， Alq3((8-
羟基喹啉 ) 铝 ) 作为主体材料，客体材料掺杂质量百分比含量为 2%) 、 FIrpic:CBP( 其中， FIrpic( 二 (4,6- 二氟苯基吡啶
-N,C2) 吡啶甲酰合铱 ) 作为客体材料， CBP(4,4'-N, N- 二咔唑基 - 联苯 ) 作为主体材料，客体材料掺杂质量百分比含量为 8%) 、
TPBi:Ir(ppy)3( 其中， Ir(ppy)3( 三 (2- 苯基吡啶 ) 合铱 ) ，
TPBi(1,3,5- 三 (1- 苯基 -1H- 苯并咪唑 -2- 基 ) 苯 ) 为主体材料，客体材料掺杂质量百分比含量为 4%) 、
DPVBi(4,4'- 双 (2,2- 二苯乙烯基 ) 联苯 ) 或者 DPVBi 与 Rubrene( 红荧烯 ) 构成的复合层 ( 即
DPVBi/Rubrene) ；
电子传输层的材料选用 Alq3((8- 羟基喹啉 ) 铝 ) 、
Bphen(4,7- 二苯基 - 邻菲咯啉 ) 或者 TPBi(1,3,5- 三 (1- 苯基 -1H- 苯并咪唑 -2- 基 ) 苯 ) ；
电子注入层的材料选用 LiF 、 CsF 或 Li2O 。
所述阳极的材质为 Ag 、 Al 或者 Au 等金属。
本发明还提供一种上述顶发射有机电致发光二极管的制作方法，其包括以下步骤：
S1 、清洗、干燥衬底；
S2 、利用真空镀膜的方法，在所述衬底表面蒸镀一层阳极层；
S3
、利用真空镀膜的方法，在所述阳极层表面依次层叠蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层；
S4
、在所述电子注入层的表面蒸镀一层铝层，接着在所述铝层表面蒸镀银和氧化硅的混合薄膜层，所述铝层和混合薄膜层形成一复合层结构的阴极层；
上述制备工艺完成后，得到顶发射有机电致发光二极管。
本发明提供的顶发射有机电致发光二极管，阴极层采用铝层与银和氧化硅的混合薄膜层组成的复合层结构，其阴极的可见光透过率达到 70-80%
之间，从而可以提高了阴极层表面的出光率；相应地，该器件的发光效率也从原来的 9.2lm/W 提高到 19.2-22.3lm/W 之间。
附图说明
图 1 为本发明顶发射有机电致发光二极管的结构示意图；其中，
101 衬底、 102 阳极层、 103 空穴注入层、 104 空穴传输层、 105 发光层、 106
电子传输层、 107 电子注入层、 108 阴极 ；
图 2 为本发明顶发射有机电致发光二极管的制备工艺流程图；
图 3 为 实施例 1 、对比例 1 和对比例 1 的 有机电致发光二极管 的 电流密度 -
电压特性曲线图。
具体实施方式
本发明提供的一种顶发射有机电致发光二极管，如图 1 所示，包括依次层叠的衬底 101 、阳极层 102
、空穴注入层 103 、空穴传输层 104 、发光层 105 、电子传输层 106 、电子注入层 107 及阴极层 108 ；其中，所述阴极层 108
包括设置在所述电子注入层 107 表面的铝层 1081 以及设置在所述铝层 1081 表面的银和氧化硅的混合薄膜层 1082 ；即，衬底 101/ 阳极层
102/ 空穴注入层 103/ 空穴传输层 104/ 发光 105/ 电子传输层 106/ 电子注入层 107/ 铝层 (Al)1081/ 银 (Ag)
和氧化硅 (SiO) 的混合薄膜层 1082 ； Ag:SiO 层表示银 (Ag) 和氧化硅 (SiO) 的混合薄膜层；则所述阴极层 108 的结构为 Al
层 1081/(Ag: SiO) 层 1082 。
该顶发射有机电致发光二极管的所述混合薄膜层中，银的质量百分比为 45~90% ，且所述铝层的厚度为
0.3~1nm ，所述混合薄膜层的厚度为 20~35nm 。银 (Ag) 和氧化硅 (SiO) 的混合薄膜层 1082 中， SiO
能够提高该阴极层的透过率，所述 Ag:SiO 混合薄膜层在可见光透过率可达到 70-80% 之间；此外，在蒸镀过程中， SiO 能够与金属 Ag
反应，生成部分金属氧化物 AgO ，也可以提高电极的电子注入能力。
该顶发射有机电致发光二极管，其采用的衬底材料为聚合物薄膜，如，聚对苯二甲酸乙二醇酯 (PET) 、聚醚砜
(PES) 、透明聚酰亚胺 (PI) 、透明聚酰亚胺 (PI) 或聚碳酸酯 (PC) ；鉴于该顶发射有机电致发光二极管为顶发射 OLED
器件，故其衬底材料的聚合物薄膜表面必须经过平整加硬处理，表面硬度高达 2H-3H( 铅笔硬度 ) 。
该顶发射有机电致发光二极管的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层所用材料为本领域所常用的材质，比如：
空穴注入层的材料选用 4,4',4'- 三 (N-3- 甲基苯基 -N- 苯基 - 氨基 )- 三苯基胺
(m-MTDATA) 或酞菁铜 (CuPc) ；
空穴传输层的材料选用 NPB ( N,N'- 二苯基 -N,N'- 二 (1- 萘基 )-1,1'-
联苯 -4,4'- 二胺 ) 、 TPD(N,N'- 二苯基 -N,N'- 二 (3- 甲基苯基 )-1,1'- 联苯 -4,4'- 二胺 ) 或
TCTA(4,4',4''- 三 ( 咔唑 -9- 基 )- 三苯胺 ) ；
发光层的材料选用 Alq3:C545T ( 其中，
C545T(1H,5H,11H-[1] 苯丙吡喃酮基 [6,7,8-ij] 喹嗪 -11- 酮 ) 作为客体材料， Alq3((8-
羟基喹啉 ) 铝 ) 作为主体材料，客体材料掺杂质量百分比含量为 2%) 、 FIrpic:CBP( 其中， FIrpic( 二 (4,6- 二氟苯基吡啶
-N,C2) 吡啶甲酰合铱 ) 作为客体材料， CBP(4,4'-N, N- 二咔唑基 - 联苯 ) 作为主体材料，客体材料掺杂质量百分比含量为 8%) 、
TPBi:Ir(ppy)3( 其中， Ir(ppy)3( 三 (2- 苯基吡啶 ) 合铱 ) ，
TPBi(1,3,5- 三 (1- 苯基 -1H- 苯并咪唑 -2- 基 ) 苯 ) 为主体材料，客体材料掺杂质量百分比含量为 4%) 、
DPVBi(4,4'- 双 (2,2- 二苯乙烯基 ) 联苯 ) 或者 DPVBi 与 Rubrene( 红荧烯 ) 构成的复合层 ( 即
DPVBi/Rubrene) ；
电子传输层的材料选用 Alq3(8- 羟基喹啉 ) 铝 ) 、
Bphen(4,7- 二苯基 - 邻菲咯啉 ) 或者 TPBi(1,3,5- 三 (1- 苯基 -1H- 苯并咪唑 -2- 基 ) 苯 ) ；
电子注入层的材料选用 LiF 、 CsF 或 Li2O 。
所述阳极的材质为金属 Ag 、 Al 或者 Au ，所述阳极层厚度为 60-150nm 。
本发明还提供一种上述顶发射有机电致发光二极管的制作方法，如图 2 所示，其包括以下步骤：
S1 、将衬底 ( 如，聚合物薄膜 )
放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，用去离子水清洗干净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理，然后在用氮气吹干，备用；其中，聚合物薄膜包括聚对苯二甲酸乙二醇酯
(PET) 、聚醚砜 (PES) 、聚萘二甲酸乙二醇酯 (PEN) 或聚碳酸酯 (PC) ；
S2 、利用真空镀膜的方法，在洗净的衬底表面蒸镀一层阳极层，该阳极层的厚度 60-150nm ；
S3
、用真空镀膜的方法，在阳极层表面依次蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层；所述空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层的厚度分别为
30-40 、 20~50nm 、 15~20nm 、 30~40nm 和 1nm 。
S4 、在所述电子注入层的表面蒸镀厚度为 0.3~1nm 的铝层，接着在所述铝层表面蒸镀厚度为
20~35nm 的银和氧化硅的混合薄膜层 ( 即 Ag:SiO) ；所述铝层和混合薄膜层形成一复合层结构的阴极层；
上述制备工艺完才成后，得到顶发射有机电致发光二极管。
上述步骤 S1
中，还包括聚合物薄膜的清洗过程，首先将聚合物薄膜衬底放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理 20
分钟，然后再用氮气吹干
上述步骤 S2 中，还包括对所述阳极层的表面处理步骤：
所述阳极层制备完毕后，需将其置于等离子处理仪中进行等离子处理；这样，经过等离子处理的阳极层，能够降低空穴的注入势垒。
上述步骤 S4 中，还包括 Ag:SiO 层的制备步骤：
将 Ag 与 SiO
分别置于两个蒸发舟中，通过热蒸镀同时蒸发两种材料得到的混合物薄膜，并通过调节材料的蒸镀速率，控制材料在膜层中的比例，制得 Ag:SiO 层。
本发明提供的顶发射有机电致发光二极管，阴极层采用铝层与银和氧化硅的混合薄膜层组成的复合层结构，其阴极的可见光透过率达到 70-80%
之间，从而可以提高了阴极层表面的出光率；相应地，该器件的发光效率也从原来的 9.2 lm/W 提高到 19.2-22.3 lm/W 之间。
下面结合附图，对本发明的较佳实施例作进一步详细说明。
实施例 1
本实施例 1 的顶发射有机电致发光二极管结构为： PET/Ag/m-MTDATA/NPB/
C545T:Alq3/ Alq3/LiF/ Ag/(Ag:SiO) 。
该顶发射有机电致发光二极管的制备工艺如下：
将 PET 薄膜衬底放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理
20 分钟，然后再用氮气吹干。
在真空蒸镀***中，在 PET 薄膜表面沉积厚度为 60nm 的 Ag 作为阳极，然后将阳极用氧等离子处理
2 分钟。
处理完毕后，继续在阳极上依次蒸镀厚度为 30 nm 的空穴注入层 m-MTDATA ，厚度为 50 nm
的空穴传输层 NPB ，厚度为 20nm 的发光层 C545T:Alq3( 其中， C545T 为客体材料，
Alq3 为主体材料，客体材料掺杂质量百分比含量为 2%) ，厚度为 40nm 的电子传输层 Alq3 ，厚度为
1nm 的电子注入层 LiF 。
然后是蒸镀阴极层，结构为 Al/(Ag:SiO) ；其中， Al 层的厚度为 0.3nm ， Ag:SiO
层的为 20nm ，且 Ag 在 Ag:SiO 中的质量百分比为 45.2% 。
实施例 2
本实施例 2 的顶发射有机电致发光二极管结构为： PC /Al/m-MTDATA/TPD/ DPVBi/
Bphen/CsF/ Al/(Ag:SiO) 。
该顶发射有机电致发光二极管的制备工艺如下：
将 PC 薄膜衬底放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理 20
分钟，然后再用氮气吹干。
在真空蒸镀***中，在 PC 薄膜表面沉积厚度为 80nm 的 Al 作为阳极，然后将阳极用氧等离子处理 5
分钟。
处理完毕后，继续在阳极上依次蒸镀厚度为 30 nm 的空穴注入层 m-MTDATA ，厚度为 40 nm
的空穴传输层 TPD ，厚度为 20nm 的发光层 DPVBi ，厚度为 40nm 的电子传输层 Bphen ， 厚度为 1nm 的电子注入层 CsF
。
然后是蒸镀阴极层，结构为 Al/(Ag:SiO) ；其中， Al 层的厚度为 1nm ， Ag:SiO
层的为 25nm ，且 Ag 在 Ag:SiO 中的质量百分比为 65.8% 。
实施例 3
本实施例 3 的顶发射有机电致发光二极管结构为： PI/Ag/CuPc/TCTA/
TPBi:Ir(ppy)3/TPBi/Li2O/ Al/(Ag:SiO) 。
该顶发射有机电致发光二极管的制备工艺如下：
将 PI 薄膜衬底放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理 20
分钟，然后再用氮气吹干。
在真空蒸镀***中，在 PI 薄膜表面沉积厚度为 100 nm 的 Ag 作为阳极，然后将阳极用氧等离子处理
2 分钟。
处理完毕后，继续在阳极上依次蒸镀厚度为 30 nm 的空穴注入层 CuPc ，厚度为 50 nm
的空穴传输层 TCTA ，厚度为 20nm 的发光层 TPBi:Ir(ppy)3( 其中， TPBi 为主体材料，
Ir(ppy)3 为客体材料，客体材料掺杂质量百分比含量为 4%)( ，厚度为 20nm 的电子传输层 TPBi ，厚度为 1 nm
的电子注入层 Li2O 。
然后是蒸镀阴极层，结构为 Al/(Ag:SiO) ；其中， Al 层的厚度为 0.3nm ， Ag:SiO
层的为 35nm ，且 Ag 在 Ag:SiO 中的质量百分比为 75.8% 。
实施例 4
本实施例 4 的顶发射有机电致发光二极管结构为： PEN /Au/m-MTDATA/NPB/
FIrpic:CBP / Alq3/LiF/ Al/(Ag:SiO) 。
该顶发射有机电致发光二极管的制备工艺如下：
将 PEN 薄膜衬底放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理
20 分钟，然后再用氮气吹干。
在真空蒸镀***中，在 PEN 薄膜表面沉积厚度为 120 nm 的 Au
作为阳极，然后将阳极该用氧等离子处理 2 分钟。
处理完毕后，继续在阳极上依次蒸镀厚度为 30 nm 的空穴注入层 m-MTDATA ，厚度为 50 nm
的空穴传输层 NPB ，厚度为 20nm 的发光层 FIrpic:CBP( 其中， FIrpic 为客体材料， CBP
作为主体材料，客体材料掺杂质量百分比含量为 8%) ；之后是厚度为 20nm 的电子传输层 Alq3 ，厚度为 1nm 的电子注入层
LiF 。
然后是蒸镀阴极层，结构为 Al/(Ag:SiO) ；其中， Al 层的厚度为 0.5nm ， Ag:SiO
层的为 20nm ，且 Ag 在 Ag:SiO 中的质量百分比为 89.7% 。
对比例 1
本对比例 1 的有机电致发光二极管结构为： PET/Ag/m-MTDATA/NPB/
C545T:Alq3/ Alq3/LiF/Ag 。
该有机电致发光二极管的制备工艺如下：
将 PET 薄膜衬底放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理
20 分钟，然后再用氮气吹干。
在真空蒸镀***中，在 PET 薄膜表面沉积厚度为 60nm 的 Ag 作为阳极，然后将阳极用氧等离子处理
2 分钟。
处理完毕后，继续在阳极上依次蒸镀厚度为 30 nm 的空穴注入层 m-MTDATA ，厚度为 50 nm
的空穴传输层 NPB ，厚度为 20nm 的发光层 C545T:Alq3( 其中 C545T( 1H,5H,11H-[1] 苯丙吡喃酮基
[6,7,8-ij] 喹嗪 -11- 酮)作为客体材料， Alq3((8- 羟基喹啉 ) 铝 )
作为主体材料，客体材料掺杂质量百分比含量为 2%); 厚度为 40nm 的电子传输层 Alq3 ，厚度为 1nm 的电子注入层 LiF
，然后是厚度为 20 nm 的 Ag 阴极。
对比例 2
本对比例 2 的有机电致发光二极管结构为： PET/Ag/m-MTDATA/NPB/
C545T:Alq3/ Alq3/LiF/ Ag /ITO 。
该有机电致发光二极管的制备工艺如下：
将 PET 薄膜衬底放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理
20 分钟，然后再用氮气吹干。
在真空蒸镀***中，在 PET 薄膜表面沉积厚度为 60nm 的 Ag 作为阳极，然后将阳极用氧等离子处理
2 分钟。
处理完毕后，继续在阳极上依次蒸镀厚度为 30 nm 的空穴注入层 m-MTDATA ，厚度为 50 nm
的空穴传输层 NPB ，厚度为 20nm 的发光层 C545T:Alq3( 其中， C545T 为客体材料，
Alq3 为主体材料，客体材料掺杂质量百分比含量为 2%) ；，厚度为 40nm 的电子传输层 Alq3 ，厚度为
1nm 的电子注入层 LiF ，然后是低频溅射制备的厚度为 50 nm 的 ITO 阴极。
将实施例 1 ， 2 ， 3 ， 4 和对比例 1 制作的器件进行发光性能测试，包括了器件在 8V
的驱动电压下的发光亮度以及器件的最大流明效率；测试结果见表 1 ；
表 1
| 实施例 1 | 实施例 2 | 实施例 3 | 实施例 4 | 对比例 1 | 对比例 2 | |
| 透过率 | 79.8% | 78.5% | 70.2% | 74.5% | 62.5% | 82.3% |
| 8V时亮度 (cd/m<sup>2</sup>) | 4563 | 4146 | 3965 | 4233 | 3015 | 1026 |
| 发光效率 (lm/W) | 21.4 | 22.3. | 19.2 | 20.2 | 12.6 | 9.3 |
从表 1 中可以得知，由于 Al/(Ag:SiO)
复合层状的阴极层既提高了阴极层的透光率，又保证了阴极层的较好导电性；此外，电子注入性能也高于对比例 1 的薄层金属 Ag 以及 ITO
电极，因此各项发光性能数据均较好。
图 3 为 实施例 1 、对比例 1 和对比例 2 的 有机电致发光二极管 的 电流密度 -
电压特性曲线图。
从图 3 的曲线上可以看出，本发明实施例 1 提供的 Al/(Ag:SiO)
复合层状的阴极层具有更好的电子注入效果，导致在相同驱动电压下，器件能够得到较高的电流密度。
应当理解的是，上述针对本发明较佳实施例的表述较为详细，并不能因此而认为是对本发明专利保护范围的限制，本发明的专利保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
- 一种顶发射有机电致发光二极管，该顶发射有机电致发光二极管包括依次层叠的衬底、阳极层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极层；其特征在于，所述阴极层包括设置在所述电子注入层表面的铝层以及设置在所述铝层表面的银和氧化硅的混合薄膜层。
- 根据权利要求1所述的顶发射有机电致发光二极管，其特征在于，所述混合薄膜层中，银的质量百分比为 45~90%。
- 根据权利要求1或2所述的顶发射有机电致发光二极管，其特征在于，所述铝层的厚度为0.3~1nm，所述混合薄膜层的厚度为20~35nm。
- 根据权利要求1所述的顶发射有机电致发光二极管，其特征在于，所述衬底的材质为聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚醚砜、透明聚酰亚胺或者聚碳酸酯。
- 根据权利要求1所述的顶发射有机电致发光二极管，其特征在于，所述阳极层的材质为银、铝或者金。
- 一种顶发射有机电致发光二极管的制备方法，包括如下步骤：S1 ，清洗、干燥衬底；S2 ，在所述衬底的表面蒸镀一层阳极层；S3 ，在所述阳极层表面依次层叠蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层；S4 ，在所述电子注入层的表面蒸镀一层铝层，接着在所述铝层表面蒸镀银和氧化硅的混合薄膜层，所述铝层和混合薄膜层形成一复合层结构的阴极层；上述制备工艺完后，制得所述顶发射有机电致发光二极管。
- 根据权利要求6所述的顶发射有机电致发光二极管的制备方法，其特征在于，所述混合薄膜层中，银的质量百分比为45~90%。
- 根据权利要求6或7所述的顶发射有机电致发光二极管的制备方法，其特征在于，所述铝层的厚度为0.3~1nm，所述混合薄膜层的厚度为20~35nm。
- 根据权利要求6所述的顶发射有机电致发光二极管的制备方法，其特征在于，所述衬底的材质为聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚醚砜、透明聚酰亚胺或者聚碳酸酯。
- 根据权利要求6所述的顶发射有机电致发光二极管的制备方法，其特征在于，所述阳极层的材质为银、铝或者金。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/CN2011/076714 WO2013000164A1 (zh) | 2011-06-30 | 2011-06-30 | 顶发射有机电致发光二极管及其制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103548170A true CN103548170A (zh) | 2014-01-29 |
Family
ID=47423403
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201180071001.XA Pending CN103548170A (zh) | 2011-06-30 | 2011-06-30 | 顶发射有机电致发光二极管及其制备方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20140110693A1 (zh) |
| EP (1) | EP2728637A4 (zh) |
| JP (1) | JP2014519162A (zh) |
| CN (1) | CN103548170A (zh) |
| WO (1) | WO2013000164A1 (zh) |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20140129 |