CN103208449A - 晶圆在支撑座上对准的装置、方法及*** - Google Patents

Abstract

本发明是关于一种放置一晶圆于一可旋转吸盘支撑座上的装置、***及方法，以改善晶圆制造不同阶段中的晶圆光刻胶边缘移除宽度及轮廓的准确性。此装置、***和/或方法可以使用一个或多个晶圆位置计算器以计算该晶圆的该预期位置且提供给一晶圆传送手臂控制器；且晶圆传送手臂控制器与晶圆位置计算器沟通以提供根据该预期的晶圆位置而调整该晶圆与该支撑座的相对位置的信息。也可以使用许多不同的感应侦测器及感应光源或是其他的机制以感应一晶圆的位置。

Description

晶圆在支撑座上对准的装置、方法及***

技术领域

本发明是关于半导体晶圆的工艺，且更具体而言，是与在工艺中半导体晶圆与可旋转吸盘支撑座相对位置相关，以改善晶圆边缘厚度不均光刻胶移除(EBR)宽度精确性，并且降低在半导体工艺中光刻胶去除区在晶圆表面的非对称性。

背景技术

光刻胶层已广泛地使用在现今的集成电路工艺中。光刻胶层通常是在晶圆旋转时将光刻胶喷洒在晶圆表面。

图1显示光刻胶旋转涂布工艺的示意图。晶圆先放置在一可旋转吸盘的支撑座上。在旋转涂布工艺100的初期，在步骤101时光刻胶被喷洒在晶圆表面。在步骤103时光刻胶因为支撑座的(以及其上的晶圆)旋转而在晶圆表面散布开来。在步骤105时，支撑座及晶圆持续地旋转而使得在晶圆表面的光刻胶变得更薄。在步骤107时，光刻胶中的溶剂因为旋转而进一步被蒸发。在步骤109时，开始进行晶圆边缘厚度不均光刻胶移除(EBR)以及背面沾污清洗工艺。

图2显示晶圆205在进行晶圆边缘厚度不均光刻胶移除(EBR)以及背面沾污清洗工艺前的示意图。此晶圆205具有一光刻胶层203且此旋转涂布工艺在晶圆205边缘产生光刻胶厚度不均区201。此外，晶圆205背面也会形成一些光刻胶沾污物207。这些边缘厚度不均光刻胶是由旋转涂布工艺中的气流250在晶圆边际较大且气流紊乱所造成。背面沾污染物207是少许的光刻胶在旋转涂布的过程中溢流到晶圆背面所致。

图3A显示传统移除边缘厚度不均光刻胶(EBR)以及背面沾污清洗的装置300的示意图。晶圆305放置在一个具有支撑座315的旋转基座313上。分别位于旋转基座313上方及下方的边缘厚度不均光刻胶移除喷嘴311及背面沾污清洗喷嘴309被用来除去侧面边缘厚度不均光刻胶及背面沾染物。

图3B显示晶圆边缘厚度不均光刻胶移除工艺350的放大示意图。晶圆边缘厚度不均光刻胶移除喷嘴311用来移除晶圆305边缘的光刻胶层303。工艺350显示，晶圆边缘厚度不均光刻胶移除喷嘴311在水平方向上来回移动一次以移除晶圆305边缘的光刻胶层303。此晶圆305与晶圆边缘厚度不均光刻胶移除喷嘴311间的相对位置导致在晶圆305边缘光刻胶移除宽度的变动。

图4A及图4B分别显示边缘光刻胶移除宽度的变动的俯视示意图400、450。晶圆405放置在支撑座预期的对准(置中)位置上。如图中所示，在晶圆405的没有光刻胶403的移除宽度400A、B、C、D在晶圆边缘大致是相等的。因此，晶圆405上具有大致均匀的光刻胶403分布。相反的，晶圆455没有放置在支撑座预期的对准位置(中心稍微偏移)上。如图中所示，在晶圆405的没有光刻胶403的移除宽度450A、B、C、D在晶圆455边缘并不是相等的。移除宽度450A＞B＞C＞D。因此，晶圆455上具有不对称的光刻胶453分布。

图5显示在晶圆边缘的移除宽度的变动的俯视图。图形501显示在晶圆边缘移除宽度约为0.5mm。而图形503和505则分别显示在较大和较小的移除宽度。

在晶圆厚度不均光刻胶移除(EBR)工艺中许多不同的缺陷型态会导致光刻胶不对称的分布及移除宽度的变动。图6A显示可能的缺陷。在浸润光刻的工艺中，晶圆侧面边缘的缺陷可能在曝光的步骤中由晶圆侧边被带到晶圆内部，图6B显示可能的缺陷转移示意图。这些缺陷的任何一种都可能会影响半导体工艺的优良率及表现。

此外，许多不同的方案被用来解决粒子缺陷所产生的问题，例如使用涂布工艺晶边清洗(BEVEL rinse)方案，以及对于不同层次中不同形状及轮廓设计。

举例而言，图7A及图7B分别显示传统的侧面边缘厚度不均光刻胶移除(EBR)方案700及晶边清洗(BEVEL rinse)方案750。传统的侧面厚度不均光刻胶移除(EBR)方案700包括一晶圆705、底抗反射层(BARC)704、光刻胶层703及顶涂布层702。使用传统的厚度不均光刻胶移除(EBR)方案，这些层次被移除后在晶圆边缘会形成阶梯状轮廓。晶边清洗(BEVELrinse)方案750也包括一晶圆705、底抗反射层(BARC)704、光刻胶层703及顶涂布层702。而使用晶边清洗(BEVEL rinse)方案，这些层次被移除后在晶圆边缘会形成平缓的曲线轮廓。

图8显示使用的晶边清洗(BEVEL rinse)工艺的示意图。一第一晶边清洗(BEVEL rinse)工艺800包括一顶部涂布。上述晶边清洗(BEVELrinse)工艺相较于传统的晶边厚度不均光刻胶移除(EBR)方案可以减少约一半的粒子缺陷。

图9显示使用传统的方案与晶圆边缘清洗(BEVEL rinse)工艺在有顶涂布及没有顶涂布的缺陷密度分布比较图示900。在浸润光刻工艺中，使用侧面晶边清洗(BEVEL rinse)比使用传统的方案的缺陷密度显著地减少了，不论是在有顶涂布或没有顶涂布的情状下都是相同的结果。

最后，图10A、图10B及图10C分别显示三种晶圆边缘厚度不均光刻胶移除(EBR)方案的示意图1000、1050、1070。每一种方案都使用特定的晶边光刻胶、底抗反射层、顶部涂布边缘移除宽度设计，其精确的位置与轮廓设计可改善优良率及表现。因此，晶圆边缘移除宽度的准确性及轮廓在晶圆制造，尤其是浸润式光刻阶段及每一层次中的轮廓形成时就变得很重要。

因此，需要一种新的方案以在晶圆制造的不同阶段中改善晶圆边缘移除宽度的准确性及晶圆的轮廓。

发明内容

本发明是关于一种放置一晶圆于一支撑座上的装置及方法。

根据本发明的一目的，提供一种放置一晶圆于一支撑座上的装置，包括一种放置一晶圆于一支撑座上的装置；一感应侦测器在该支撑座的附近；其中该感应侦测器可以操作用来决定晶圆位置信息。

此装置也可以包括一晶圆位置计算器与该感应侦测器通信，其中该晶圆位置计算器可以根据自该感应侦测器所接收的该晶圆位置信息而操作用来计算该晶圆的该位置。该晶圆位置计算器也可以根据该支撑座的坐标信息而操作用来计算及调整一预期的晶圆位置。

此装置也可以包括一晶圆传送手臂、以及一晶圆传送手臂控制器与该晶圆位置计算器通信。该晶圆传送手臂控制器可以操作用来调整该晶圆与该支撑座的相对位置。该晶圆传送手臂控制器也可以操作用来调整该晶圆传送手臂位置使得该晶圆的一中心坐标与该支撑座的一中心坐标对准。

该晶圆位置计算器可以提供该预期的晶圆位置至该晶圆传送手臂控制器。且该预期的晶圆位置包含该晶圆传送手臂根据该预期的晶圆位置而加以调整。

该感应光源与该感应侦测器位于该可旋转吸盘的相对侧。该感应光源与该感应侦测器安置于一单一感应单元内。

此装置还可以包含一反射单元位于与该单一感应单元相对该可旋转吸盘的相对侧，其中该反射单元可以操作用来反射由该感应光源所产生的光线至该感应侦测器。

根据本发明的另一目的，提供一种放置一晶圆于一支撑座上的方法，包括自一感应侦测器接收晶圆位置信息；根据该晶圆位置信息决定晶圆位置；根据该支撑座的坐标信息计算一预期的晶圆位置；以及提供该预期的晶圆位置信息至一晶圆传送手臂控制器可以操作用来根据该预期的晶圆位置而调整该晶圆与该支撑座的相对位置。

此方法也包含提供指令使得一晶圆传送手臂提起该晶圆；提供指令使得该晶圆传送手臂传送该晶圆至该支撑座的上方；以及提供指令使得该晶圆传送手臂放置该晶圆至该支撑座上。

此方法也包含提供指令使得该晶圆放置于该支撑座的旋转吸盘上；起始一光刻胶涂布工艺；起始一晶圆边缘厚度不均光刻胶移除工艺；以及提供指令使得该晶圆传送手臂将该晶圆自该支撑座上移出。

此晶圆位置计算器可以根据接收自该感应侦测器的该晶圆位置信息而操作用来计算该晶圆的该位置。且计算该预期的晶圆位置包括决定该晶圆的一中心轴的预期坐标。

提供该预期的晶圆位置信息包括提供二维调整信息。且该二维调整信息包含(X₀，Y₀)-(X₁，Y₁)，其中(X₀，Y₀)代表晶圆位置的中心轴的二维坐标，而(X₁，Y₁)代表支撑座的中心轴的二维坐标。

根据本发明的再一目的，提供一种放置一晶圆于一支撑座上的***，该***包含一晶圆位置计算器可以操作用来计算一预期的晶圆位置及提供该预期的晶圆位置给一晶圆传送手臂控制器。此***还包含一晶圆传送手臂控制器与该晶圆位置计算器通信，其中该晶圆传送手臂控制器可以用来根据该预期的晶圆位置提供调整该晶圆与该支撑座的相对位置的指令。

此***可以包含一感应光源及一感应侦测器。该感应侦测器一晶圆位置计算器通信，且提供晶圆位置信息至该晶圆位置计算器。

该晶圆位置计算器可以根据接收来自该感应侦测器的该晶圆位置信息，且其中该晶圆位置计算器可以根据该晶圆位置信息而决定该晶圆的该位置，且其中提供给该晶圆位置计算器的该预期的晶圆位置信息包括二维调整信息。且该二维调整信息包含(X₀，Y₀)-(X₁，Y₁)，其中(X₀，Y₀)代表晶圆位置的中心轴的二维坐标，而(X₁，Y₁)代表支撑座的中心轴的二维坐标。

附图说明

本发明是由权利要求所界定。这些和其它目的，特征，和实施例，会在下列实施方式的章节中搭配附图被描述，其中：

图1显示光刻胶旋转涂布工艺的示意图。

图2显示晶圆于进行晶圆边缘厚度不均光刻胶移除(EBR)以及背面污染物清洗工艺前的示意图。

图3A显示传统晶圆边缘厚度不均光刻胶移除及背面沾污物清洗的装置的示意图。

图3B显示晶圆边缘厚度不均光刻胶移除工艺350的放大示意图。

图4A及图4B分别显示晶圆边缘厚度不均光刻胶移除宽度的变动的俯视示意图。

图5显示在晶圆边缘的移除宽度的变动的俯视图。

图6A及图6B显示晶圆边缘可能存在的缺陷及浸润式光刻工艺中晶圆边缘缺陷如何转移到晶圆中心。

图7A及图7B分别显示传统的晶圆边缘厚度不均光刻胶移除(EBR)方案及晶边清洗方案。

图8显示东京电子有限公司所使用的晶边清洗工艺的示意图。

图9显示使用传统的方案与晶边清洗的具有顶涂布及没有顶涂布于浸润式光刻工艺的缺陷密度分布比较图示。

图10A、图10B及图10C分别显示三种晶圆边缘厚度不均光刻胶移除(EBR)方案的示意图。

第11A及11B图，分别显示将晶边光刻胶移除宽度对称与否的能力的示意图。

图12显示一晶圆传送机械手臂的示意图。

图13显示一旋转涂布模块的示意图。

图14显示一晶圆传送手臂支撑针宽度与晶圆宽度大小的剖面示意图。

图15显示调整晶圆置于旋转吸盘承接座位置的工艺流程图。

图16显示调整晶圆置于旋转吸盘承接座位置吸盘***控制示意图。

图17显示将晶圆放置于旋转吸盘承接座位置经调整吸盘之前及之后的相对位置示意图。

图18显示将晶圆于传送机械手臂上及相对于吸盘旋转吸盘承接座装置的位置示意图。

图19显示将晶圆放置于传送机械手臂上与旋转涂布模块吸盘支撑座上的发射及感应装置的位置范例的示意图。

【主要元件符号说明】

201-晶圆边缘厚度不均光刻胶；

203-光刻胶薄膜；

205、305、405、455-晶圆；

207-背面沾污；

250-气流图案；

300-传统晶圆边缘厚度不均光刻胶移除及背面沾染物清洗的装置；

303、403、453-光刻胶层；

309-背面清洗喷嘴；

311-晶圆边缘厚度不均光刻胶移除喷嘴；

313-旋转涂布吸盘；

315-支撑座；

450-光刻胶的移除宽度；

456-光刻胶分布；

700-晶圆边缘厚度不均光刻胶移除(EBR)方案；

702-顶涂布层；

703-光刻胶层；

704-底抗反射层(BARC)；

705-晶圆；

750-晶边清洗方案(BEVEL rinse)；

1105、1155-旋转涂布吸盘；

1115、1165-晶圆；

1200-晶圆传送机械手臂；

1201、1202、1203、1204-机械手臂上的晶圆支撑针；

1220-基座部分；

1225-基座固定点；

1230-平台；

1240-手臂支撑座；

1300-旋转涂布模块；

1311-旋转涂布吸吸盘；

1302-晶圆支持针；

1303-光刻胶喷洒手臂；

1304-一溶液储存槽；

1305-晶圆边缘厚度不均光刻胶移除(EBR)手臂；

1306-一晶圆边缘厚度不均光刻胶移除(EBR)溶液储存槽；

1307-光刻胶废液承接盘；

1400-晶圆大小及传送手臂上的晶圆支撑针的剖面示意图；

1401、1402-传送手臂上的晶圆支撑针；

1405-晶圆；

1501：举起晶圆；

1502：传送晶圆；

1503：侦测晶圆位置及决定晶圆中心坐标；

1504：调整晶圆位置至预期的晶圆位置；

1505：将晶圆放置于旋转涂布吸盘后将手臂移出；

1506：旋转涂布吸盘抽真空吸住晶圆后旋转；

1507：涂布光刻胶及移除边缘光刻胶厚度不均匀区(EBR)；

1508：将晶圆自旋转涂布吸盘移出后并移出旋转涂布模块；

1601-感应侦测器；

1605-感应光源；

1613-晶圆位置计算器；

1615-存储器；

1617-晶圆传送手臂控制器；

1620-晶圆传送手臂；

1721-感应光源；

1722-感应侦测器；

1723-旋转吸盘涂布吸盘；

1725-晶圆；

1727-感应光信号；

1803-旋转涂布吸盘；

1805-晶圆；

1820-晶圆传送手臂；

1821-感应侦测器；

1830-旋转涂布模块；

1900、1910、1920、1930、1940、1950-感应位置；

1905、1925-晶圆；

1921-感应光源；

1922-感应侦测器；

1923-旋转涂布吸盘；

1924-反射装置；

1927-侦测器单元。

具体实施方式

本发明的某些实施例，会在下列实施方式的章节中搭配附图被描述，其中仅显示某些而并非全部的实施例。然而，本发明不同的实施例可以具有不同的型态且不应视为限制本发明；而是这些实施例的提供是为使本说明书的公开满足专利法的要求。

请参阅图11A及图11B，分别显示晶圆边缘光刻胶移除宽度对称与否的能力的示意图。在理想的情况1100，晶圆1115的中心位置与支撑座1105的中心位置对准，其中支撑座1105可以是一可旋转涂布吸盘支撑座。当晶圆1115的中心位置与例如是旋转涂布吸盘支撑座的支撑座1105的中心位置对准时，如图中所示，对称的边缘A、B、C、D大致是相等的。相反的，在实际的情况1150，晶圆1165的中心位置通常与支撑座1155的中心位置是不对准的。当晶圆1165的中心位置通常与支撑座1155的中心位置是不对准时，如图中所示，不对称的光刻胶边缘切除导致在晶圆1165边缘的沿边切除宽度A、B、C、D是不同的。

图12显示一晶圆传送手臂的示意图。此晶圆传送手臂1200是一可移动的机械手臂以传送及放置晶圆至一支撑座上。此晶圆传送手臂1200包括一基座部分1220在一基座固定点1225处与一平台1230连接。此晶圆传送手臂1200也包括一手臂支撑座1240，用来在将晶圆传送至一支撑座过程中放置晶圆。此手臂支撑座1240包括机械手臂上的晶圆支撑针1201、1202、1203、1204用以支撑晶圆。

图13显示一支撑座1300的示意图。此支撑座可以是一旋转涂布模块，包括一可旋转夹吸盘1311、晶圆支持针1302、光刻胶喷洒手臂1303、一溶液储存槽1304、晶圆边缘厚度不均光刻胶移除(EBR)喷嘴手臂1305、晶圆边缘厚度不均光刻胶(EBR)溶液储存槽1306及光刻胶废液承接盘1307。此可旋转夹吸盘1311是旋转涂布晶圆的元件，在光刻胶涂布、晶圆边缘厚度不均光刻胶移除、背面沾污清洗及杯槽清洗的过程中会旋转。晶圆支持针1302在传送至/自晶圆传送手臂的过程中支撑晶圆。光刻胶喷洒手臂1303移动光刻胶喷嘴至一预定位置。溶液储存槽1304是将光刻胶及减少光刻胶使用量控制(RRC)喷嘴不使用时暂时放置处。溶液储存槽中具有溶液。蒸发的溶液可以防止光刻胶在喷嘴尖端硬化。晶圆边缘厚度不均光刻胶移除(EBR)手臂1305支持且将晶圆边缘厚度不均光刻胶移除(EBR)喷嘴移动至一预定位置。晶圆边缘厚度不均光刻胶(EBR)溶液储存槽将晶圆边缘厚度不均光刻胶(EBR)喷嘴不使用时暂时放置处。光刻胶废液承接盘1307在光刻胶涂布的过程中，承接因离心力由晶圆表面甩出的光刻胶。

图14显示一晶圆传送手臂支撑针宽度与晶圆宽度大小的剖面示意图。晶圆1405放置于晶圆传送机械手臂支撑针1401、1402上。晶圆的直径D1小于机械手臂支撑针的距离D2，其代表可以将晶圆放至于介于机械手臂支撑针之间的任意处，包括一不对称的位置。在某些工艺中，晶圆的位置可以在机械手臂支撑针之间具有±0.3mm的误差空间。

图15是显示调整晶圆置于旋转涂布吸盘位置的工艺1500。在步骤1501，由一晶圆传送机械手臂自等待单元中提取一晶圆。因为晶圆放置于传送机械手臂的晶圆支撑针1302上的位置有偏差的缘故，晶圆的中心位置与晶圆传送手臂支撑座的中心位置是没有对准。在步骤1502，此晶圆传送手臂将晶圆传送至一支撑座。在步骤1503，决定此晶圆的位置。此步骤可以包括决定晶圆边缘的位置及根据晶圆边缘位置的信息决定晶圆的中心位置。在步骤1504，调整晶圆中心位置使得晶圆的中心位置与晶圆传送机械手臂支撑座的中心位置是对准的。此晶圆的位置根据晶圆位置信息通过在X与Y轴上的些微移动而调整。在步骤1505，将晶圆放置在可旋转夹吸盘模块上之后将晶圆传送手臂移走。在步骤1506，将可旋转夹吸盘模块抽真空以吸附晶圆后，再开始将可旋转夹吸盘进行旋转。在步骤1507，在旋转时进行光刻胶涂布及晶圆边缘厚度不均匀光刻胶移除(EBR)工艺。最后在步骤1508，可旋转吸盘停止旋转后使用晶圆传送手臂将晶圆自此可旋转吸盘模块的支撑座移出。

图16显示调整晶圆置于旋转涂布吸盘位置***1600控制示意图吸盘。此***包括一晶圆位置计算器1613可与一记忆储存元件1615沟通。此晶圆位置计算器1613也可以与一晶圆传送手臂控制器1617沟通。此晶圆位置计算器1613也可以与一感应侦测器1603沟通。而此晶圆传送手臂控制器1617可以与一晶圆传送手臂控制器1620沟通。在一实施例中，感应光源1605及感应侦测器1603是分开的元件，但是在其他的实施例中，感应光源1605及感应侦测器1603可以安置在同一感应单元1601中，且搭配反射元件(未示)以决定晶圆的位置信息。在替代实施例中，晶圆位置计算器1613、记忆储存元件1615及晶圆传送手臂控制器1617是分开的元件，但是在其他的实施例中，他们可以安置在同一控制单元1611中。此外，感应单元1601及控制单元1611也可以安置在同一机壳内。

此感应侦测器1603用来侦测晶圆的位置信息且提供此信息给晶圆位置计算器1613。此晶圆位置计算器1613用来计算出理想的晶圆位置且提供此信息给晶圆传送手臂控制器1617。此晶圆传送手臂控制器1617用以指示晶圆传送手臂1620调整其位置以根据理想的晶圆位置将晶圆放置在可旋转吸盘模块的支撑座的适当位置。

此晶圆位置计算器1613可以自感应侦测器1603接收晶圆的位置信息且根据此信息决定晶圆的位置。此晶圆位置计算器1613也可以自记忆储存元件1615中取出可旋转吸盘模块的支撑座的中心轴相对位置信息。此晶圆位置计算器1613可以以二维调整信息的方式提供理想的晶圆位置信息给晶圆传送手臂控制器1617。此二维调整信息可以包括(X₀，Y₀)-(X₁，Y₁)，其中(X₀，Y₀)代表晶圆位置的中心轴的二维坐标，而(X₁，Y₁)代表可旋转吸盘支撑座的中心轴的二维坐标。

用来计算出理想的晶圆位置且提供此信息给晶圆传送手臂控制器1617。此晶圆传送手臂控制器1617用以指示晶圆传送手臂1620调整其位置以根据理想的晶圆位置将晶圆放置在可旋转吸盘模块的支撑座的适当位置。

图17显示将晶圆1725放置在调整晶圆于可旋转吸盘模块的支撑座1723上的位置的***之前1700及之后1750的示意图。之前1700及之后1750的示意图两者都包括此装置的侧视1705及俯视图1710。

此装置包括一个或多个感应光源1721及一个或多个感应侦测器1722。此感应侦测器1722通过自感应光源1721传送的感应光信号1727来决定晶圆位置信息。此感应侦测器1722与晶圆位置计算器(未示)沟通，且此晶圆位置计算器根据自感应侦测器1722所接收的晶圆位置信息来计算晶圆的位置。在一实施例中，晶圆位置计算器计算距离D_X1、D_X2、D_Y1、D_Y2以决定晶圆位置信息。D_X1、D_X2请为X方向感应侦测器到晶圆遮蔽光源的宽度大小，D_Y1、D_Y2为Y方向感应侦测器到晶圆遮蔽光源的宽度大小，当D_X1与D_X2不相等时即代表晶圆与支撑座中心轴在X方向尚未对准，当D_Y1与D_Y2不相等时即代表晶圆与支撑座中心轴在Y方向尚未对准，晶圆传送手臂然后进行调整直到D_X1＝D_X2且D_Y1＝D_Y2，其代表晶圆1725的中心轴坐标(X₀，Y₀)与支撑座1723的中心轴坐标(X₁，Y₁)对准。

此晶圆位置计算器根据可旋转吸盘的中心轴坐标信息计算一预期的晶圆位置。此装置也可以包括晶圆传送手臂及晶圆传送手臂控制器(未示)。晶圆传送手臂控制器与晶圆位置计算器沟通。晶圆传送手臂控制器可以调整晶圆1725与支撑座1723之间的相对位置。此晶圆传送手臂控制器也可以经由将此手臂在X与Y方向上的微小移动而将晶圆1725的中心轴坐标(X₀，Y₀)与支撑座1723的中心轴坐标(X₁，Y₁)对准。晶圆位置计算器提供所欲的晶圆位置信息给晶圆传送手臂控制器。因此，所欲的晶圆位置信息可以包括根据所欲晶圆位置的晶圆传送手臂位置调整。一旦当晶圆传送手臂位置调整之后，晶圆1725的中心轴坐标(X₀，Y₀)则会与支撑座1723的中心轴坐标(X₁，Y₁)对准如图中的1750所示。

图18为晶圆于传送机械手臂上及相对于旋转涂布模块装置1800的位置示意图吸盘。此装置1800包括晶圆传送手臂1820及旋转模块1830。此装置1800还包括一个或多个感应侦测器1821以将晶圆1805与可旋转吸盘的支撑座对准。

图19显示第17及18图中装置的范例感应位置1900、1910、1920、1930、1940、1950的示意图。在位置1900、1920、1930、1940，感应光源的位置是在晶圆1905及可旋转吸盘1923的支撑座之上。在位置1910、1950，感应光源的位置是在晶圆1905及可旋转吸盘1923的支撑座之下。在位置1920，感应光源1921及感应侦测器1922的位置是在晶圆1905及可旋转吸盘1923的支撑座之上。

因此，在某些实施例中，感应光源1921与感应侦测器1922的位置是在可旋转吸盘1923的支撑座的相对侧，而在其他的实施例中，感应光源1921与感应侦测器1922的位置都是在晶圆1905及可旋转吸盘1923的支撑座之上。

在某些实施例中，感应光源与感应侦测器是安置于一侦测器单元1927之中(例如位置1920)。这些实施例中也可以包括一个反射单元1924放置在相对于支撑座而言与侦测器单元1927相对侧。此反射单元可以用来反射感应光源回到侦测器单元1927内的两个感应侦测器。

此外，在某些实施例中可以依赖晶圆1925背面的反射特性。感应光源1921与感应侦测器1922可以放置于低于晶圆1925的位置且可以使用晶圆1925背面的反射特性以决定晶圆1925的位置。

虽然本发明已参照实施例来加以描述，但是本发明并未受限于其详细描述内容。替换方式及修改样式已在先前描述中所建议，且其他替换方式及修改样式将为本领域技术人员所能够想到。特别是，所有具有实质上相同于本发明的构件结合而达成与本发明实质上相同结果的技术方案，都不脱离本发明的精神范畴。因此，所有这些替换方式及修改样式均落在本发明权利要求及其等同物所界定的范畴之中。

Claims (22)

1.一种放置一晶圆于一支撑座上的装置，其特征在于，包含：

一传感器光源位于该支撑座的附近；

一感应侦测器于该支撑座的附近；

其中该感应侦测器操作用来决定晶圆位置信息。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，还包含一晶圆位置计算器与该感应侦测器通信，其中该晶圆位置计算器根据自该感应侦测器所接收的该晶圆位置信息而操作用来计算该晶圆的该位置。

3.根据权利要求2所述的装置，其中该晶圆位置计算器还根据该支撑座的坐标信息而操作用来计算一预期的晶圆位置。

4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，还包含：

一晶圆传送手臂；以及

一晶圆传送手臂控制器与该晶圆位置计算器通信，其中该晶圆传送手臂控制器操作用来调整该晶圆与该支撑座的相对位置。

5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，该晶圆传送手臂控制器操作用来调整该晶圆传送手臂使得该晶圆的一中心坐标与该支撑座的一中心坐标对准。

6.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，该晶圆位置计算器提供该预期的晶圆位置至该晶圆传送手臂控制器。

7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，该预期的晶圆位置包含该晶圆传送手臂根据该预期的晶圆位置而加以调整。

8.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，该感应光源与该感应侦测器位于该支撑座吸盘的相对侧。

9.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，该感应光源与该感应侦测器位于该支撑座吸盘的相同侧。

10.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，该感应光源与该感应侦测器安置于一单一感应单元内，且还包含一反射单元位于与该单一感应单元相对该支撑座的相对侧，其中该反射单元操作用来反射由该感应光源所产生的光线至该感应侦测器。

11.一种放置一晶圆于一支撑座上的方法，其特征在于，包含：

自一感应侦测器接收晶圆位置信息；

根据该晶圆位置信息决定晶圆位置；

根据该支撑座的坐标信息计算一预期的晶圆位置；以及

提供该预期的晶圆位置信息至一晶圆传送手臂控制器操作用来根据该预期的晶圆位置至而调整该晶圆与该支撑座的相对位置。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，还包含：

一晶圆传送手臂提起该晶圆；

该晶圆传送手臂传送该晶圆至该支撑座的上方；以及

该晶圆传送手臂放置该晶圆至该支撑座上。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，还包含：

放置该晶圆于该支撑座；

起始一光刻胶涂布工艺；

起始一边缘侧面浸润工艺；以及

将该晶圆自该支撑座上移出。

14.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，一晶圆位置计算器根据接收自该感应侦测器的该晶圆位置信息而操作用来计算该晶圆的该位置。

15.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，计算该预期的晶圆位置包括决定该晶圆的一中心轴的预期坐标。

16.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，提供该预期的晶圆位置信息包括提供二维调整信息。

17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，该二维调整信息包含(X₀，Y₀)-(X₁，Y₁)，其中(X₀，Y₀)代表晶圆位置的中心轴的二维坐标，而(X₁，Y₁)代表该支撑座的中心轴的二维坐标。

18.一种放置一晶圆于一支撑座上的***，其特征在于，该***包含一晶圆位置计算器操作用来计算一预期的晶圆位置及提供该预期的晶圆位置给一晶圆传送手臂控制器。

19.根据权利要求18所述的***，其特征在于，还包含一晶圆传送手臂控制器与该晶圆位置计算器通信，其中该晶圆传送手臂控制器用来根据该预期的晶圆位置提供调整该晶圆与该支撑座的相对位置的指令。

20.根据权利要求19所述的***，其特征在于，还包含：

一感应光源；

一感应侦测器；

其中该感应侦测器与该晶圆位置计算器通信，且其中该感应侦测器提供晶圆位置信息至该晶圆位置计算器。

21.根据权利要求18所述的***，其特征在于，该晶圆位置计算器根据接收来自该感应侦测器的该晶圆位置信息，且其中该晶圆位置计算器根据该晶圆位置信息而决定该晶圆的该位置，且其中提供给该晶圆位置计算器的该预期的晶圆位置信息包括二维调整信息。

22.根据权利要求21所述的***，其特征在于，该二维调整信息包含(X₀，Y₀)-(X₁，Y₁)，其中(X₀，Y₀)代表晶圆位置的中心轴的二维坐标，而(X₁，Y₁)代表该支撑座的中心轴的二维坐标。

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