CN103544112A - 一种移动终端的存储器坏块处理方法及移动终端 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种移动终端的存储器坏块处理方法及移动终端，所述方法包括：当某一个应用程序被打开时，获取该应用在掉电不易失存储器中的地址及大小，并拷贝该应用程序至掉电易失存储器中运行，同时记录该应用程序在掉电易失存储器中的地址及大小；当该应用程序打开失败，则说明掉电不易失存储器或掉电易失存储器中存在坏块；并再将该应用程序拷贝到掉电易失存储器中另外地址中运行，如果该应用打开成功则说明掉电易失存储器中存在坏块，如果该应用打开失败则说明掉电不易失存储器中存在坏块。采用本发明其很容易区分出坏块是在掉电不易失存储器还是掉电易失存储器上，可及时屏蔽坏块，不容易出现文件存储打开失败的情况，为用户提供了方便。
Description
技术领域
本发明涉及移动终端领域，尤其涉及的是一种移动终端的存储器坏块处理方法及移动终端。
背景技术
移动终端的存储器包括掉电不易失存储器和掉电易失存储器，顾名思义，掉电易不失存储器在断电后依然能保存数据，而掉电易失存储器在断电后数据将消失。在移动终端中，掉电不易失存储器主要包括FLASH（闪存）、EEPROM（电可擦可编程只读存储器）等，掉电易失存储器主要包括DRAM（动态随机存取存储器）、SDRAM（同步动态随机存储器）等。
随着移动终端功能越来越强大，移动终端已经成为人们日常生活中不可或缺的一部分，而存储器作为移动终端最重要的部件之一，其承载着移动终端使用的方方面面。在移动终端日常使用中，人们经常会碰到一些功能打开失败的情况，这很多时候都是由于存储器有坏块造成的。但是现有技术中，不容易区分是掉电不易失存储器上有坏块还是掉电易失存储器上有坏块，无法及时屏蔽，经常会容易出现文件存储打开失败的情况，给用户造成麻烦。
因此，现有技术还有待于改进和发展。
发明内容
本发明要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提供一种移动终端的存储器坏块处理方法及移动终端，其很容易区分出坏块是在掉电不易失存储器还是掉电易失存储器上，可及时屏蔽坏块，不容易出现文件存储打开失败的情况，为用户提供了方便。
本发明解决技术问题所采用的技术方案如下：
一种移动终端的存储器坏块处理方法，其中，包括：
A，当某一个应用程序被打开时，获取该应用在掉电不易失存储器中的地址及大小，并拷贝该应用程序至掉电易失存储器中运行，同时记录该应用程序在掉电易失存储器中的地址及大小；
B，当该应用程序打开失败，则说明掉电不易失存储器或掉电易失存储器中存在坏块；并再将该应用程序拷贝到掉电易失存储器中另外地址中运行，如果该应用打开成功则说明掉电易失存储器中存在坏块，如果该应用打开失败则说明掉电不易失存储器中存在坏块；
C，根据上述步骤B的结论，判断掉电不易失存储器或掉电易失存储器中的坏块的地址并记录下来。
所述移动终端的存储器坏块处理方法，其中，所述掉电不易失存储器包括FLASH、EEPROM，所述掉电易失存储器包括DRAM、SDRAM。
所述移动终端的存储器坏块处理方法，其中，所述步骤A具体包括：
A1、当在移动终端中选择打开一个应用时，移动终端中央处理器在FLASH中获取该应用所在起始地址FLASHAddr及大小FLASHLen；
A2、将该应用程序从掉电不易失存储器FLASH中拷贝到掉电易失存储器RAM中运行，并记录在RAM中运行该应用的起始地址RAMAddr及大小RAMLen。
所述移动终端的存储器坏块处理方法，其中，所述步骤B具体包括：
B1、如果应用程序打开失败，则认为是FLASH中存放该应用的位置有坏块或RAM中运行该用应用的位置有坏块；
B2、中央处理器再次从FLASH 中将该应用拷贝到RAM另外地址中运行；
B3、如果应用程序成功打开则判定RAM中存在坏块，如果应用程序仍然打开失败则判定FLASH中存在坏块。
所述移动终端的存储器坏块处理方法，其中，所述步骤C具体包括：
C1、若检测到FLASH中有坏块，则依次对FLASHAddr开始大小为FLASHLen的区域进行全部写0xFF操作，然后依次读取，如果哪个位读出来不是0xFF则说明该地址为坏块；
C2、再依次对FLASHAddr开始大小为FLASHLen的区域进行全部写0x00操作，然后依次读取，如果哪个位读出来不是0x00则说明该地址为坏块；
C3、将上述电不易失存储器或掉电易失存储器中的坏块的地址记录并保存。
一种移动终端，其中，包括：
存储器读写模块，用于当某一个应用程序被打开时，获取该应用在掉电不易失存储器中的地址及大小，并拷贝该应用程序至掉电易失存储器中运行，同时记录该应用程序在掉电易失存储器中的地址及大小；
坏块判断处理模块，用于当该应用程序打开失败，则说明掉电不易失存储器或掉电易失存储器中存在坏块；并再将该应用程序拷贝到掉电易失存储器中另外地址中运行，如果该应用打开成功则说明掉电易失存储器中存在坏块，如果该应用打开失败则说明掉电不易失存储器中存在坏块；
坏块记录模块，用于判断掉电不易失存储器或掉电易失存储器中的坏块的地址并记录下来。
所述的移动终端，其中，所述掉电不易失存储器包括FLASH、EEPROM，所述掉电易失存储器包括DRAM、SDRAM。
本发明所提供的移动终端的存储器坏块处理方法及***，由于采用了当某一个应用程序被打开时，获取该应用在掉电不易失存储器中的地址及大小，然后拷贝该应用程序至掉电易失存储器中运行，同时记录该应用程序在掉电易失存储器中的地址及大小；如果该应用程序打开失败，则说明掉电不易失存储器或掉电易失存储器中存在坏块；然后再将该应用程序拷贝到掉电易失存储器中另外地址中运行，如果该应用打开成功则说明掉电易失存储器中存在坏块，如果该应用打开失败则说明掉电不易失存储器中存在坏块，其使移动终端增加了新功能：能区分出坏块是在掉电不易失存储器还是掉电易失存储器上；可及时屏蔽坏块，避免出现文件存储打开失败的情况，为用户提供了方便。
附图说明
图1是本发明移动终端的存储器坏块处理方法的较佳实施例的流程图。
图2、图3和图4是本发明移动终端的存储器坏块处理方法的具体应用实施例的流程图。
图5是本发明移动终端的硬件连接结构示意图。
图6是本发明移动终端的软件功能原理框图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚、明确，以下参照附图并举实施例对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
请参见图1，图1是本发明移动终端的存储器坏块处理方法的较佳实施例的流程图。如图1所示，所述移动终端的存储器坏块处理方法包括：
步骤S100，当某一个应用程序被打开时，获取该应用在掉电不易失存储器中的地址及大小，并拷贝该应用程序至掉电易失存储器中运行，同时记录该应用程序在掉电易失存储器中的地址及大小。
其中，掉电不易失存储器主要包括FLASH、EEPROM等，掉电易失存储器主要包括DRAM、SDRAM等。
步骤S200，当该应用程序打开失败，则说明掉电不易失存储器或掉电易失存储器中存在坏块；并再将该应用程序拷贝到掉电易失存储器中另外地址中运行，如果该应用打开成功则说明掉电易失存储器中存在坏块，如果该应用打开失败则说明掉电不易失存储器中存在坏块。
步骤S300，根据上述步骤S200的结论，判断掉电不易失存储器或掉电易失存储器中的坏块的地址并记录下来。
可见，本发明可以在应用程序打开失败时迅速判断出是由于掉电易失存储器中的坏块造成的，还是掉电不易失存储器中的坏块造成的；并对存储器中的坏块的地址并记录下来。利用本发明可以在移动终端日常使用过程中，及早发现存储器中的坏块并对这些坏块作记录，这样，可及时屏蔽坏块，避免出现文件存储打开失败的情况，为用户提供了方便。
以下将通过一具体的应用实施例对本发明的方法做进一步详细说明：
本具体应用实施例所提供的一种移动终端的存储器坏块处理方法，如图2、图3、图4所示，具体包括如下步骤：
步骤S1、接收用户的操作指令打开应用程序，触发移动终端中央处理器在掉电不易失存储器如FLASH中获取该应用所在起始地址FLASHAddr及大小FLASHLen；将该应用程序从掉电不易失存储器如FLASH中拷贝到掉电易失存储器如RAM中运行，并记录RAM中运行该应用程序的起始地址RAMAddr及大小RAMLen，之后执行步骤S2。
步骤S2、判断该应用程序是否打开失败？如果该应用程序打开失败，则执行步骤S3，否则执行步骤S7。
步骤S3、中央处理器再次从FLASH中将该应用拷贝到RAM中的另外地址中运行，之后执行步骤S4。
步骤S4、判断该应用程序是否打开成功？如果该应用程序打开成功，则执行步骤S5，否则执行步骤S6。
步骤S5、RAM存在坏块，之后执行步骤S8。
步骤S6、FLASH存在坏块，之后执行步骤S17。
步骤S7、不作处理。
步骤S8、设置临时变量n，并置零，之后执行步骤S9；
步骤S9、判断n是否小于RAMLen(RAM中运行该应用程序的大小)，如果是则执行步骤S10，否则执行步骤S16；
步骤S10、对RAM的地址RAMAddr+n写入0xFF，之后执行步骤S11；其中，RAMAddr为RAM中运行该应用程序的起始地址。
步骤S11、从RAM中读出地址RAMAddr+n中的值，并判断该值是否为0xFF，如果是则执行步骤S13，否则执行步骤S12；
步骤S12、记录RAM地址RAMAddr+n为坏块，之后执行步骤S15；
步骤S13、对RAM300的地址RAMAddr+n写入0x00，之后执行步骤S14；
步骤S14、从RAM300中读出地址RAMAddr+n中的值，并判断该值是否为0x00，如果是则执行步骤S15，否则执行步骤S12；
步骤S15、n = n + 1，之后执行步骤S9。
步骤S16、RAM中的坏块记录完毕。
步骤S17、设置临时变量n，并置零，之后执行步骤S18；
步骤S18、判断n是否小于FLASHLen，如果是则执行步骤S19，否则执行步骤S25；其中，FLASHLen为该应用所在FLASH中占的大小。
步骤S19、对FLASH的地址FLASHAddr+n写入0xFF，之后执行步骤S20；其中，FLASHAddr为该应用所在FLASH中的起始地址。
步骤S20、从FLASH200中读出地址FLASHAddr+n中的值，并判断该值是否为0xFF，如果是则执行步骤S22，否则执行步骤S21；
步骤S21、记录FLASH200地址FLASHAddr+n为坏块，之后执行步骤S24；
步骤S22、对FLASH200的地址FLASHAddr+n写入0x00，之后执行步骤S23；
步骤S23、从FLASH200中读出地址FLASHAddr+n中的值，并判断该值是否为0x00，如果是则执行步骤S24，否则执行步骤S21；
步骤S24、n = n + 1，之后执行步骤S9；
步骤S25、FLASH中的坏块记录完毕。
由上可见，本发明上述实施例提供一种移动终端的存储器坏块处理方法，其很容易区分出坏块是在掉电不易失存储器还是掉电易失存储器上，可及时屏蔽坏块，不容易出现文件存储打开失败的情况，为用户提供了方便。
基于上述实施例，本发明还提供了一种移动终端，如图5所示，本实施例所述移动终端包括中央处理器100、FLASH 200、RAM 300，中央处理器100分别与FLASH 200和RAM 300相连接。
中央处理器100包括存储器读写模块110、坏块判断处理模块111、坏块记录模块120；
存储器读写模块110，伯城当某一个应用程序被打开时，获取该应用在掉电不易失存储器中的地址及大小，并拷贝该应用程序至掉电易失存储器中运行，同时记录该应用程序在掉电易失存储器中的地址及大小；具体如上述步骤所述。
坏块判断处理模块111，用于当该应用程序打开失败，则说明掉电不易失存储器或掉电易失存储器中存在坏块；并再将该应用程序拷贝到掉电易失存储器中另外地址中运行，如果该应用打开成功则说明掉电易失存储器中存在坏块，如果该应用打开失败则说明掉电不易失存储器中存在坏块；具体如上述步骤所述。
坏块记录模块120，用于判断掉电不易失存储器或掉电易失存储器中的坏块的地址并记录下来；具体如上述步骤所述。
本实施例的移动终端中，当用户在移动终端中选择打开一个应用时，移动终端中央处理器100在FLASH 200中获取该应用所在起始地址FLASHAddr及大小FLASHLen，将该应用程序从掉电不易失存储器如FLASH 200拷贝到掉电易失存储器如RAM 300中运行，并记录在RAM300中运行该应用的起始地址RAMAddr及大小RAMLen。如果应用程序打开失败，有可能是FLASH200中存放该应用的位置有坏块或有可能是RAM 300中运行该用应用的位置有坏块。中央处理器100再次从FLASH 200中将该应用拷贝到RAM300另外地址中运行，如果应用程序成功打开则RAM300中存在坏块，如果应用程序仍然打开失败则FLASH200中存在坏块。
接着，完成坏块检测并记录，具体如下：
若以上过程中检测到FLASH200中有坏块，则依次对FLASHAddr开始大小为FLASHLen的区域进行全部写0xFF操作，然后依次读取，如果哪个位读出来不是0xFF则说明该地址为坏块；然后再依次对FLASHAddr开始大小为FLASHLen的区域进行全部写0x00操作，然后依次读取，如果哪个位读出来不是0x00则说明该地址为坏块；对以上检测到的FLASH200中的坏块记录在坏块记录模块120中。也可以，依次对FLASHAddr开始大小为FLASHLen的区域内的每个地址进行写0xFF再读出，写0x00再读出，如果两次读出分别为0xFF，0x00则该地址不是坏块，否则该地址是坏块并记录在块坏记录模块120中。
若以上过程中检测到RAM300中有坏块，则依次对RAMAddr开始大小为RAMLen的区域进行全部写0xFF操作，然后依次读取，如果哪个位读出来不是0xFF则说明该地址为坏块；然后再依次对RAMAddr开始大小为RAMLen的区域进行全部写0x00操作，然后依次读取，如果哪个位读出来不是0x00则说明该地址为坏块；对以上检测到的RAM300中的坏块记录在坏块记录模块120中。也可以，依次对RAMAddr开始大小为RAMLen的区域内的每个地址进行写0xFF再读出，写0x00再读出，如果两次读出分别为0xFF，0x00则该地址不是坏块，否则该地址是坏块并记录在块坏记录模块120中。
综上所述，本发明所提供的移动终端的存储器坏块处理方法及***，由于采用了当某一个应用程序被打开时，获取该应用在掉电不易失存储器中的地址及大小，然后拷贝该应用程序至掉电易失存储器中运行，同时记录该应用程序在掉电易失存储器中的地址及大小；如果该应用程序打开失败，则说明掉电不易失存储器或掉电易失存储器中存在坏块；然后再将该应用程序拷贝到掉电易失存储器中另外地址中运行，如果该应用打开成功则说明掉电易失存储器中存在坏块，如果该应用打开失败则说明掉电不易失存储器中存在坏块，其使移动终端增加了新功能：能区分出坏块是在掉电不易失存储器还是掉电易失存储器上；可及时屏蔽坏块，避免出现文件存储打开失败的情况，为用户提供了方便。
应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。
Claims (7)
1.一种移动终端的存储器坏块处理方法，其特征在于，包括：
A，当某一个应用程序被打开时，获取该应用在掉电不易失存储器中的地址及大小，并拷贝该应用程序至掉电易失存储器中运行，同时记录该应用程序在掉电易失存储器中的地址及大小；
B，当该应用程序打开失败，则说明掉电不易失存储器或掉电易失存储器中存在坏块；并再将该应用程序拷贝到掉电易失存储器中另外地址中运行，如果该应用打开成功则说明掉电易失存储器中存在坏块，如果该应用打开失败则说明掉电不易失存储器中存在坏块；
C，根据上述步骤B的结论，判断掉电不易失存储器或掉电易失存储器中的坏块的地址并记录下来。
2.根据权利要求1所述移动终端的存储器坏块处理方法，其特征在于，所述掉电不易失存储器包括FLASH、EEPROM，所述掉电易失存储器包括DRAM、SDRAM。
3.根据权利要求2所述移动终端的存储器坏块处理方法，其特征在于，所述步骤A具体包括：
A1、当在移动终端中选择打开一个应用时，移动终端中央处理器在FLASH中获取该应用所在起始地址FLASHAddr及大小FLASHLen；
A2、将该应用程序从掉电不易失存储器FLASH中拷贝到掉电易失存储器RAM中运行，并记录在RAM中运行该应用的起始地址RAMAddr及大小RAMLen。
4.根据权利要求3所述移动终端的存储器坏块处理方法，其特征在于，所述步骤B具体包括：
B1、如果应用程序打开失败，则认为是FLASH中存放该应用的位置有坏块或RAM中运行该用应用的位置有坏块；
B2、中央处理器再次从FLASH 中将该应用拷贝到RAM另外地址中运行；
B3、如果应用程序成功打开则判定RAM中存在坏块，如果应用程序仍然打开失败则判定FLASH中存在坏块。
5.根据权利要求4所述移动终端的存储器坏块处理方法，其特征在于，所述步骤C具体包括
C1、若检测到FLASH中有坏块，则依次对FLASHAddr开始大小为FLASHLen的区域进行全部写0xFF操作，然后依次读取，如果哪个位读出来不是0xFF则说明该地址为坏块；
C2、再依次对FLASHAddr开始大小为FLASHLen的区域进行全部写0x00操作，然后依次读取，如果哪个位读出来不是0x00则说明该地址为坏块；
C3、将上述电不易失存储器或掉电易失存储器中的坏块的地址记录并保存。
6.一种移动终端，其特征在于，包括：
存储器读写模块，用于当某一个应用程序被打开时，获取该应用在掉电不易失存储器中的地址及大小，并拷贝该应用程序至掉电易失存储器中运行，同时记录该应用程序在掉电易失存储器中的地址及大小；
坏块判断处理模块，用于当该应用程序打开失败，则说明掉电不易失存储器或掉电易失存储器中存在坏块；并再将该应用程序拷贝到掉电易失存储器中另外地址中运行，如果该应用打开成功则说明掉电易失存储器中存在坏块，如果该应用打开失败则说明掉电不易失存储器中存在坏块；
坏块记录模块，用于判断掉电不易失存储器或掉电易失存储器中的坏块的地址并记录下来。
7.根据权利要求6所述的移动终端，其特征在于，所述掉电不易失存储器包括FLASH、EEPROM，所述掉电易失存储器包括DRAM、SDRAM。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
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Effective date of registration: 20211126 Address after: 264200 19th floor, block a, innovation and entrepreneurship base, No. 213, Torch Road, torch high tech Industrial Development Zone, Weihai City, Shandong Province Patentee after: WEIHAI ELECTRONIC INFORMATION TECHNOLOGY COMPREHENSIVE RESEARCH CENTER, MINISTRY OF INDUSTRY AND INFORMATION TECHNOLOGY Address before: 6 / F, No.5, Lane 999, Yangfan Road, high tech Zone, Ningbo, Zhejiang 315100 Patentee before: TCL COMMUNICATION (NINGBO) Co.,Ltd. |
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| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20221205 Address after: 264200 18th Floor, Building A, Innovation and Entrepreneurship Base, No. 213, Torch Road, Torch Hi tech Industrial Development Zone, Weihai, Shandong Patentee after: Weihai Shenzhou Information Technology Research Institute Co.,Ltd. Address before: 264200 19th floor, block a, innovation and entrepreneurship base, No. 213, Torch Road, torch high tech Industrial Development Zone, Weihai City, Shandong Province Patentee before: WEIHAI ELECTRONIC INFORMATION TECHNOLOGY COMPREHENSIVE RESEARCH CENTER, MINISTRY OF INDUSTRY AND INFORMATION TECHNOLOGY |
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| TR01 | Transfer of patent right | ||
| EE01 | Entry into force of recordation of patent licensing contract |
Application publication date: 20140129 Assignee: Haobang Intelligent Technology (Shandong) Co.,Ltd. Assignor: Weihai Shenzhou Information Technology Research Institute Co.,Ltd. Contract record no.: X2023980045692 Denomination of invention: A Method for Handling Bad Memory Blocks in Mobile Terminals and Mobile Terminals Granted publication date: 20160817 License type: Common License Record date: 20231107 |
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| EE01 | Entry into force of recordation of patent licensing contract |