CN103314464A - 被成膜基板、有机el显示装置和蒸镀方法 - Google Patents

被成膜基板、有机el显示装置和蒸镀方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103314464A
CN103314464A CN2012800057367A CN201280005736A CN103314464A CN 103314464 A CN103314464 A CN 103314464A CN 2012800057367 A CN2012800057367 A CN 2012800057367A CN 201280005736 A CN201280005736 A CN 201280005736A CN 103314464 A CN103314464 A CN 103314464A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
evaporation
mentioned
width
vapor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2012800057367A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103314464B (zh
Inventor
园田通
川户伸一
井上智
桥本智志
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Publication of CN103314464A publication Critical patent/CN103314464A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103314464B publication Critical patent/CN103314464B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • C23C14/044—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks using masks to redistribute rather than totally prevent coating, e.g. producing thickness gradient
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/12—Organic material
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • H10K71/231—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers
    • H10K71/233—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers by photolithographic etching
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

被成膜基板（200）是在排列于规定方向上的多个蒸镀区域（24R、24G）中的各个蒸镀区域形成有蒸镀膜（23R、23G）的被成膜基板，蒸镀膜（24R）具有相对于被成膜基板（200）的法线方向倾斜的倾斜侧面（23s），蒸镀膜（23R）的上述规定方向上的宽度大于蒸镀区域（24R）的所述规定方向上的宽度与所述各蒸镀区域（24R、24G）间的区域（29）的所述规定方向上的宽度之和。

Description

被成膜基板、有机EL显示装置和蒸镀方法
技术领域
本发明涉及在排列于规定方向上的多个蒸镀区域中的各个蒸镀区域形成有蒸镀膜的被成膜基板、有机EL显示装置和蒸镀方法。
背景技术
近年，在多种多样的商品、领域中使用平板显示器，对平板显示器的进一步大型化、高画质化、低耗电化提出了要求。
在这样的状况下，具备利用有机材料的电致发光（Electroluminescence，以下记作“EL”）的有机EL元件的有机EL显示装置作为全固体型且在能够低电压驱动、高速响应性、自发光性等方面优异的平板面板显示器受到高度瞩目。
有机EL显示装置例如具有以下结构：在包括设置有TFT（薄膜晶体管）的玻璃基板等的基板上，设置有与TFT连接的有机EL元件。
有机EL元件是能够利用低电压直流驱动高亮度地发光的发光元件，具有第一电极、有机EL层和第二电极依次层叠的结构。其中，第一电极与TFT连接。此外，在第一电极与第二电极之间，作为上述有机EL层，设置有使空穴注入层、空穴输送层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子输送层、电子注入层等层叠而得到的有机层。
在全彩色的有机EL显示装置中，一般而言，在基板上作为子像素排列形成有红色（R）、绿色（G）、蓝色（B）各种颜色的有机EL元件，通过使用TFT使这些有机EL元件有选择地按所期望的亮度发光来进行图像显示。
在这样的有机EL显示装置的制造中，至少含有发出各色光的有机发光材料的发光层在每个作为发光元件的有机EL元件上被图案形成（例如参照专利文献1～3）。
作为进行发光层的图案形成的方法，例如已知使用被称为荫罩的蒸镀用的掩模的真空蒸镀法、喷墨法、激光转印法。
例如，在低分子型有机EL显示器（OLED）中，以往通过使用荫罩的蒸镀法，进行有机层的分涂形成。
在使用有荫罩的真空蒸镀法中，使用能够在基板的蒸镀区域整体进行蒸镀的尺寸的荫罩（密接型整面荫罩）。一般而言，作为荫罩，使用与基板同等尺寸的掩模。
图26是表示使用有荫罩的现有蒸镀装置的概略结构的截面图。
在使用有荫罩的真空蒸镀法中，如图26所示，使基板301与蒸镀源302相对配置，以使作为目的的蒸镀区域以外的区域不附着蒸镀颗粒的方式，在荫罩303设置与蒸镀区域的一部分的图案对应的开口部304，使蒸镀颗粒经该开口部304蒸镀在基板301上，由此进行图案形成。
基板301配置在没有图示的真空腔室内，在基板301的下方固定蒸镀源302。荫罩303接近（或紧贴）基板301并被固定，或者在基板301和蒸镀源302被固定在真空腔室的内壁的状态下，相对于基板301进行相对移动。
例如在专利文献1中，公开了使用加载互锁式的蒸镀源，进行掩模与基板的对位后，将第一发光材料从基板的正下方进行真空蒸镀，形成与掩模的开口部大致相同形状的第一发光部的排列后，移动掩模，将第二发光材料从基板的正下方进行真空蒸镀，形成与掩模的开口部大致相同形状的第二发光部的排列。
在专利文献2中，公开了在设置有显示电极的基板上，以包围显示电极的方式设置在基板上突出的隔壁，在该隔壁的上表面载置掩模，在隔壁内的显示电极上使有机EL介质沉积后，移动掩模，使掩模的开口部从1个显示电极上位于相邻的显示电极上，由此依次形成与掩模的开口部大致相同形状的发光层。
另外，使用有荫罩的真空蒸镀法不仅可以用于发光层，也可以用于电极的图案形成。
例如，在专利文献4中，公开了在与基板同等尺寸的掩模中，将小径或细长的狭缝孔在与掩模的移动方向交差的方向上排列，一边沿着小径或狭缝孔的排列方向使掩模移动，一边使电极材料蒸镀，由此形成电极图案。
在使用这样的荫罩的真空蒸镀法中，为了抑制弯曲和变形，而施加张紧力将荫罩固定（例如熔接）于掩模框。
在使用荫罩的真空蒸镀法中，使这样的荫罩接近（或紧贴）基板，并使蒸镀颗粒自蒸镀源起通过荫罩的开口部蒸镀（附着）在基板的所需的位置，从而进行作为蒸镀膜的发光层或电极的图案形成。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本公开特许公报“特开2000-188179号公报（公开日：2000年7月4日）”（对应美国专利第6294892号，公告日：2001年9月25日）
专利文献2：日本公开特许公报“特开平8-227276号公报（公开日：1996年9月3日）”（对应美国专利第5，7421，29号，公告日：1998年4月21日）
专利文献3：日本公开特许公报“特开平9-167684号公报（公开日：1997年6月24日）”（对应美国专利第5，688，551号，公告日：1997年11月18日）
专利文献4：日本公开特许公报“特开平10-102237号公报（公开日：1998年4月21日）”
发明内容
发明要解决的技术问题
然而，在现有的蒸镀法中，存在光的混色、或者容易产生不发光的问题。如图27（a）所示，在使基板301与掩模303接近而形成蒸镀膜305的现有蒸镀法中，如图27（b）所示，存在发生蒸镀膜305的图案偏移的情况。而且，该蒸镀膜305的图案偏移导致发生以下情况：（i）由于像素306a的发光区域307a上的蒸镀膜305与相邻像素306b的发光区域307b重叠而引起的混色（即颜色混合，不发出原来颜色的光）；或者（ii）由于该像素306a的发光区域307a上的蒸镀膜305的一部分欠缺而引起的不发光乃至短路。
更详细而言，现有的蒸镀法中，如图27（b）所示，蒸镀膜305的端部305t是陡峭的。因此，如上述（i）那样地，在蒸镀膜305与相邻像素306b的发光区域307b重叠时，蒸镀膜305的全部膜厚与相邻像素306b的发光区域307b重叠，另一方面，如上述（ii）那样地，在该像素306a的发光区域307a上的蒸镀膜305的一部分欠缺时，蒸镀膜305变得完全不存在。
即，在发生这样的问题的情况下，蒸镀膜305的全部膜厚对于像素的发光特性产生影响，因此对画质的影响大。
因此，在上述（i）时，很大地妨碍了相邻像素306b的发光特性（即为混色），另一方面，在上述（ii）时，在该像素306a的发光区域307a内，形成非发光部导致亮度降低，并且发生短路而产生亮度降低、元件的损伤和寿命劣化。
而且，这样的问题带来制作成品率降低、制造成本上升等问题。
本发明是鉴于上述问题点而完成的，其目的在于，提供即使产生蒸镀膜的图案偏移也能够降低对画质的影响的被成膜基板、有机EL显示装置和蒸镀方法。
用于解决技术问题的技术手段
为了解决上述的课题，本发明的被成膜基板在排列于规定方向上的多个蒸镀区域中的各个蒸镀区域形成有蒸镀膜，该被成膜基板的特征在于：上述蒸镀膜在上述规定方向上的两侧具有相对于上述被成膜基板的法线方向倾斜的倾斜侧面，上述蒸镀膜的上述规定方向上的宽度大于上述蒸镀区域的上述规定方向上的宽度与上述各蒸镀区域间的区域的上述规定方向上的宽度之和。
另外，本发明的蒸镀方法是在被成膜基板的排列于规定方向上的多个蒸镀区域中的各个蒸镀区域形成蒸镀膜的蒸镀方法，其特征在于，包括：准备掩模单元的准备工序，上述掩模单元包括具有与上述蒸镀区域对应的开口部的蒸镀掩模和与上述蒸镀掩模相对配置的蒸镀源；对位工序，使上述蒸镀掩模与上述被成膜基板之间的规定方向上的相对位置关系一致；和形成工序，使来自上述蒸镀源的蒸镀颗粒经上述开口部蒸镀在上述被成膜基板上，从而在上述蒸镀区域形成上述蒸镀膜，在上述形成工序中，上述蒸镀膜形成为：覆盖其对应的上述蒸镀区域，并且在其上述规定方向上的两侧具有相对于上述被成膜基板的法线方向倾斜的倾斜侧面，上述蒸镀膜的上述规定方向上的宽度大于上述蒸镀区域的上述规定方向上的宽度与上述各蒸镀区域间的区域的上述规定方向上的宽度之和。
根据上述被成膜基板和蒸镀方法，由于蒸镀膜的规定方向上的宽度大于蒸镀区域的规定方向上的宽度与各蒸镀区域间的区域的规定方向上的宽度之和，因此，即使在蒸镀膜相对于被成膜基板在规定方向偏移的情况下，偏移方向上的相反侧的倾斜侧面也覆盖蒸镀区域。因此，能够防止在蒸镀区域发生蒸镀膜的欠缺和短路。
另外，由于蒸镀膜在规定方向上的两侧具有相对于被成膜基板的法线方向倾斜的倾斜侧面，因此，即使蒸镀膜相对于被成膜基板偏移且蒸镀膜与相邻的蒸镀区域重叠，也只有蒸镀膜倾斜侧面与相邻的蒸镀区域重叠。因此，由于不是蒸镀膜的全部膜厚（即蒸镀膜的平坦部分的膜厚）与相邻的蒸镀区域重叠，所以能够降低混色程度。
因此，即使蒸镀膜相对于被成膜基板偏移，也能够同时实现防止膜的欠缺和短路，以及混色程度的降低。由此，对于蒸镀膜相对于被成膜基板的相对偏移，能够实现裕度高的蒸镀，能够提高成品率，降低制造成本。因此，即便发生蒸镀膜的图案偏移也能够降低对画质的影响。
发明的效果
如上所述，本发明的被成膜基板在排列于规定方向上的多个蒸镀区域中的各个蒸镀区域形成有蒸镀膜，上述蒸镀膜在上述规定方向上的两侧具有相对于上述被成膜基板的法线方向倾斜的倾斜侧面，上述蒸镀膜的上述规定方向上的宽度大于上述蒸镀区域的上述规定方向上的宽度与上述各蒸镀区域间的区域的上述规定方向上的宽度之和。
另外，本发明的蒸镀方法是在被成膜基板的排列于规定方向上的多个蒸镀区域中的各个蒸镀区域形成蒸镀膜的蒸镀方法，其包括：准备掩模单元的准备工序，上述掩模单元包括具有与上述蒸镀区域对应的开口部的蒸镀掩模和与上述蒸镀掩模相对配置的蒸镀源；对位工序，使上述蒸镀掩模与上述被成膜基板之间的规定方向上的相对位置关系一致；和形成工序，使来自上述蒸镀源的蒸镀颗粒经上述开口部蒸镀在上述被成膜基板上，从而在上述蒸镀区域形成上述蒸镀膜，在上述形成工序中，上述蒸镀膜形成为：覆盖其对应的上述蒸镀区域，并且在其上述规定方向上的两侧具有相对于上述被成膜基板的法线方向倾斜的倾斜侧面，上述蒸镀膜的上述规定方向上的宽度大于上述蒸镀区域的上述规定方向上的宽度与上述各蒸镀区域间的区域的上述规定方向上的宽度之和。
因此，即使蒸镀膜相对于被成膜基板相对地偏移，也能够同时满足防止膜的欠缺和短路，以及混色程度的降低。因此，即便发生蒸镀膜的图案偏移也能够降低对画质的影响。
附图说明
图1是从被成膜基板的背面侧观察本发明的实施方式1的蒸镀装置中的真空腔室内的被成膜基板和掩模单元的平面图。
图2是本发明的实施方式1的蒸镀装置中的真空腔室内的主要结构要素的俯视图。
图3是示意地表示本发明的实施方式1的蒸镀装置中重要部分的概略结构的截面图。
图4是表示本发明的实施方式1的蒸镀装置的结构的一部分的框图。
图5的（a）～（c）是表示本发明的实施方式1的被成膜基板和蒸镀掩模的对准标记的形状的一例的图。
图6是表示RGB全彩色显示的有机EL显示装置的概略结构的截面图。
图7是表示构成图6所示的有机EL显示装置的像素的结构的平面图。
图8是图7所示的有机EL显示装置中TFT基板的A－A线箭头方向的截面图。
图9是以工序顺序表示本发明的实施方式1的有机EL显示装置的制造工序的流程图。
图10是表示使用本发明的实施方式1的蒸镀装置在TFT基板上成膜规定图案的方法的一例的流程图。
图11是表示对准调整方法的流程图。
图12是表示蒸镀停止（OFF）时的蒸镀控制的流程的流程图。
图13是表示蒸镀开始（ON）时的蒸镀控制的流程的流程图。
图14是本发明的实施方式1的蒸镀方法中掩模开口部的宽度与发光区域的宽度相同大小的情况下，（a）是没有发光层的图案偏移的状态的截面图，（b）是发光层具有图案偏移的状态的截面图。
图15是说明本发明的实施方式1的发光层的倾斜侧面的上限和下限的图。
图16中，（a）是表示发光层的倾斜侧面为平面的情况下喷嘴开口的形状的一例的图，（b）是表示发光层的倾斜侧面为曲面的情况下喷嘴开口的形状的一例的图。
图17说明喷嘴开口的形状与倾斜侧面的关系。
图18表示本发明的实施方式1的蒸镀方法中掩模开口部的宽度大于发光区域的宽度的情况，（a）是没有发光层的图案偏移的状态的截面图，（b）是具有发光层的图案偏移的状态的截面图。
图19表示现有的蒸镀方法中掩模开口部的大小为标准大小的情况，（a）是没有发光层的图案偏移的状态的截面图，（b）是具有发光层的图案偏移的状态的截面图。
图20表示现有的蒸镀方法中掩模开口部的宽度小的情况，（a）是没有发光层的图案偏移的状态的截面图，（b）是具有发光层的图案偏移的状态的截面图。
图21表示现有的蒸镀方法中掩模开口部的宽度大的情况，（a）是没有发光层的图案偏移的状态的截面图，（b）是具有发光层的图案偏移的状态的截面图。
图22表示本发明的实施方式1的蒸镀方法中发光层的倾斜侧面为曲面的情况，（a）是没有发光层的图案偏移的状态的截面图，（b）是具有发光层的图案偏移的状态的截面图。
图23是说明在发光层的倾斜侧面是余弦函数的情况下发光层的膜厚与宽度的关系的图。
图24是本发明的实施方式2的蒸镀装置的结构概略图。
图25是图24的XXV－XXV截面图。
图26是表示使用荫罩的现有的蒸镀装置的概略结构的截面图。
图27是现有的蒸镀方法，（a）是没有发光层的图案偏移的状态的截面图，（b）是具有发光层的图案偏移的状态的截面图。
具体实施方式
以下，对于本发明的实施方式，进行详细说明。
[实施方式1]
基于图1～图21，对本发明实施的一种方式进行如下说明。
在本实施方式中，作为使用本实施方式的蒸镀装置的蒸镀方法的一个例子，以从TFT基板一侧取出光的底栅型、RGB全彩色显示的有机EL显示装置的制造方法为例进行说明。
首先，对上述有机EL显示装置的整体结构在以下进行说明。
图6是表示RGB全彩色显示的有机EL显示装置的概略结构的截面图。此外，图7是表示构成图6所示的有机EL显示装置的像素的结构的平面图，图8是图7所示的有机EL显示装置的TFT基板的A-A线箭头方向的截面图。
如图6所示，在本实施方式中制造的有机EL显示装置1具有如下结构：在设置有TFT12（参照图8）的TFT基板10上，依次设置有与TFT12连接的有机EL元件20、粘接层30、密封基板40。
如图6所示，使用粘接层30将层叠有该有机EL元件20的TFT基板10与密封基板40贴合，由此，将有机EL元件20封入这一对基板（TFT基板10、密封基板40）间。
上述有机EL显示装置1通过这样使得有机EL元件20被封入TFT基板10与密封基板40之间，防止来自外部的氧和水分浸入有机EL元件20。
如图8所示，TFT基板10例如具备玻璃基板等透明的绝缘基板11作为支承基板。如图7所示，在绝缘基板11上设置有多个配线14，该多个配线14包括在水平方向敷设的多个栅极线和在垂直方向敷设、与栅极线交叉的多个信号线。栅极线与驱动栅极线的未图示的栅极线驱动电路连接，信号线与驱动信号线的未图示的信号线驱动电路连接。
有机EL显示装置1是全彩色的有源矩阵型的有机EL显示装置，在绝缘基板11上，在由这些配线14包围的各个区域，呈矩阵状排列有由红色（R）、绿色（G）、蓝色（B）各色的有机EL元件20构成的子像素2R、2G、2B。
即，由这些配线14包围的区域为1个子像素（点），在每个子像素上划分形成R、G、B的发光区域（蒸镀区域）24R、24G、24B。
像素2（即，一个像素）由使红色的光透过的红色的子像素2R、使绿色的光透过的绿色的子像素2G、使蓝色的光透过的蓝色的子像素2B这三个子像素2R、2G、2B构成。
在各子像素2R、2G、2B中，作为担负各子像素2R、2G、2B中的发光的各色的发光区域24R、24G、24B，分别设置有由条状的各色的发光层（蒸镀膜）23R、23G、23B所覆盖的开口部15R、15G、15B。此外，各发光区域24R、24G、24B形成为条状，各发光层23R、23G、23B由于分别形成在与其对应的发光区域24R、24G、24B上，所以形成为条状。
这些发光层23R、23G、23B按各色通过蒸镀进行图案形成。另外，关于开口部15R、15G、15B，在之后说明。
在这些子像素2R、2G、2B，分别设置有与有机EL元件20的第一电极21连接的TFT12。各子像素2R、2G、2B的发光强度通过对配线14和TFT12进行的扫描和选择来决定。这样，有机EL显示装置1通过使用TFT12使有机EL元件20有选择地以期望的亮度发光来实现图像显示。
接着，对上述有机EL显示装置1的TFT基板10和有机EL元件20的结构进行详细说明。
首先，对TFT基板10进行说明。
如图8所示，TFT基板10具有在玻璃基板等透明的绝缘基板11上具备依次形成有TFT12（开关元件）、层间膜13（层间绝缘膜，平坦化膜）、配线14、边缘覆盖物15的结构。
在上述绝缘基板11上设置有配线14，并且与各子像素2R、2G、2B对应地分别设置有TFT12。另外，TFT的结构为现有熟知的技术。因此省略TFT12的各层的图示和说明。
层间膜13以覆盖TFT12的方式在上述绝缘基板11上遍及上述绝缘基板11的整个区域地层叠。
在层间膜13上形成有有机EL元件20的第一电极21。
此外，在层间膜13设置有用于将有机EL元件20的第一电极21与TFT12电连接的接触孔13a。由此，TFT12通过上述接触孔13a与有机EL元件20电连接。
边缘覆盖物15是用于防止由于在第一电极21的图案端部有机EL层变薄、发生电场集中等而产生有机EL元件20的第一电极21与第二电极26短路的情况的绝缘层。
边缘覆盖物15在层间膜13上以覆盖第一电极21的图案端部的方式形成。
在边缘覆盖物15中，在每个子像素2R、2G、2B设置开口部15R、15G、15B。该边缘覆盖物15的开口部15R、15G、15B成为各子像素2R、2G、2B的发光区域。
换言之，各子像素2R、2G、2B被具有绝缘性的边缘覆盖物15分隔。边缘覆盖物15作为元件分离膜发挥作用。
此外，在图8中，虽然以边缘覆盖物15作为隔开各子像素2R、2G、2B的元件分离膜发挥功能的情况作为一例进行了图示，但边缘覆盖物15并不一定需要作为元件分离膜发挥功能。以下，对假设边缘覆盖物15不作为元件分离膜发挥功能而较薄地形成的情况进行说明。此外，在该情况下，也可以省略边缘覆盖物15。
接着，对有机EL元件20进行说明。
有机EL元件20是能够利用低电压直流驱动进行高亮度发光的发光元件，依次层叠有第一电极21、有机EL层、第二电极26。
第一电极21是具有向上述有机EL层注入（供给）空穴的作用的层。第一电极21如上述那样经接触孔13a与TFT12连接。
如图8所示，在第一电极21与第二电极26之间，作为有机EL层，具有从第一电极21一侧起依次形成有空穴注入层兼空穴输送层22、发光层23R、23G、23B、电子输送层24、电子注入层25的结构。
另外，上述层叠顺序为以第一电极21为阳极、以第二电极26为阴极，在以第一电极21为阴极、以第二电极26为阳极的情况下，有机EL层的层叠顺序颠倒。
空穴注入层是具有提高向发光层23R、23G、23B注入空穴的效率的功能的层。空穴输送层是具有提高向发光层23R、23G、23B输送空穴的效率的功能的层。空穴注入层兼空穴输送层22以覆盖第一电极21和边缘覆盖物15的方式遍及上述TFT基板10的显示区域的整个面均匀地形成。
另外，在本实施方式中，如上所述，以作为空穴注入层和空穴输送层设置有空穴注入层和空穴输送层被一体化而得到的空穴注入层兼空穴输送层22的情况为例进行说明。但是本实施方式并不仅限于此。空穴注入层和空穴输送层也可以作为相互独立的层形成。
在空穴注入层兼空穴输送层22上，发光层23R、23G、23B以覆盖边缘覆盖物15的开口15R、15G、15B的方式分别与子像素2R、2G、2B对应地形成。
发光层23R、23G、23B是具有使从第一电极21一侧注入的空穴（hole）与从第二电极26一侧注入的电子再耦合而射出光的功能的层。发光层23R、23G、23B分别由低分子荧光色素、金属络合物等发光效率高的材料形成。
电子输送层24是具有提高从第二电极26向发光层23R、23G、23B输送电子的效率的功能的层。另外，电子注入层25为具有提高从第二电极26向电子输送层24的电子注入效率的功能的层。
电子输送层24以覆盖发光层23R、23G、23B和空穴注入层兼空穴输送层22的方式，在这些发光层23R、23G、23B和空穴注入层兼空穴输送层22上，遍及TFT基板10的显示区域的整个面均匀地形成。此外，电子注入层25以覆盖电子输送层24的方式，在电子输送层24上，遍及TFT基板10的显示区域的整个面均匀地形成。
另外，电子输送层24和电子注入层25既可以作为相互独立的层形成，也可以以一个整体设置。即，上述有机EL显示装置1也可以代替电子输送层24和电子注入层25具备电子输送层兼电子注入层。
第二电极26是具有向由上述那样的有机层构成的有机EL层注入电子的功能的层。第二电极26以覆盖电子注入层25的方式，在电子注入层25上，遍及TFT基板10的显示区域的整个面均匀地形成。
另外，发光层23R、23G、23B以外的有机层作为有机EL层并非必须，根据所要求的有机EL元件20的特性适当地形成即可。此外，有机EL层根据需要也能够追加载流子阻挡层。例如能够通过在发光层23R、23G、23B与电子输送层24之间作为载流子阻挡层追加空穴阻挡层，阻止空穴进入电子输送层24，提高发光效率。
作为上述有机EL元件20的结构，能够采用下述（1）～（8）所示那样的层结构。
（1）第一电极/发光层/第二电极
（2）第一电极/空穴输送层/发光层/电子输送层/第二电极
（3）第一电极/空穴输送层/发光层/空穴阻挡层（载流子阻挡层）电子输送层/第二电极
（4）第一电极/空穴输送层/发光层/空穴阻挡层/电子输送层/电子注入层/第二电极
（5）第一电极/空穴注入层/空穴输送层/发光层/电子输送层/电子注入层/第二电极
（6）第一电极/空穴注入层/空穴输送层/发光层/空穴阻挡层/电子输送层/第二电极
（7）第一电极/空穴注入层/空穴输送层/发光层/空穴阻挡层/电子输送层/电子注入层/第二电极
（8）第一电极/空穴注入层/空穴输送层/电子阻挡层（载流子阻挡层）/发光层/空穴阻挡层/电子输送层/电子注入层/第二电极
另外，如上所述，例如空穴注入层和空穴输送层也可以为一个整体。此外，电子输送层和电子注入层也可以为一个整体。
此外，有机EL元件20的结构并不限定于上述例示的层结构，能够如上述那样根据所要求的有机EL元件20的特性采用所期望的层结构。
接着，对上述有机EL显示装置1的制造方法在以下进行说明。
图9是按工序顺序表示上述有机EL显示装置1的制造工序的流程图。
如图9所示，本实施方式的有机EL显示装置1的制造方法例如包括TFT基板和第一电极制作工序（S1）、空穴注入层和空穴输送层蒸镀工序（S2）、发光层蒸镀工序（S3）、电子输送层蒸镀工序（S4）、电子注入层蒸镀工序（S5）、第二电极蒸镀工序（S6）、密封工序（S7）。
以下，按照图9所示的流程图，参照图6和图8对上述各工序进行说明。
但是，本实施方式记载的各构成要素的尺寸、材质、形状等都仅是一实施方式，并不应据此对本发明的范围进行限定解释。
此外，如上所述，本实施方式中记载的层叠顺序为以第一电极21为阳极、以第二电极26为阴极，在与此相反以第一电极21为阴极、以第二电极26为阳极的情况下，有机EL层的层叠顺序颠倒。同样，构成第一电极21和第二电极26的材料对调。
首先，如图8所示，利用公知的技术在形成有TFT12和配线14等的玻璃等的绝缘基板11上涂敷感光性树脂，通过利用光刻技术进行图案形成，在绝缘基板11上形成层间膜13。
作为上述绝缘基板11，例如使用厚度为0.7～1.1mm、y轴方向上的长度（纵向长度）为400～500mm、x轴方向上的长度（横向长度）为300～400mm的玻璃基板或塑料基板。另外，在一个实施例中，使用玻璃基板。
作为层间膜13，例如能够使用丙烯酸树脂和聚酰亚胺树脂等。作为丙烯酸树脂，例如能够列举JSR株式会社制的OPTOMER（オプトマー，正片型感光材料）系列。此外，作为聚酰亚胺树脂，例如能够列举东丽株式会社制的PHOTONEECE（フォトニース，光敏性聚酰亚胺涂敷剂）系列。不过，聚酰亚胺树脂一般不透明，是有色的。因此，在如图8所示那样作为上述有机EL显示装置1制造底栅型有机EL显示装置的情况下，作为上述层间膜13进一步优选使用丙烯酸树脂等透明性树脂。
作为上述层间膜13的膜厚，只要能够弥补由于TFT12引起的台阶差即可，并无特别限定。在一个实施例中，例如为2μm。
接着，在层间膜13形成用于将第一电极21与TFT12电连接的接触孔13a。
接着，作为导电膜（电极膜），例如利用溅射法等，形成100nm的厚度的ITO（Indium Tin Oxide：铟锡氧化物）膜。
接着，在上述ITO膜上涂敷光致抗蚀剂，使用光刻技术进行图案形成，之后以三氯化铁为蚀刻液，对上述ITO膜进行蚀刻。之后，使用抗蚀剂剥离液剥离光致抗蚀剂，并进一步进行基板清洗。由此，在层间膜13上呈矩阵状形成第一电极21。
另外，作为在上述第一电极21使用的导电膜材料，例如能够使用ITO、IZO（Indium Zinc Oxide：铟锌氧化物）、镓添加氧化锌（GZO）等透明导电材料、金（Au）、镍（Ni）、铂（Pt）等金属材料。
此外，作为上述导电膜的层叠方法，除溅射法以外，能够使用真空蒸镀法、CVD（chemical vapor deposition：化学蒸镀）法、等离子体CVD法、印刷法等。
作为上述第一电极21的厚度并无特别限定，例如能够如上述那样为100nm。
接着，与层间膜13同样以例如约1μm的膜厚图案形成边缘覆盖物15。作为边缘覆盖物15的材料，能够使用与层间膜13同样的绝缘材料。
根据以上工序，制作TFT基板10和第一电极21（工序S1）。
接着，对于经过上述那样的工序形成的TFT基板10，为了脱水而进行减压烘焙处理，作为第一电极21的表面清洗进行氧等离子体处理。
接着，使用现有的蒸镀装置，在上述TFT基板10上，在上述TFT基板10的显示区域的整个面蒸镀空穴注入层和空穴输送层（在本实施方式中为空穴注入层兼空穴输送层22）（S2）。
具体而言，将显示区域整个面开口的开口掩模，相对于TFT基板10进行对准调整后密接粘合，一边使TFT基板10和开口掩模一起旋转，一边将从蒸镀源飞散的蒸镀颗粒通过开口掩模的开口部在显示区域整个面均匀蒸镀。
此处所谓的对显示区域的整个面的蒸镀是指在相邻的颜色不同的子像素间连续地蒸镀。
作为空穴注入层和空穴输送层的材料，例如能够列举苯炔（benzyne）、苯乙烯胺、三苯胺、卟啉、***、咪唑、噁二唑、聚芳烷烃、苯二胺、芳基胺、噁唑、蒽、芴酮、腙、芪、苯并菲、氮苯并菲及它们的衍生物、聚硅烷类化合物、乙烯基咔唑类化合物、噻吩类化合物、苯胺类化合物等的链状式共轭类的单体、低聚体或聚合体等。
空穴注入层和空穴输送层既可以如上述那样形成为一个整体，也可以作为独立的层形成。作为各个层的膜厚，例如为10～100nm。
在本实施例中，作为空穴注入层和空穴输送层，使用空穴注入层兼空穴输送层22，作为空穴注入层兼空穴输送层22的材料，使用4,4’-双[N-（1-萘基）-N-苯胺]联苯（α-NPD）。此外，空穴注入层兼空穴输送层22的膜厚为30nm。
接着，在上述空穴注入层兼空穴输送层22上，以覆盖边缘覆盖物15的开口部15R、15G、15B的方式，与子像素2R、2G、2B对应地分别分涂形成（图案形成）发光层23R、23G、23B（S3）。
如上所述，在发光层23R、23G、23B使用低分子荧光色素、金属络合物等发光效率高的材料。
作为发光层23R、23G、23B的材料，使用低分子荧光色素、金属络合物等发光效率高的材料。例如可以列举蒽、萘、茚、菲、芘、并四苯、苯并菲、蒽、二萘嵌苯、苉、荧蒽、醋菲烯、戊芬、并五苯、晕苯、丁二烯、香豆素、吖啶、芪和它们的衍生物、三(8-羟基喹啉)铝络合物、双(羟基苯并喹啉)铍络合物、三(联苯甲酰甲基)菲啰啉铕络合物、二甲苯酰乙烯基联苯等。
作为发光层23R、23G、23B的膜厚，例如为10～100nm。
本实施方式的蒸镀方法和蒸镀装置特别能够优选用于这样的发光层23R、23G、23B的分涂形成（图案形成）。
关于使用本实施方式蒸镀方法和蒸镀装置的发光层23R、23G、23B的分涂形成，在之后进行详细说明。
接着，利用与上述的空穴注入层和空穴输送层蒸镀工序（S2）同样的方法，以覆盖上述空穴注入层兼空穴输送层22和发光层23R、23G、23B的方式，在TFT基板10的显示区域的整个面蒸镀电子输送层24（S4）。
接着，通过与上述的空穴注入层、空穴输送层蒸镀工序（S2）相同的方法，以覆盖上述电子输送层24的方式，在上述TFT基板10中的显示区域整面蒸镀电子注入层25（S5）。
作为电子输送层24和电子注入层25的材料，例如能够使用三（8-羟基喹啉）铝络合物、噁二唑衍生物、***衍生物、苯基喹恶啉衍生物、噻咯衍生物等。
具体而言，能够列举Alq（三（8-羟基喹啉）铝络合物）、蒽、萘、菲、芘、蒽、二萘嵌苯、丁二烯、香豆素、吖啶、芪、1,10-菲咯啉及它们的衍生物和金属络合物、LiF等。
如上所述，电子输送层24和电子注入层25既可以作为一个整体也可以作为独立的层形成。各个层的膜厚例如为1～100nm。此外，电子输送层24和电子注入层25的合计膜厚例如为20～200nm。
在本实施例中，能够使用Alq作为电子输送层24的材料，使用LiF作为电子注入层25的材料。此外，电子输送层24的膜厚为30nm，电子注入层25的膜厚为1nm。
接着，利用与上述的空穴注入层和空穴输送层蒸镀工序（S2）同样的方法，以覆盖上述电子注入层25的方式，在TFT基板10的显示区域的整个面蒸镀第二电极26（S6）。
作为第二电极26的材料（电极材料），优选使用工作函数小的金属等。作为这样的电极材料，例如能够列举镁合金（MgAg等）、铝合金（AlLi、AlCa、AlMg等）、金属钙等。第二电极26的厚度例如为50～100nm。
在本实施方式中，作为第二电极26形成50nm的膜厚的铝。由此，在TFT基板10上形成包括上述有机EL层、第一电极21和第二电极26的有机EL元件20。
接着，如图6所示那样通过粘接层30将形成有有机EL元件20的上述TFT基板10与密封基板40粘合，进行有机EL元件20的封入。
作为上述密封基板40，例如能够使用厚度为0.4～1.1mm的玻璃基板或塑料基板等绝缘基板。另外，在本实施方式中，使用玻璃基板。
另外，密封基板40的纵向长度和横向长度既可以通过目标的有机EL显示装置1的尺寸适当地调整，也可以使用与TFT基板10的绝缘基板11大致相同的尺寸的绝缘基板，在对有机EL元件20进行密封后，根据目标的有机EL显示装置1的尺寸进行分断。
另外，作为有机EL元件20的密封方法，并不限定于上述的方法。作为其它的密封方式，例如能够列举作为密封基板40使用雕刻玻璃、通过密封树脂和多孔玻璃（粉末玻璃）等呈框状进行密封的方法和在TFT基板10与密封基板40之间填充树脂的方法等。上述有机EL显示装置1的制造方法不依赖于上述密封方法，能够适当地使用所有的密封方法。
此外，也可以在第二电极26上，以覆盖该第二电极26的方式设置阻止水分和氧从外部侵入有机EL元件20内的、未图示的保护膜。
上述保护膜由绝缘性或导电性的材料形成。作为这样的材料，例如能够列举氮化硅和氧化硅。此外，上述保护膜的厚度例如为100～1000nm。
通过上述工序，完成有机EL显示装置1。
在这样的有机EL显示装置1，当通过来自配线14的信号输入而使TFT12导通（ON）时，从第一电极21向有机EL层注入空穴。另一方面，从第二电极26向有机EL层注入电子，空穴与电子在发光层23R、23G、23B内再耦合。在使再耦合的空穴和电子的能量失活时作为光射出。
在上述有机EL显示装置1，通过控制各子像素2R、2G、2B的发光亮度，显示规定的图像。
接着，对本实施方式的蒸镀装置的结构进行说明。
图1是从被成膜基板的背面侧（即与蒸镀面相反的一侧）看本实施方式的蒸镀装置的真空腔室内的被成膜基板和掩模单元的平面图。另外，为了方便图示，在图1中，被成膜基板由两点划线表示。图2是本实施方式的蒸镀装置的真空腔室内的主要构成要素的鸟瞰图。图3是示意地表示本实施方式的蒸镀装置的主要部分的概略结构的截面图。另外，图3相当于从图1所示的B-B线箭头方向看到的蒸镀装置的截面。图4是表示本实施方式的蒸镀装置的结构的一部分的框图。
如图3所示，本实施方式的蒸镀装置50包括真空腔室60（成膜腔室）、基板移动机构70（基板移动单元、移动单元）、掩模单元80、图像传感器90和控制电路100（参照图4）。
在上述真空腔室60内，如图3所示，设置有基板移动机构70和掩模单元80。
另外，在上述真空腔室60，为了在蒸镀时将该真空腔室60内保持为真空状态，设置有通过设置在该真空腔室60的未图示的排气口对真空腔室60内进行真空排气的未图示的真空泵。
上述基板移动机构70例如包括保持被成膜基板200（例如TFT基板10）的基板保持部件71（基板保持单元）和发动机72（参照图4）。
上述基板移动机构70通过基板保持部件71保持被成膜基板200，并且通过后述的发动机驱动控制部103（参照图4）使发动机72驱动，由此保持被成膜基板200并使其在水平方向上移动。另外，上述基板移动机构70既可以以向x轴方向（例如基板扫描方向）和y轴方向（例如与x轴正交的水平的方向）的任一方向上均能够移动的方式设置，也可以以能够向其中一个方向移动的方式设置。
此外，如图1所示，x轴方向是沿基板扫描方向的方向，y轴方向是沿与基板扫描方向正交的方向（以后，称为扫描正交方向）的方向。
上述基板保持部件71使用静电卡盘。被成膜基板200通过上述静电卡盘，以不因自重而弯曲的状态，使其与上述掩模单元80的后述的荫罩81之间的间隙g1（空隙，垂直间距离）保持为规定的间隔。
此处，如图14（a）所示，间隙g1保持为规定的间隔，以使各发光层23R、23G、23B的扫描正交方向（规定方向）上的两侧的侧面分别成为相对于成膜基板200的法线方向平缓的倾斜侧面23s。（另外，图14中，为了作图的方便，虽然只图示了发光层23R，但各发光层23G、23B也是同样的）。即，本实施方式中，利用从蒸镀源85射出的蒸镀颗粒以具有某种程度的扩散的方式被射出这一点，将间隙g1调整为规定的间隔，从而使倾斜侧面23s具有平缓的倾斜度。
根据该规定的间隙g1，倾斜侧面23s的倾斜度设定为如图15所示。即，当设倾斜侧面23s的扫描正交方向（y轴方向）上的宽度为B、且发光层23R、23B、23G的除倾斜侧面23s以外的平坦部分23t的最大膜厚为H时，倾斜侧面23s的倾斜度H/B设定为其绝对值为1/200以下。另外，图15中，图示了倾斜侧面23s的倾斜度为均匀的H/B的情况。即，该H/B表示倾斜侧面23s的倾斜度的可取范围的上限。该上限在
Figure BDA00003530422700181
（MAX）、B=10μm时为H/B=1/200。
此外，倾斜侧面23s的倾斜度的下限虽然没有特别指定，但是，例如当设发光区域（例如24R）与相邻的发光区域（例如24G）之间的非发光区域（非蒸镀区域）29（参照图14）的扫描正交方向（y轴方向）上的宽度为C时，平均的倾斜度的实际下限由H/C决定。若平均的倾斜度的下限超过该值，则蒸镀膜必然形成在相邻的发光区域内。
此外，宽度B的长度例如设定为小于非发光区域29的宽度C（此处C=20μm）（更详细而言，此处，宽度B的长度设定为大于宽度C的1/2倍且小于宽度C的长度（例如15μm））。
上述被成膜基板200与荫罩81之间的间隙g1优选在50μm以上、3mm以下的范围内，进一步优选200μm左右。
另一方面，若上述间隙g1超过3mm，则通过荫罩81的开口部82的蒸镀颗粒扩散，所形成的蒸镀膜211的图案宽度过于变宽。例如上述蒸镀膜211为发光层23R时，若上述间隙g1超过3mm，则存在作为相邻子像素的子像素2G、2B的开口部15G、15B上也会被蒸镀发光层23R的材料的问题。
另外，若上述间隙g1为200μm左右，则不会有被成膜基板200与荫罩81接触的危险，另外，蒸镀膜211的图案宽度的扩大也能够充分减小。
另外，如图3所示，掩模单元80具备荫罩81（蒸镀掩模）、蒸镀源85、掩模保持构件87（保持部件）、掩模张紧机构88和闸门（遮蔽件）89（参照图4）。
作为上述荫罩81，例如可以使用金属制的掩模。
上述荫罩81例如形成为其面积比被成膜基板200的显示区域210的面积小，其至少一个边比被成膜基板200的显示区域210的宽度短。
在本实施方式中，作为上述荫罩81，使用具有以下的大小的矩形状（带状）的荫罩。如图1所示，上述荫罩81形成为作为其长度方向（长轴方向）的长度的长边81a的宽度d1比显示区域210的与上述荫罩81的长边81a相对的边（在图1所示的例子中为显示区域210的长边210a）的宽度d3长。此外，上述荫罩81形成为作为其宽度方向（短轴方向）的长度的短边81b的宽度d2比显示区域210的与上述荫罩81的短边81b相对的边（在图1所示的例子中为显示区域210的短边210b）的宽度d4短。
如图1和图2所示，在上述荫罩81，例如在一维方向上排列多个地配置有带状（条状）的开口部82（贯通孔）。在作为对被成膜基板200的蒸镀膜211（参照图3）的图案形成，例如进行TFT基板10的发光层23R、23G、23B的分涂形成的情况下，上述开口部82与这些发光层23R、23G、23B的同色列的尺寸和间距一致地形成。
即，开口部82的扫描正交方向（y轴方向）上的宽度形成为与形成发光层23R、23G、23B的发光区域24R、24G、24B的扫描正交方向上的宽度相同的宽度。由此，本实施方式中，发光层23R、23G、23B的除倾斜侧面23s以外的平坦部分23t的扫描正交方向上的宽度形成为与发光区域24R、24G、24B的同方向上的宽度大小相同（参照图14）。
此外，如图1所示，在上述荫罩81，例如沿被成膜基板200的扫描方向（基板扫描方向）设置有对准标记部83，在该对准标记部83，设置有用于进行被成膜基板200与荫罩81的对位（对准）的对准标记84（参照图3）。
在本实施方式中，如图1所示，上述对准标记部83沿上述荫罩81的短边81b（短轴）设置。
此外，如上所述，作为荫罩81，使用其长边81a的宽度d1比显示区域210中的相对的边的宽度d3长，短边81b的宽度d2比显示区域210中的相对的边的宽度d4短的荫罩，由此，能够在其长度方向两侧部（即，两个短边81b、81b）形成对准标记部83。因此，能够容易且精密地进行对准。
另一方面，如图1所示，在被成膜基板200，在显示区域210的外侧，沿被成膜基板200的扫描方向（基板扫描方向）设置有对准标记部220，在该对准标记部220设置有用于进行被成膜基板200与荫罩81的对位的对准标记221（参照图3）。
在本实施方式中，如图1所示，上述对准标记部220沿被成膜基板200的显示区域210的短边210b（短轴）设置。
此外，如后面叙述（即图14）的那样，使用对准标记84、221，进行被成膜基板200与荫罩81的相对对位，使得各发光层23R、23G、23B的扫描正交方向（y轴方向）上的宽度的中心和与各发光层23R、23G、23B对应的发光区域24R、24G、24B的扫描正交方向上的宽度的中心大致一致。
在本实施方式中，上述条状的开口部82在作为基板扫描方向的荫罩81的短边方向上延伸设置，并且在与基板扫描方向正交的荫罩81的长边方向上排列多个而设置。
蒸镀源85例如为在内部收容蒸镀材料的容器，如图1～图3所示，在与荫罩81之间具有一定的间隙g2（空隙）（即，离开一定距离）地相对配置。
另外，上述蒸镀源85既可以为直接在容器内部收容蒸镀材料的容器，也可以为具有加载互锁式的配管的容器。
上述蒸镀源85例如具有向上方射出蒸镀颗粒的机构。
上述蒸镀源85在与荫罩81相对的面具有使上述蒸镀材料作为蒸镀颗粒射出（飞散）的多个射出口86。
此处，射出口（即喷嘴开口）86的形状，以发光层23R、23G、23B的倾斜侧面23s成为平面的方式，如图16所示，一个对边形成为沿着扫描正交方向（y轴方向）的矩形状。
即，如图17所示，考虑从蒸镀源85到达显示区域210上的各地点A、B的蒸镀颗粒。在各地点A、B，由荫罩81分别限制蒸镀颗粒的入射角度αA、αB。因此，只有从蒸镀源85以入射角度αA以上的角度射出的蒸镀颗粒入射到地点A，只有从蒸镀源85以入射角度αB以上的角度射出的蒸镀颗粒入射到地点B。即，图17中，对于地点A，只有从蒸镀源85的地点A’的左侧射出的蒸镀颗粒到达，对于地点B，只有从地点B’的左侧射出的蒸镀颗粒到达。
因此，如图16（a）所示，使蒸镀源85的射出口86的形状为矩形，各地点A’、B’如图16（a）所示位于射出口86上的情况（即，各地点A’、B’以分别沿着喷嘴开口长86x的方向呈直线状延伸配置，并且相互排列在喷嘴开口宽86y的方向上（即扫描正交方向（y轴方向）上）的情况）下，能够对地点A的发光层（例如23R）的成膜有贡献的射出口86的有效范围为NA的范围，只有从该有效范围NA射出的蒸镀颗粒到达地点A。同样地，对于地点B，只有从有效范围NB射出的蒸镀颗粒到达地点B。
在这里，喷嘴开口长86x是固定的，因此随着从地点A到地点B的地点变化，与该地点对应的上述有效范围的面积一律减少。其结果，如图17所示，显示区域210中的入射角度被荫罩81限制的区域210s中，发光层23R、23G、23B膜厚随着从地点B一侧的端部210s1前进到地点A一侧的端部210s2而一律变薄。这样一律变薄的部分成为倾斜侧面23s。由于这样的原因，若蒸镀源85的射出口86的形状为矩形状，则倾斜侧面23s为平面状的斜面。
此外，本实施方式中，虽然倾斜侧面23s形成为平面状的斜面（即虽然倾斜侧面23s的倾斜形状形成为直线状），但是也可以形成为曲面状的斜面（即倾斜侧面23的倾斜形状也可以形成为曲线状）。例如图16（b）所示，使射出口86为矩形的四角倒棱成例如圆弧状的形状的情况下，各有效范围NA、NB中喷嘴开口宽86y不是固定的，因此从地点A到地点B的地点变化时，该地点中的有效范围的面积不是一律减少（这种情况下，根据上述的圆弧状而减少）。因此，这种情况的倾斜侧面23s的倾斜形状为曲线状。
由此，判明通过设定射出口86的形状为适当形状，能够使倾斜侧面23s的倾斜形状形成为所需的形状。此外，不限于这样的方法，也可以使用其他方法使倾斜侧面23s的倾斜形状形成为所需的形状。
在本实施方式中，如上所述，蒸镀源85配置在被成膜基板200的下方，被成膜基板200以上述显示区域210朝向下方的状态被基板保持部件71保持。因此，在本实施方式中，蒸镀源85通过荫罩81的开口部82使蒸镀颗粒从下方向上方地蒸镀（向上沉积，以下记作“上沉”）在被成膜基板200。
如图1和图2所示，上述射出口86以在荫罩81的开口区域开口的方式分别与荫罩81的开口部82相对地设置。在本实施方式中，上述射出口86与荫罩81的开口部82相对地、沿荫罩81的开口部82的并列设置方向一维地排列。
因此，如图1和图2所示，在从被成膜基板200的背面侧看时（即在平面视图中），上述蒸镀源85的与荫罩81相对的面（积，射出口86的形成面）例如与矩形状（带状）的荫罩81的形状一致地呈矩形状（带状）形成。
在上述掩模单元80，上述荫罩81与蒸镀源85被相对地固定位置。即上述荫罩81与上述蒸镀源85的射出口86的形成面之间的间隙g2总被保持为一定，并且上述荫罩81的开口部82的位置与上述蒸镀源85的射出口86的位置总具有相同的位置关系。
另外，上述蒸镀源85的射出口86以在从上述被成膜基板200的背面看上述掩模单元80时（即，在平面视图中）位于上述荫罩81的开口部82的中央的方式配置。
如图3所示，上述荫罩81和蒸镀源85例如被设置在通过掩模张紧机构88保持并固定上述荫罩81和蒸镀源85的掩模保持部件87（例如同一保持部（holder）），由此成为一个整体，由此，其相对的位置被保持并固定。
此外，荫罩81通过掩模张紧机构88被施加张紧力（张力），被适当地调整为不产生自重导致的变形和伸长。
如上所述，在上述蒸镀装置50，被成膜基板200通过被吸附板吸附在基板保持部件71（静电吸盘）而防止自重导致的弯曲，通过掩模张紧机构88向荫罩81施加张紧力，由此，遍及被成膜基板200与荫罩81在平面上重叠的区域的整个面，被成膜基板200与荫罩81的距离被保持为一定。
另外，为了控制蒸镀颗粒到达荫罩81的情况，根据需要使用闸门89。闸门89根据来自后述的蒸镀开始（ON）/停止（OFF）控制部104（参照图4）的蒸镀停止信号或蒸镀开始信号、通过闸门驱动控制部105（参照图4）被封闭或开放。
上述闸门89例如在荫罩81与蒸镀源85之间以能够进退（能够***）的方式设置。闸门89通过被***荫罩81与蒸镀源85之间而封闭荫罩81的开口部82。这样，通过将闸门89适当地夹在荫罩81与蒸镀源85之间，能够防止对多余的部分（非蒸镀区域）的蒸镀。
此外，在上述蒸镀装置50中，也可以设为如下结构：从蒸镀源85飞散的蒸镀颗粒被调整为在荫罩81内飞散，飞散到荫罩81外的蒸镀颗粒被防沉积板（遮蔽板）等适当除去。
此外，在上述真空腔室60的外侧，作为摄像单元（图像读取单元）例如设置有具备CCD的图像传感器90（参照图4），并且，作为控制单元设置有与上述图像传感器90连接的控制电路100。
上述图像传感器90作为用于进行被成膜基板200与荫罩81的对位（用于使荫罩81的开口部82的扫描正交方向（y轴方向）上的宽度的中心与被成膜基板200的各发光区域24R、24G、24B的扫描正交方向上的宽度的中心一致的对位）的位置检测单元发挥作用
此外，控制电路100包括图像检测部101、运算部102、发动机驱动控制部103、蒸镀开始/停止控制部104和闸门驱动控制部105。
如上所述，在被成膜基板200，如图1所示，在显示区域210的外侧，例如沿基板扫描方向设置有对准标记部220，在该对准标记部220设置有对准标记221。
图像检测部101根据由图像传感器90取入的图像，进行设置在被成膜基板200的对准标记221及荫罩81的对准标记84的图像检测，并且根据设置在被成膜基板200的对准标记221的、表示显示区域210的始端的始端标记和表示显示区域210的终端的终端标记，检测被成膜基板200的显示区域210的始端和终端。
此外，上述始端标记与终端标记也可以相同。在该情况下，通过基板扫描方向判断是显示区域210的始端还是终端。
此外，上述运算部102根据由图像检测部101检测出的图像决定被成膜基板200与荫罩81的相对的移动量（例如被成膜基板200的相对于荫罩81的移动量）。例如，上述运算部102计算对准标记221与对准标记84的偏移量（x轴方向和y轴方向上的偏移成分和xy平面的旋转成分），对被成膜基板200的基板位置的修正值进行运算并决定。即，上述修正值通过对与基板扫描方向垂直的方向和被成膜基板200的旋转方向进行运算来决定。
另外，此处，被成膜基板的旋转方向是指将被成膜基板200的被成膜面中心的z轴（即与x轴和y轴两方都正交的轴）作为旋转轴时，在xy平面内的旋转方向。
上述修正值作为修正信号被输出至发动机驱动控制部103，发动机驱动控制部103根据来自上述运算部102的修正信号驱动与基板保持部件71连接的发动机72，由此修正被成膜基板200的基板位置。
另外，关于使用对准标记84、221的基板位置修正，在之后与对准标记84、221的形状例一起进行说明。
电动机驱动控制部103通过驱动电动机72，在使荫罩81的各开口部82的扫描正交方向（y轴方向）上的宽度的中心与各发光区域24R、24G、24B的扫描正交方向上的宽度的中心一致后的状态下，使被成膜基板200，如上所述那样在水平方向（x轴方向）上移动。
蒸镀开始/停止控制部104在由图像检测部101检测显示区域210的终端时，使蒸镀停止（OFF）信号产生，在由图像检测部101检测到显示区域210的始端时，使蒸镀开始（ON）信号产生。
闸门驱动控制部105在从上述蒸镀开始/停止控制部104输入蒸镀停止信号时，将闸门89封闭，另一方面在从上述蒸镀开始/停止控制部104输入蒸镀开始信号时，将闸门89开放。
接着，对于使用对准标记84、221的基板位置修正以及对准标记84、221的形状例进行说明。
图5（a）～（c）表示上述对准标记84、221的形状的一个例子。其中，图5（b）、（c）分别根据图示的情况从并列配置的对准标记84、221中仅选择两个进行表示。
运算部102根据由图像检测部101检测出的对准标记84、221的图像，测定（计算）x轴方向上的对准标记84、221的端部（外缘部）间的距离r和y轴方向上的对准标记84、221的端部（外缘部）间的距离q，由此，计算对准的偏移量，对基板位置的修正值进行运算。
例如，在基板扫描方向为x轴方向的情况下，图5（a）～（c）中，r是基板扫描方向上的上述端部间的距离，q是与基板扫描方向垂直的方向上的上述端部间的距离。运算部102通过例如在被成膜基板200的显示区域210的两侧测定（计算）距离r和距离q，计算基板扫描时的对准的偏移量。
另外，在本实施方式中，以在扫描被成膜基板200的同时进行荫罩81与被成膜基板200的对准的情况为例进行了说明，但是并不限定于此，也能够在基板扫描前进行充分的对准，而在基板扫描中不进行对准。
例如，考虑在使被成膜基板200沿被成膜基板200的显示区域210的一个边（例如，图5（a）～（c）中，y轴方向）移动后，使其沿与上述边正交的边（例如，图5（a）～（c）中，x轴方向）移动。在这种情况下，图5（a）～（c）中，r是与基板扫描方向垂直的方向上的上述端部间的距离，q表示被成膜基板200的移动方向（偏移方向）的上述端部间的距离。
在这种情况下，运算部102通过测定四角的对准标记的距离r和距离q，计算基板扫描开始时的对准的偏移量和被成膜基板200的移动（偏移）时的对准的偏移量。
另外，如图5（a）～（c）所示，对准标记84、221的形状既可以为带状，也可以为正方形等四角形状，还可以为框状、十字状等。对准标记84、221的形状并无特别限定。
此外，在如上述那样在基板扫描前进行充分的对准、在基板扫描中不进行对准的情况下，对准标记221不需要沿被成膜基板200的显示区域210的侧面配置，配置在被成膜基板200的四角等即可。
接着，对使用本实施方式的上述蒸镀装置50作为有机EL显示装置1的制造装置、图案形成有机EL层的方法进行详细说明。
另外，在以下的说明中，以以下情况为例进行说明：如上述那样使用完成上述空穴注入层和空穴输送层蒸镀工序（S2）的阶段的TFT基板10作为被成膜基板200，作为有机EL层的图案形成，在发光层蒸镀工序（S3）进行发光层23R、23G、23B的分涂形成。
此外，在本实施方式中，设蒸镀源85与荫罩81之间的间隙g2（即，蒸镀源85的射出口86形成面与荫罩81之间的距离）为100mm、且作为被成膜基板200的上述TFT基板10与荫罩81之间的距离为200μm。
设上述TFT基板10的基板尺寸在扫描方向上为320mm，在与扫描方向垂直的方向上为400mm、显示区域的宽度在扫描方向上的宽度（宽度d4）为260mm、且在与扫描方向垂直的方向上的宽度（宽度d3）为310mm。
另外，上述TFT基板10中的各子像素2R、2G、2B的开口部15R、15G、15B的宽度设为360μm（扫描方向）×140μm（与扫描方向垂直的方向）。另外，上述开口部15R、15G、15B间的间距设为480μm（扫描方向）×160μm（与扫描方向垂直的方向）。此外，上述开口部15R、15G、15B间的间距（像素开口部间间距）表示相邻子像素2R、2G、2B中的各个开口部15R、15G、15B间的间距，不是同色子像素间的间距。
另外，在荫罩81，使用长边81a（长轴方向）的宽度d1（与扫描方向垂直的方向的宽度）为600mm、短边81b（短轴方向）的宽度d2（扫描方向的宽度）为200mm的荫罩。另外，荫罩81的开口部82的开口大小设为150mm（长轴方向上的宽度d5；参照图1）×140μm（短轴方向上的宽度d6；参照图1），相邻开口部82、82间的间隔d8（参照图1）设为340μm，相邻开口部82、82的中心间的间距p（参照图1）设为480μm。
此外，在本实施方式中，作为上述荫罩81的短边81b的宽度d2（短边长）优选200mm以上。其理由如下。
即，蒸镀速率优选为10nm/s以下，若超过这个速率，则所蒸镀的膜（蒸镀膜）的均匀性降低，有机EL特性降低。
此外，蒸镀膜的膜厚一般为100nm以下。当成为100nm以上时，所需的施加电压变高，结果所制造的有机EL显示装置的消耗电力增加。因此，能够从蒸镀率和蒸镀膜的膜厚估算到所需的蒸镀时间为10秒。
另一方面，为了通过限制处理能力（节拍时间（tacttime，单件工时）以150秒完成对例如宽度2m的玻璃基板的蒸镀，至少需要令扫描速度为13.3mm/s以上。处理时间150秒是能够大约每日处理570片的节拍时间。
为了以上述扫描速度如上述那样得到10秒的蒸镀时间，荫罩81的开口部82需要在扫描方向上开口至少133mm以上。
在假定从开口部82的端部至荫罩81的端部为止的距离（裕度宽度d7；参照图1）为30mm左右是恰当的情况下，荫罩81的扫描方向上的宽度需要为133＋30＋30≈200mm。
因此，可以认为荫罩81的短边长度（宽度d2）优选200mm以上。不过，蒸镀率和蒸镀膜的膜厚、节拍时间的容许量如果发生变化则不限于此。
此外，在本实施方式中，上述TFT基板10的扫描速度为30mm/s。
图10是表示使用本实施方式的蒸镀装置50在TFT基板10形成规定的图案的方法的一个例子的流程图。
以下，按照图10所示的流程对使用上述蒸镀装置50形成图10所示的发光层23R、23G、23B的方法进行具体说明。
首先，如图3所示，使用掩模保持部件87，通过掩模张力机构88，将荫罩81设置（固定）在真空腔室60内的蒸镀源85上，以不发生自重导致的弯曲和伸长的方式通过掩模张紧机构88施加张紧力而保持为水平。此时，以在通过掩模保持部件87将蒸镀源85与荫罩81之间的距离保持为一定的同时、使得基板扫描方向与在荫罩81形成的条状的开口部82的长轴方向一致的方式，使用荫罩81的对准标记84进行对位，由此组装掩模单元80（掩模单元的准备）。
接着，将TFT基板10投入上述真空腔室60，以该TFT基板10的同色子像素列的方向与基板扫描方向一致的方式，使用作为被成膜基板200的TFT基板10的对准标记221，如图10所示那样进行粗略对准（S11）。TFT基板10以不产生自重导致的弯曲的方式由基板保持部件71保持。
接着，进行TFT基板10与荫罩81的粗校准（S12），以TFT基板10与荫罩81之间的间隙g1（基板与掩模间隔）为一定的方式进行间隔调整，并且如图15所示以TFT基板10上的发光区域24R的扫描正交方向（y轴方向）上的宽度的中心与荫罩81的开口部82的扫描正交方向的宽度的中心大致一致的方式，使TFT基板10与荫罩81相对配置，由此，进行TFT基板10与荫罩81的对位（S13）。在本实施方式中，进行间隔调整，使TFT基板10与荫罩81之间的间隙g1以遍及TFT基板10整体均成为大致200μm。
然后，一边以30mm/s扫描上述TFT基板10，一边使红色的发光层23R的材料蒸镀在该TFT基板10上。
此时，以上述TFT基板10通过上述荫罩81上的方式进行基板扫描。另外，使用上述对准标记84、221，在扫描的同时进行精密的对准，使得荫罩81的开口部82与红色的子像素2R列一致（即开口部82的扫描正交方向（y轴方向）上的宽度的中心与子像素2R的发光区域24R的同方向上的宽度的中心一致）（S14）。
上述发光层23R在其材料中使用3-苯基-4(1’-萘基)-5-苯基-1,2,4-***（TAZ）（主体材料）、和双(2-(2’-苯并[4,5-α]噻吩基)吡啶-N,C3’)铱（乙酰丙酮）（btp2Ir(acac)）（红色发光掺杂剂），通过令各自的蒸镀速度为5.0nm/s、0.53nm/s使这些材料（红色有机材料）共同蒸镀而形成。
从蒸镀源85射出的上述红色有机材料的蒸镀颗粒，在上述TFT基板10从荫罩81上通过时，通过荫罩81的开口部82，被蒸镀在TFT基板10的与荫罩81的开口部82相对的位置（即发光区域24R）。在本实施方式中，在上述TFT基板10从荫罩81上完全通过之后，上述红色有机材料以膜厚25nm被蒸镀在上述TFT基板10的发光区域24R。
此处，参照图11对上述S14的对准的调整方法说明如下。
图11是表示对准调整方法的流程图。对准的调整按照图11所示的流程进行。
首先，利用图像传感器90取得作为被成膜基板200的上述TFT基板10的基板位置（S21）。
接着，根据利用上述图像传感器90取得的图像，利用图像检测部101进行上述TFT基板10的对准标记221和荫罩81的对准标记84的图像检测（S22）。
之后，根据利用上述图像检测部101检测出的对准标记221、84的图像，利用运算部102计算对准标记221与对准标记84的偏移量，对基板位置的修正值进行运算并决定（S23）。
接着，发动机驱动控制部103根据上述修正值驱动发动机72，由此修正基板位置（S24）。
接着，再次利用图像传感器90检测修正后的基板位置，重复S21～S25的工序（步骤）。
这样，根据本实施方式，通过利用图像传感器90重复地检测基板位置，修正基板位置，能够一边进行基板扫描，一边修正基板位置，以使TFT基板10上的发光区域24R的扫描正交方向（y轴方向）上的宽度的中心与荫罩81的开口部82的扫描正交方向上的宽度的中心一致，由此，能够一边对TFT基板10与荫罩81进行精密对准一边进行成膜。
上述发光层23R的膜厚能够根据往复扫描（即，TFT基板10的往复移动）和扫描速度来进行调整。在本实施方式中，如图10所示，S14中的扫描后，使TFT基板10的扫描方向反转，利用与S14同样的方法，在S14中的上述红色有机材料的蒸镀位置，再蒸镀上述红色有机材料（S16）。由此，形成膜厚为50nm的发光层23R。
此外，在S14～S16中，当TFT基板10中的非蒸镀区域位于荫罩81的开口部82上时（例如，S14所示的步骤结束后，直到在S16中扫描方向反转之间），在蒸镀源85与荫罩81之间***闸门89，防止蒸镀颗粒附着在非蒸镀区域（S15）。
在这里，关于上述S15中使用闸门89的蒸镀控制，参照图12和图13在以下进行说明。
图12是表示蒸镀停止时的蒸镀控制的流程的流程图。另外，图13是表示蒸镀开始时的蒸镀控制的流程的流程图。
首先，对于蒸镀停止时的流程进行说明。
如图12所示，作为被成膜基板200的上述TFT基板10的基板位置，如图11所说明，在蒸镀处理期间，由图像传感器90不断读取（S31）。
如图11所说明，图像检测部101根据由上述图像传感器90所读取的图像，进行TFT基板10的对准标记221和荫罩81的对准标记84的图像检测。图像检测部101通过检测表示显示区域210的终端的终端标记作为TFT基板10的对准标记221，如图12所示检测显示区域210的终端（S32）。
如上所述当由图像检测部101检测到显示区域210的终端时，蒸镀开始/停止控制部104使蒸镀停止信号产生（S33）。
闸门驱动控制部105当从蒸镀开始/停止控制部104输入蒸镀停止信号时，封闭闸门89（S34）。闸门89被封闭时，蒸镀颗粒不能到达掩模，成为蒸镀停止（S35）。
接着，对于蒸镀开始时的流程进行说明。
如图13所示，作为被成膜基板200的上述TFT基板10的基板位置，在蒸镀处理期间，由图像传感器90不断读取的步骤如上所述（S41）。
图像检测部101通过检测表示显示区域的始端的始端标记作为TFT基板10的对准标记221，检测显示区域210的始端（S42）。
当由图像检测部101检测到显示区域210的终端时，蒸镀开始/停止控制部104使蒸镀开始信号产生（S43）。
闸门驱动控制部105当从蒸镀开始/停止控制部104输入蒸镀开始信号时，将闸门89开放（S44）。闸门89开放时，蒸镀颗粒到达掩模，成为蒸镀开始（S45）。
另外，上述S16的往复扫描，如下进行。首先，利用S21～S24所示的步骤一边进行精密对准一边扫描TFT基板10，当由图像检测部101检测到显示区域210的终端时，通过电动机驱动控制部103驱动电动机72使TFT基板10反转。在该期间，通过S31～S35所示的步骤使蒸镀停止，通过S21～S24所示的步骤进行TFT基板10的位置修正，通过S41～S45所示的步骤在显示区域210的始端使蒸镀开始。然后，通过S21～S24所示的步骤再次一边进行精密对准一边扫描TFT基板10。
由此，如图14（a）所示，扫描正交方向（y轴方向）上的两侧的侧面成为平缓的倾斜侧面23s的发光层23R形成为完全覆盖发光区域24R。更详细而言，发光层23R中，除其两侧的倾斜侧面23s以外的平坦部分23t的扫描正交方向上的宽度形成为与发光区域24R的同方向上的宽度相同，且其倾斜侧面23s的同方向上的宽度形成为该倾斜侧面23s同侧的相邻的发光区域（例如24G）与发光区域24R之间的非发光区域29的同方向上的宽度C（例如C=20μm）以下的宽度（例如宽度C以下的宽度且宽度C的1/2倍以上的宽度（例如15μm））。此外，图14（a）中，为了作图的方便，虽然只图示了发光区域24R的一侧的相邻的发光区域24G，但是在发光区域24R的另一侧也存在相邻的发光区域。
此外，图14（a）中，发光层23R形成为完全覆盖发光区域24R，并且其扫描正交方向（y轴方向）上的宽度的中心与发光区域24R的同方向上的中心一致，但荫罩81的开口部82的扫描正交方向上的中心相对于发光区域24R的同方向上的中心在同方向上相对偏移规定距离（具体而言，假设的最大偏移量（例如15μm）以下的距离）的情况下，如图14（b）所示，发光层23R形成为其扫描正交方向上的宽度的中心从发光区域24R的同方向上的中心开始在同方向上偏移上述规定距离，尽管如此，也形成为完全覆盖发光区域24R。
换而言之，如图14（b）所示，即使在荫罩81的开口部82的扫描正交方向上的中心相对于发光区域24R的同方向上的中心向同方向上的一侧相对偏移，使得发光层23R的同方向上的中心相对于发光区域24R的同方向上的中心向上述一侧偏移上述规定距离的情况下，发光层23R也以覆盖发光区域24R整体的方式，其扫描正交方向上的另一侧的端部延伸到上述另一侧。同样地，发光层23R的扫描正交方向上的上述一侧的端部也延伸到上述一侧。另外，在荫罩81的开口部82的扫描正交方向上的中心相对于发光区域24R的同方向上的中心向上述一侧相对偏移且发光层23R与相邻的发光区域（例如24G）重叠的情况下，设定上述一侧的倾斜侧面23s的扫描正交方向上的宽度B的长度，使得发光层23R中只有上述一侧的倾斜侧面23s的部分与相邻的发光区域24G重叠。同样地，设定上述另一侧的倾斜侧面23s的扫描正交方向上的宽度B。
此外，作为这样设定的例子，考虑将发光层23R的扫描正交方向上的宽度设定为大于发光区域24R的扫描正交方向上的宽度和各发光区域24R、24G间的区域29的扫描正交方向上的宽度之和。
本实施方式中，S16所示的步骤后，把形成有上述发光层23R的TFT基板10从上述真空腔室60取出（S17），使用绿色的发光层23G形成用的掩模单元80及真空腔室60，进行与上述发光层23R同样的成膜处理而成膜绿色的发光层23G。
另外，这样形成发光层23G之后，使用蓝色的发光层23B形成用的掩模单元80及真空腔室60，进行与上述发光层23R、23G同样的成膜处理而成膜蓝色的发光层23B。
即，在上述发光层23G、23B的成膜处理中，分别准备在与这些发光层23G、23B相当的位置具有开口部82的荫罩81。然后，将各个荫罩81设置在发光层23G、23B形成用的各真空腔室60，一边进行对准使各个荫罩81的开口部82与各子像素2G、2B列一致，一边扫描TFT基板10进行蒸镀。
上述发光层23G在其材料中使用（TAZ）（主体材料）和Ir（ppy）3（绿色发光掺杂剂），通过令各自的蒸镀速度为5.0nm/s、0.67nm/s使这些材料（绿色有机材料）共同蒸镀而形成。
此外，发光层23B通过在其材料中使用TAZ（主体材料）、和2-（4’-t-苯基）-5-（4’’-联苯基）-1,3,4-噁二唑（t-Bu PBD）（蓝色发光掺杂剂），通过令各自的蒸镀速度为5.0nm/s、0.67nm/s使这些材料（蓝色有机材料）共同蒸镀而形成。
此外，上述发光层23G、23B的膜厚分别设为50nm。
通过以上的工序，得到发光层23R、23G、23B图案形成为红（R）、绿（G）、蓝（B）的TFT基板10。
如上所述，根据本实施方式，使用上述蒸镀装置50作为有机EL显示装置1的制造装置，通过使用上述蒸镀方法制造有机EL显示装置1，能够提供与现有技术相比较，在发光层23R、23G、23B与相邻的发光区域重叠的情况下能够降低混色程度，并且在发光层23R、23G、23B的图案偏移发生的情况下能够防止膜（发光层）的欠缺的有机EL显示装置1。
即，如图14（a）所示，本实施方式的发光层（例如23R）中，发光层23R的除其两侧的倾斜侧面23s以外的平坦部分23t的扫描正交方向（y轴方向）上的宽度形成为与发光区域24R的同方向上的宽度相同，并且其两侧的侧面成为平缓的倾斜侧面23s，其倾斜侧面23s的扫描正交方向上的宽度B为非发光区域29的同方向上的宽度C（例如C=20μm）以下的宽度（例如宽度C以下的宽度且宽度C的1/2倍以上的宽度（例如15μm））。
因此，如图14（a）所示，荫罩81的开口部82的中心与发光区域24R的中心一致的情况（即没有发光层23R的图案偏移的情况）下，发光层23R不与相邻的发光区域（例如24G）重叠，以全部膜厚完全覆盖发光区域24R。因此，不发生混色和膜的欠缺。
相对于此，如图14（b）所示，即使开口部82的扫描正交方向（y轴方向）的中心相对于发光区域24R的同方向上的中心向同方向上的一侧偏移规定距离（例如12μm）而导致发光层23R的图案偏移的情况下，发光层23R也完全覆盖发光区域24R，因此，虽然发生不完全混色区域F1和膜厚降低区域F2，但是不发生膜的欠缺和完全混色。
此外，不完全混色区域F1是发光层23R的一侧的倾斜侧面23s的部分与相邻的发光区域（例如24G）重叠的区域，在该区域F1，由于倾斜侧面23s中的膜厚比发光层23R、23G、23B的全部膜厚（即平坦部分23t的膜厚）薄，所以对混色的影响比现有技术的情况小。
另外，膜厚降低区域F2是发光层23R的另一侧的倾斜侧面23s与发光区域24R重叠的区域，在该区域F2，由于发光区域24R被发光层23R的倾斜侧面23s覆盖，虽然不能得到与被发光层23R以全部膜厚覆盖的情况一样的特性（发光特性），但是，因为不是膜的欠缺，所以不会成为不发光，并且也不会发生漏电流。因此，本实施方式中，即使发生发光层23R的图案偏移，也能够降低混色程度且能够防止膜的欠缺。
此外，本实施方式中，如上所述，对开口部82的扫描正交方向上的宽度与发光区域24R的同方向上的宽度大小相同的情况（即发光层23R的扫描正交方向上的宽度与发光区域24R的同方向上的宽度大小相同的情况）进行了说明，但不限定于此。例如图18（a）所示，也可以是开口部82的扫描正交方向（y轴方向）上的宽度大于发光区域的同方向上的宽度的情况（即发光层23R的扫描正交方向上的宽度大于发光区域24R的同方向上的宽度的情况）。此外，图18（a）中，发光层23R的一端与相邻的发光区域24G接触。
此处，若荫罩81的开口部82的扫描正交方向（y轴方向）上的中心相对于发光区域的同方向上的中心向同方向上的一侧偏移规定距离（例如12μm）且发光层23R的图案偏移，则成为如图18（b）所示那样。在该情况下，与图14（b）相比较，不完全混色区域F1的宽度增大，膜厚降低区域F2的宽度减少。即，通过改变开口部82的宽度，使各区域F1、F2的比例变化，由此，能够选择发光层23R的特性降低的影响最小的条件。
此外，本实施方式中，如果发光层23R形成为以下那样，则无论什么尺寸都可以。即，发光层23R的平坦部分23t的扫描正交方向上的宽度形成为发光区域24R的同方向上的宽度以上的大小，发光层23R的倾斜侧面23s的扫描正交方向上的宽度B形成为比该倾斜侧面23s同侧的相邻的发光区域（例如24G）与发光区域24R之间的非发光区域29的同方向上的宽度C小的宽度（例如比宽度C小的宽度且比宽度C的一半大的宽度），发光层23R的扫描正交方向上的宽度形成为发光区域24R的同方向上的宽度与发光区域24R的两侧的非发光区域29各自的同方向上的宽度相加后的宽度以下。
此外，在上述说明中虽然以发光层23R为例进行了说明，但对于发光层23G、23B也是同样的。
相对于此，使用现有的蒸镀方法制造的有机EL显示装置中，由于发光层23R、23G、23B的扫描正交方向上的端部陡峭地形成，所以不能够同时实现膜的欠缺的防止和混色程度的降低这两者。
即，例如图19（a）所示，荫罩81的开口部82的扫描正交方向上的宽度是标准大小的情况（即开口部82的扫描正交方向上的一端位于非发光区域29的同方向上的宽度的中心的情况）下，开口部82的扫描正交方向上的宽度的中心与发光区域（例如24R）的同方向上的宽度的中心一致的情况是发光区域24R被发光层23R以全部膜厚覆盖。此外，该情况下，由于非发光区域29的扫描正交方向上的宽度C为20μm，所以发光层23R与相邻的发光区域（例如24G）之间的边缘为10μm。
相对于该情况，如果开口部82的扫描正交方向（y轴方向）上的中心相对于发光区域24R的同方向上的中心向同方向上的一侧偏移规定距离（例如12μm）且发光层23R的图案偏移，则如图19（b）所示，发生完全混色区域F3和完全欠缺区域F4。完全混色区域F3是发光层23R与相邻的发光区域（例如24G）以全部膜厚重叠的区域，完全欠缺区域F4是发光层23R完全欠缺的区域。
完全混色区域F3中，由于发光层23R与相邻的发光区域24G以全部膜厚重叠，所以混色的影响较强地显现。另一方面，完全欠缺区域F4中，由于发光层23R不存在，所以流过该区域F4的电流成为漏电流。漏电流对发光的贡献少，不仅使像素的亮度降低，还由于电极间的短路、发热而引起像素的点亮不良。因此，有机EL显示装置可靠性降低。
为了消除完全混色区域F3，如图20（a）所示，可以考虑将荫罩81的开口部82的扫描正交方向（y轴方向）上的宽度变窄的情况。该情况下，开口部82的扫描正交方向上的中心与发光区域24R的同方向上的中心一致，发光层23R与相邻的发光区域24G之间的裕度例如是15μm。
相对于该情况，如图20（b）所示，当开口部82的扫描正交方向（y轴方向）的中心相对于发光区域24R的同方向上的中心向同方向上的一侧偏移规定距离（例如12μm）且发光层23R的图案偏移时，因为发光层23R与相邻的发光区域24G之间存在裕度，所以，虽然不产生完全混色区域F3，但在发光区域24R的另一侧的部分，与图19（b）相比，完全欠缺区域F4扩大从而进一步恶化。
另一方面，为了消除完全欠缺区域F4，如图21（a）所示，考虑将开口部82的扫描正交方向（y轴方向）上的宽度变宽的情况。该情况下，开口部82的扫描正交方向上的中心与发光区域24R的同方向上的中心一致，发光层23R与相邻的发光区域24G之间的裕度例如是5μm。
相对于该情况，如图21（b）所示，当开口部82的扫描正交方向（y轴方向）的中心相对于发光区域24R的同方向上的中心向同方向上的一侧偏移规定距离（例如12μm）且发光层23R的图案偏移时，虽然在发光区域24R不发生完全欠缺区域F4，但相邻的发光区域24G中，与图19（b）相比，完全混色区域F3的宽度扩大从而进一步恶化。此外，上述说明中虽然以发光层23R为例进行了说明，但对于发光层23G、23B也是同样的。
如上所述，使用现有的蒸镀方法制造的有机EL显示装置中，在相对于开口部82的发光区域24R、24G、24B的偏移为非发光区域29的宽度C的1/2倍以上的情况下，无论如何调整开口部82的扫描正交方向上的宽度，也会发生所谓完全混色区域F3和完全欠缺区域F4的问题。然而，在本实施方式中，如上所述，虽然产生不完全混色区域F1，但是不产生所谓完全混色区域F3和完全欠缺区域F4的问题。
发光层23R、23G、23B的偏移量综合了荫罩81与被成膜基板200（TFT基板10）的对位精度和各自的尺寸精度。即，为了改善上述问题，考虑（1）提高上述精度，（2）拓宽非发光区域宽度这2种方法。不过，上述（1）的方法依赖于制造装置的性能，不容易提高。关于上述（2）的方法，虽然能够使发光区域的宽度变小，但就该变小的量，由于发光面积变小，所以为了得到同样的亮度，需要更大的电流密度。由于电流密度变大则寿命变短（即发光强度的老化变快），所以有机EL显示装置的可靠性降低。进一步，为了拓宽发光区域间的距离，变成存在颗粒感的显示图像（即不是均匀的面状，能看到颗粒集合那样的状态）。因此，显示质量降低。
本实施方式中，由于不会如上述（1）那样依赖于制造装置的性能，所以能够容易进行，并且由于不用如上述（2）那样拓宽非发光区域的宽度，因此不会导致显示质量的降低。
此外，本实施方式中，将发光层（蒸镀膜）23R、23G、23B的侧面的定义为“从开口部82的扫描正交方向上的一侧的端（即发光层23R、23G、23B的平坦部分23t的一侧的端）到同侧的发光层23R·23G·23B的端（即膜厚为零的地点）的区域”进行了说明，但不限定于这样的定义。例如，也可以定义为“发光层23R、23G、23B的端部的膜厚降低的区域”，也还可以定义为“X%膜厚降低处作为侧面的始端”。此外，上述“始端”是发光层23R、23G、23B的平坦部分23t与倾斜侧面23s的边界部分。
此外，本实施方式中，通过调整荫罩81与被成膜基板200（TFT基板10）之间的间隙g1，使发光层23R、23G、23B的倾斜侧面23s形成为如上述那样的平缓的斜面，但也可以通过调整荫罩81的厚度d81（参照图3），使发光层23R、23G、23B的倾斜侧面23s形成为如上述那样的平缓的斜面。即，若厚度d81变大，则在基板直交方向（y轴方向）具有大的速度分量的蒸镀颗粒变得难以通过开口部82，因此倾斜侧面23s的宽度B变小；若厚度d81变小，则在基板直交方向（y轴方向）具有大的速度分量的蒸镀颗粒变得容易通过开口部82，因此倾斜侧面23s宽度B变大。
另外，在本实施方式中，上述掩模单元80采用被固定配置在真空腔室60内的结构，但是本实施方式并不限定于此。
上述蒸镀装置50也可以代替上述基板移动机构70而具备固定被成膜基板200的基板保持部件71（例如静电吸盘），并且具备以原样保持上述荫罩81与蒸镀源85的相对的位置的方式使上述掩模单元80相对于被成膜基板200相对移动的掩模单元移动机构（掩模单元移动装置）。或者，也可以具备基板移动机构70和掩模单元移动机构的双方。
即，上述被成膜基板200和掩模单元80以其至少一个能够相对地移动的方式设置即可，在无论使哪一个移动的情况下，均能够得到本发明的效果。
在如上述那样使掩模单元80相对于被成膜基板200相对地移动的情况下，上述掩模单元80例如按每个保持部件87（例如同一保持部）使荫罩81和蒸镀源85相对于被成膜基板200相对地移动。由此，能够以原样保持上述荫罩81与蒸镀源85的相对位置的方式使上述掩模单元80相对于被成膜基板200相对地移动。
这样，在使掩模单元80相对于被成膜基板200相对地移动的情况下，上述荫罩81和蒸镀源85例如优选通过由同一保持部（保持部件、保持单元）保持而成为一个整体。
不过，在上述那样使被成膜基板200相对于掩模单元80相对地移动的情况下，上述荫罩81和蒸镀源85只要被固定在相对的位置，就不需要一定成为一个整体。
例如，上述掩模单元80也可以通过将蒸镀源85固定在真空腔室60的内壁的例如底壁并且将掩模保持部件87固定在上述真空腔室60的内壁的任一处，来固定上述荫罩81与蒸镀源85的相对的位置。
此外，以上述荫罩81的开口部82与上述蒸镀源85的射出口86的配置一致地、各射出口86在平面视图中位于任一开口部82内且开口部82与射出口86一对一地对应设置的情况为例进行了说明。但是，本实施方式并不限定于此。开口部82和射出口86并不必一定相对配置，此外，也并不必一定一对一地对应。
具体而言，开口部82的间距p与射出口86的间距也可以不一致。此外，开口部82的宽度d5或宽度d6与射出口86的开口宽度（开口口径）也可以不一致。例如，在图1所示的例子中，射出口86的开口口径既可以比开口部82的宽度d6大也可以比其小。此外，既可以相对于一个开口部82设置多个射出口86，也可以相对于多个开口部82设置一个射出口86。此外，也可以多个射出口86中的一部分（至少一个）射出口86或者射出口86的一部分区域与非开口部（即，荫罩81的开口部82以外的区域（例如开口部82、82间的区域））相对地设置。
此外，从提高材料利用效率的观点出发，优选开口部82与射出口86一对一地对应。
此外，在本实施方式中，以荫罩81的开口部82和蒸镀源85的射出口86一维地排列的情况为例进行了说明。但是，本实施方式并不限定于此。荫罩81的开口部82与蒸镀源85的射出口86分别彼此相对地配置即可，可以二维地排列。
此外，在本实施方式中，以荫罩81的开口部82和蒸镀源85的射出口86分别设置多个的情况为例进行了说明。但是，本实施方式并不限定于此。上述荫罩81至少具备一个开口部82即可，蒸镀源85至少具备一个射出口86即可。
此外，在本实施方式中，以荫罩81具有狭缝状的开口部82的情况为例进行了说明。但是，上述开口部82的形状也可以以能够得到所期望的蒸镀图案的方式适当地设定，并无特别限定。
此外，在本实施方式中，以基板移动机构70作为基板保持部件71具备静电吸盘的情况为例进行了说明。这样，被成膜基板200通过静电吸盘被保持，由此能够有效地防止被成膜基板200因自重而发生弯曲。
然而，本实施方式并不限定于此，根据被成膜基板200的大小，例如也可以使用对基板施加张紧力从而机械地夹住并保持基板的辊等保持部件作为上述基板保持部件71。
此外，在本实施方式中，以在荫罩81与蒸镀源85之间设置有能够进退的闸门作为闸门89的情况为例进行了说明。但是，本实施方式并不限定于此，例如作为蒸镀源85使用能够进行开始/停止切换的蒸镀源85，在被成膜基板200的不需蒸镀部分位于荫罩81的开口区域（即，与开口部82相对的区域）的情况下，停止蒸镀，使得蒸镀分子不飞翔（射出）。
例如，作为闸门89，也可以在蒸镀源85设置通过将蒸镀源85的射出口86封闭来阻止蒸镀颗粒的射出（放出）的闸门89。
或者，也可以为代替在上述射出口86设置闸门89，通过根据蒸镀开始信号或蒸镀停止信号将蒸镀源85的电源导通（ON）/断开（OFF）来使蒸镀颗粒的产生自身停止的结构。
此外，在本实施方式中，如上所述，以从TFT基板10一侧取出光的底栅型有机EL显示装置1的制造方法为例进行了说明。但是，本实施方式并不限定于此。本发明在从密封基板40一侧取出光的顶栅型有机EL显示装置1中也能够优选使用。
此外，在本实施方式中，以使用玻璃基板作为TFT基板10和密封基板40的支承基板的情况为例进行了说明，但是本实施方式并不限定于此。
作为这些TFT基板10和密封基板40的各支承基板，在有机EL显示装置1为底栅型有机EL显示装置的情况下，除玻璃基板以外例如还能够使用塑料基板等透明基板。另一方面，在上述有机EL显示装置1为顶栅型有机EL显示装置的情况下，作为上述支承基板，除上述那样的透明基板以外例如还能够为陶瓷基板等不透明的基板。
此外，在本实施方式中，以阳极（在本实施方式中为第一电极21）呈矩阵状形成的情况为例进行了说明。但是，作为上述阳极，只要具有向有机EL层供给空穴的电极的功能，其形状、材质和大小并无特别限定，例如也可以呈条状形成。不过，在有机EL元件的性质上，优选阳极和阴极中的至少一个透明。一般使用透明的阳极。
[实施方式2]
基于图22和图23对本发明的其他实施方式进行如下说明。
实施方式1中，发光层23R、23G、23B的倾斜侧面23s形成为均匀的斜面，但该实施方式中，倾斜侧面23s形成为不均匀的斜面。
更详细而言，如图22（a）所示，本实施方式中的倾斜侧面23s形成为：其扫描正交方向（y轴方向）上的两端部23p、23r的倾斜度为更加平缓的倾斜度，其扫描正交方向上的中央部23q的倾斜度为最大的倾斜度。
如图22（b）所示，在该倾斜侧面23s中，由于两端部23p、23r的倾斜度更加平缓而中央部23q的倾斜度大，即使发光层23R的图案偏移而产生不完全混色区域F1和膜厚降低区域F2，与实施方式1相比，能够进一步缓和这些各区域F1、F2的影响。
即，如图22（b）所示，不完全混色区域F1中，虽然在发光区域24R形成的发光层23R的一侧的倾斜侧面23s的同侧的端部23p与相邻的发光区域（例如24G）重叠，但该端部23p中，由于其倾斜度比实施方式1的情况更加平缓，所以其膜厚更薄，进一步缓和不完全混色的影响。另一方面，膜厚降低区域F2中，虽然在发光区域24R的另一侧的倾斜侧面23s发生膜厚降低，但在该倾斜侧面23s的一侧的端部23r，由于其倾斜度比实施方式1的情况更加平缓，所以膜厚的降低变得更小，进一步缓和膜厚降低的影响。
因此，根据本实施方式中的倾斜侧面23s，能够使发光层23R的图案偏移造成的影响比实施方式1小，能够实现更高可靠性的有机EL显示装置。此外，上述说明中以发光层23R为例进行了说明，但对于发光层23G、23B也是同样的。
此外，作为如图22（a）所示的倾斜侧面23s的倾斜形状，只要两端部23p、23r的倾斜度平缓，中央部23q的倾斜度变大，就能够选择任意的形状。作为一个例子来说有正弦函数形状。
例如图23所示，当设发光层23R的平坦部分（即除倾斜侧面23s以外的部分）23t的最大膜厚为H0、倾斜侧面23s的扫描正交方向上的宽度为B、且在从倾斜侧面23s的始端T1侧（平坦部分23t侧）向终端T2侧（平坦部分23t的相反侧）沿着扫描正交方向（y轴方向）离开x的位置的发光层23R的膜厚为H（x）时，H（x）由式1表示。
[式1]
H ( x ) = H 0 2 { cos ( π B x ) + 1 } …式（1）
式1中，倾斜度的最大绝对值kmax以式2表示。
[式2]
k max = π 2 · H 0 B …式（2）
kmax与实施方式1的图15中倾斜侧面23s的倾斜度相比，为π/2倍。即，使用本实施方式中的倾斜侧面23s的倾斜形状的情况下，可以说对于倾斜侧面23s的倾斜形状，其倾斜度的最大绝对值为（π/2）×1/200以下。
[实施方式3]
基于图24和图25对本发明的其他实施方式进行如下说明。
实施方式1中，通过调整荫罩81与被成膜基板200之间的间隙g1，来调整倾斜侧面23s的宽度B（进而倾斜度（H/B）），但在本实施方式中，进一步使用限制板调整倾斜侧面23s的宽度B。以下，使用图24和图25，说明本实施方式的蒸镀方法和蒸镀装置。
本实施方式的蒸镀装置150，如图24所示，在实施方式1的蒸镀装置50中，还具备限制板300。限制板300在荫罩81与蒸镀源85之间与荫罩81平行地配置，且与蒸镀源85隔开规定间隔的间隙g3（参照图25）地配置，并且相对于荫罩81和蒸镀源85被相对地固定。
限制板300以例如平面视时为矩形状地形成为规定的厚度d300的板状。限制板300的长边300a的宽度d300a形成为例如与荫罩81的长边81a的宽度d1同样大小，限制板300的短边300b的宽度d300b形成为例如与荫罩81的短边81b的宽度d2同样大小。此外，限制板300和荫罩81各自的长边300a、81a配置为彼此平行，限制板300和荫罩81各自的短边300b、81b配置为彼此平行。
限制板300上形成有多个开口部300A。各开口部300A分别形成为在平面视图中沿着限制板300的短边300b延伸的矩形状，并以与蒸镀源85的各射出口86相对配置的方式沿着限制板300的长边300a以固定间隔配置。
对于该蒸镀装置和蒸镀方法，如图25所示，从蒸镀源85的各射出口86射出的蒸镀颗粒经过与其射出的射出口86相对配置的开口部300A，还经过荫罩81的开口部82，蒸镀在被成膜基板200上，从而形成蒸镀膜211（例如发光层23R）。此外，设计限制板300和荫罩81，使得形成蒸镀膜211的蒸镀颗粒必然经过各开口部300A、82。
此时，从蒸镀源85的各射出口86射出的蒸镀颗粒具有一定扩散地射出，当这些蒸镀颗粒入射到开口部300A时，扫描正交方向（y轴方向）上的速度分量大的蒸镀颗粒附着在限制板300而不能到达开口部82。即，限制板300限制入射到开口部82的蒸镀颗粒的沿扫描正交方向（y轴方向）观察的入射角度。在此，入射到开口部82的蒸镀颗粒的上述入射角度由相对于蒸镀颗粒的飞翔方向的z轴的角度来定义。
此外，因为限制板300的各开口部300A的基板扫描方向（x轴方向）上的宽度d301b设定得充分大，所以入射到开口部82的蒸镀颗粒的沿基板扫描方向（x轴方向）观察的入射角度不被限制。
如此，本实施方式中，利用限制板300，限制以大的入射角度（准确来说是沿扫描正交方向观察的入射角度）入射到开口部82的蒸镀颗粒。因此，通过分别调整限制板300的各开口部300A的宽度d301a、限制板300的厚度d300及蒸镀源85与限制板300的间隙g3，能够调整蒸镀膜211（即发光层23R、23G、23B）的倾斜侧面23s的宽度B（参照图23）。即，若增大宽度d301a、或者减小厚度d300、或者减小间隙g3，则倾斜侧面23s的宽度B增大，另一方面，若减小宽度d301a、或者增大厚度d300、或者增大间隙g3，则倾斜侧面23s的宽度B减小。
如上所述，根据本实施方式，通过调整限制板300的开口部300A的宽度d301a、限制板300与蒸镀源85的间隙g3和限制板300的厚度d300中的任意一个，能够简单地将蒸镀膜211以其侧面为平缓的倾斜侧面23s的方式形成。
此外，上述实施方式中，本发明的蒸镀方法和蒸镀装置应用于发光层23R、23G、23B的形成，但也能够应用于第一电极21、第二电极26、空穴注入层兼空穴输送层22、电子输送层24、电子注入层25、空穴注入层27、空穴输送层28R、28G、28B等的形成。
[要点总结]
如上所述，本发明的实施方式的被成膜基板优选除上述倾斜侧面以外的上述蒸镀膜的上述规定方向上的宽度为上述蒸镀区域的上述规定方向上的宽度以上。
根据上述的结构，由于除倾斜侧面以外的蒸镀膜（即蒸镀膜的平坦部分）的规定方向上的宽度为蒸镀区域的规定方向上的宽度以上，所以对于除倾斜侧面以外的蒸镀膜的规定方向上的宽度，在蒸镀区域的规定方向上的宽度的整体上重叠蒸镀膜的全部膜厚，因此能够确保最低要求的宽度。
另外，本发明的实施方式的被成膜基板优选上述倾斜侧面的上述规定方向上的宽度为上述各蒸镀区域间的区域的上述规定方向上的宽度以下。
根据上述的结构，由于倾斜侧面的规定方向上的宽度为各蒸镀区域间的区域的规定方向上的宽度以下，所以即使蒸镀膜相对于被成膜基板产生偏移，也能够抑制蒸镀膜的倾斜侧面与相邻的蒸镀区域重叠。
另外，本发明的实施方式的被成膜基板中，上述蒸镀膜的上述规定方向上的中心与上述蒸镀区域的上述规定方向上的中心在上述规定方向上的最大偏移量，为上述各蒸镀区域间的区域的上述规定方向上的宽度的1/2倍的长度以上。
根据上述的结构，蒸镀膜的规定方向上的中心与蒸镀区域的规定方向上的中心在规定方向上的最大偏移量为各蒸镀区域间的区域的规定方向上的宽度的1/2倍长度以上。因此，在这样的情况下，也能够防止在蒸镀区域发生蒸镀膜的欠缺和短路，并且能够降低混色程度。
另外，本发明的实施方式的被成膜基板中，当设上述倾斜侧面的上述规定方向上的宽度为B、且上述蒸镀膜的除上述倾斜侧面以外的部分的最大膜厚为H时，上述倾斜侧面的倾斜度H/B为1/200以下。
根据上述的结构，由于倾斜侧面的倾斜度为1/200以下，所以在倾斜侧面为平面的情况下，能够有效地降低蒸镀膜中倾斜侧面的部分与相邻的蒸镀区域重叠时的混色。
另外，本发明的实施方式的被成膜基板优选倾斜侧面的倾斜度在其上述规定方向上的中央为最大，在其上述规定方向上的两端平缓。
根据上述的结构，由于倾斜侧面的倾斜度在斜侧面的上述规定方向上的中央最大，在斜侧面的上述规定方向上的两端平缓，所以在倾斜侧面的规定方向上的始端（即蒸镀膜的平坦部分侧的端部）侧，蒸镀膜的膜厚不怎么变薄，另一方面，在倾斜侧面的规定方向上的终端（即蒸镀膜的平坦部分侧的相反侧的端部）侧，蒸镀膜的膜厚进一步变薄。因此，在蒸镀膜的倾斜侧面的上述始端侧与蒸镀区域重叠时，能够抑制在该始端侧的膜厚的减少，另外，在蒸镀膜的倾斜侧面的上述终端侧与相邻的蒸镀区域重叠时，能够进一步降低由该终端侧引起的混色。
另外，本发明的实施方式的被成膜基板中，当设上述倾斜侧面的上述规定方向上的宽度为B、且上述蒸镀膜的除上述倾斜侧面以外的部分的最大膜厚为H时，上述倾斜侧面的倾斜度H/B为（π/2）×1/200以下。
根据上述的结构，由于当设蒸镀膜的倾斜侧面的规定方向上的宽度为B、且蒸镀膜中除倾斜侧面以外的部分的膜厚为H时，倾斜侧面的倾斜度为（π/2）×1/200以下，所以在倾斜侧面为曲面的情况下，能够有效地降低蒸镀膜的倾斜侧面与相邻的蒸镀区域重叠时的混色。
另外，本发明的实施方式的被成膜基板优选上述倾斜侧面的倾斜度由余弦函数规定。
根据上述的结构，由于倾斜侧面的倾斜度由余弦函数确定，所以能够利用已知的函数。
另外，本发明的实施方式的被成膜基板优选：当设上述蒸镀膜的除上述倾斜侧面以外的部分的最大膜厚为H0、上述倾斜侧面的上述规定方向上的宽度为B、且在从上述倾斜侧面的上述部分侧的端部向相反侧沿着上述规定方向离开x的位置上的上述蒸镀膜的膜厚为H（x）时，H（x）由式1表示。
[式1]
H ( x ) = H 0 2 { cos ( π B x ) + 1 } …式（1）
根据上述的结构，由于倾斜侧面的倾斜度由略余弦函数确定，所以能够利用已知的函数。
另外，本发明的实施方式的被成膜基板优选至少一个上述蒸镀膜的一个上述倾斜侧面与形成有该蒸镀膜的蒸镀区域的相邻的蒸镀区域重叠。
根据上述的结构，由于蒸镀膜相对于被成膜基板在规定方向偏移，所以对于蒸镀膜，其一侧的倾斜侧面与蒸镀区域的相邻的蒸镀区域重叠，但由于是倾斜侧面，所以能够降低混色程度。
另外，本发明的实施方式的被成膜基板中，上述蒸镀膜覆盖其对应的上述蒸镀区域的整体。
根据上述的结构，由于蒸镀膜覆盖与对应的蒸镀区域的整体，所以能够防止在蒸镀区域发生蒸镀膜的欠缺和短路。
另外，本发明的实施方式的有机EL显示装置优选：使用上述被成膜基板，在上述被成膜基板上至少依次设置第一电极、包含发光层的有机层和第二电极，上述有机层的至少一层为上述蒸镀膜。
根据上述的结构，能够实现对上述有机层的至少一层发挥上述被成膜基板的效果的有机EL显示装置。
产业利用可能性
本发明的蒸镀方法和蒸镀装置，例如，能够很好应用于在有机EL显示装置中有机层的分涂形成等的成膜工艺中使用的有机EL显示装置的制造装置和制造方法等。进一步，本发明的蒸镀方法和蒸镀装置，也能够应用于制造因图案形成的膜偏离而影响其他区域那样的被成膜基板的情况。
附图标记说明
1      有机EL显示装置
2      像素
2R、2G、2B子像素
10     TFT基板（被成膜基板）
20     有机EL元件
23R、23G、23B发光层（有机层、蒸镀膜）
23s    倾斜侧面
23t    平坦部分
80     掩模单元
81     荫罩（蒸镀掩模）
86     射出口
86x    喷嘴开口长
86y    喷嘴开口宽
210    显示区域
210s   入射角被限制的区域
210s1、210s2区域210s的端部
211    蒸镀膜
H       平坦部分的膜厚
B       倾斜侧面的宽度
NA、NB有效范围
x       沿着基板扫描方向上的方向
y     沿着与基板扫描方向正交的方向上的方向（规定方向）

Claims (13)

1.一种被成膜基板，其在排列于规定方向上的多个蒸镀区域中的各个蒸镀区域形成有蒸镀膜，该被成膜基板的特征在于：
所述蒸镀膜在所述规定方向上的两侧具有相对于所述被成膜基板的法线方向倾斜的倾斜侧面，
所述蒸镀膜的所述规定方向上的宽度大于所述蒸镀区域的所述规定方向上的宽度与所述各蒸镀区域间的区域的所述规定方向上的宽度之和。
2.如权利要求1所述的被成膜基板，其特征在于：
除所述倾斜侧面以外的所述蒸镀膜的所述规定方向上的宽度为所述蒸镀区域的所述规定方向上的宽度以上。
3.如权利要求1或者2所述的被成膜基板，其特征在于：
所述倾斜侧面的所述规定方向上的宽度为所述各蒸镀区域间的区域的所述规定方向上的宽度以下。
4.如权利要求1至3中任一项所述的被成膜基板，其特征在于：
所述蒸镀膜的所述规定方向上的中心与所述蒸镀区域的所述规定方向上的中心在所述规定方向上的最大偏移量，为所述各蒸镀区域间的区域的所述规定方向上的宽度的1/2倍的长度以上。
5.如权利要求1至4中任一项所述的被成膜基板，其特征在于：
当设所述倾斜侧面的所述规定方向上的宽度为B、且所述蒸镀膜的除所述倾斜侧面以外的部分的最大膜厚为H时，所述倾斜侧面的倾斜度H/B为1/200以下。
6.如权利要求1至5中任一项所述的被成膜基板，其特征在于：
所述倾斜侧面的倾斜度在该倾斜侧面的所述规定方向上的中央为最大，在该倾斜侧面的所述规定方向上的两端变得比所述中央的倾斜度平缓。
7.如权利要求6所述的被成膜基板，其特征在于：
当设所述倾斜侧面的所述规定方向上的宽度为B、且所述蒸镀膜的除所述倾斜侧面以外的部分的最大膜厚为H时，所述倾斜侧面的倾斜度H/B为（π/2）×1/200以下。
8.如权利要求6所述的被成膜基板，其特征在于：
所述倾斜侧面的倾斜度由余弦函数规定。
9.如权利要求8所述的被成膜基板，其特征在于：
当设所述蒸镀膜的除所述倾斜侧面以外的部分的最大膜厚为H0、所述倾斜侧面的所述规定方向上的宽度为B、且在从所述倾斜侧面的所述部分侧的端部向相反侧沿着所述规定方向离开x的位置上的所述蒸镀膜的膜厚为H（x）时，H（x）由式1表示，
H ( x ) = H 0 2 { cos ( π B x ) + 1 } …式（1）。
10.如权利要求1至9中任一项所述的被成膜基板，其特征在于：
至少一个所述蒸镀膜的一个所述倾斜侧面与形成有该蒸镀膜的蒸镀区域的相邻的蒸镀区域重叠。
11.如权利要求1至10中任一项所述的被成膜基板，其特征在于：
所述蒸镀膜覆盖其对应的所述蒸镀区域的整体。
12.一种有机EL显示装置，其特征在于：
使用权利要求1至11中任一项所述的被成膜基板，
在所述被成膜基板上至少依次具备第一电极、包含发光层的有机层和第二电极，
所述有机层的至少一层为所述蒸镀膜。
13.一种蒸镀方法，其是在被成膜基板的排列于规定方向上的多个蒸镀区域中的各个蒸镀区域形成蒸镀膜的蒸镀方法，其特征在于，包括：
准备掩模单元的准备工序，所述掩模单元包括具有与所述蒸镀区域对应的开口部的蒸镀掩模和与所述蒸镀掩模相对配置的蒸镀源；
对位工序，使所述蒸镀掩模与所述被成膜基板之间的规定方向上的相对位置关系一致；和
形成工序，使来自所述蒸镀源的蒸镀颗粒经所述开口部蒸镀在所述被成膜基板上，从而在所述蒸镀区域形成所述蒸镀膜，
在所述形成工序中，所述蒸镀膜形成为：覆盖该倾斜侧面对应的所述蒸镀区域，并且在该倾斜侧面的所述规定方向上的两侧具有相对于所述被成膜基板的法线方向倾斜的倾斜侧面，所述蒸镀膜的所述规定方向上的宽度大于所述蒸镀区域的所述规定方向上的宽度与所述各蒸镀区域间的区域的所述规定方向上的宽度之和。
CN201280005736.7A 2011-01-19 2012-01-13 被成膜基板、有机el显示装置和蒸镀方法 Expired - Fee Related CN103314464B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011009182 2011-01-19
JP2011-009182 2011-01-19
PCT/JP2012/050616 WO2012099019A1 (ja) 2011-01-19 2012-01-13 被成膜基板、有機ｅｌ表示装置および蒸着方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103314464A true CN103314464A (zh) 2013-09-18
CN103314464B CN103314464B (zh) 2016-05-25

Family

ID=46515647

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201280005736.7A Expired - Fee Related CN103314464B (zh) 2011-01-19 2012-01-13 被成膜基板、有机el显示装置和蒸镀方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8907445B2 (zh)
JP (1) JPWO2012099019A1 (zh)
KR (1) KR101548841B1 (zh)
CN (1) CN103314464B (zh)
TW (1) TWI535870B (zh)
WO (1) WO2012099019A1 (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103864009A (zh) * 2014-03-11 2014-06-18 中国电子科技集团公司第五十五研究所 利用介质膜掩膜板实现具有斜坡状边缘金属薄膜图形方法
CN103864008A (zh) * 2014-03-10 2014-06-18 中国电子科技集团公司第五十五研究所 采用硅片作为掩膜版控制薄膜沉积形貌的工艺方法
CN108130519A (zh) * 2018-01-31 2018-06-08 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 一种基板支撑结构及蒸镀设备
CN112442655A (zh) * 2019-08-10 2021-03-05 佳能特机株式会社 掩模对准方法、成膜方法、掩模对准装置及成膜装置

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101959975B1 (ko) * 2012-07-10 2019-07-16 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
JP2014088594A (ja) * 2012-10-30 2014-05-15 V Technology Co Ltd 蒸着マスク
JP2015069806A (ja) * 2013-09-27 2015-04-13 株式会社ジャパンディスプレイ 有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法
US9978812B2 (en) 2014-01-14 2018-05-22 Sharp Kabushiki Kaisha Organic electroluminescent display panel
US20170104158A1 (en) * 2014-06-05 2017-04-13 Sharp Kabushiki Kaisha Vapor deposition method and vapor deposition apparatus
KR102352280B1 (ko) * 2015-04-28 2022-01-18 삼성디스플레이 주식회사 마스크 프레임 조립체 제조 장치 및 이를 이용한 마스크 프레임 조립체 제조 방법
JP6329711B1 (ja) * 2017-07-05 2018-05-23 堺ディスプレイプロダクト株式会社 有機ｅｌ表示装置および有機ｅｌ表示装置の製造方法
US11145844B2 (en) 2019-02-27 2021-10-12 Int Tech Co., Ltd. Method for manufacturing electroluminescent device

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050174044A1 (en) * 2004-02-06 2005-08-11 Canon Kabushiki Kaisha Organic EL element array
CN1703119A (zh) * 2004-05-28 2005-11-30 奥博特瑞克斯株式会社 有机el显示器件的基板和有机el显示器件

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3401356B2 (ja) 1995-02-21 2003-04-28 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルとその製造方法
US5688551A (en) 1995-11-13 1997-11-18 Eastman Kodak Company Method of forming an organic electroluminescent display panel
JPH10102237A (ja) 1996-09-25 1998-04-21 Casio Comput Co Ltd 電極形成方法
US5937272A (en) * 1997-06-06 1999-08-10 Eastman Kodak Company Patterned organic layers in a full-color organic electroluminescent display array on a thin film transistor array substrate
JP3019095B1 (ja) 1998-12-22 2000-03-13 日本電気株式会社 有機薄膜ｅｌデバイスの製造方法
EP1328341A1 (en) 2000-09-22 2003-07-23 General Electric Company Combinatorial coating systems and methods
US20030168013A1 (en) 2002-03-08 2003-09-11 Eastman Kodak Company Elongated thermal physical vapor deposition source with plural apertures for making an organic light-emitting device
US20050211172A1 (en) 2002-03-08 2005-09-29 Freeman Dennis R Elongated thermal physical vapor deposition source with plural apertures
JP4266648B2 (ja) * 2003-01-21 2009-05-20 三洋電機株式会社 エレクトロルミネッセンス表示装置
JP4479704B2 (ja) * 2006-08-31 2010-06-09 凸版印刷株式会社 液晶表示装置用カラーフィルター及びそれを用いた液晶表示装置
JP5595678B2 (ja) * 2009-06-18 2014-09-24 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
US9458532B2 (en) * 2009-09-15 2016-10-04 Sharp Kabushiki Kaisha Vapor deposition method and vapor deposition apparatus
WO2012053402A1 (ja) * 2010-10-19 2012-04-26 シャープ株式会社 蒸着装置、蒸着方法、並びに、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法
CN103270815B (zh) * 2010-12-27 2015-11-25 夏普株式会社 蒸镀方法、蒸镀膜和有机电致发光显示装置的制造方法
KR101539874B1 (ko) * 2011-01-18 2015-07-27 샤프 가부시키가이샤 피성막 기판, 유기 el 표시 장치
WO2012099010A1 (ja) * 2011-01-20 2012-07-26 シャープ株式会社 被成膜基板、有機ｅｌ表示装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050174044A1 (en) * 2004-02-06 2005-08-11 Canon Kabushiki Kaisha Organic EL element array
CN1703119A (zh) * 2004-05-28 2005-11-30 奥博特瑞克斯株式会社 有机el显示器件的基板和有机el显示器件

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103864008A (zh) * 2014-03-10 2014-06-18 中国电子科技集团公司第五十五研究所 采用硅片作为掩膜版控制薄膜沉积形貌的工艺方法
CN103864008B (zh) * 2014-03-10 2016-01-20 中国电子科技集团公司第五十五研究所 采用硅片作为掩膜版控制薄膜沉积形貌的工艺方法
CN103864009A (zh) * 2014-03-11 2014-06-18 中国电子科技集团公司第五十五研究所 利用介质膜掩膜板实现具有斜坡状边缘金属薄膜图形方法
CN103864009B (zh) * 2014-03-11 2016-08-24 中国电子科技集团公司第五十五研究所 利用介质膜掩膜板实现具有斜坡状边缘金属薄膜图形方法
CN108130519A (zh) * 2018-01-31 2018-06-08 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 一种基板支撑结构及蒸镀设备
CN112442655A (zh) * 2019-08-10 2021-03-05 佳能特机株式会社 掩模对准方法、成膜方法、掩模对准装置及成膜装置
CN112442655B (zh) * 2019-08-10 2023-10-31 佳能特机株式会社 掩模对准方法、成膜方法、掩模对准装置及成膜装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN103314464B (zh) 2016-05-25
WO2012099019A1 (ja) 2012-07-26
KR101548841B1 (ko) 2015-08-31
US8907445B2 (en) 2014-12-09
TW201235488A (en) 2012-09-01
US20130299810A1 (en) 2013-11-14
TWI535870B (zh) 2016-06-01
JPWO2012099019A1 (ja) 2014-06-09
KR20130111626A (ko) 2013-10-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103314464B (zh) 被成膜基板、有机el显示装置和蒸镀方法
CN103329622B (zh) 被成膜基板、制造方法和有机el显示装置
CN103168114B (zh) 蒸镀装置、蒸镀方法和有机电致发光显示装置的制造方法
CN103270815B (zh) 蒸镀方法、蒸镀膜和有机电致发光显示装置的制造方法
CN103299712B (zh) 被成膜基板和有机el显示装置
CN103340012B (zh) 被成膜基板、有机el显示装置
CN103238375A (zh) 蒸镀方法、蒸镀装置和有机el显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20160525

Termination date: 20220113