CN103280787A - 防静电电路 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种防静电电路，包括PMOS管Q1和NMOS管Q2，所述的PMOS管Q1的源极连接电源线，NMOS管Q2的源极连接地线，PMOS管Q1和NMOS管Q2的漏极一起连接到终端的IO端口，PMOS管Q1和NMOS管Q2两者的源极之间连接有一个二极管D，PMOS管Q1的漏极和栅极之间连接有一个衬底电容C1，NMOS管Q2的漏极和栅极之间连接有一衬底电容C2。本发明的有益效果是：本电路不仅能够提供ESD防护电路所需要的4条静电泄放通路，还具有结构简单、成本低的优点。

Description

防静电电路
技术领域
本发明涉及到一种防护电路，特别是涉及一种防静电电路。
背景技术
卡片式终端的ESD防护电路需要提供4条静电泄放通路，即从电源线到端口，端口到电源线，地线到端口，端口到地线，现有的静电防护电路太过于复杂，成本太高。
发明内容
本发明的目的在于克服上述现有技术的缺点和不足，提供了一种防静电电路，克服现有静电防护电路结构复杂、成本高的缺陷。
本发明的目的通过下述技术方案实现：防静电电路，包括PMOS管Q1和NMOS管Q2，所述的PMOS管Q1的源极连接电源线，NMOS管Q2的源极连接地线，PMOS管Q1和NMOS管Q2的漏极一起连接到终端的IO端口，PMOS管Q1和NMOS管Q2两者的源极之间连接有一个二极管D，PMOS管Q1的漏极和栅极之间连接有一个衬底电容C1，NMOS管Q2的漏极和栅极之间连接有一衬底电容C2。
本电路的工作原理是：进行ESD测试时，如果电源线接地，IO端口加正ESD电压，ESD静电电流从PMOS管Q1的衬底寄生电容C1处直接流走；IO端口加负ESD电压，则ESD静电电流依次流过NMOS管Q2,二极管D和PMOS管Q1。如果地线接地时，IO端口加正ESD电压，ESD静电电流依次流过PMOS管Q1，二极管D，NMOS管Q2；IO端口加负电压，则ESD静电电流通过NMOS的衬底寄生电容C2流走。
进一步，上述的PMOS管Q1的栅极和源极之间连接有一个保护电阻R1，所述的PMOS管Q2的栅极和源极之间连接有一个保护电阻R2，所述的PMOS管Q1、NMOS管Q2的漏极与IO端口的之间设置有一个保护电阻R3，保护电阻R1、R2、R3都为防护作用，防止MOS管烧坏。
本发明的有益效果是：本电路不仅能够提供ESD防护电路所需要的4条静电泄放通路，还具有结构简单、成本低的优点。
附图说明
图1 为本发明的结构示意图。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步的详细说明，但是本发明的结构不仅限于以下实施例：
【实施例】
如图1所示，防静电电路，包括PMOS管Q1和NMOS管Q2，所述的PMOS管Q1的源极连接电源线，NMOS管Q2的源极连接地线，PMOS管Q1和NMOS管Q2的漏极一起连接到终端的IO端口，PMOS管Q1和NMOS管Q2两者的源极之间连接有一个二极管D，PMOS管Q1的漏极和栅极之间连接有一个衬底电容C1，NMOS管Q2的漏极和栅极之间连接有一衬底电容C2。
本电路的工作原理是：进行ESD测试时，如果电源线接地，IO端口加正ESD电压，ESD静电电流从PMOS管Q1的衬底寄生电容C1处直接流走；IO端口加负ESD电压，则ESD静电电流依次流过NMOS管Q2,二极管D和PMOS管Q1。如果地线接地时，IO端口加正ESD电压，ESD静电电流依次流过PMOS管Q1，二极管D，NMOS管Q2；IO端口加负电压，则ESD静电电流通过NMOS的衬底寄生电容C2流走。
本实施例中，PMOS管Q1的栅极和源极之间连接有一个保护电阻R1，所述的PMOS管Q2的栅极和源极之间连接有一个保护电阻R2，所述的PMOS管Q1、NMOS管Q2的漏极与IO端口的之间设置有一个保护电阻R3，保护电阻R1、R2、R3都为防护作用，防止MOS管烧坏。

Claims (4)

1.防静电电路，其特征在于，包括PMOS管Q1和NMOS管Q2，所述的PMOS管Q1的源极连接电源线，NMOS管Q2的源极连接地线，PMOS管Q1和NMOS管Q2的漏极一起连接到终端的IO端口，PMOS管Q1和NMOS管Q2两者的源极之间连接有一个二极管D，PMOS管Q1的漏极和栅极之间连接有一个衬底电容C1，NMOS管Q2的漏极和栅极之间连接有一衬底电容C2。
2.根据权利要求1所述的静电防护电路，其特征在于，所述的PMOS管Q1的栅极和源极之间连接有一个保护电阻R1。
3.根据权利要求1所述的静电防护电路，其特征在于，所述的PMOS管Q2的栅极和源极之间连接有一个保护电阻R2。
4.根据权利要求1所述的静电防护电路，其特征在于，所述的PMOS管Q1、NMOS管Q2的漏极与IO端口的之间设置有一个保护电阻R3。
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