CN103389763A - 一种低压差线性稳压器及其电源抑制比提高方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供的一种低压差线性稳压器(LDO)，所述LDO包括电源抑制比(PSRR)提高电路和低压差稳压电路，所述PSRR提高电路在输入电压有高频小信号时，放大所述高频小信号，并传送至低压差稳压电路的输出增益节点，增加低压差稳压电路的增益；本发明同时还提供一种LDO的PSRR提高方法，通过本发明的方案，能够在不影响低压差稳压电路的零/极点的情况下，提高LDO在输入电压有高频小信号时的PSRR，特别是在小信号频率高于100KHz时，LDO的PSRR提高更为显著。
Description
技术领域
本发明涉及低压差线性稳压技术，尤其涉及一种低压差线性稳压器(LDO，Low Dropout regulator)及其电源抑制比(PSRR)提高方法。
背景技术
在输入电压与输出电压很接近的时候，通常会选用LDO进行直流变直流(DC-DC)的转换。目前的LDO一般只保证在输入电压的小信号频率低于10KHz时，电源抑制比(PSRR)达到50dB以上，而当输入电压的小信号频率高于100KHz时，PSRR往往下降到40dB以下。
图1为一种LDO，如图1所示，误差放大器(EA，Error Amplifier)的正输入端接收参考电压Vref，负输入端连接分压电阻R1与采样电阻R2的相连处，输出端连接作为调整管的N型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOS，N-Metal-Oxid-Semiconductor)N1的栅极，NMOS N1的源极接地，漏极连接P型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOS，P-Metal-Oxid-Semiconductor)P3的栅极和漏极、以及PMOS P4的栅极，所述PMOS P3和PMOS P4连接成共源共栅的电流镜，PMOS P4的漏极连接分压电阻R1，并作为输出端连接负载，这里，负载为电容Cload和电阻Rload。
图1所示LDO在工作时，EA放大参考电压Vref与采样电阻R2的采样电压的差值，根据该差值对NMOS N1的压降进行控制，由于PMOS P3和PMOSP4连接成共源共栅的电流镜，从而对输出端的电压进行控制，也即控制负载电流Iload。但是，该LDO在输入电压的小信号频率高于100KHz时，PSRR往往达不到理想的要求，特别是在负载电流Iload为1mA或10mA、输入电压的小信号频率高于100KH时，PSRR下降幅度过大，无法满足设计需要。
发明内容
为解决现有技术存在的问题，本发明的主要目的在于提供一种LDO及其PSRR提高方法。
为达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的：
本发明提供的一种LDO，该LDO包括：PSRR提高电路和低压差稳压电路，其中，
PSRR提高电路，配置为在输入电压有高频小信号时，放大所述高频小信号，并将放大后的高频小信号传送至低压差稳压电路的输出增益节点，增加低压差稳压电路的增益；
低压差稳压电路，配置为对输入电流进行调节，产生稳定的输出电压。
本发明提供的一种LDO的PSRR提高方法，在LDO中设置PSRR提高电路；该方法还包括：
在输入电压有高频小信号时，所述PSRR提高电路放大所述高频小信号，并传送至低压差稳压电路的输出增益节点，增加低压差稳压电路的增益。
本发明实施例提供的LDO及其PSRR提高方法，所述LDO包括PSRR提高电路和低压差稳压电路，所述PSRR提高电路在输入电压有高频小信号时，放大所述高频小信号，并传送至低压差稳压电路的输出增益节点，增加低压差稳压电路的增益；如此，能够在不影响低压差稳压电路的零/极点的情况下，提高LDO在输入电压有高频小信号时的PSRR，特别是在小信号频率高于100KHz时，LDO的PSRR提高更为显著。
附图说明
图1为现有技术中LDO的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的LDO的结构示意图；
图3为本发明图2所示实施例的具体电路示意图；
图4为本发明对没有PSRR提高电路的LDO和有PSRR提高电路的LDO进行PSRR测试的结构示意图。
具体实施方式
本发明的基本思想是：在LDO中设置PSRR提高电路，在输入电压有高频小信号时，所述PSRR提高电路放大所述高频小信号，并传送至低压差稳压电路的输出增益节点，增加低压差稳压电路的增益，从而提高LDO的PSRR。
这里，所述高频小信号是指频率高于100KHz的小信号。
下面通过附图及具体实施例对本发明做进一步的详细说明。
本发明实施例提供的一种LDO，如图2所示，该LDO包括：PSRR提高电路21和低压差稳压电路22，其中，
PSRR提高电路21，配置为在输入电压有高频小信号时，放大所述高频小信号，并传送至低压差稳压电路22的输出增益节点，增加低压差稳压电路22的增益；
低压差稳压电路22，配置为对输入电流进行调节，产生低压差的、稳定的输出电压；
所述PSRR提高电路21包括配置有RC滤波器的第一电流镜211，所述第一电流镜211包括第一分支电路31、RC滤波器32和第二分支电路33，其中，
第一分支电路31工作为跟随器，配置为快速响应所述高频小信号；
RC滤波器32，配置为阻断第一分支电路31向第二分支电路33传导的高频小信号；
第二分支电路33工作为共栅放大电路，配置为放大所述高频小信号，并传送至低压差稳压电路22的输出增益节点；
具体的，如图3所示，该PSRR提高电路21包括：PMOS P1、PMOS P2、电流源B1、电阻Rf、电容Cf，其中，PMOS P1和电流源B1构成第一分支电路31，电阻Rf和电容Cf构成RC滤波器32，PMOS P2构成第二分支电路33；
所述PMOS P1和PMOS P2的源极都连接输入电压，PMOS P1和PMOS P2的栅极通过电阻Rf连接；电容Cf一端连接PMOS P2的栅极，另一端接地；电流源B1一端连接PMOS P1的漏极，另一端接地；PMOS P2的漏极连接低压差稳压电路22的输出增益节点net2；
在输入电压有高频小信号时，PMOS P1和电流源B1工作为跟随器快速响应所述高频小信号，电阻Rf和电容Cf构成RC滤波器，阻断PMOS P1传导的高频小信号，保证PMOS P2的栅极处节点net1的电压稳定，PMOS P2工作为共栅放大电路，放大所述高频小信号，并传送至低压差稳压电路22的输出增益节点net2。
所述低压差稳压电路22一般包括第二电流镜221和负反馈电路222，其中，
所述第二电流镜221，配置为产生输出电压；所述负反馈电路222，配置为根据输出电压调节输入电流，保持输出电压稳定；
具体的，如图3所示，所述低压差稳压电路22包括：EA、NMOS N1、PMOSP3、PMOS P4、分压电阻R1、采样电阻R2；其中，PMOS P3和PMOS P4构成第二电流镜221，EA、NMOS N1、分压电阻R1和采样电阻R2构成负反馈电路222；所述EA的正输入端接收参考电压Vref，负输入端连接分压电阻R1与采样电阻R2的相连处，输出端连接作为调整管的NMOS N1的栅极，NMOSN1的源极接地，漏极连接PMOS P3的栅极和漏极、PMOS P4的栅极、以及PSRR提高电路中PMOS P2的漏极，所述PMOS P3和PMOS P4连接成共源共栅的电流镜，PMOS P4的漏极连接分压电阻R1，并作为输出端连接负载，这里负载为电容Cload和电阻Rload；
在正常工作时，EA放大参考电压Vref与采样电阻R2的采样电压的差值，根据该差值对NMOS N1的压降进行控制，由于PMOS P3和PMOS P4连接成共源共栅的第二电流镜，从而通过控制NMOS N1的压降对输出端的电压进行控制，也即对负载电流Iload进行控制；
在输入电压有高频小信号时，所述PMOS P3和PMOS P4的栅极处节点net2为输出增益节点，输出增益节点net2处因为接收到被放大的所述高频小信号，所以，输出增益节点net2处增加的增益为gm2×r2，所述gm2为PMOS P2的跨导，所述r2为输出增益节点net2的小信号电阻。由于环路带宽所限，所述NMOS N1的栅极处节点net3响应缓慢，可以看作固定电压，所述NMOS N1等效为电流源，所述r2可以忽略，输出增益节点net2的增益为gm2×gm3，所述gm3为PMOS P3的跨导。这样，增加了低压差稳压电路22的增益，也就相应的提高了LDO的PSRR。
为了实现上述LDO，本发明实施例还提供了一种LDO的PSRR提高方法，该方法包括：在LDO中设置PSRR提高电路，在输入电压有高频小信号时，所述PSRR提高电路放大所述高频小信号，并传送至低压差稳压电路的输出增益节点，增加低压差稳压电路的增益；
所述PSRR提高电路放大所述高频小信号，具体为：所述PSRR提高电路的第一分支电路工作为跟随器，快速响应所述高频小信号，所述PSRR提高电路的RC滤波器阻断所述第一分支电路向所述PSRR提高电路的第二分支电路传导的高频小信号，所述第二分支电路工作为共栅放大电路，放大所述高频小信号。
下面通过对没有PSRR提高电路的LDO和有PSRR提高电路的LDO进行PSRR测试，比较两个电路PSRR的差别。
图4中，虚线表示没有PSRR提高电路的LDO的PSRR，实线表示有PSRR提高电路的LDO的PSRR。其中，第(1)幅图为负载电流Iload＝1mA的测试结果；第(2)幅图为负载电流Iload＝10mA的测试结果；第(3)幅图为负载电流Iload＝20mA的测试结果；第(4)幅图为负载电流Iload＝50mA的测试结果；第(5)幅图为负载电流Iload＝100mA的测试结果；第(6)幅图为负载电流Iload＝150mA的测试结果；第(7)幅图为负载电流Iload＝200mA的测试结果；第(8)幅图为负载电流Iload＝240mA的测试结果。可以看出，在输入电压的小信号频率高于100KHz时，有PSRR提高电路的LDO的PSRR明显要高于没有PSRR提高电路的LDO的PSRR，因此，本发明实施例的方案能够提高LDO在输入电压有高频小信号时的PSRR，特别是在小信号频率高于100KHz时，LDO的PSRR提高更为显著。
以上所述，仅为本发明的较佳实施例而已，并非用于限定本发明的保护范围。
Claims (8)
1.一种低压差线性稳压器(LDO)，其特征在于，该LDO包括：电源抑制比(PSRR)提高电路和低压差稳压电路，其中，
PSRR提高电路，配置为在输入电压有高频小信号时，放大所述高频小信号，并将放大后的高频小信号传送至低压差稳压电路的输出增益节点，增加低压差稳压电路的增益；
低压差稳压电路，配置为对输入电流进行调节，产生稳定的输出电压。
2.根据权利要求1所述的LDO，其特征在于，所述PSRR提高电路包括配置有RC滤波器的第一电流镜。
3.根据权利要求2所述的LDO，其特征在于，所述第一电流镜包括第一分支电路、RC滤波器和第二分支电路，其中，
第一分支电路工作为跟随器，配置为快速响应所述高频小信号；
RC滤波器，配置为阻断第一分支电路向第二分支电路传导的高频小信号；
第二分支电路工作为共栅放大电路，配置为放大所述高频小信号，并传送至低压差稳压电路的输出增益节点。
4.根据权利要求3所述的LDO，其特征在于，所述PSRR提高电路包括：PMOS(P1)、PMOS(P2)、电流源(B1)、电阻(Rf)、电容(Cf)，其中，PMOS(P1)和电流源(B1)构成所述第一分支电路，电阻(Rf)和电容(Cf)构成所示RC滤波器，PMOS(P2)构成所述第二分支电路；
所述PMOS(P1)和PMOS(P2)的源极都连接输入电压，PMOS(P1)和PMOS(P2)的栅极通过电阻(Rf)连接；电容(Cf)一端连接PMOS(P2)的栅极，另一端接地；电流源(B1)一端连接PMOS(P1)的漏极，另一端接地；PMOS(P2)的漏极连接低压差稳压电路的输出增益节点。
5.根据权利要求4所述的LDO，其特征在于，所述低压差稳压电路包括第二电流镜和负反馈电路，其中，
第二电流镜，配置为产生输出电压；
负反馈电路，配置为根据输出电压调节输入电流，保持输出电压稳定。
6.根据权利要求5所述的LDO，其特征在于，所述低压差稳压电路包括：误差放大器(EA)、NMOS(N1)、PMOS(P3)、PMOS(P4)、分压电阻(R1)、采样电阻(R2)；其中，PMOS(P3)和PMOS(P4)构成第二电流镜，EA、NMOS(N1)、分压电阻(R1)和采样电阻(R2)构成负反馈电路；
所述EA的正输入端接收参考电压，负输入端连接分压电阻(R1)与采样电阻(R2)的相连处，输出端连接NMOS(N1)的栅极，NMOS(N1)的源极接地，漏极连接PMOS(P3)的栅极和漏极、PMOS(P4)的栅极、以及PSRR提高电路中PMOS(P2)的漏极，所述PMOS(P3)和PMOS(P4)连接成共源共栅的电流镜，PMOS(P4)的漏极连接分压电阻(R1)，并作为输出端连接负载。
7.一种LDO的PSRR提高方法，其特征在于，在LDO中设置PSRR提高电路；该方法还包括：
在输入电压有高频小信号时，所述PSRR提高电路放大所述高频小信号，并传送至低压差稳压电路的输出增益节点，增加低压差稳压电路的增益。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述PSRR提高电路放大所述高频小信号，具体为：所述PSRR提高电路的第一分支电路工作为跟随器，快速响应所述高频小信号，所述PSRR提高电路的RC滤波器阻断所述第一分支电路向所述PSRR提高电路的第二分支电路传导的高频小信号，所述第二分支电路工作为共栅放大电路，放大所述高频小信号。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20131113 |