CN103422167A - 一种单晶炉中氧含量的控制方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种单晶炉中氧含量的控制方法,该方法是将单晶炉抽成真空,从30千瓦/小时的功率开始升温,每间隔10分钟增加10千瓦/小时的功率,直至功率达60千瓦/小时并保持半小时后,将功率增加至75千瓦/小时进行升温并保持半小时后,将功率增加至80~90千瓦/小时进行升温至硅料熔化,在上述过程中始终保持单晶炉内氩气的压强在55~65毫乇范围之内即可。采用本发明,由于采取逐步增加功率进行升温的办法,石英坩锅(二气化硅)在升温过程中也逐步释放氧气并被大流量的氩气冲走,而硅也不易在低温、中温时吸附氧,能有效降低单晶硅的氧含量,确保硅电池片的转换效率。
Description
技术领域
本发明涉及一种单晶炉中氧含量的控制方法。
背景技术
硅中氧含量越高,则硅电池片的转换效率就越低。因此,在直拉单晶生产过程中,有效控制单晶中的氧含量十分重要。
发明内容
本发明的目的是提供在直接单晶过程中,能降低硅中氧含量的一种单晶炉中氧含量的控制方法
本发明采取的技术方案是:一种单晶炉中氧含量的控制方法,其特征在于它包括以下步骤,A:将单晶炉抽成真空;B:按30千瓦/小时的功率开始升温,每间隔10分钟增加10千瓦/小时的功率,并保持单晶炉内氩气的压强在55~65毫乇范围之内,直至功率达60千瓦/小时;C:保持60千瓦/小时的功率半小时后,将功率增加至75千瓦/小时进行升温,并保持单晶炉内氩气的压强在55~65毫乇范围之内;D:保持75千瓦/小时的功率半小时后,将功率增加至80~90千瓦/小时进行升温,并保持单晶炉内氩气的压强在55~65毫乇范围之内;E:保持80~90千瓦/小时功率至硅料熔化,并保持单晶炉内氩气的压强在55~65毫乇范围之内即可。
采用本发明,由于采取逐步增加功率进行升温的办法,石英坩锅(二气化硅)在升温过程中也逐步释放氧气并被大流量的氩气冲走,而硅也不易在低温、中温时吸附氧,能有效降低单晶硅的氧含量,确保硅电池片的转换效率。
具体实施方式
下面结合具体的实施例对发明作进一步说明。它包括以下步骤:
1、将单晶炉抽成真空;
2、按30千瓦/小时的功率开始升温,每间隔10分钟增加10千瓦/小时的功率,并保持单晶炉内氩气的压强在55~65毫乇范围之内,直至功率达60千瓦/小时;
3、保持60千瓦/小时的功率半小时后,将功率增加至75千瓦/小时进行升温,并保持单晶炉内氩气的压强在55~65毫乇范围之内;
4、保持75千瓦/小时的功率半小时后,将功率增加至80~90千瓦/小时进行升温,并保持单晶炉内氩气的压强在55~65毫乇范围之内;
5:保持80~90千瓦/小时功率至硅料熔化,并保持单晶炉内氩气的压强在55~65毫乇范围之内即可。
Claims (1)
1.一种单晶炉中氧含量的控制方法,其特征在于它包括以下步骤,A:将单晶炉抽成真空;B:按30千瓦/小时的功率开始升温,每间隔10分钟增加10千瓦/小时的功率,并保持单晶炉内氩气的压强在55~65毫乇范围之内,直至功率达60千瓦/小时;C:保持60千瓦/小时的功率半小时后,将功率增加至75千瓦/小时进行升温,并保持单晶炉内氩气的压强在55~65毫乇范围之内;D:保持75千瓦/小时的功率半小时后,将功率增加至80~90千瓦/小时进行升温,并保持单晶炉内氩气的压强在55~65毫乇范围之内;E:保持80~90千瓦/小时功率至硅料熔化,并保持单晶炉内氩气的压强在55~65毫乇范围之内即可。
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