CN103403912A - 用于照明的有机电子装置 - Google Patents

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CN103403912A CN2012800100032A CN201280010003A CN103403912A CN 103403912 A CN103403912 A CN 103403912A CN 2012800100032 A CN2012800100032 A CN 2012800100032A CN 201280010003 A CN201280010003 A CN 201280010003A CN 103403912 A CN103403912 A CN 103403912A
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Abstract

本发明提供了有机电子装置，所述有机电子装置包括透光性基板、与基板直接接触的增强膜、阳极、光敏层和阴极。阳极可以是单层或多层。单层阳极包含第一金属的合金，所述第一金属具有大于105Scm-1的电导率和在380-780nm范围内的小于2.1的实际折射率。多层电极包括：(a)具有第一厚度且包含第一金属的层M1；和(b)具有第二厚度且包含第二金属、第二金属的合金或混合金属氧化物的层M2，其中所述第二金属具有小于105Scm-1的电导率。在多层电极中，层M1与层M2物理接触，并且第一厚度大于第二厚度。

Description

用于照明的有机电子装置
相关专利申请资料
本申请根据35U.S.C.§119(e)要求2011年3月8日提交的美国临时申请61/450296的优先权，该申请的内容以全文引用的方式并入本文。
背景技术
技术领域
本公开一般涉及有机电子装置，并且具体地涉及用于照明的装置。
相关领域说明
在有机电子装置(如构成OLED显示器或OLED照明装置的有机发光二极管(“OLED”))中，有机活性层夹在两个电接触层之间。在OLED中，至少一个电接触层是透光的，并且当在电接触层上施加电压时，有机活性层透过所述透光性电接触层发射光。
在发光二极管中将有机电致发光化合物用作活性组分是熟知的。简单的有机分子、共轭聚合物和有机金属配合物已被使用。很多情况下，装置包括一个或多个电荷传输层，所述电荷传输层定位在光敏（例如发光）层和电接触层之间。装置可包含两个或更多个接触层。空穴传输层可定位在光敏层和空穴注入接触层之间。空穴注入接触层也可称为阳极。电子传输层可定位在光敏层和电子注入接触层之间。电子注入接触层也可称为阴极。电荷传输材料也可与光敏材料组合用作基质。
持续存在对于具有改善性能的装置的需要。
发明内容
本发明提供了有机电子装置，所述有机电子装置包括透光性基板、与基板直接接触的增强膜、阳极、光敏层和阴极，其中阳极包括(a)单层A1和(b)多层之一，其中单层A1包含第一金属的合金，所述第一金属具有大于105Scm-1的电导率和在380-780nm范围内的小于2.1的实际折射率；并且多层包括：
(a)具有第一厚度且包含第一金属的层M1；和
(b)具有第二厚度且包含选自第二金属、第二金属的合金和混合金属氧化物的材料的层M2，其中所述第二金属具有小于105Scm-1的电导率；
其中层M1与层M2物理接触，并且第一厚度大于第二厚度。
以上综述和下列具体实施方式仅是示例性和说明性的而不是对本发明进行限制，如所附权利要求中所限定。
附图说明
附图中示出了实施例，以增进对本文所示概念的理解。
图1包括有机电子装置的一个例子的示例。
图2包括具有复合阳极的有机电子装置的一个示例。
图3包括具有复合阳极的有机电子装置的另一个示例。
图4包括具有复合阳极的有机电子装置的另一个示例。
图5包括具有复合阳极的有机电子装置的另一个示例。
图6包括具有复合阳极的有机电子装置的另一个示例。
图7包括具有复合阳极的有机电子装置的另一个示例。
图8包括具有复合阳极的有机电子装置的另一个示例。
图9包括具有复合阳极的有机电子装置的另一个示例。
图10包括具有复合阳极的有机电子装置的另一个示例。
图11包括具有复合阳极的有机电子装置的另一个示例。
图12包括具有复合阳极的有机电子装置的另一个示例。
图13包括具有复合阳极的有机电子装置的另一个示例。
图14包括具有复合阳极的有机电子装置的另一个示例。
图15包括两个比较装置的电致发光光谱。
图16包括两个新装置和比较装置的电致发光光谱。
图17包括两个比较装置的电致发光光谱。
图18包括两个新装置和比较装置的电致发光光谱。
技术人员理解，图中的物体是以简洁明了的方式示出的，而不一定按比例绘制。例如，图中一些物体的尺寸相对于其它物体可能有所放大，以有助于增进对实施例的理解。
具体实施方式
用于照明应用的常规白光OLED装置是基于氧化铟锡(“ITO”)阳极的。这些装置仅可在向前的方向上透过基板发射约20-25%的光子。其余的光子被浪费，或被捕获在装置内部，或从边缘被波导而出。必须采用外耦合增强方法以收获被捕获的光子。对于照明应用，增强方法必须能够保持白光光谱接近所期望的黑体曲线。遗憾的是，大多数外耦合增强方法仅可增强光谱的一部分。为将光谱恢复到所期望的白点，必须对内部装置结构和材料组成作出调整，这可能导致效率降低。本文描述的新电子装置具有与互补特征组合的装置构造以增强光谱的不同部分，以实现平衡的白光。该新装置具有允许由优化外耦合方法而独立地优化材料和装置构造的附加优点。
上文已描述了许多方面和实施例，并且仅为示例性的而非限制性的。在阅读本说明书后，技术人员应认识到，在不脱离本发明范围的情况下，其它方面和实施例也是可能的。
根据下列具体实施方式和权利要求，任何一个或多个实施例的其它特征和有益效果将显而易见。具体实施方式首先陈述术语的定义和说明，接着是增强膜、阳极、电子装置和实例。
1.术语的定义和说明
在陈述下文实施例详情之前，先定义或阐明一些术语。
术语“蓝色”旨在表示在大约400-500nm范围内的波长处具有发射最大值的辐射。
当涉及层、材料、构件、或结构时，术语“电荷传输”旨在表示此类层、材料、构件、或结构促进此类电荷以相对高的效率和小的电荷损失穿过此类层、材料、构件、或结构的厚度进行迁移。空穴传输材料促进正电荷迁移；电子传输材料促进负电荷迁移。虽然发光材料也可具有一些电荷传输性能，但术语“电荷传输层、材料、构件、或结构”并不旨在包括主要功能为发光或光吸收的层、材料、构件、或结构。
术语“掺杂剂”旨在表示包括基质材料的层内材料，与不存在此类材料时所述层的辐射发射、接收、或过滤的一种或多种电特性或一种或多种波长相比，所述掺杂剂改变了所述层的辐射发射、接收、或过滤的一种或多种电特性或一种或多种目标波长。给定颜色的掺杂剂是指发射那种颜色的光的掺杂剂。
术语“绿色”旨在表示在大约500-580nm范围内的波长处具有发射最大值的辐射。
当涉及层、材料、构件、或结构时，术语“空穴注入”旨在表示此类层、材料、构件、或结构有利于正电荷以相对高的效率和小的电荷损失穿过此类层、材料、构件、或结构的厚度进行注入和迁移。
术语“基质材料”旨在表示通常为层形式的材料，可向所述基质材料加入或不加入掺杂剂。基质材料可具有或可不具有发射、接收、或过滤辐射的一种或多种电子特性或能力。当掺杂剂存在于基质材料中时，基质材料不显著改变掺杂剂材料的发射波长。
术语“粒度”旨在表示所有颗粒的平均尺寸。应当理解，颗粒可具有任何形状，包括圆形、矩形、多边形和不规则形状。术语“尺寸”旨在表示圆形颗粒的直径、矩形颗粒的较大对角线、或将包住任何其它形状(包括不规则形状)的颗粒的圆的直径。
术语“光敏”旨在表示被所施加的电压激活时发光（如在发光二极管或化学电池中），或者相应于辐射能并且在或不在所施加的偏压下产生信号（如在光电探测器或光伏电池中）的材料。
术语“红色”旨在表示在大约580–700nm范围内的波长处具有发射最大值的辐射。
术语物质的“折射率”(refractive index或index of refraction)是光在那种物质中的速度的量度。其被表示为光在真空中的速度相对于光在所考虑的介质中的速度的比率。一般来讲，折射率是具有实部和虚部的复数，其中虚部有时被称为消光系数k。如本文所用，“实际折射率”是指复数的实部。折射率强烈地依赖于光的波长。
当指化合物时，术语“小分子”旨在表示不具有重复单体单元的化合物。在一个实施例中，小分子具有不大于大约2000g/mol的分子量。
术语“基板”旨在表示基体材料，其可为刚性的或柔性的，并且可包括一种或多种材料的一个或多个层，所述材料可包括但不限于玻璃、聚合物、金属或陶瓷材料或它们的组合。基板可包括或可不包括电子组件、电路或导电构件。
如本文所用，术语“包含”、“包括”、“具有”或它们的任何其它变型均旨在涵盖非排他性的包括。例如，包括要素列表的工艺、方法、制品或设备不必仅限于那些要素，而是可以包括未明确列出的或此类工艺、方法、制品、或设备所固有的其它要素。
在本说明书中，除非在使用情形下另外明确指明或相反指明，其中本发明主题的实施例被论述或描述为包含、包括、含有、具有、由组成或由某些特征或要素构成，除了明确论述或描述的那些以外的一种或多种特征或要素也可存在于实施例中。所公开的本发明主题的一个可供选择的实施例被描述为基本上由某些特征或要素组成，其中将实质性改变操作原理或实施例的区分特性的实施例特征或要素不存在于其中。本发明所述的主题的另一个可供选择的实施例被描述为基本上由某些特征或要素组成，在所述实施例或其非实质性变型中，仅存在所具体论述或描述的特征或要素。
此外，除非有相反的明确说明，“或”是指包含性的“或”，而不是指排他性的“或”。例如，下列任何一个均表示满足条件A或B：A是真的（或存在的）且B是假的（或不存在的）、A是假的（或不存在的）且B是真的（或存在的）、以及A和B都是真的（或存在的）。
同样，使用“一个”或“一种”来描述本文所述要素和组分。这样做仅是为了方便并且对本发明的范围提供一般性意义。该描述应理解为包括一个或至少一个，并且除非明显地另有所指，单数也包括复数。
对应于元素周期表内列的族序号的使用参见“CRC Handbook ofChemistry and Physics”，第81版（2000-2001）中所述的“新命名法”公约。
除非另外定义，本文所用的所有技术和科学术语具有的意义与本发明所属领域的普通技术人员通常所理解的一样。尽管与本文所述的那些方法和材料的类似者或等同者均可用于本发明实施例的实践或测试，但合适的方法和材料如下文所述。本文提及的所有出版物、专利申请、专利和其它参考文献均全文以引用方式并入本文，除非引用具体的段落。如发生矛盾，以本说明书及其所包括的定义为准。此外，材料、方法和例子仅是例证性的，并且不旨在进行限制。
本文未描述的有关特定材料、加工方法和电路的许多细节均是常规的，并且可在有机发光二极管显示器、光电探测器、光伏和半导体构件领域的教科书和其它来源中找到。
2.增强膜
在一些实施例中，增强膜改善光的外耦合。在一些实施例中，增强膜选自光散射膜、纹理化膜、棱镜膜和微透镜阵列。
在一些实施例中，增强膜是散射光的膜。在一些实施例中，增强膜包含具有分散于其中的颗粒材料的基质。在一些实施例中，基质和颗粒具有不同的折射率。在一些实施例中，颗粒具有比基质材料更高的折射率。在一些实施例中，颗粒具有比基质材料更低的折射率。
在一些实施例中，基质是聚合物膜。示例性聚合物材料包括但不限于聚酯、聚碳酸酯、聚(甲基)丙烯酸酯、聚硅氧烷、聚氯乙烯、聚苯乙烯、聚酯砜、聚丁二烯、聚醚酮、聚氨酯、它们的共聚物、以及它们的氘代类似物。在一些实施例中，聚合物膜选自聚甲基丙烯酸甲酯膜、聚碳酸酯膜和聚硅氧烷膜。术语“聚硅氧烷”是指具有至少一个结构单元[R2SiO]n的聚合物，其中R在每次出现时相同或不同并且是有机基团。
颗粒材料可以是有机的或无机的。一些示例性有机颗粒材料包括但不限于聚(甲基)丙烯酸酯、聚苯乙烯、聚碳酸酯和聚对二甲苯。一些示例性无机颗粒材料包括但不限于金属氧化物、金属氮化物、金属硅酸盐、金属钛酸盐、金属铝硅酸盐、以及它们的混合物。
在一些实施例中，颗粒材料具有在632.8nm下测量的大于1.9的折射率；在一些实施例中，大于2.0；在一些实施例中，大于2.3。在一些实施例中，颗粒材料为具有在632.8nm下测量的大于1.9的折射率的无机材料。一些示例性无机材料包括但不限于钛氧化物和硅化物、锆氧化物和硅化物、氮化铝、氮化硅、氧化铌、钛酸钡、以及它们的混合物。在一些实施例中，无机颗粒材料选自TiO2、ZrO2、AlN、BaTiO3、以及它们的混合物。
增强膜可具有0.1微米至5.0mm范围内的厚度。在一些实施例中，厚度在0.5微米至1.0mm的范围内。颗粒材料可具有小于膜厚度的粒度。在一些实施例中，粒度在0.01微米至100微米的范围内；在一些实施例中，0.1微米至10微米。颗粒材料以0.1-80重量%的量存在；在一些实施例中，0.5-50重量%；在一些实施例中，1-20重量%。
可通过用于形成填充膜的任何方法制得增强膜。此类方法是本领域所熟知的。在一些实施例中，增强膜直接形成于基板上。在一些实施例中，增强膜单独形成，然后例如通过层压施加到基板。
3.阳极
阳极包括(a)单层A1和(b)双层之一，其中单层A1包含金属的合金，所述金属具有大于105Scm-1的电导率和在380-780nm范围内的小于2.1的实际折射率；并且双层包括：
(a)具有第一厚度且包含第一金属的层M1；和
(b)具有第二厚度且包含选自第二金属、第二金属的合金和混合金属氧化物的材料的层M2，其中第二金属具有小于105Scm-1的电导率；
其中层M1与层M2物理接触，并且第一厚度大于第二厚度。
a.单层阳极
在一些实施例中，阳极包括单层A1。单层A1包含第一金属的合金，其中所述第一金属具有大于105Scm-1的电导率和在380-780nm范围内的小于2.1的实际折射率。在一些实施例中，第一金属具有大于2×105Scm-1的电导率。
在一些实施例中，层A1基本上由第一金属的合金组成。
在一些实施例中，合金为第一金属的至少60重量%；在一些实施例中，至少70重量%；在一些实施例中，至少80重量%；在一些实施例中，至少90重量%；在一些实施例中，至少95重量%。
在一些实施例中，第一金属选自铜、银和金。
在一些实施例中，第一金属为铜，其具有6.0×105Scm-1的电导率和在380-780nm范围内的0.25至1.2的实际折射率。
在一些实施例中，第一金属为银，其具有6.3×105Scm-1的电导率和在380-780nm范围内的0.2至0.15的实际折射率。
在一些实施例中，第一金属为金，其具有4.5×105Scm-1的电导率和在380-780nm范围内的1.7至0.2的实际折射率。
在一些实施例中，合金金属选自银、金、铜、镍、钯、锗和钛。
在一些实施例中，阳极包含合金，所述合金选自银/金、银/金/铜、金/镍、金/钯、银/锗、银/铜、银/钯、银/镍和银/钛。在一些实施例中，阳极基本上由合金组成，所述合金选自银/金、银/金/铜、金/镍、金/钯、银/锗、银/铜、银/钯、银/镍和银/钛。
在一些实施例中，单层A1具有5-50nm范围内的厚度；在一些实施例中，10-30nm。
可通过用于形成层的任何常规沉积技术形成层A1，包括气相沉积、液相沉积(连续和不连续技术)和热转移。在一些实施例中，通过气相沉积方法形成层A1。此类方法是本领域所熟知的。
b.多层阳极
在一些实施例中，阳极包括多层。多层包括
(a)具有第一厚度且包含第一金属或第一金属的合金的层M1，其中所述第一金属具有大于105Scm-1的电导率和在380-780nm范围内的小于2.1的实际折射率；和
(b)具有第二厚度且包含选自第二金属、第二金属的合金和混合金属氧化物的材料的层M2，其中第二金属具有小于105Scm-1的电导率。
层M1与层M2物理接触，并且第一厚度大于第二厚度。
在一些实施例中，层M1基本上由第一金属组成。
在一些实施例中，层M2基本上由选自第二金属、第二金属的合金和第二金属的氧化物的材料组成。在一些实施例中，层M2基本上由第二金属组成。
在一些实施例中，M1厚度与M2厚度的比率为至少5:1；在一些实施例中，至少10:1。
在一些实施例中，第一金属具有大于第二金属的热导率的热导率。
在一些实施例中，第一金属选自铜、银、金、以及它们的合金。
在一些实施例中，第一金属是铜，其具有6.0×105Scm-1的电导率，在380-780nm范围内的1.2至0.25的实际折射率，和4.01瓦/cm℃的热导率。
在一些实施例中，第一金属是银，其具有6.3×105Scm-1的电导率，在380-780nm范围内的0.2至0.15的实际折射率，和4.29瓦/cm℃的热导率。
在一些实施例中，第一金属是金，其具有4.5×105Scm-1的电导率，在380-780nm范围内的1.7至0.2的实际折射率，和3.17瓦/cm℃的热导率。
在一些实施例中，层M1基本上由铜、银、或金组成。
在一些实施例中，层M1具有5-50nm范围内的厚度；在一些实施例中，10-30nm。
在一些实施例中，第二金属具有小于1.0瓦/cm℃的热导率。在一些实施例中，第二金属具有大于第一金属的熔化热的熔化热。在一些实施例中，第二金属具有大于14kJ/mol的熔化热。
在一些实施例中，第二金属选自铬、镍、钯、钛和锗。
在一些实施例中，第二金属是铬，其具有7.7×104Scm-1的电导率和0.91瓦/cm℃的热导率。
在一些实施例中，第二金属是镍，其具有1.4×105Scm-1的电导率和0.90瓦/cm℃的热导率。
在一些实施例中，第二金属是钯，其具有9.5×104Scm-1的电导率和0.72瓦/cm℃的热导率。
在一些实施例中，第二金属是钛，其具有2.3×104Scm-1的电导率和0.22瓦/cm℃的热导率。
在一些实施例中，第二金属是锗，其具有0Scm-1的电导率和0.60瓦/cm℃的热导率。
在一些实施例中，层M2基本上由选自铬、镍、钯、钛和锗的金属组成。
在一些实施例中，层M2包含混合金属氧化物。在一些实施例中，混合金属氧化物具有选自铝、铟、锡和锆的一种或多种金属。
在一些实施例中，层M2包含氧化铟锡、氧化铟锌、氧化铝锡、氧化铝锌、或氧化锆锡。在一些实施例中，层M2基本上由选自氧化铟锡、氧化铟锌、氧化铝锡、氧化铝锌和氧化锆锡的材料组成。
在一些实施例中，层M2包含选自铬、镍、钯、钛、锗和氧化铟锡的材料。在一些实施例中，层M2基本上由选自铬、镍、钯、钛、锗和氧化铟锡的材料组成。
在一些实施例中，层M2具有0.1-5nm范围内的厚度；在一些实施例中，0.5-5nm。
可通过用于形成层的任何常规沉积技术形成层M1和M2，包括气相沉积、液相沉积(连续和不连续技术)和热转移。在一些实施例中，通过气相沉积方法形成层M1和M2。此类方法是本领域所熟知的。
c.附加层
阳极可任选地包括第二层M2、层M3和层M4中的一个或多个。
层M3为可见光至少部分可透射的导电无机层。在一些实施例中，层M3包含氧化铟锡、氧化铟锌、氧化铝锡、氧化铝锌、或氧化锆锡。在一些实施例中，层M3基本上由选自氧化铟锡、氧化铟锌、氧化铝锡、氧化铝锌和氧化锆锡的材料组成。在一些实施例中，层M3具有30-200nm范围内的厚度；在一些实施例中，50-150nm。
可通过用于形成层的任何常规沉积技术形成层M3，包括气相沉积、液相沉积(连续和不连续技术)和热转移。在一些实施例中，通过气相沉积方法形成层M3。此类方法是本领域所熟知的。
层M4包含有机空穴注入材料。空穴注入材料可为聚合物、低聚物、或小分子。空穴注入材料的例子包括但不限于掺杂有聚合物质子酸的导电聚合物，如掺杂有聚(苯乙烯磺酸)、聚(2-丙烯酰氨基-2-甲基-1-丙磺酸)的聚苯胺(PANI)或聚乙烯二氧噻吩(PEDOT)等；小分子，如四氟四氰基醌二甲烷、-3,4,9,10-四羧酸-3,4,9,10-二酐、
Figure BDA00003704536300102
-3,4,9,10-四羧酸-3,4,9,10-二酰亚胺、萘四羧酸二酰亚胺和六氮杂苯并菲六甲腈。在一些实施例中，空穴注入材料是掺杂有成胶聚合物磺酸的导电聚合物。此类材料已描述于例如公布的美国专利申请US2004/0102577、US2004/0127637和US2005/0205860和公布的PCT申请WO2009/018009中。
在一些实施例中，层M4包含选自六氮杂苯并菲六甲腈和掺杂有成胶聚合物磺酸的导电聚合物的材料。在一些实施例中，层M4基本上由选自六氮杂苯并菲六甲腈和掺杂有成胶聚合物磺酸的导电聚合物的材料组成。
在一些实施例中，层M4具有10-300nm范围内的厚度；在一些实施例中，50-200nm。
可通过任何常规的沉积技术形成层M4，包括气相沉积、液相沉积(连续和不连续技术)和热转移。连续液体沉积技术包括但不限于旋涂、凹面涂布、帘式涂布、浸涂、槽模涂布、喷涂和连续喷嘴涂布。不连续液体沉积技术包括但不限于喷墨印刷、凹版印刷和丝网印刷。
当存在单层A1时，阳极可具有下文所示按给定顺序的任何层的组合。
M3/M2/A1/M2/M4前提条件是至少A1存在。
当存在双层M1和M2时，阳极可具有下文所示按给定顺序的任何层的组合。
M3/M2/M1/M2/M4前提条件是至少一个M1层和一个M2层存在。
在一些实施例中，可存在下列任何组合：
(i)层M1基本上由铜、银、金、或它们的合金组成；
(ii)层M2基本上由下列组成：铬、镍、钯、钛、锗、铬的合金、镍的合金、钯的合金、钛的合金、锗的合金、铬的氧化物、镍的氧化物、钯的氧化物、钛的氧化物、锗的氧化物、氧化铟锡、氧化铟锌、氧化铝锡、氧化铝锌、或氧化锆锡；
(iii)M1厚度与M2厚度的比率为至少5:1；
(iv)第一金属具有大于第二金属的热导率的热导率。
(v)层M1具有5-50nm范围内的厚度；
(vi)第二金属具有小于1.0瓦/cm℃的热导率；
(vii)第二金属具有大于第一金属的熔化热的熔化热。
(viii)第二金属具有大于14kJ/mol的熔化热；
(ix)层M2具有0.1-5nm范围内的厚度；
(x)存在层M3且基本上由氧化铟锡、氧化铟锌、氧化铝锡、氧化铝锌和氧化锆锡组成。
(xi)层M3具有30-200nm范围内的厚度；
(xii)存在层M4且基本上由是六氮杂苯并菲六甲腈或掺杂有成胶聚合物磺酸的导电聚合物的材料组成；
(xiii)层M4具有10-300nm范围内的厚度。
4.电子装置
可得益于具有本文描述的构造的有机电子装置包括但不限于(1)将电能转化成辐射的装置(例如，发光二极管、发光二极管显示器、照明装置、灯具、或二极管激光器)，(2)通过电子方法检测信号的装置(例如，光电探测器、光导电池、光敏电阻、光电开关、光电晶体管、光电管、IR探测器、生物传感器)，(3)将辐射转化成电能的装置(例如，光伏装置或太阳能电池)，和(4)包括一个或多个电子组件的装置，所述电子组件包括一个或多个有机半导体层(例如，晶体管或二极管)。具体地，所述构造可用于OLED照明装置。
OLED装置通常包括两个电接触层(阳极和阴极)之间的光敏层。图1中示意性地示出了典型的装置结构。装置D1包括基板10、阳极20、任选的空穴传输层30、光敏层40、任选的电子传输层50、任选的电子注入层60和阴极70。此外，空穴注入层(未示出)可存在于阳极与空穴传输层之间。对于照明装置，光敏层不是像素化的。应当指出的是，在所有图中，层不是按比例绘制的，并且未示出各层的相对厚度。
本文描述的新装置具有如图2A和图2B中所示的结构之一。在图2A中，装置D2A具有增强膜100。增强膜100在基板10的外侧上并与基板10直接接触。阳极200是如上所述的单层A1或多层结构。光敏层40和阴极70如上所述。在该图以及在所有后续图中，未示出其它装置层，但如上文所讨论是可存在的。在该图以及在所有后续图中，基板示为10，光敏层示为40，并且阴极示为70。
在图2B中，装置D2B在基板10的装置侧上具有增强膜100。增强膜与基板10直接接触并且在基板与阳极200之间。阳极200是单层A1或多层结构，如上所述。
在一些实施例中，阳极200是包含金属的合金的单层A1，所述金属具有大于105Scm-1的电导率和在380-780nm范围内的小于2.1的实际折射率。在一些实施例中，阳极200基本上由金属的合金组成，所述金属具有大于105Scm-1的电导率和在380-780nm范围内的小于2.1的实际折射率。
在一些实施例中，阳极是双层。这示意性地示于图3和4中。图3中的装置D3具有阳极200，所述阳极具有第一层201和第二层202。层201为M1，并且层202为M2。在该图中，增强膜100示于基板10的外侧上。
图4中的装置D4具有双层阳极200，其中层是反转的。作为M2的层202直接在基板100上，并且作为M1的层201在层202之上并与层202直接物理接触。
在一些实施例中，阳极可具有一个或多个附加层，所述附加层包括层M2、层M3和层M4。
当存在层M2时，其与层M1或层A1直接物理接触。
当存在层M3时，其邻近基板。这时是表示层M3在阳极的基板侧上，但不一定与基板直接物理接触。在一些实施例中，层M3与基板物理接触。在一些实施例中，层M3与增强膜物理接触。
当存在层M4时，其邻近光敏层。这时是表示层M4在阳极的光敏层侧上，但不一定与光敏层直接物理接触。在一些实施例中，层M4和光敏层之间有空穴传输层。
图5-13示出其中在阳极中存在一个或多个附加层的实施例。
图5中的装置D5具有阳极200，所述阳极具有层202、201和202(按该顺序)。层202为M2，层201为M1，并且第二202层为M2。
图6中的装置D6具有阳极200，所述阳极具有层203、202和201(按该顺序)。层203为M3，层202为M2，并且层201为M1。
图7中的装置D7具有阳极200，所述阳极具有层203、201和202(按该顺序)。层203为M3，层201为M1，并且层202为M2。
图8中的装置D8具有阳极200，所述阳极具有层202、201和204(按该顺序)。层202为M2，层201为M1，并且层204为M4。
图9中的装置D9具有阳极200，所述阳极具有层203、210和204(按该顺序)。层203为M3，层210为A1，并且层204为M4。
图10中的装置D10具有阳极200，所述阳极具有层203、202、201和202(按该顺序)。层203为M3，层202为M2，层201为M1，并且第二层202为M2。
图11中的装置D11具有阳极200，所述阳极具有层202、201、202和204(按该顺序)。层202为M2，层201为M1，第二层202为M2，并且层204为M4。
图12中的装置D12具有阳极200，所述阳极具有层203、202、201和204(按该顺序)。层203为M3，层202为M2，层201为M1，并且层204为M4。
图13中的装置D13具有阳极200，所述阳极具有层203、201、202和204(按该顺序)。层203为M3，层201为M1，层202为M2，并且层204为M4。
图14中的装置D14具有阳极200，所述阳极具有层203、202、201、202和204(按该顺序)。层203为M3，层202为M2，层201为M1，第二层202为M2，并且层204为M4。
在所有上述装置D3-D14中，增强膜显示在基板10的外侧上。应理解的是，在任何上述装置D3-D14中，增强膜可定位在基板的另一侧上，在基板和阳极之间，如图2B中所示。
具有层M1至M4的组合的其它阳极也是可能的。
a.其它装置层
装置中的其它层可由已知用于此类层中的任何材料制成。
基板10为可以是刚性的或柔性的基体材料。基板可包括一种或多种材料的一个或多个层，所述材料可包括但不限于玻璃、聚合物、金属或陶瓷材料或它们的组合。基板可包括或可不包括电子组件、电路、或导电构件。
用于任选层30的空穴传输材料的例子例如已由Y.Wang在Kirk-Othmer Encyclopedia of Chemical Technology，第四版，第18卷，第837-860页，1996年中所概述。可使用空穴传输分子和空穴传输聚合物两者。常用的空穴传输分子是：N,N′-二苯基-N,N′-双(3-甲基苯基)-[1,1′-联苯基]-4,4′-二胺(TPD)、1,1-双[(二-4-甲苯基氨基)苯基]环己烷(TAPC)、N,N′-双(4-甲基苯基)-N,N′-双(4-乙基苯基)-[1,1′-(3,3′-二甲基)联苯基]-4,4′-二胺(ETPD)、四-(3-甲基苯基)-N,N,N′,N′-2,5-苯二胺(PDA)、a-苯基-4-N,N-二苯基氨基苯乙烯（TPS）、对-(二乙氨基)苯甲醛二苯腙(DEH)、三苯胺(TPA)、双[4-(N,N-二乙氨基)-2-甲基苯基](4-甲基苯基)甲烷(MPMP)、1-苯基-3-[对-(二乙氨基)苯乙烯基]-5-[对-(二乙氨基)苯基]吡唑啉(PPR或DEASP)、1,2-反式-双(9H-咔唑-9-基)环丁烷(DCZB)、N,N,N′,N′-四(4-甲基苯基)-(1,1′-联苯基)-4,4′-二胺(TTB)、N,N’-双(萘-1-基)-N,N’-双-(苯基)联苯胺(NPB)、和卟啉化合物，如铜酞菁。常用的空穴传输聚合物是聚乙烯咔唑、(苯基甲基)-聚硅烷和聚苯胺。还可通过将空穴传输分子诸如上述那些掺入聚合物诸如聚苯乙烯和聚碳酸酯中，来获得空穴传输聚合物。在一些情况下，使用三芳基胺聚合物，尤其是三芳基胺－芴共聚物。在一些情况下，所述聚合物和共聚物是可交联的。在一些实施例中，所述空穴传输层还包含p型掺杂剂。在一些实施例中，所述空穴传输层掺杂有p型掺杂剂。p型掺杂剂的例子包括但不限于四氟四氰基对苯二醌二甲烷（F4-TCNQ）和
Figure BDA00003704536300151
-3,4,9,10-四甲酸-3,4,9,10-二酸酐（PTCDA）。
根据装置的应用，光敏层400可以是通过施加的电压激活的发光层（例如在发光二极管或发光电化学电池中），其为响应于辐射能并且在施加偏压或不施加偏压的情况下产生信号（例如在光电探测器中）的材料层。在一个实施例中，电活性层包含有机电致发光(“EL”)材料。装置中可使用任何EL材料，包括但不限于小分子有机荧光化合物、发光金属配合物、共轭聚合物、以及它们的混合物。荧光化合物的例子包括但不限于
Figure BDA00003704536300152
、芘、、红荧烯、香豆素、蒽、噻二唑、它们的衍生物、以及它们的混合物。金属配合物的例子包括但不限于金属螯合的8-羟基喹啉化合物，例如三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)；环金属化铱和铂电致发光化合物，例如在Petrov等人的美国专利6,670,645以及已公布的PCT专利申请WO03/063555和WO2004/016710中所公开的铱与苯基吡啶、苯基喹啉、或苯基嘧啶配体的配合物，以及在例如已公布的PCT专利申请WO03/008424、WO03/091688和WO03/040257中所述的有机金属配合物，以及它们的混合物。共轭聚合物的例子包括但不限于聚(苯撑乙烯)、聚芴、聚(螺二芴)、聚噻吩、聚(对-亚苯基)、它们的共聚物、以及它们的混合物。
在一些情况下，将发光材料作为掺杂剂与基质材料一起沉积，以提高加工和/或电子性能。
发红光的材料的例子包括但不限于具有苯基喹啉或苯基异喹啉配体的Ir的配合物、二茚并芘、荧蒽和二萘嵌苯。发红光的材料已公开于例如美国专利6,875,524和公布的美国专利申请2005-0158577中。
发绿光的材料的例子包括但不限于具有苯基吡啶配体的Ir的配合物、双(二芳基氨基)蒽和聚对苯撑乙烯聚合物。发绿光的材料已公开于例如公布的PCT专利申请WO2007/021117中。
发蓝光的材料的例子包括但不限于具有苯基吡啶或苯基咪唑配体的Ir的配合物、二芳基蒽、二氨基、二氨基芘和聚芴聚合物。发蓝光的材料已公开于例如美国专利6,875,524和公布的美国专利申请2007-0292713和2007-0063638中。
在一些实施例中，针对照明应用，期望的是使用具有来自三重激发态或混合单重-三重激发态的发射的电致发光材料。在一些实施例中，电致发光材料为有机金属配合物。在一些实施例中，有机金属配合物是环金属化的。所谓“环金属化的”是指配合物包含至少一个配体，其在至少两个点处键合到金属，从而形成至少一个5元或6元环，所述环具有至少一个碳-金属键。在一些实施例中，所述金属为铱或铂。在一些实施例中，所述有机金属配合物是电中性的，并且为具有式IrL3的铱的三环金属化配合物，或为具有式IrL2Y的双-环金属化铱配合物。在一些实施例中，L为通过碳原子和氮原子配位的单阴离子二齿环金属化配体。在一些实施例中，L为芳基N-杂环，其中芳基为苯基或萘基，并且N-杂环为吡啶、喹啉、异喹啉、二嗪、吡咯、吡唑或咪唑。在一些实施例中，Y为单阴离子二齿配体。在一些实施例中，L为苯基吡啶、苯基喹啉、或苯基异喹啉。在一些实施例中，Y为β-二烯醇盐、二酮亚胺、吡啶甲酸酯、或N-烷氧基吡唑。所述配体可以是未取代的或被F、D、烷基、全氟烷基、烷氧基、烷氨基、芳氨基、CN、甲硅烷基、氟烷氧基或芳基取代的。
在一些实施例中，发光材料为铱或铂的环金属化配合物。此类材料已公开于例如美国专利6,670,645和公布的PCT申请WO03/063555、WO2004/016710和WO03/040257中。
具有红色发射的有机金属铱配合物的例子包括但不限于以下化合物R1至R10。
Figure BDA00003704536300171
Figure BDA00003704536300181
具有绿色发射的有机金属铱配合物的例子包括但不限于以下化合物G1至G10。
Figure BDA00003704536300182
Figure BDA00003704536300191
具有蓝色发射的有机金属铱配合物的例子包括但不限于以下化合物B1至B10。
Figure BDA00003704536300201
在一些实施例中，光敏层40包含基质材料中的电致发光材料。在一些实施例中，还存在第二基质材料。基质材料的例子包括但不限于咔唑、吲哚并咔唑、
Figure BDA00003704536300202
、菲、苯并菲、菲咯啉、三嗪、萘、蒽、喹啉、异喹啉、喹喔啉、苯基吡啶、苯并二呋喃、羟基喹啉金属配合物、它们的氘代类似物、以及它们的组合。
任选层50既可起到促进电子传输的作用，也可充当空穴注入层或限制层以防止激子在层界面处淬灭。优选地，该层促进电子移动并且减少电子空穴对的淬灭。可用于任选电子传输层50中的电子传输材料的例子包括金属螯合的8-羟基喹啉酮化合物，包括金属喹啉衍生物，如三(8-羟基喹啉)铝（AlQ）、双(2-甲基-8-羟基喹啉)(对苯基酚氧基)铝（BAlq）、四-(8-羟基喹啉)铪（HfQ）和四-(8-羟基喹啉)锆（ZrQ）；以及唑化合物，如2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-
Figure BDA00003704536300203
二唑(PBD)、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-(4-叔丁基苯基)-1,2,4-***(TAZ)和1,3,5-三(苯基-2-苯并咪唑)苯(TPBI)；喹喔啉衍生物，如2,3-双(4-氟苯基)喹喔啉；菲咯啉类，如4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(DPA)和2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(DDPA)；三嗪类；富勒烯；以及它们的混合物。在一些实施例中，所述电子传输材料选自金属喹啉和菲咯啉衍生物。在一些实施例中，所述电子传输层还包含n型掺杂剂。N型掺杂剂材料是熟知的。n型掺杂剂包括但不限于第1族和第2族金属；第1族和第2族金属盐，如LiF、CsF和Cs2CO3；第1族和第2族金属有机化合物如Li喹啉；以及分子n型掺杂剂，如无色染料、金属配合物如W2(hpp)4（其中hpp=1,3,4,6,7,8-六氢-2H-嘧啶并-[1,2-a]-嘧啶）和二茂钴、四硫杂萘并萘、双(亚乙基二硫基)四硫富瓦烯、杂环基团或二价基团、以及杂环基团或二价基团的二聚体、低聚物、聚合物、二螺化合物和多环化物。
阴极70是用于注入电子或负电荷载体的尤其高效的电极。阴极可以是具有比阳极低的功函的任何金属或非金属。用于阴极的材料可选自第1族的碱金属（例如Li、Cs）、第2族（碱土）金属、第12族金属，包括稀土元素和镧系元素、以及锕系元素。可使用如铝、铟、钙、钡、钐和镁、以及它们的组合的材料。含Li的有机金属化合物LiF、Li2O，含Cs的有机金属化合物CsF、Cs2O和Cs2CO3也可沉积在有机层和阴极层之间以降低操作电压。该任选层可被称为电子注入层60。在一些实施例中，沉积电子注入层的材料与下面的电子传输层和/或阴极反应，并且不保持为可测量的层。
已知在有机电子装置中具有其它层。优选通过平衡发射极层中的正电荷和负电荷来确定每个组件层的材料的选择，以提供具有高电致发光效率的装置。应当理解，每个功能层可由多于一个层构成。
在一个实施例中，不同的层具有下列厚度范围：复合阳极
Figure BDA00003704536300211
Figure BDA00003704536300212
，在一个实施例中为
Figure BDA00003704536300213
空穴传输层
Figure BDA00003704536300214
在一个实施例中为
Figure BDA00003704536300215
光敏层
Figure BDA00003704536300216
在一个实施例中为
Figure BDA00003704536300217
电子传输层
Figure BDA00003704536300218
在一个实施例中为
Figure BDA00003704536300219
阴极
Figure BDA000037045363002110
在一个实施例中为
Figure BDA000037045363002111
所期望的层厚度比率将取决于所用材料的确切性质。
装置层可以通过任何沉积技术或技术的组合形成，包括气相沉积、液相沉积和热转移。可使用常规的气相沉积技术诸如热蒸发、化学气相沉积等。可使用常规的涂布或印刷技术，包括但不限于旋涂、浸涂、辊到辊技术、喷墨印刷、连续喷印、丝网印刷、凹版印刷等，由适宜溶剂中的溶液或分散体来施加有机层。
就液相沉积方法而言，本领域技术人员易于确定适用于特定化合物或相关类别化合物的溶剂。就某些应用而言，期望所述化合物可溶解于非水性溶剂中。此类非水性溶剂可以是相对极性的，如C1-C20醇、醚和酸酯，或可以是相对非极性的，如C1-C12烷烃或芳族化合物如甲苯、二甲苯、三氟甲苯等。其它适用于制备液体组合物的液体为如本文所述的包含/包括新化合物的溶液或分散体，包括但不限于氯化烃（如二氯甲烷、氯仿、氯苯）、芳烃（如取代的和未取代的甲苯和二甲苯，包括三氟甲苯）、极性溶剂（如四氢呋喃（THP）、N-甲基吡咯烷酮）、酯（如乙酸乙酯）、醇（异丙醇）、酮（环戊酮）、以及它们的混合物。用于电致发光材料的合适溶剂已描述于例如公布的PCT申请WO2007/145979中。
在一些实施例中，在如上所述沉积复合阳极后，通过液相沉积空穴传输层和光敏层并通过气相沉积电子传输层、电子注入层和阴极制作装置。
应当理解，由本文所述的新组合物制成的装置的效率可以通过对该装置中的其它层进行优化而进一步改善。例如，可以使用更有效的阴极例如Ca、Ba或LiF。也可使用导致操作电压降低或量子效率增加的成型基板和新型空穴传输材料。还可添加附加层，以定制各种层的能级并且有利于电致发光。
在一个实施例中，所述装置具有下列结构，依次为：增强膜、基板、阳极、空穴传输层、光敏层、电子传输层、电子注入层、阴极。
尽管与本文所述的方法和材料类似或等同的方法和材料也可用于本发明的实践或测试中，但是下文描述了合适的方法和材料。此外，材料、方法和实例仅是例证性的，并且不旨在进行限制。所有公布、专利申请、专利、以及本文提及的其它参考资料以引用方式全文并入本文。
实例
本文所述的概念将在下列实例中进一步描述，所述实例不限制权利要求中描述的本发明的范围。
材料
化合物1由导电聚合物和聚合物氟化磺酸的含水分散体制成。此类材料已描述于例如公布的美国专利申请US2004/0102577、US2004/0127637和US2005/0205860以及公布的PCT申请WO2009/018009中。
化合物2是N-芳基-吲哚并咔唑。此类材料已描述于例如公布的美国专利申请US2009/0302742中。
化合物3是发蓝光的三环金属化铱配合物。
化合物4是金属喹啉配合物。
化合物5是三芳基胺聚合物。此类材料已描述于例如公布的PCT申请WO2009/067419中。
化合物6是发蓝光的三环金属化铱配合物。
化合物7是发绿光的三环金属化铱配合物。
化合物8是发红光的双环金属化乙酰丙酮铱配合物。
化合物9是咔唑衍生物。
化合物10是N-芳基-吲哚并咔唑。
化合物11是菲咯啉衍生物。
化合物12示于下文。此类材料已描述于例如共同待决的申请[UC1006]中。
Figure BDA00003704536300231
化合物13示于下文。此类材料已描述于例如共同待决的申请[UC1006]中。
化合物14示于下文。此类材料已描述于例如公布的美国申请2010-1087977中。
化合物15示于下文。此类材料已描述于例如美国专利7,023,013中。
Figure BDA00003704536300241
DPA是4,7-二苯基-1,10-菲咯啉。
TAPC示于下文。
Figure BDA00003704536300242
实例1
该实例示出增强膜的形成。
增强膜包含具有分散于其中的颗粒材料的聚合物基体。聚合物材料为聚硅氧烷
Figure BDA00003704536300243
184硅氧烷弹性体(Dow Corning,Midland,MI)。颗粒材料为具有小于100nm的粒度的ZrO2的纳米粉末(Sigma-Aldrich,St.Louis,MO)。
增强膜通过将ZrO2纳米粉末分散在Sylgard中，用10重量%Sylgard184固化剂固化，并在玻璃基板上浇注成各种厚度的膜来制备。
增强膜1具有2重量%的ZrO2和1000微米的膜厚度。
增强膜2具有4重量%的ZrO2和1250微米的膜厚度。
实例2和3以及比较实例A和B
这些实例示出具有本文所述构造的装置的性能。
实例2和3具有按所列顺序的下列装置层：
增强膜
基板=玻璃
阳极=Cr(0.7nm)/Ag(15nm)
空穴注入层=化合物1(50nm)
空穴传输层=TAPC(20nm)
光敏层=在化合物2中的6重量%的化合物3(53nm)
电子传输层=化合物4(10nm，如所施加)
电子注入层=CsF(1nm)
阴极=Al（100nm）
实例2具有增强膜1。
实例3具有增强膜2。
比较实例A具有ITO阳极(120nm)且无增强膜。
比较实例B具有与实例2相同的阳极，但没有增强膜。
通过将层沉积在玻璃基板的没有增强膜的一侧上来制备装置。由含水分散体通过旋涂沉积化合物1。通过蒸发沉积来施加所有其它层。
比较实例A和B的电致发光光谱示于图15中。比较实例A的光谱(线A)在光谱的蓝色部分中的495nm处具有主峰。在红色部分处的强度非常弱。比较实例B的光谱(线B)在光谱的红色部分中的556nm处具有主峰，但光谱的蓝色部分相对较弱。因此可以看出，用双层阳极替换ITO阳极增加了来自光谱的红色部分的发射而牺牲了来自蓝色的发射。
实例2和3的电致发光光谱示于图16中，分别为线2和线3。包括比较实例B的光谱以供参考。可以看出，在实例2中(线2)，光谱的蓝色部分相对于比较实例B增强，而比较实例B的增强的红色峰得到保持。由实例3(线3)还可以看出，通过使用具有更高ZrO2载量的增强膜可进一步增强光谱的蓝色部分。因此，通过微调阳极层的厚度和颗粒浓度以及增强膜的厚度可以将白光光谱调节到所期望的确切颜色。
实例4和5以及比较实例C和D
这些实例示出具有本文所述构造的装置的性能。
实例4和5具有按所列顺序的下列装置层：
增强膜
基板=玻璃
阳极=Cr(0.7nm)/Ag(15nm)
空穴注入层=化合物1(50nm)
空穴传输层=化合物5（20nm）
光敏层=重量比为0.7:0.13:15:72:12的化合物8、化合物7、化合物6、化合物9和化合物10(60nm)
电子传输层=化合物11(10nm)
电子注入层=CsF(1nm，如所沉积)
阴极=Al（100nm）
比较实例C具有ITO阳极(120nm)且无增强膜。
比较实例D具有与实例4相同的阳极，但没有增强膜。
通过将层沉积在玻璃基板的没有增强膜的一侧上来制备装置。由含水分散体通过旋涂沉积化合物1。由有机溶剂通过旋涂沉积化合物5和光敏层。通过蒸发沉积来施加所有其它层。
比较实例C和D的电致发光光谱示于图17中。与比较实例C(线C)相比，比较实例D的光谱(线D)显示出红色部分中的增强。因此可以看出，用双层阳极替换ITO阳极增加了来自光谱的红色部分的发射而牺牲了来自蓝色的发射。
实例4和5的电致发光光谱示于图18中(线4和5)。包括比较实例D的光谱(线D)以供参考。可以看出，在实例4的光谱(线4)中，相对于比较实例D(线D)，光谱的蓝色部分增强。由实例5的光谱(线5)还可以看出，当增强膜具有更高的ZrO2载量时，光谱的蓝色部分得到进一步增强。因此，通过微调阳极层的厚度和颗粒浓度以及增强膜的膜厚度可以将白光光谱调节到所期望的确切颜色。
实例6
该实例示出具有本文所述构造的另一装置。
光敏层具有发红颜色、绿颜色和蓝颜色的材料。所述材料为如上所示的R3、G3和B1，并且其可根据美国专利6,670,645和Dalton Trans.,2005,1583-1590中的程序制成。
装置具有按所列顺序的下列层：
基板=玻璃
增强膜1
阳极=Cr(0.7nm)/Ag(15nm)/ITO(20nm)
空穴注入层=化合物1(50nm)
空穴传输层=TAPC(20nm)
光敏层=重量比为0.7:0.13:15:72:12的R3、G3、B1、化合物13和化合物12(60nm)
电子传输层=DPA
电子注入层=CsF(1nm，如所沉积)
阴极=Al（100nm）
可以在玻璃基板上通过在增强膜之上沉积层来制备所述装置。可以由含水分散体通过旋涂沉积化合物1。可以通过蒸发沉积来施加所有其它层。
实例7
该实例示出具有本文所述构造的另一装置。
光敏层具有发红颜色、绿颜色和蓝颜色的材料。所述材料为如上所示的R3、G3和B1，并且可根据美国专利6,670,645和Dalton Trans.,2005,1583-1590中的程序制成。将R3和G3混合在第一光敏层中；并且B1位于第二个单独的光敏层中
装置具有按所列顺序的下列层：
增强膜1
基板=玻璃
阳极=Cr(0.7nm)/Ag(15nm)/ITO(20nm)
空穴注入层=化合物1(50nm)
空穴传输层=TAPC(20nm)
光敏层1=重量比为1:15:63:21的R3、G3、化合物14和化合物12(30nm)
光敏层2=重量比为8:92的B1和化合物15(30nm)
电子传输层=DPA
电子注入层=CsF(1nm，如所沉积)
阴极=Al（100nm）
可以在玻璃基板上通过在增强膜之上沉积层来制备所述装置。可以由含水分散体通过旋涂沉积化合物1。可以通过蒸发沉积来施加所有其它层。
应注意到的是，并不是所有的上文一般性描述或实例中所描述的活动都是必须的，一部分特定活动不是必需的，并且除了所描述的那些以外，还可实施一个或多个其它活动。此外，所列活动的顺序不必是它们实施的顺序。
在上述说明书中，已参考具体的实例描述了不同概念。然而，本领域的普通技术人员认识到，在不脱离下文权利要求中所示出的本发明范围的情况下可作出多种修改和变型。因此，说明书和附图应被认为是示例性的而非限制性的，并且所有此类修改均旨在包括于本发明的范围内。
以上已针对具体的实例描述了有益效果、其它优点以及问题的解决方案。然而，有益效果、优点、问题的解决方案、以及可致使任何有益效果、优点或解决方案产生或变得更显著的任何特征不可解释为是任何或所有权利要求的关键、必需或基本特征。
应当认识到，为清楚起见，本文不同实例的上下文中所描述的某些特点也可在单个实例中以组合方式提供。反之，为简明起见，在单个实例的上下文中所描述的多个特征也可单独或以任何子组合的方式提供。此外，范围内提出的相关数值包括该范围内的每个值。

Claims (17)

1.有机电子装置，包括透光性基板、与所述基板直接接触的增强膜、阳极、光敏层和阴极，其中所述阳极包括(a)单层A1和(b)多层之一，其中所述单层A1包含第一金属的合金，所述第一金属具有大于105Scm-1的电导率和在380-780nm范围内的小于2.1的实际折射率；并且所述多层包括：
(a)具有第一厚度且包含所述第一金属的层M1；和
(b)具有第二厚度且包含选自第二金属、所述第二金属的合金和混合金属氧化物的材料的层M2，其中所述第二金属具有小于105Scm-1的电导率；
其中层M1与层M2物理接触，并且所述第一厚度大于所述第二厚度。
2.根据权利要求1所述的装置，其中所述增强膜在所述基板的第一表面上，并且所述阳极在所述基板的与所述第一表面相对的第二表面上。
3.根据权利要求1所述的装置，其中所述增强膜在所述基板和所述阳极之间。
4.根据权利要求1所述的装置，其中所述增强膜包含具有颗粒材料分散于其中的聚合物基体。
5.根据权利要求4所述的装置，其中所述聚合物基体选自聚甲基丙烯酸甲酯膜、聚碳酸酯膜和聚硅氧烷膜。
6.根据权利要求4所述的装置，其中所述颗粒材料具有在632.8nm下所测量的大于1.9的折射率。
7.根据权利要求4所述的装置，其中所述颗粒材料选自TiO2、ZrO2、AlN、BaTiO3、以及它们的混合物。
8.根据权利要求1所述的装置，其中所述增强膜具有0.5微米至1.0mm范围内的厚度。
9.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一金属选自铜、银和金。
10.根据权利要求1所述的装置，其中A1包含合金，所述合金选自银/金、银/金/铜、金/镍、金/钯、银/锗、银/铜、银/钯、银/镍和银/钛。
11.根据权利要求1所述的装置，其中层M1具有5-50nm的厚度，并且层M2具有0.1-5nm的厚度。
12.根据权利要求1所述的装置，其中所述第二金属选自铬、镍、钯、钛和锗。
13.根据权利要求1所述的装置，其中层M2包含选自铬、镍、钯、钛、锗和氧化铟锡的材料。
14.根据权利要求1所述的装置，还包括第二层M2，所述第二层具有小于所述第一厚度的厚度。
15.根据权利要求1所述的装置，还包括层M3，所述层包含氧化铟锡、氧化铟锌、氧化铝锡、氧化铝锌、或氧化锆锡。
16.根据权利要求1所述的装置，还包括层M4，所述层包含有机空穴注入材料。
17.根据权利要求16所述的复合电极，其中所述空穴注入材料包括六氮杂苯并菲六甲腈或掺杂有成胶聚合物磺酸的导电聚合物。
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