CN103422167A - 一种单晶炉中氧含量的控制方法 - Google Patents

一种单晶炉中氧含量的控制方法 Download PDF

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余思明
程佑富
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Abstract

本发明涉及一种单晶炉中氧含量的控制方法，该方法是将单晶炉抽成真空，从30千瓦/小时的功率开始升温，每间隔10分钟增加10千瓦/小时的功率，直至功率达60千瓦/小时并保持半小时后，将功率增加至75千瓦/小时进行升温并保持半小时后，将功率增加至80～90千瓦/小时进行升温至硅料熔化，在上述过程中始终保持单晶炉内氩气的压强在55～65毫乇范围之内即可。采用本发明，由于采取逐步增加功率进行升温的办法，石英坩锅（二气化硅）在升温过程中也逐步释放氧气并被大流量的氩气冲走，而硅也不易在低温、中温时吸附氧，能有效降低单晶硅的氧含量，确保硅电池片的转换效率。

Description

一种单晶炉中氧含量的控制方法
技术领域
本发明涉及一种单晶炉中氧含量的控制方法。
背景技术
硅中氧含量越高，则硅电池片的转换效率就越低。因此，在直拉单晶生产过程中，有效控制单晶中的氧含量十分重要。
发明内容
本发明的目的是提供在直接单晶过程中，能降低硅中氧含量的一种单晶炉中氧含量的控制方法
本发明采取的技术方案是：一种单晶炉中氧含量的控制方法，其特征在于它包括以下步骤，A：将单晶炉抽成真空；B：按30千瓦/小时的功率开始升温，每间隔10分钟增加10千瓦/小时的功率，并保持单晶炉内氩气的压强在55～65毫乇范围之内，直至功率达60千瓦/小时；C：保持60千瓦/小时的功率半小时后，将功率增加至75千瓦/小时进行升温，并保持单晶炉内氩气的压强在55～65毫乇范围之内；D：保持75千瓦/小时的功率半小时后，将功率增加至80～90千瓦/小时进行升温，并保持单晶炉内氩气的压强在55～65毫乇范围之内；E：保持80～90千瓦/小时功率至硅料熔化，并保持单晶炉内氩气的压强在55～65毫乇范围之内即可。
采用本发明，由于采取逐步增加功率进行升温的办法，石英坩锅（二气化硅）在升温过程中也逐步释放氧气并被大流量的氩气冲走，而硅也不易在低温、中温时吸附氧，能有效降低单晶硅的氧含量，确保硅电池片的转换效率。
具体实施方式
下面结合具体的实施例对发明作进一步说明。它包括以下步骤：
1、将单晶炉抽成真空；
2、按30千瓦/小时的功率开始升温，每间隔10分钟增加10千瓦/小时的功率，并保持单晶炉内氩气的压强在55～65毫乇范围之内，直至功率达60千瓦/小时；
3、保持60千瓦/小时的功率半小时后，将功率增加至75千瓦/小时进行升温，并保持单晶炉内氩气的压强在55～65毫乇范围之内；
4、保持75千瓦/小时的功率半小时后，将功率增加至80～90千瓦/小时进行升温，并保持单晶炉内氩气的压强在55～65毫乇范围之内；
5：保持80～90千瓦/小时功率至硅料熔化，并保持单晶炉内氩气的压强在55～65毫乇范围之内即可。

Claims (1)

1.一种单晶炉中氧含量的控制方法，其特征在于它包括以下步骤，A：将单晶炉抽成真空；B：按30千瓦/小时的功率开始升温，每间隔10分钟增加10千瓦/小时的功率，并保持单晶炉内氩气的压强在55～65毫乇范围之内，直至功率达60千瓦/小时；C：保持60千瓦/小时的功率半小时后，将功率增加至75千瓦/小时进行升温，并保持单晶炉内氩气的压强在55～65毫乇范围之内；D：保持75千瓦/小时的功率半小时后，将功率增加至80～90千瓦/小时进行升温，并保持单晶炉内氩气的压强在55～65毫乇范围之内；E：保持80～90千瓦/小时功率至硅料熔化，并保持单晶炉内氩气的压强在55～65毫乇范围之内即可。
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