CN103280787A - 防静电电路 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种防静电电路,包括PMOS管Q1和NMOS管Q2,所述的PMOS管Q1的源极连接电源线,NMOS管Q2的源极连接地线,PMOS管Q1和NMOS管Q2的漏极一起连接到终端的IO端口,PMOS管Q1和NMOS管Q2两者的源极之间连接有一个二极管D,PMOS管Q1的漏极和栅极之间连接有一个衬底电容C1,NMOS管Q2的漏极和栅极之间连接有一衬底电容C2。本发明的有益效果是:本电路不仅能够提供ESD防护电路所需要的4条静电泄放通路,还具有结构简单、成本低的优点。
Description
技术领域
本发明涉及到一种防护电路,特别是涉及一种防静电电路。
背景技术
卡片式终端的ESD防护电路需要提供4条静电泄放通路,即从电源线到端口,端口到电源线,地线到端口,端口到地线,现有的静电防护电路太过于复杂,成本太高。
发明内容
本发明的目的在于克服上述现有技术的缺点和不足,提供了一种防静电电路,克服现有静电防护电路结构复杂、成本高的缺陷。
本发明的目的通过下述技术方案实现:防静电电路,包括PMOS管Q1和NMOS管Q2,所述的PMOS管Q1的源极连接电源线,NMOS管Q2的源极连接地线,PMOS管Q1和NMOS管Q2的漏极一起连接到终端的IO端口,PMOS管Q1和NMOS管Q2两者的源极之间连接有一个二极管D,PMOS管Q1的漏极和栅极之间连接有一个衬底电容C1,NMOS管Q2的漏极和栅极之间连接有一衬底电容C2。
本电路的工作原理是:进行ESD测试时,如果电源线接地,IO端口加正ESD电压,ESD静电电流从PMOS管Q1的衬底寄生电容C1处直接流走;IO端口加负ESD电压,则ESD静电电流依次流过NMOS管Q2,二极管D和PMOS管Q1。如果地线接地时,IO端口加正ESD电压,ESD静电电流依次流过PMOS管Q1,二极管D,NMOS管Q2;IO端口加负电压,则ESD静电电流通过NMOS的衬底寄生电容C2流走。
进一步,上述的PMOS管Q1的栅极和源极之间连接有一个保护电阻R1,所述的PMOS管Q2的栅极和源极之间连接有一个保护电阻R2,所述的PMOS管Q1、NMOS管Q2的漏极与IO端口的之间设置有一个保护电阻R3,保护电阻R1、R2、R3都为防护作用,防止MOS管烧坏。
本发明的有益效果是:本电路不仅能够提供ESD防护电路所需要的4条静电泄放通路,还具有结构简单、成本低的优点。
附图说明
图1 为本发明的结构示意图。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步的详细说明,但是本发明的结构不仅限于以下实施例:
【实施例】
如图1所示,防静电电路,包括PMOS管Q1和NMOS管Q2,所述的PMOS管Q1的源极连接电源线,NMOS管Q2的源极连接地线,PMOS管Q1和NMOS管Q2的漏极一起连接到终端的IO端口,PMOS管Q1和NMOS管Q2两者的源极之间连接有一个二极管D,PMOS管Q1的漏极和栅极之间连接有一个衬底电容C1,NMOS管Q2的漏极和栅极之间连接有一衬底电容C2。
本电路的工作原理是:进行ESD测试时,如果电源线接地,IO端口加正ESD电压,ESD静电电流从PMOS管Q1的衬底寄生电容C1处直接流走;IO端口加负ESD电压,则ESD静电电流依次流过NMOS管Q2,二极管D和PMOS管Q1。如果地线接地时,IO端口加正ESD电压,ESD静电电流依次流过PMOS管Q1,二极管D,NMOS管Q2;IO端口加负电压,则ESD静电电流通过NMOS的衬底寄生电容C2流走。
本实施例中,PMOS管Q1的栅极和源极之间连接有一个保护电阻R1,所述的PMOS管Q2的栅极和源极之间连接有一个保护电阻R2,所述的PMOS管Q1、NMOS管Q2的漏极与IO端口的之间设置有一个保护电阻R3,保护电阻R1、R2、R3都为防护作用,防止MOS管烧坏。
Claims (4)
1.防静电电路,其特征在于,包括PMOS管Q1和NMOS管Q2,所述的PMOS管Q1的源极连接电源线,NMOS管Q2的源极连接地线,PMOS管Q1和NMOS管Q2的漏极一起连接到终端的IO端口,PMOS管Q1和NMOS管Q2两者的源极之间连接有一个二极管D,PMOS管Q1的漏极和栅极之间连接有一个衬底电容C1,NMOS管Q2的漏极和栅极之间连接有一衬底电容C2。
2.根据权利要求1所述的静电防护电路,其特征在于,所述的PMOS管Q1的栅极和源极之间连接有一个保护电阻R1。
3.根据权利要求1所述的静电防护电路,其特征在于,所述的PMOS管Q2的栅极和源极之间连接有一个保护电阻R2。
4.根据权利要求1所述的静电防护电路,其特征在于,所述的PMOS管Q1、NMOS管Q2的漏极与IO端口的之间设置有一个保护电阻R3。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103618301A (zh) * | 2013-11-11 | 2014-03-05 | 成都市晶林电子技术有限公司 | 车载终端静电保护电路 |
CN103683257A (zh) * | 2013-11-28 | 2014-03-26 | 成都市宏山科技有限公司 | 一种高可靠性的静电防护电路 |
CN108206432A (zh) * | 2016-12-20 | 2018-06-26 | 北京小米移动软件有限公司 | 具有esd结构的数据接口 |
CN110768655A (zh) * | 2019-11-07 | 2020-02-07 | 苏州华芯微电子股份有限公司 | 基于高压输入及esd防护的gpio复用电路 |
CN112491020A (zh) * | 2020-11-16 | 2021-03-12 | 中国科学院微电子研究所 | 一种静电放电防护钳位电路 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5631793A (en) * | 1995-09-05 | 1997-05-20 | Winbond Electronics Corporation | Capacitor-couple electrostatic discharge protection circuit |
US6388850B1 (en) * | 1999-01-04 | 2002-05-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Gate-coupled ESD protection circuit without transient leakage |
CN101752849A (zh) * | 2008-12-11 | 2010-06-23 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 防静电保护电路 |
-
2013
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5631793A (en) * | 1995-09-05 | 1997-05-20 | Winbond Electronics Corporation | Capacitor-couple electrostatic discharge protection circuit |
US6388850B1 (en) * | 1999-01-04 | 2002-05-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Gate-coupled ESD protection circuit without transient leakage |
CN101752849A (zh) * | 2008-12-11 | 2010-06-23 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 防静电保护电路 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103618301A (zh) * | 2013-11-11 | 2014-03-05 | 成都市晶林电子技术有限公司 | 车载终端静电保护电路 |
CN103683257A (zh) * | 2013-11-28 | 2014-03-26 | 成都市宏山科技有限公司 | 一种高可靠性的静电防护电路 |
CN108206432A (zh) * | 2016-12-20 | 2018-06-26 | 北京小米移动软件有限公司 | 具有esd结构的数据接口 |
CN110768655A (zh) * | 2019-11-07 | 2020-02-07 | 苏州华芯微电子股份有限公司 | 基于高压输入及esd防护的gpio复用电路 |
WO2021088628A1 (zh) * | 2019-11-07 | 2021-05-14 | 苏州华芯微电子股份有限公司 | 基于高压输入及esd防护的gpio复用电路 |
CN110768655B (zh) * | 2019-11-07 | 2023-10-20 | 苏州华芯微电子股份有限公司 | 基于高压输入及esd防护的gpio复用电路 |
CN112491020A (zh) * | 2020-11-16 | 2021-03-12 | 中国科学院微电子研究所 | 一种静电放电防护钳位电路 |
CN112491020B (zh) * | 2020-11-16 | 2022-08-05 | 中国科学院微电子研究所 | 一种静电放电防护钳位电路 |
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