CN103258970A - 一种核壳型有机/硫化镉纳米线异质结阵列的制备方法 - Google Patents
一种核壳型有机/硫化镉纳米线异质结阵列的制备方法 Download PDFInfo
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Abstract
本发明公开了一种核壳型有机硫化镉半导体纳米线异质结及硫化镉纳米管的制备方法，利用物理气相沉积法生长单晶有机纳米线阵列，并以此高密度的有机纳米线阵列为模板，运用原子层沉积(ALD)技术在纳米线表层包裹生长硫化镉（CdS）壳层；通过控制有机纳米线类型和原子层沉积的工艺条件，可方便实现不同种类核壳型有机或无机异质结纳米结构阵列的可控制备；同时通过加热将核壳内有机纳米线蒸发能得到相应的中空无机纳米管阵列。本发明操作简单工艺简单，产物均匀，可控性高，可在原子层级别上控制异质结的形成；该方法制备得到的异质结纳米线以及纳米管阵列在太阳能电池、光开关和传感器等纳米电子、光电子领域具有着广阔的应用前景。
Description
技术领域
本发明涉及半导体纳米材料及其异质结制备领域，具体的涉及一种核壳型有机硫化镉半导体纳米线异质结及硫化镉纳米管阵列的制备方法。
背景技术
半导体异质结是各种光电子器件中的基本单元，具有广泛和重要的应用。异质结可以分成同型（p-p或n-n）和异型（p-n）异质结两种。传统的半导体异质结是由两或多部分因成分调制而带隙或导电类型不同的单晶半导体组合而成，它可以根据需要被设计成具有p-n、p-n-p、n-p-n、p-i-n或p-i-p等各种异质结构。信息技术的飞速发展对电子、光电子器件的小型化和集成度的要求越来越高，大规模集成电路的单个器件尺寸已经进入亚微米甚至纳米级别。作为实现纳米尺寸器件集成的前提和基础，如何在纳米尺寸范围内构筑纳米p-n结，则成为亟待解决的问题。
有机/无机杂化纳米材料因其可以通过有效的复合实现有机/无机材料的协同作用，获得单个组分材料所不具备的高性能，从而成为材料科学界研究的热点领域之一。无机材料性能优越，但其组分单一，不易调控。而有机半导体材料种类繁多，其不但具有良好的机械柔韧性和宽光谱的性质，有机半导体材料的分子构型和能级结构还可以通过对分子的设计与合成进行灵活的调控。相比于传统的无机半导体异质结纳米结构，有机/无机杂化纳米异质结构结合了无机半导体材料良好的稳定性和优良的电子传输性能，以及有机半导体易于通过化学修饰来调控性能的优点，因此有望展现出更优越的性能。通过对有机/无机杂化纳米异质结的研究不但能深化对无机、有机纳米材料的认识，还有利于开发出新的有机/无机杂化纳米器件。
到目前为止，国际上关于有机/无机异质结纳米线的报道比较少，近年来报道的制备有机/无机异质结的制备方法几乎大部分集中在利用AAO（多孔氧化铝）为模板，通过电化学沉积的方法依次将无机和有机纳米线沉积到AAO纳米孔洞中，从而实现有机/无机异质结纳米线的制备（Yanbing Guo, Qingxin Tang, Huibiao Liu, Yajie Zhang, Yuliang Li, Wenping Hu, Shu Wang, and Daoben Zhu，Light-Controlled Organic/Inorganic P -N Junction Nanowires，J. AM. CHEM. SOC. 2008 , 130 , 9198–9199. Yanbing Guo, Huibiao Liu, Yongjun Li,Guoxing Li,Yingjie Zhao,Yinglin Song,and Yuliang Li, Controlled Core-Shell Structure for Efficiently Enhancing Field-Emission Properties of Organic-Inorganic Hybrid Nanorods, J. Phys. Chem. C, 2009, 113, 12669–12673. Dezhong Zhang,Liang Luo,Qing Liao,Hao Wang,Hongbing Fu,and Jianniao Yao, Polypyrrole/ZnS Core/Shell Coaxial Nanowires Prepared by Anodic Aluminum Oxide Template Methods, J. Phys. Chem. C， 2011, 115, 2360 –2365）。然而上面提到的合成方法受限于AAO模板的尺寸，产量少，且进一步应用时还得溶解掉氧化铝模板，有机溶剂的引入不可避免对有机纳米线的晶体质量带来损害，这种方法的可控性较差，难以精确调控有机/无机异质结纳米线的结构。
发明内容
为克服现有技术中的不足，本发明提供一种核壳型有机硫化镉半导体纳米线异质结及硫化镉纳米管阵列的制备方法。
为实现上述技术目的，达到上述技术效果，本发明通过以下技术方案实现：
一种核壳型有机硫化镉半导体纳米线异质结及硫化镉纳米管阵列的制备方法，以高密度有机纳米线阵列为模板，通过原子层沉积（ALD）首先在纳米线表面修饰一层Al2O3过渡层，再在此过渡层上沉积CdS壳层，形成表面光滑的有机/无机纳米线异质结阵列，然后再通过一定温度下将核壳结构中有机纳米线蒸发，还可以方便得到中空CdS纳米管阵列。
其具体步骤如下：
1）采用物理气相沉积方法，生长高密度的有机纳米线阵列；
2）以步骤（1）生长的高密度有机纳米线阵列为模板，采用原子层沉积方法生长若干纳米厚的Al2O3过渡层；
3）将步骤（2）所制备的样品，采用原子层沉积方法在其表面可控沉积CdS壳层；
4）通过改变不同的有机纳米线和更换原子层沉积使用的前驱体，实现不同种类的有机/无机异质结纳米结构的可控制备；
5）通过将步骤(4)制备的有机/无机核壳结构纳米线阵列在一定温度加热，蒸发内层的有机纳米线，获得中空无机纳米管阵列。
进一步的，所述步骤（1）中的有机半导体化合物为酞菁铜（CuPc）或苝四甲酸二酐(PTCDA)；所述物理气相沉积的生长酞菁铜纳米线阵列的条件是：按照气流的流动方向将装有适量酞菁铜粉末的瓷舟放入真空管式炉的高温区并将镀有6nm Au颗粒膜的硅衬底放入所述真空管式炉中的低温区，距离高温区中心大概1O-20cm 处。然后启动机械泵抽真空，使所述真空管式炉的炉腔内真空度在1 Pa以下，再往石英管中通入惰性气体，保持气体流速为30-60sccm;当石英管中完全处惰性气体氛围时，在维持惰性气体通入的同时，控制管式炉按20℃/min速率升温至415℃，并恒温10min使反应充分进行，然后***自然冷却至室温，在硅片的表面上可以得到蓝色的酞菁铜纳米线阵列。
进一步的，所述物理气相沉积的生长苝四甲酸二酐纳米线阵列的条件是：按照气流的流动方向将装有适量苝四甲酸二酐粉末的瓷舟放入真空管式炉的高温区；并将清洗干净的硅衬底放入所述真空管式炉中的低温区，距离高温区中心大概1O-20cm 处；启动机械泵抽真空，使所述真空管式炉的炉腔内真空度在1 Pa以下，然后在石英管中通入惰性气体，气体流速为30-60sccm;当石英管中完全处惰性气体氛围时，在保持惰性气体流入的同时，控制管式炉按20℃/min速率升温至415℃，并恒温30min使反应充分进行，然后***自然冷却降温，在硅片的表面上可以得到红色的苝四甲酸二酐纳米线阵列。
进一步的，所述步骤（2）中的Al2O3过渡层的原子层沉积方法的生长条件是：压缩空气压强为2-5MPa，载气压强为0.1-0.3MPa，腔体生长温度为150℃,载气流量为20sccm，前驱体三甲基铝的脉冲时间为0.015s，第一次载气吹扫时间为10s，前驱体水的脉冲时间为0.015s，第二次载气吹扫时间为10s，前驱体在有机纳米线表面化学吸附并发生化学反应而形成所述Al2O3过渡层。
进一步的，所述步骤（3）中的CdS壳层的原子层沉积方法的生长条件是：压缩空气压强为2-5MPa，载气压强为0.1-0.3MPa，前驱体硫代乙酰胺需要与加热到120℃，腔体生长温度为150℃，生长腔内载气流量为20sccm，前驱体二甲基镉的脉冲时间为0.015s，第一次载气吹扫时间为10s，前驱体硫代乙酰胺的脉冲时间为0.015s，第二次载气吹扫时间为10s，CdS前驱体再修饰有Al2O3钝化层的酞菁铜纳米线上化学吸附并发生化学反应，最终在其表面形成CdS壳层。
与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：
纳米线异质结生长过程中有效的避免了引入有机溶剂可能对有机纳米线晶体质量带来的影响，并且能从原子级别上精确控制纳米线异质结的合成。通过改变不同的有机纳米线模板和更换原子层沉积的前驱体，实现不同种类的有机/无机异质结纳米结构的可控制备。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。本发明的具体实施方式由以下实施例及其附图详细给出。
附图说明
图1为发明实例1制备得到的CuPc纳米线阵列的光学照片；
图2为发明实例1制备得到的CuPc纳米线阵列的扫描电镜图；
图3为发明实例1制备得到的CdS-CuPc异质结纳米线阵列的扫描电镜图；
图4为发明实例1制备得到的CdS-CuPc异质结纳米线的透射电镜图；
图5为发明实例1制备得到的CdS-CuPc异质结纳米线的径向X射线能量色散谱图；
图6为发明实例2制备得到的PTCDA纳米线阵列的光学照片；
图7为发明实例2制备得到的PTCDA纳米线阵列的扫描电镜图；
图8为发明实例2制备得到的CdS-PTCDA异质结纳米线的扫描电镜图；
图9为发明实例2制备得到的CdS-PTCDA异质结纳米线的透射电镜图。
具体实施方式
下面将参考附图并结合实施例，来详细说明本发明。
一种核壳型有机/硫化镉半导体纳米线异质结及硫化镉纳米管阵列的制备方法，以高密度有机纳米线阵列为模板，通过原子层沉积（ALD）首先在纳米线表面修饰一层Al2O3过渡层，再在此过渡层上沉积CdS壳层，形成表面光滑的有机/无机纳米线异质结阵列，然后再通过一定温度下将核壳结构中有机纳米线蒸发，还可以方便得到中空CdS纳米管阵列。
进一步的，所述以高密度有机纳米线阵列为模板，通过原子层沉积（ALD）在纳米线表面包裹生长无机壳层，通过加热蒸发有机纳米线可获得纳米管阵列，其具体步骤如下：
1）采用物理气相沉积方法，生长高密度的有机纳米线阵列；
2）以步骤（1）生长的高密度有机纳米线阵列为模板，采用原子层沉积方法生长若干纳米厚的Al2O3过渡层；
3）将步骤（2）所制备的样品，采用原子层沉积方法在其表面可控沉积CdS壳层；
4）通过改变不同的有机纳米线和更换原子层沉积使用的前驱体，实现不同种类的有机/无机异质结纳米结构的可控制备；
5）通过将步骤(4)制备的有机/无机核壳结构纳米线阵列在一定温度加热，蒸发内层的有机纳米线，获得中空无机纳米管阵列,硫化镉纳米管的管内径可由有机纳米线的直径和Al2O3过渡层层厚度控制。
进一步的，所述步骤（1）中的有机半导体化合物为酞菁铜（CuPc）或苝四甲酸二酐(PTCDA)所述物理气相沉积的生长酞菁铜纳米线阵列的条件是：按照气流的流动方向将装有适量酞菁铜粉末的瓷舟放入真空管式炉的高温区并将镀6nmAu的硅衬底放入所述真空管式炉中的低温区，距离高温区中心大概1O-20cm 处启动机械泵抽真空，使所述真空管式炉的炉腔内真空度在1 Pa以下，然后在石英管中通入惰性气体，气体流速为30-60sccm;当石英管中完全处惰性气体氛围时，在保持惰性气体流入的同时，控制管式炉按20℃/min速率升温至415℃，然后恒温10min使反应充分进行，然后***自然冷却降温，在硅片的基面上得到蓝色的酞菁铜纳米线阵列。
进一步的，所述物理气相沉积的生长苝四甲酸二酐纳米线阵列的条件是：按照气流的流动方向将装有适量苝四甲酸二酐粉末的瓷舟放入真空管式炉的高温区；并将清洗干净的硅衬底放入所述真空管式炉中的低温区，距离高温区中心大概1O-20cm 处；启动机械泵抽真空，使所述真空管式炉的炉腔内真空度在1 Pa以下，然后在石英管中通入惰性气体，气体流速为30-60sccm;当石英管中完全处惰性气体氛围时，在保持惰性气体流入的同时，控制管式炉按20℃/min速率升温至415℃，然后恒温30min使反应充分进行，然后***自然冷却降温，在硅片的基面上得到红色的苝四甲酸二酐纳米线阵列。
进一步的，所述步骤（2）中的Al2O3过渡层的原子层沉积方法的生长条件是：压缩空气压强为2-5MPa，载气压强为0.1-0.3MPa，腔体生长温度为150℃,载气流量为20sccm，前驱体三甲基铝的脉冲时间为0.015s，第一次载气吹扫时间为10s，前驱体水的脉冲时间为0.015s，第二次载气吹扫时间为10s，前驱体在有机纳米线表面化学吸附并发生化学反应而形成所述Al2O3过渡层。
进一步的，所述步骤（3）中的CdS壳层的原子层沉积方法的生长条件是：压缩空气压强为2-5MPa，载气压强为0.1-0.3MPa，前驱体硫代乙酰胺需要与加热到120℃，腔体生长温度为150℃，生长腔内载气流量为20sccm，前驱体二甲基镉的脉冲时间为0.015s，第一次载气吹扫时间为10s，前驱体硫代乙酰胺的脉冲时间为0.015s，第二次载气吹扫时间为10s，CdS前驱体再修饰有Al2O3钝化层的酞菁铜纳米线上化学吸附并发生化学反应，最终在其表面形成CdS壳层。
实施例1：制备CdS-CuPc异质结纳米线
采用电子束蒸发工艺在硅片衬底上沉积6nm的金薄膜，以物理气相沉积法生长酞菁铜纳米线阵列。具体生长参数如下：按照气流的流动方向将装有酞菁铜粉末的瓷舟放入真空管式炉的高温区；并将镀6nmAu的硅衬底放入所述真空管式炉中的低温区，距离温区中心约1O-20cm；启动机械泵抽真空，使所述真空管式炉的炉腔内真空度在1Pa以下，然后在石英管中通入惰性气体，气体流速为30-60sccm；当石英管中完全处惰性气体氛围时，在保持惰性气体流入的同时；控制管式炉按20℃/min速率升温至415℃，然后恒温30min使反应充分进行；待***自然冷却至室温后，在硅片的基面上得到蓝色的酞菁铜纳米线阵列。
将产物直接从炉腔取出，从其光学照片（见图1）可以看到，沿温度降的方向，由高温的左边到低温的右边得到较大面积的产物且所得到的产物面积仅受限于真空腔的大小和在生长温区温度的差异。将所得到的一维纳米线阵列在SEM下观察（如图2(a,b）所示），可观察到长度为5微米左右的形貌均一的酞菁铜纳米线从金纳米颗粒上外延生长出来形成的阵列。
以原子层沉积方法生长Al2O3钝化层的具体生长参数如下：压缩空气压强为2-5MPa，载气压强为0.1-0.3MPa，腔体生长温度为150℃，载气流量为20sccm，前驱体三甲基铝的脉冲时间为0.015s，第一次载气吹扫时间为10s，前驱体水的脉冲时间为0.015s，第二次载气吹扫时间为10s。前驱体在纳米线表面化学吸附并发生化学反应而形成Al2O3钝化层。Al2O3钝化层的沉积速率为0.9A/cycle,生长2nmAl2O3钝化层需要23个循环。
以原子层沉积方法生长CdS壳层的具体生长参数如下：压缩空气压强为2-5MPa，载气压强为0.1-0.3MPa，前驱体硫代乙酰胺需要与加热到120℃，腔体生长温度为150℃，载气流量为20sccm，前驱体二甲基镉的脉冲时间为0.015s，第一次载气吹扫时间为10s，前驱体硫代乙酰胺的脉冲时间为0.015s，第二次载气吹扫时间为10s。CdS前驱体再修饰有Al2O3钝化层的酞菁铜纳米线上化学吸附并发生化学反应，最终在其表面形成CdS壳层。CdS壳层的沉积速率为0.85A/cycle,设定沉积的循环数800循环。
将产物直接从反应腔取出，将所得到的一维纳米线阵列在SEM下观察（如图3所示），可观察到一维酞菁铜纳米线阵列表面被CdS薄膜均匀的包裹着。从TEM（如图4(a,b）所示）图可以证实酞菁铜纳米线表面被CdS薄膜均匀的包裹着，且CdS薄膜呈多晶结构。X射线能量色散谱表征如图5(a,b）所示）进一步证明了本方法所制备的纳米线是以CuPc纳米线为内芯，表面包裹纳米CdS薄膜的核壳异质结构。
实施例2：制备CdS-PTCDA异质结纳米线
以物理气相沉积法生长苝四甲酸二酐纳米线阵列。具体生长参数如下：按照气流的流动方向将装有适量苝四甲酸二酐粉末的瓷舟放入真空管式炉的高温区；并将清洗干净的硅衬底放入所述真空管式炉中的低温区，距离温区中心约10-20cm；启动机械泵抽真空，使所述真空管式炉的炉腔内真空度在1Pa以下，然后在石英管中通入惰性气体，气体流速为30-60sccm；当石英管中完全处惰性气体氛围时，在保持惰性气体流入的同时，控制管式炉按20℃/min速率升温至415℃，然后恒温30min使反应充分进行；待***自然冷却至室温后，在硅片的基面上得到红色的苝四甲酸二酐纳米线阵列。
将产物直接从反应腔取出，从其光学照片（见图6）可以看到，沿温度降的方向，由高温的左边到低温的右边得到较大面积的产物且所得到的产物面积仅受限于真空腔的大小和在生长温区温度的差异。将所得到的一维纳米线阵列在SEM下观察（如图7(a,b）所示），可观察到长度为10微米左右的苝四甲酸二酐纳米线阵列从单晶硅衬底上外延生长出来形成。
以原子层沉积方法生长Al2O3钝化层的具体生长参数如下：压缩空气压强为2-5MPa，载气压强为0.1-0.3MPa，腔体生长温度为150℃，载气流量为20sccm，前驱体三甲基铝的脉冲时间为0.015s，第一次载气吹扫时间为10s，前驱体水的脉冲时间为0.015s，第二次载气吹扫时间为10s。前驱体在纳米线表面化学吸附并发生化学反应而形成Al2O3钝化层。Al2O3钝化层的沉积速率为0.9A/cycle,生长2nmAl2O3钝化层需要23个循环。
以原子层沉积方法生长CdS壳层的具体生长参数如下：压缩空气压强为2-5MPa，载气压强为0.1-0.3MPa，前驱体硫代乙酰胺需要与加热到120℃，腔体生长温度为150℃，载气流量为20sccm，前驱体二甲基镉的脉冲时间为0.015s，第一次载气吹扫时间为10s，前驱体硫代乙酰胺的脉冲时间为0.015s，第二次载气吹扫时间为10s。CdS前驱体再修饰有Al2O3钝化层的苝四甲酸二酐纳米线上化学吸附并发生化学反应，最终在其表面形成CdS壳层。CdS壳层的沉积速率为0.85A/cycle,设定沉积的循环数500循环。
将产物直接从反应腔取出，将所得到的一维纳米线阵列在SEM下观察（如图8(a,b）所示），可观察到一维苝四酰二酐纳米线阵列表面被CdS薄膜均匀的包裹着。从TEM（如图9(a,b）所示）图可以看出苝四甲酸二酐纳米线表面被CdS薄膜均匀包裹。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (6)
1.一种核壳型有机硫化镉半导体纳米线异质结及硫化镉纳米管阵列的制备方法，以高密度有机纳米线阵列为模板，通过原子层沉积（ALD）首先在纳米线表面修饰一层Al2O3过渡层，再在此过渡层上沉积CdS壳层，形成表面光滑的有机或无机纳米线异质结阵列，然后再通过一定温度下将核壳结构中有机纳米线蒸发，还可以方便得到中空CdS纳米管阵列。
2.根据权利要求1所述的核壳型有机硫化镉半导体纳米线异质结及硫化镉纳米管阵列的制备方法，其特征在于，所述以高密度有机纳米线阵列为模板，通过原子层沉积（ALD）在纳米线表面包裹生长无机壳层，通过加热蒸发有机纳米线可获得纳米管阵列，其具体步骤如下：
1）采用物理气相沉积方法，生长高密度的有机纳米线阵列；
2）以步骤（1）生长的高密度有机纳米线阵列为模板，采用原子层沉积方法生长若干纳米厚的Al2O3过渡层；
3）将步骤（2）所制备的样品，采用原子层沉积方法在其表面可控沉积CdS壳层；
4）通过改变不同的有机纳米线和更换原子层沉积使用的前驱体，实现不同种类的有机/无机异质结纳米结构的可控制备；
5）通过将步骤(4)制备的有机/无机核壳结构纳米线阵列在一定温度加热，蒸发内层的有机纳米线，获得中空无机纳米管阵列。
3.根据权利要求2所述的核壳型有机硫化镉半导体纳米线异质结及硫化镉纳米管阵列的制备方法，其特征在于，所述步骤（1）中的有机半导体化合物为酞菁铜（CuPc）或苝四甲酸二酐(PTCDA)所述物理气相沉积的生长酞菁铜纳米线阵列的条件是：按照气流的流动方向将装有适量酞菁铜粉末的瓷舟放入真空管式炉的高温区并将镀6nmAu的硅衬底放入所述真空管式炉中的低温区，距离高温区中心大概1O-20cm 处，随后启动机械泵抽真空，使所述真空管式炉的炉腔内真空度在1 Pa以下，再在石英管中通入惰性气体，气体流速为30-60sccm;当石英管中完全处于惰性气体氛围时，在保持惰性气体流入的同时，控制管式炉按20℃/min速率升温至415℃，并恒温10min使反应充分进行，然后自然冷却降温，在硅片的基面上得到蓝色的酞菁铜纳米线阵列。
4.根据权利要求2、3所述的核壳型有机硫化镉半导体纳米线异质结及硫化镉纳米管阵列的制备方法，其特征在于，所述物理气相沉积的生长苝四甲酸二酐纳米线阵列的条件是：按照气流的流动方向将装有适量苝四甲酸二酐粉末的瓷舟放入真空管式炉的高温区；并将清洗干净的硅衬底放入所述真空管式炉中的低温区，距离高温区中心大概1O-20cm 处，随后启动机械泵抽真空，使所述真空管式炉的炉腔内真空度在1 Pa以下，然后在石英管中通入惰性气体，气体流速为30-60sccm;当石英管中完全处惰性气体氛围时，在保持惰性气体流入的同时，控制管式炉按20℃/min速率升温至415℃，并恒温30min使反应充分进行，然后自然冷却降温，在硅片的基面上得到红色的苝四甲酸二酐纳米线阵列。
5.根据权利要求2所述的核壳型有机硫/化镉半导体纳米线异质结及硫化镉纳米管阵列的制备方法，其特征在于，所述步骤（2）中的Al2O3过渡层的原子层沉积方法的生长条件是：压缩空气压强为2-5MPa，载气压强为0.1-0.3MPa，腔体生长温度为150℃,载气流量为20sccm，前驱体三甲基铝的脉冲时间为0.015s，第一次载气吹扫时间为10s，前驱体水的脉冲时间为0.015s，第二次载气吹扫时间为10s，前驱体在有机纳米线表面化学吸附并发生化学反应而形成所述Al2O3过渡层。
6.根据权利要求2所述的核壳型有机硫化镉半导体纳米线异质结及硫化镉纳米管阵列的制备方法，其特征在于，所述步骤（3）中的CdS壳层的原子层沉积方法的生长条件是：压缩空气压强为2-5MPa，载气压强为0.1-0.3MPa，前驱体硫代乙酰胺需要加热到120℃，腔体生长温度为150℃，生长腔内载气流量为20sccm，前驱体二甲基镉的脉冲时间为0.015s，第一次载气吹扫时间为10s，前驱体硫代乙酰胺的脉冲时间为0.015s，第二次载气吹扫时间为10s，CdS前驱体在修饰有Al2O3钝化层的酞菁铜纳米线上化学吸附并发生化学反应，最终在其表面形成CdS壳层。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2012103469680A CN103258970A (zh) | 2012-09-19 | 2012-09-19 | 一种核壳型有机/硫化镉纳米线异质结阵列的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2012103469680A CN103258970A (zh) | 2012-09-19 | 2012-09-19 | 一种核壳型有机/硫化镉纳米线异质结阵列的制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103258970A true CN103258970A (zh) | 2013-08-21 |
Family
ID=48962776
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2012103469680A Pending CN103258970A (zh) | 2012-09-19 | 2012-09-19 | 一种核壳型有机/硫化镉纳米线异质结阵列的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103258970A (zh) |
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