CN103500983A - 小型漏电断路器电路 - Google Patents

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CN103500983A CN201310454539.XA CN201310454539A CN103500983A CN 103500983 A CN103500983 A CN 103500983A CN 201310454539 A CN201310454539 A CN 201310454539A CN 103500983 A CN103500983 A CN 103500983A
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余存泰
赵东杰
彭昆明
黎永胜
李其利
杨晓红
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Abstract

本发明涉及一种小型漏电断路器电路，包括：电源电路，其特征在于，所述小型漏电断路器电路还包括：漏电信号调理电路；漏电检测控制单元；漏电检测控制单元所需电路；漏电试验电路；脱扣电路；其中，所述电源电路与漏电试验电路、漏电检测控制单元、脱扣电路相连；漏电信号调理电与漏电检测控制单元相连；漏电检测控制单元所需电路与漏电检测控制单元相连。本发明提供的小型漏电断路器电路，增加脱扣电路耐压值，提高抗雷击浪涌能力，而且性价比高；降低电源电路的工作温升，提高了产品可靠性，提高了产品抗脉冲群的能力降低产品的误脱扣现象；电路设计简单、抗EMC性能强、可靠性高和成本底，更加符合小型漏电断路器的实际需求。

Description

小型漏电断路器电路
技术领域
本发明涉及断路器电路领域，更具体地说，涉及一种小型漏电断路器电路。
背景技术
目前小型漏电断路器的电源电路普遍采用电阻降压的形式，由于标准GB16917.1规定，其工作电压范围最低在50V、最高在440V和产品体积的限制，导致无法采用大功率、大阻值的降压电阻，以致降压电阻在正常工作时温升比较高，从而降低整个电路工作的可靠性，同时由于只采用漏电检测控制单元内部的稳压电路，导致产品抗脉冲群干扰的能力差易产生误脱扣现象；还有脱扣电路普遍采用单可控硅的形式，当断路器通电后，交流电压经整流直接施加在可控硅的阳极和阴极之间，此时可控硅两端的直流电压超过400V，而它的反向耐压值至少选在1000V以上，这样对单个可控硅的参数要求非常高，产品的好坏直接取决于可控硅的个体参数，使产品的可靠性、安全性和抗雷击浪涌降低，同时成本比较高不利于批量生产。
发明内容
本发明要解决的技术问题在于，针对现有技术的误脱扣现象频繁出现、电路可靠性差、安全性和抗雷击浪涌性低的缺陷，提供一种小型漏电断路器电路，至少包括：电源电路；漏电信号调理电路；漏电检测控制单元；漏电检测控制单元所需电路；漏电试验电路；脱扣电路。
其中，所述电源电路与漏电试验电路、漏电检测控制单元、脱扣电路相连；漏电信号调理电路与漏电检测控制单元相连；漏电检测控制单元所需电路与漏电检测控制单元相连。
在本发明所述的小型漏电断路器电路中，所述电源电路进一步由浪涌抑制电路、全波整流电路、阻容降压电路、滤波电路组成。
在本发明所述的小型漏电断路器电路中，所述漏电信号调理电路由电阻R4、R5、R6，电容C3、C4、C5、C6和二极管D6组成。
在本发明所述的小型漏电断路器电路中，所述的漏电检测控制单元由漏电检测集成电路VG54123组成。
在本发明所述的小型漏电断路器电路中，所述的漏电检测控制单元所需电路由电容C7、C8组成。
在本发明所述的小型漏电断路器电路中，所述的漏电试验电路由电阻R1组成。
在本发明所述的小型漏电断路器电路中，所述脱扣电路由二极管D7、D3，脱扣器Trip，电阻R3、R7、R8、R9，电容C9和双可控硅串联电路D8、D9组成。
在本发明所述的小型漏电断路器电路中，所述的浪涌抑制电路进一步由压敏电阻MYRl构成；所述的全波整流电路进一步由二极管D1、D2、D3、D4构成；所述的阻容降压电路进一步由电阻R2、电容C1构成；所述的滤波电路进一步由稳压二极管D5构成的辅助稳压电路和电容C2构成。
实施本发明的小型漏电断路器电路，具有以下有益效果：采用双可控硅串联的形式，不但使脱扣电路耐压值增加一倍，抗雷击浪涌能力大大提高，而且性价比非常高；电源电路采用组容降压形式，降低电源电路的工作温升，大大提高产品的可靠性，同时采用辅助稳压电路大大提高产品抗脉冲群的能力降低产品的误脱扣现象；同时电路设计简单、抗EMC性能强、可靠性高和成本底，更加符合小型漏电断路器的实际需求。
附图说明
下面将结合附图及实施例对本发明作进一步说明，附图中：
图1是现有技术中采用电阻降压的小型漏电断路器电路示意图；
图2是现有技术中采用单可控硅形式的小型漏电断路器电路示意图；
图3是本发明小型漏电断路器电路的原理框图；
图4是本发明小型漏电断路器电路的电路图。
具体实施方式
请参阅图1，图1是现有技术中采用电阻降压的小型漏电断路器电路示意图，采用电阻降压的形式。其缺陷是工作电压范围最低在50V、最高在440V和产品体积的限制，导致无法采用大功率、大阻值的降压电阻，以致降压电阻在正常工作时温升比较高，从而降低整个电路工作的可靠性，同时由于只采用漏电检测控制单元内部的稳压电路，导致产品抗脉冲群干扰的能力差易产生误脱扣现象。
请参阅图2，图2是现有技术中采用单可控硅形式的小型漏电断路器电路示意图。其缺陷是：当断路器通电后，交流电压经整流直接施加在可控硅的阳极和阴极之间，此时可控硅两端的直流电压超过400V，而它的反向耐压值至少选在1000V以上，这样对单个可控硅的参数要求非常高，产品的好坏直接取决于可控硅的个体参数。
如图3所示，图3是本发明小型漏电断路器电路的原理框图。一种小型漏电断路器电路，至少包括：电源电路；漏电信号调理电路；漏电检测控制单元；漏电检测控制单元所需电路；漏电试验电路；脱扣电路；其中，所述电源电路与漏电试验电路、漏电检测控制单元、脱扣电路相连；漏电信号调理电路与漏电检测控制单元相连；漏电检测控制单元所需电路与漏电检测控制单元相连。
优选地，所述电源电路进一步由浪涌抑制电路、全波整流电路、阻容降压电路、滤波电路组成。
优选地，所述漏电信号调理电路由电阻R4、R5、R6，电容C3、C4、C5、C6和二极管D6组成。
优选地，所述的漏电检测控制单元由漏电检测集成电路VG54123组成。
优选地，所述的漏电检测控制单元所需电路由电容C7、C8组成。
优选地，所述的漏电试验电路由电阻R1组成。
优选地，所述脱扣电路由二极管D7、D3，脱扣器Trip，电阻R3、R7、R8、R9，电容C9和双可控硅串联电路D8、D9组成。
优选地，所述的浪涌抑制电路进一步由压敏电阻MYRl构成；所述的全波整流电路进一步由二极管D1、D2、D3、D4构成；所述的阻容降压电路进一步由电阻R2、电容C1构成；所述的滤波电路进一步由稳压二极管D5构成的辅助稳压电路和电容C2构成。
如图4所示，图4是本发明小型漏电断路器电路的电路图。
本发明通过以上原理框图的设计，具有有益效果：一、采用双可控硅串联的形式，不但使脱扣电路耐压值增加一倍，抗雷击浪涌能力大大提高，而且性价比非常高；二、电源电路采用阻容降压形式，降低电源电路的工作温升，大大提高产品的可靠性，同时采用辅助稳压电路大大提高产品抗脉冲群的能力降低产品的误脱扣现象；三、同时电路设计简单、抗EMC性能强、可靠性高和成本底，更加符合小型漏电断路器的实际需求。
本发明是根据特定实施例进行描述的，但本领域的技术人员应明白在不脱离本发明范围时，可进行各种变化和等同替换。此外，为适应本发明技术的特定场合，可对本发明进行诸多修改而不脱离其保护范围。因此，本发明并不限于在此公开的特定实施例，而包括所有落入到权利要求保护范围的实施例。

Claims (8)

1.一种小型漏电断路器电路，包括：电源电路，其特征在于，所述小型漏电断路器电路还包括：
漏电信号调理电路；
漏电检测控制单元；
漏电检测控制单元所需电路；
漏电试验电路；
脱扣电路；
其中，所述电源电路与漏电试验电路、漏电检测控制单元、脱扣电路相连；漏电信号调理电路与漏电检测控制单元相连；漏电检测控制单元所需电路与漏电检测控制单元相连。
2.根据权利要求1所述的小型漏电断路器电路，其特征在于，所述电源电路进一步由浪涌抑制电路、全波整流电路、阻容降压电路、滤波电路组成。
3.根据权利要求1所述的小型漏电断路器电路，其特征在于，所述漏电信号调理电路由电阻R4、R5、R6，电容C3、C4、C5、C6和二极管D6组成。
4.根据权利要求1所述的小型漏电断路器电路，其特征在于，所述的漏电检测控制单元由漏电检测集成电路VG54123组成。
5.根据权利要求1所述的小型漏电断路器电路，其特征在于，所述的漏电检测控制单元所需电路由电容C7、C8组成。
6.根据权利要求1所述的小型漏电断路器电路，其特征在于，所述的漏电试验电路由电阻R1组成。
7.根据权利要求1所述的小型漏电断路器电路，其特征在于，所述脱扣电路由二极管D7、D3，脱扣器Trip，电阻R3、R7、R8、R9，电容C9和双可控硅串联电路D8、D9组成。
8.根据权利要求2所述的小型漏电断路器电路，其特征在于，所述的浪涌抑制电路进一步由压敏电阻MYRl构成；所述的全波整流电路进一步由二极管D1、D2、D3、D4构成；所述的阻容降压电路进一步由电阻R2、电容C1构成；所述的滤波电路进一步由稳压二极管D5构成的辅助稳压电路和电容C2构成。
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