CN103499273A - 用于测量电子封装件的翘曲的方法及电子封装件 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种用于测量电子封装件的翘曲的方法及一种电子封装件，所述方法包括：在电子封装件的上侧和下侧分别布置ZnO纳米线，其中，ZnO纳米线的端部均与电极连接；利用电流测量器经由电极分别测量布置在电子封装件的上侧和下侧的ZnO纳米线产生的电流值；以及计算布置在电子封装件的上侧和下侧的ZnO纳米线产生的电流值之间的差，以确定电子封装件的翘曲程度。本发明所提供的方法能够对电子封装件的翘曲进行实时地、连续地测量，并且在层叠封装件中，能够同时测量位于上方和下方的电子封装件的翘曲，并可以测量任何一个电子封装件的翘曲，提高了测量效率。

Description

用于测量电子封装件的翘曲的方法及电子封装件
技术领域
本发明涉及半导体领域，具体地涉及一种用于测量电子封装件的翘曲（warpage）的方法及电子封装件。
背景技术
随着电子封装件的高度和焊球节距变得越来越小，翘曲问题成为电子封装件尤其是POP封装件的关键问题，目前主要通过阴影莫阿（shallow moire）方法来测量翘曲，此方法是在模拟条件下进行的，存在的问题是效率低且不是实时测量的。
公开号为CN1210585A的专利申请公开了一种阴影莫阿干涉纹技术测量表面平度的方法。具体地，该专利申请中公开的方法包括：将测量对象传送到光栅下；生成指示被测量对象表面平度的阴影莫阿干涉图谱的图像；确定出与所述阴影莫阿干涉纹图谱的图像的至少一个区域所限定的干涉纹数目有关的参数，从而由该参数指示被测量对象的表面平度。也就是说，该专利申请所涉及到的方法是传统的测量封装件翘曲度的方法，其也存在上述问题。
发明内容
为了解决上述技术问题中的至少一个，本发明提供了一种用于测量电子封装件的翘曲的方法，所述方法能够对电子封装件的翘曲进行实时地、连续地测量，尤其在层叠封装件（POP）中，能够同时测量位于上方和下方的电子封装件的翘曲，并可以测量任何一个电子封装件的翘曲，提高了测量效率。
根据本发明的一方面，提供了一种用于测量电子封装件的翘曲的方法，所述方法包括：在电子封装件的上侧和下侧分别对应地布置ZnO纳米线，其中，ZnO纳米线的端部均与电极连接；利用电流测量器经由电极分别测量布置在电子封装件的上侧和下侧的ZnO纳米线产生的电流值；以及计算布置在电子封装件的上侧和下侧的ZnO纳米线产生的电流值之间的差，以确定电子封装件的翘曲程度。
ZnO纳米线可以被分别相对应地布置在电子封装件的上表面和下表面上。
可以利用粘结剂将ZnO纳米线分别相对应地贴附在电子封装件的上表面和下表面上。
ZnO纳米线可以被分别相对应地嵌入在电子封装件的印刷电路板和塑封构件中。
所述电子封装件可以包括在层叠封装件中。
根据本发明的另一方面，提供了一种电子封装件，所述电子封装件包括至少两条ZnO纳米线，以测量电子封装件的翘曲，其中，ZnO纳米线分别相对应地贴附在电子封装件的上表面和下表面上，或者分别相对应地嵌入在电子封装件的印刷电路板和塑封构件中。
所述电子封装件可以包括在层叠封装件中。
附图说明
图1示意性地示出了在其上表面和下表面上分别布置有ZnO纳米线的电子封装件的剖视图；
图2示意性地示出了在其上表面和下表面上分别布置有ZnO纳米线的电子封装件的平面图；
图3示意性地示出了在层叠封装件的每个单元电子封装件的上下表面上分别布置有ZnO纳米线的层叠封装件（POP）的剖视图。
具体实施方式
总体而言，本发明提供了一种用于测量电子封装件的翘曲的方法，该方法包括：在电子封装件的上侧和下侧分别布置ZnO纳米线，其中，ZnO纳米线的端部均与电极连接；利用电流测量器经由电极分别测量布置在电子封装件的上侧和下侧的ZnO纳米线产生的电流值；以及计算布置在电子封装件的上侧和下侧的ZnO纳米线产生的电流值之间的差，以确定电子封装件的翘曲程度。
在一个实施例中，可以将ZnO纳米线分别相对应地布置在电子封装件的上表面和下表面上。具体地，可以利用粘结剂将ZnO纳米线分别相对应地贴附在电子封装件的上表面和下表面上。
在另一实施例中，可以将ZnO纳米线分别相对应地嵌入在电子封装件的印刷电路板和塑封构件中。
此外，本发明提供了一种电子封装件，该电子封装件包括至少两条ZnO纳米线，以测量电子封装件的翘曲，其中，ZnO纳米线分别相对应地贴附在电子封装件的上表面和下表面上，或者分别相对应地嵌入在电子封装件的印刷电路板和塑封构件中。另外，电子封装件可以为层叠封装件。
下面将参照附图更详细地对本发明进行描述。
图1示意性地示出了在其上表面和下表面上分别布置有ZnO纳米线的电子封装件的剖视图，图2示意性地示出了在其上表面和下表面上分别布置有ZnO纳米线的电子封装件的平面图。
参照图1和图2，在电子封装件10的上表面和下表面上分别布置ZnO纳米线11。如图所示，两条ZnO纳米线11布置在电子封装件10的上表面上，并且两条ZnO纳米线11布置在电子封装件10的下表面上，然而布置在电子封装件10的上表面或下表面上的ZnO纳米线11的数量不限于此。也就是说，布置在电子封装件10的上表面或下表面上的ZnO纳米线11的数量可以分别为一条或者多于两条。
此外，如图所示，ZnO纳米线11布置在电子封装件10的上表面和下表面的边缘位置，但是本发明不限于此。根据需要，ZnO纳米线11可以布置在电子封装件10的上表面和下表面的任何适当的位置。在电子封装件10的下表面的与布置在上表面上的一条ZnO纳米线11的位置对应的位置布置另一条ZnO纳米线11，以测量它们二者产生的电流值的差。也就是说，上侧的ZnO纳米线11与下侧的ZnO纳米线11在位置上是对应的。
ZnO纳米线11的端部均与电极12连接，电流测量器（未示出）通过连接与一条ZnO纳米线11的两个端部连接的两个电极12来测量ZnO纳米线11所产生的电流。ZnO纳米线11在发生变形的过程中会产生电流，通过计算上下层的两条ZnO纳米线11所产生的电流的不同，可以计算出电子封装件10的上下层表面的变形量的不同，从而推算出翘曲的大小（或程度）。
在一个实施例中，可以利用粘结剂将ZnO纳米线11分别相对应地贴附在电子封装件10的上表面和下表面上。在另一实施例中，可以将ZnO纳米线11分别相对应地嵌入在电子封装件10的印刷电路板和塑封构件中。
也就是说，可以将两条ZnO纳米线11上下对应地布置在电子封装件10中，从而测量这两条ZnO纳米线11所产生的电流值，最终计算出电流值之差。
图3示意性地示出了在层叠封装件的每个单元电子封装件的上下表面上分别布置有ZnO纳米线的层叠封装件的剖视图。
在图3中，示出的是包括电子封装件10和10’的层叠封装件。在层叠封装件中，电子封装件10和10’的布置ZnO纳米线的方式与上面描述的电子封装件10的布置ZnO纳米线的方式类似，因此这里不再赘述。
利用电流测量器经由电极12，分别测量布置在层叠封装件的每个电子封装件10和10’的上侧和下侧的ZnO纳米线11所产生的电流值，并计算二者之间的差值来确定电子封装件10的翘曲程度。
此外，可以通过沉积方法在电子封装件10的上侧和下侧沉积ZnO纳米线。
根据本发明的实施例，在层叠封装件的上部和下部分别相对应地布置（例如，沉积）ZnO纳米线，当层叠封装件发生翘曲时，设置在层叠封装件的上部和下部的相对应的两条ZnO纳米线会发生变形，此时可以测量到这两条ZnO纳米线所产生的电流；然后可以利用这两条ZnO纳米线所产生的电流之间的电流差来计算翘曲值（或翘曲程度）。本发明的测量翘曲的方法可以实时进行，即便在回流（reflow）过程中，也可以测量翘曲值。
本发明的测量翘曲的方法具有如下优点：能够对电子封装件的翘曲进行实时地、连续地测量；尤其在层叠封装件中，能够同时测量位于上方和下方的多个电子封装件的翘曲，这是传统的测量方法不能实现的，并且本发明的方法可以测量层叠封装件中的任何一个电子封装件的翘曲，提高了测量效率。具体地，本发明的方法可以更有利地应用于POP封装中，其能够实现传统的测量方法所不能实现的上述优点。
尽管通过示出和举例的方式提供了上述实施例，但应当理解，上面提供的示例可以在某些方面改变，而仍落在权利要求书的范围内。应当理解，虽然已经参照上面的优选实施例描述了本发明，但是其他实施例也包括在权利要求书的范围内。

Claims (7)

1.一种用于测量电子封装件的翘曲的方法，所述方法包括：
在电子封装件的上侧和下侧分别布置ZnO纳米线，其中，ZnO纳米线的端部均与电极连接；
利用电流测量器经由电极分别测量布置在电子封装件的上侧和下侧的ZnO纳米线产生的电流值；以及
计算布置在电子封装件的上侧和下侧的ZnO纳米线产生的电流值之间的差，以确定电子封装件的翘曲程度。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，ZnO纳米线分别相对应地布置在电子封装件的上表面和下表面上。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，ZnO纳米线利用粘结剂分别相对应地贴附在电子封装件的上表面和下表面上。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，ZnO纳米线分别相对应地嵌入在电子封装件的印刷电路板和塑封构件中。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述电子封装件包括在层叠封装件中。
6.一种电子封装件，所述电子封装件包括至少两条ZnO纳米线，以测量电子封装件的翘曲，
其中，ZnO纳米线分别相对应地贴附在电子封装件的上表面和下表面上，或者分别相对应地嵌入在电子封装件的印刷电路板和塑封构件中。
7.根据权利要求6所述的电子封装件，其中，所述电子封装件包括在层叠封装件中。
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