CN103207712B - 电容式触摸屏及其制备工艺 - Google Patents
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Abstract
一种电容式触摸屏，包括依次层叠的玻璃基底、阻挡层、驱动层、电桥层、绝缘层、感应层及保护层。上述电容式触摸屏的感应层及驱动层均位于玻璃基底的同一侧，且采用绝缘层将电桥层与感应层隔开，而实现电容式触摸屏的功能，从而避免了电容式触摸屏在生产清洗过程中被污染，提高了良品率，且结构上比双面结构的电容式触摸屏减少了一层，从而降低了生产成本。且上述电容式触摸屏的制备工艺简单，生产效率提高了20％，生产成本降低了10％以上。此外，还提供了一种电容式触摸屏的制备工艺。
Description
【技术领域】
本发明涉及触摸屏领域，特别涉及一种电容式触摸屏及其制备工艺。
【背景技术】
电容式触摸屏是一种新的触摸屏技术。其构造主要是在玻璃屏幕上镀一层透明的薄膜导体层，再在导体层外加上一块保护玻璃，双玻璃设计能彻底保护导体层及感应器。电容式触摸屏在触摸屏四边均镀上狭长的电极，在导电体内形成一个低电压交流电场。在触摸屏幕时，由于人体电场，手指与导体层间会形成一个耦合电容，四边电极发出的电流会流向触点，而电流强弱与手指到电极的距离成正比，位于触摸屏幕后的控制器便会计算电流的比例及强弱，准确算出触摸点的位置。电容式触摸屏的双玻璃不但能保护导体及感应器，更有效地防止外在环境因素对触摸屏造成影响，就算屏幕沾有污秽、尘埃或油渍，电容式触摸屏依然能准确算出触摸位置。
电容式触摸屏是在玻璃表面贴上一层透明的特殊金属导电物质。当手指触摸在金属层上时，触点的电容就会发生变化，使得与之相连的振荡器频率发生变化，通过测量频率变化可以确定触摸位置获得信息。因此，功能片玻璃的镀膜是电容式触摸屏的关键技术之一。一般的功能片玻璃为双面镀膜结构，即感应层与驱动层分别位于玻璃的两个面。由于电容式触摸屏在加工过程中，镀膜次数繁多，需要分别对玻璃的正反两面进行频繁的清洗，因此，在清洗一面的时候，另一面会受到污染，严重影响了电容式触摸屏的功能片的良品率，增加了生产成本。
【发明内容】
基于此，有必要提供一种具有较高良品率的电容式触摸屏。
一种电容式触摸屏，包括：
玻璃基底；
阻挡层，层叠于所述玻璃基底上，所述阻挡层的材料为二氧化硅；
驱动层，层叠于所述阻挡层上，所述驱动层的材料为氧化铟锡；
电桥层，层叠于所述驱动层上，所述电桥层包括层叠于所述驱动层上的第一Mo膜、层叠于所述第一Mo膜上的Al膜及层叠于所述Al膜上的第二Mo膜；
绝缘层，层叠于所述电桥层上，所述绝缘层的材料为OC绝缘胶；
感应层，层叠于所述绝缘层上，所述感应层的材料为氧化铟锡；及
保护层，层叠于所述感应层上，所述保护层的材料为二氧化硅。
在优选的实施例中，所述阻挡层的厚度为18纳米～22纳米。
在优选的实施例中，所述电桥层的厚度为315纳米～385纳米，其中所述第一Mo膜的厚度为30纳米～55纳米；所述Al膜的厚度为255纳米～275纳米；所述第二Mo膜的厚度为30纳米～55纳米。
在优选的实施例中，所述绝缘层的厚度为1微米～2微米。
在优选的实施例中，所述感应层的材料为氧化铟锡，所述感应层的厚度为18纳米～22纳米。
在优选的实施例中，所述保护层的厚度为45纳米～55纳米。
此外，还有必要提供上述电容式触摸屏的制备工艺。
一种电容式触摸屏的制备工艺，包括如下步骤：
在玻璃基底上真空溅镀第一二氧化硅膜形成阻挡层；在所述阻挡层上真空溅镀第一氧化铟锡膜，并在所述第一氧化铟锡膜上蚀刻线路形成驱动层；
在所述驱动层上依次真空溅镀第一Mo膜、Al膜及第二Mo膜，并在形成的Mo-Al-Mo膜上蚀刻线路，形成电桥层；
在所述电桥层上涂覆OC绝缘胶形成绝缘层；
在所述绝缘层上真空溅镀第二氧化铟锡膜，并在所述第二氧化铟锡膜上蚀刻线路形成感应层；及
在所述感应层上真空溅镀第二二氧化硅膜形成保护层。
在优选的实施例中，真空溅镀所述第一二氧化硅膜及所述第一氧化铟锡膜的工艺条件为：第一室的加热温度为75℃～85℃，第二室的加热温度为115℃～125℃，第三室的加热温度为175℃～185℃，第四室的加热温度为235℃～245℃，第五室的加热温度为275℃～285℃，第六室的加热温度为295℃～305℃，第七室与第八室的加热温度均为315℃～325℃，总加热时间为500秒～700秒，所述玻璃基板的传送速度为40毫米/秒～60毫米/秒，真空度为2.5×10-1Pa～3.50×10-1Pa，总气压为0.3Pa～0.35Pa；真空溅镀所述第一二氧化硅膜的溅射功率为4000W～5000W；真空溅镀所述第一氧化铟锡膜的溅射功率为2700W～3700W；
真空溅镀所述第一Mo膜、Al膜及第二Mo膜的工艺条件为：第一室的加热温度为55℃～65℃，第二室的加热温度为65℃～75℃，第三室的加热温度为75℃～85℃，第四室、第五室、第六室、第七室及第八室的加热温度均为75℃～85℃，总加热时间为800秒～1000秒，所述玻璃基板的传送速度为25毫米/秒～35毫米/秒，真空度为2.0×10-1Pa～3.0×10-1Pa，总气压为0.3Pa～0.35Pa；所述第一Mo膜的溅射功率为2000W～3000W；所述Al膜的溅射功率为10000W～14000W；所述第二Mo膜的溅射功率为2000W～3000W；
真空溅镀所述第二氧化铟锡膜的工艺条件为：第一室的加热温度为55℃～65℃，第二室、第三室、第四室、第五室、第六室、第七室及第八室的加热温度均为75℃～85℃，总加热时间为620秒～820秒，所述玻璃基板的传送速度为32.5毫米/秒～42.5毫米/秒，真空度为2.5×10-1Pa～3.5×10-1Pa，总气压为0.3Pa～0.35Pa；真空溅镀所述第二氧化铟锡膜的溅射功率为3350W～4350W；及
真空溅镀所述第二二氧化硅膜的工艺条件为：第一室的加热温度为55℃～65℃，第二室、第三室、第四室、第五室、第六室、第七室及第八室的加热温度均为75℃～85℃，总加热时间为800秒～1000秒，所述玻璃基板的传送速度为25毫米/秒～35毫米/秒，真空度为2.5×10-1Pa～3.5×10-1Pa，总气压为0.3Pa～0.35Pa；真空溅镀所述第二二氧化硅膜的溅射功率为6750W～7750W。
上述电容式触摸屏包括依次层叠的玻璃基底、阻挡层、驱动层、电桥层、绝缘层、感应层及保护层。感应层及驱动层均位于玻璃基底的同一侧，从而避免了电容式触摸屏在生产清洗过程中被污染，提高了良品率。
另外，采用绝缘层将电桥层与感应层隔开，而实现电容式触摸屏的功能，比双面结构的电容式触摸屏减少了一层，从而降低了生产成本。且上述电容式触摸屏的制备工艺简单，生产效率提高了20％，生产成本降低了10％以上。
【附图说明】
图1为一实施方式的电容式触摸屏的结构示意图；
图2为一实施方式的电容式触摸屏的制备工艺流程图。
【具体实施方式】
下面主要结合附图及具体实施例对电容式触摸屏及其制备工艺作进一步详细的说明。
如图1所示，一实施方式的电容式触摸屏100，包括依次层叠的玻璃基底10、阻挡层20、驱动层30、电桥层40、绝缘层50、感应层60及保护层70。
玻璃基底10可以为任意玻璃，优选为半钢化玻璃。
阻挡层20层叠于玻璃基底10上。阻挡层20的材料为二氧化硅(SiO2)。阻挡层20的厚度为18纳米～22纳米。在本实施例中，阻挡层20的厚度优选为20纳米。
驱动层30层叠于阻挡层20上。驱动层30的材料为氧化铟锡(ITO)。驱动层30的厚度为18纳米～22纳米。在本实施例中，驱动层30的厚度优选为20纳米。
电桥层40层叠于驱动层30上。电桥层40包括层叠于驱动层30上的第一Mo膜、层叠于第一Mo膜上的Al膜及层叠于Al膜上的第二Mo膜。其中，第一Mo膜的厚度为30纳米～55纳米；Al膜的厚度为255纳米～275纳米；第二Mo膜的厚度为30纳米～55纳米。电桥层40的厚度为315纳米～385纳米。在本实施例中，电桥层40的厚度优选为350纳米。
绝缘层50层叠于电桥层40上。绝缘层50的材料为OC绝缘胶(OCA光学胶的简称)。OC绝缘胶具有无色透明、光透过率在90％以上、胶结强度良好，可在室温或中温下固化，且有固化收缩小等特点。绝缘层50的厚度为1微米～2微米。在优选的实施例中，绝缘层50的厚度优选为1.5微米。
感应层60层叠于绝缘层50上。感应层60的材料为氧化铟锡(ITO)。感应层60的厚度为18纳米～22纳米。在本实施例中，感应层60的厚度优选为20纳米。
保护层70层叠于感应层60上。保护层70的材料为二氧化硅(SiO2)。保护层70的厚度为45纳米～55纳米。在本实施例中，保护层70的厚度优选为50纳米。
上述电容式触摸屏100包括依次层叠的玻璃基底10、阻挡层20、驱动层30、电桥层40、绝缘层50、感应层60及保护层70。感应层60及驱动层30均位于玻璃基底10的同一侧，且采用绝缘层50将电桥层40与感应层60隔开，而实现电容式触摸屏100的功能，从而避免了电容式触摸屏100在生产清洗过程中被污染，提高了良品率；且结构上比双面结构的电容式触摸屏减少了一层，从而降低了生产成本。
如图2所示，上述电容式触摸屏100的制备工艺，包括如下步骤：
步骤S1：在玻璃基底10上真空溅镀第一二氧化硅膜形成阻挡层20，在阻挡层20上真空溅镀第一氧化铟锡膜，并在第一氧化铟锡膜上蚀刻线路形成驱动层30。
在本实施例中，在玻璃基底10上真空溅镀第一二氧化硅膜之前，先将玻璃基底10进行清洗，经冷风吹去玻璃基底10表面的水，再用热风吹玻璃基底10，将玻璃基底10进行干燥，然后将干燥后的玻璃基底10进行质量检查，若玻璃基底10的表面无赃物，且无划痕，则玻璃基底10合格，最后将合格的玻璃基底10上架装片，准备镀膜。
在本实施例中，真空溅镀第一二氧化硅膜及第一氧化铟锡膜的工艺条件为：第一室的加热温度为75℃～85℃，第二室的加热温度为115℃～125℃，第三室的加热温度为175℃～185℃，第四室的加热温度为235℃～245℃，第五室的加热温度为275℃～285℃，第六室的加热温度为295℃～305℃，第七室与第八室的加热温度均为315℃～325℃，总加热时间为500秒～700秒，玻璃基板10的传送速度为40毫米/秒～60毫米/秒，真空度为2.5×10-1Pa～3.50×10-1Pa，总气压为0.3Pa～0.35Pa；真空溅镀第一二氧化硅膜的溅射功率为4000W～5000W；真空溅镀第一氧化铟锡膜的溅射功率为2700W～3700W。其中，真空溅镀第一二氧化硅膜的靶材为多晶硅；真空溅镀第一氧化铟锡膜的靶材优选为质量百分比为90∶10的氧化铟(In2O3)与氧化锡(SnO2)，纯度为99.99％；气氛均为氧气与氩气。在优选的实施例中，真空溅镀第一二氧化硅的溅射功率优选为4500W；真空溅镀第一氧化铟锡膜的溅射功率优选为3200W。测试形成的阻挡层20的厚度及第一氧化铟锡膜的厚度，并检查阻挡层20及第一氧化铟锡膜的表面质量，若表面无划痕及赃物，则合格，然后在第一氧化铟锡膜上蚀刻线路形成驱动层30，并对形成有阻挡层20及驱动层30的玻璃基底10进行清洗，经冷风、热风进行干燥，然后进行质量检查，若驱动层30的表面均无赃物，无划痕，且采用分光计(550纳米波长)测试SiO2阻挡层与ITO驱动层的透过率≥89.0％，则合格，最后将合格的形成有阻挡层20及驱动层30的玻璃基底10上架装片，准备下一步镀膜。在本实施例中，采用黄光蚀刻驱动层30的线路。
步骤S2：在驱动层30上依次真空溅镀第一Mo膜、Al膜及第二Mo膜，并在形成的Mo-Al-Mo膜上蚀刻线路，形成电桥层40。
在本实施例中，真空溅镀第一Mo膜、Al膜及第二Mo膜的工艺条件为：第一室的加热温度为55℃～65℃，第二室的加热温度为65℃～75℃，第三室的加热温度为75℃～85℃，第四室、第五室、第六室、第七室及第八室的加热温度均为75℃～85℃，总加热时间为800秒～1000秒，玻璃基板10的传送速度为25毫米/秒～35毫米/秒，真空度为2.0×10-1Pa～3.0×10-1Pa，总气压为0.3Pa～0.35Pa。第一Mo膜的溅射功率为2000W～3000W；Al膜的溅射功率为10000W～14000W；第二Mo膜的溅射功率为2000W～3000W。其中，真空溅镀第一Mo膜及第二Mo膜的靶材为钼与铌的质量百分比为90∶10的钼铌合金(MoNb)，纯度为99.9％；真空溅镀Al膜的靶材为钕铝合金(AlNd)；气氛均为氧气与氩气。在优选的实施例中，第一Mo膜的溅射功率为2500W，Al膜的溅射功率为12000W，第二Mo膜的溅射功率为2500W。分别测试第一Mo膜、Al膜及第二Mo膜的厚度及表面方阻，若表面方阻为0.2Ω/□～0.4Ω/□，且表面无划痕及赃物，则合格，然后在形成的Mo-Al-Mo膜上采用黄光蚀刻线路形成电桥层40。
步骤S3：在电桥层40上涂覆OC绝缘胶形成绝缘层50。绝缘层50的厚度为1微米～2微米。绝缘层50为OC绝缘胶。将形成有阻挡层20、驱动层30、电桥层40、绝缘层50的玻璃基底10进行清洗，经冷风、热风进行干燥，然后进行质量检查，若驱动层30的表面均无赃物，且无划痕，则合格，最后将合格的形成有阻挡层20、驱动层30、电桥层40、绝缘层50的玻璃基底10上架装片，准备下一步镀膜。
步骤S4：在绝缘层50上真空溅镀第二氧化铟锡膜，并在第二氧化铟锡膜上蚀刻线路形成感应层60。
在本实施例中，真空溅镀第二氧化铟锡膜的工艺条件为：第一室的加热温度为55℃～65℃，第二室、第三室、第四室、第五室、第六室、第七室及第八室的加热温度均为75℃～85℃，总加热时间为620秒～820秒，玻璃基板10的传送速度为32.5毫米/秒～42.5毫米/秒，真空度为2.5×10-1Pa～3.5×10-1Pa，总气压为0.3Pa～0.35Pa；真空溅镀感应层60的溅射功率为3350W～4350W。其中，真空溅镀第二氧化铟锡膜的靶材优选为质量百分比为90∶10的氧化铟(In2O3)与氧化锡(SnO2)，纯度为99.99％；气氛为氧气与氩气。在优选的实施例中，镀第二氧化铟锡膜的溅射功率为3850W。在真空溅镀第二氧化铟锡膜后，测试第二氧化铟锡膜的厚度，并检查第二氧化铟锡膜表面质量，若表面无划痕及赃物，则合格，然后在第二氧化铟锡膜上蚀刻线路形成感应层60，然后进行清洗，经冷风、热风进行干燥，进行质量检查，若表面均无赃物，无划痕，且采用分光计(550纳米波长)测试ITO驱动层的透过率≥89.0％，则合格，最后将合格的形成有阻挡层20、驱动层30、电桥层40、绝缘层50及感应层60的玻璃基底10上架装片，准备下一步镀膜。在本实施例中，采用黄光蚀刻第二氧化铟锡膜的线路。
步骤S5：在感应层60上真空溅镀第二二氧化硅膜形成保护层70。在本实施例中，真空溅镀第二二氧化硅膜的工艺条件为：第一室的加热温度为55℃～65℃，第二室、第三室、第四室、第五室、第六室、第七室及第八室的加热温度均为75℃～85℃，总加热时间800秒～1000秒，传送速度为25毫米/秒～35毫米/秒，真空度为2.5×10-1Pa～3.5×10-1Pa，总气压为0.3Pa～0.35Pa；镀保护层的溅射功率为6750W～7750W。其中，真空溅镀第二二氧化硅膜的靶材优选为多晶硅，气氛为氧气与氩气。在优选的实施例中，真空溅镀第二二氧化硅膜的溅射功率优选为7250W。在形成保护层70后，测试保护层70的厚度，且采用分光计(550纳米波长)测试SiO2的透过率≥90.0％，并检查保护层70的表面质量，若表面无划痕及赃物，则合格。由于绝缘层50为OC绝缘胶，则第二氧化铟锡膜与第二二氧化硅膜的镀膜温度在60℃～80℃，从而防止高温破坏电桥层40上的绝缘层50。
上述电容式触摸屏100的制备工艺简单，生产效率提高了20％，生产成本降低了10％以上。
以下为具体实施例部分，下述实施例中用镀膜的WG真空磁控溅射镀膜机(YFZK-TFT-1100×1300)；用于清洗的WG清洗机(HKD-TFT-1100×1300)；用于测试厚度的膜厚仪(XP-2)、测试电阻的电阻仪(XY)及用于测试透过率的分光计(7230G)。
实施例1
电容式触摸屏结构玻璃/SiO2/ITO/Mo-Al-Mo/OC绝缘层/ITO/SiO2。
(1)在玻璃基底上形成SiO2阻挡层及ITO驱动层。采用WG清洗机清洗玻璃基底，经冷风、热风将玻璃基底干燥，然后将干燥后的玻璃基底进行质量检查，若玻璃基底的表面无赃物，且无划痕，则玻璃基底合格，最后将合格的玻璃基底上架装片，准备镀膜。在玻璃基底上采用WG真空磁控溅射镀膜机真空溅镀SiO2膜形成SiO2阻挡层，并在SiO2阻挡层上真空溅镀ITO膜，其中，SiO2膜的靶材为多晶硅；ITO膜的靶材为质量百分比为90∶10的氧化铟(In2O3)与氧化锡(SnO2)，纯度为99.99％；气氛均为氧气与氩气。在真空溅镀膜过程中，第一室80℃、第二室120℃、第三室180℃、第四室240℃、第五室280℃、第六室300℃、第七室与第八室320℃，加热时间为600S，镀膜室中玻璃基板传送速度为50mm/S，镀膜时间90S，溅射镀膜的总气压为0.3Pa～0.35Pa，镀膜室真空度2.5×10-1Pa～3.50×10-1Pa之间，SiO2膜的溅射功率4500W，ITO膜溅射功率3200W。然后，采用膜厚仪测试SiO2膜的厚度为21纳米，ITO膜的厚度为21纳米，采用分光计(550纳米波长)测试SiO2膜与ITO膜的透过率为89.3％，并检查SiO2膜及ITO膜的表面质量，若表面无划痕及赃物，则合格，在合格的ITO膜上采用黄光蚀刻线路形成ITO驱动层，并对形成有SiO2阻挡层及ITO驱动层的玻璃基底采用WG清洗机清洗，经冷风、热风进行干燥，然后进行质量检查，若ITO膜表面无赃物，且无划痕，则合格，最后将合格的形成有SiO2阻挡层及ITO驱动层的玻璃基底上架装片，准备下一步镀膜。
(2)在ITO驱动层上形成Mo-Al-Mo电桥层：采用WG真空磁控溅射镀膜机在ITO驱动层上依次镀Mo膜、Al膜及Mo膜，其中，Mo膜的靶材为钼与铌的质量百分比为90∶10的钼铌合金(MoNb)，纯度为99.9％；Al膜的靶材为钕铝合金(AlNd)；气氛均为氧气与氩气。在真空镀膜过程中：第一室60℃、第二室70℃、第三室80℃、第四室到第八室为80℃，加热时间为900S，镀膜室镀有SiO2膜及ITO膜的玻璃基底的传送速度为30mm/S，镀膜时间150S，真空溅镀的总气压为0.3Pa～0.35Pa，镀膜室真空度2.5×10-1Pa～3.50×10-1Pa之间，其中，第一层MO镀膜溅射功率2500W，第二层Al镀膜溅射功率为12000W，第三层MO溅射功率为2500W；然后测试得第一层MO膜的厚度为50纳米，第二层Al膜的厚度为260纳米，第三层MO膜的厚度为55纳米，即Mo-Al-Mo膜的厚度为365纳米，且采用电阻仪测试得方阻为0.3Ω/□，且Mo-Al-Mo膜的表面无划痕及赃物，则合格，然后在Mo-Al-Mo膜上采用黄光蚀刻线路形成Mo-Al-Mo电桥层。
(3)在Mo-Al-Mo电桥层上涂覆形成OC绝缘层。其中，OC绝缘层的厚度为1.5微米，然后采用WG清洗机清洗，经冷风、热风干燥，并进行质量检查，若表面无赃物，且无划痕，则合格，最后将合格的形成有SiO2阻挡层、ITO驱动层、Mo-Al-Mo电桥层及OC绝缘层的玻璃基底上架装片，准备下一步镀膜。
(4)采用WG真空磁控溅射镀膜机在OC绝缘层上形成ITO感应层。其中，真空溅镀ITO膜的靶材为质量百分比为90∶10的氧化铟(In2O3)与氧化锡(SnO2)，纯度为99.99％；气氛为氧气与氩气。在真空溅镀ITO膜过程中，第一室60℃、第二室80℃、第三室～第八室80℃，加热时间为720S，镀膜室中玻璃基板传送速度为37.5mm/S，镀膜时间120S，真空溅镀的总气压为0.3Pa～0.35Pa，镀膜室真空度2.5×10-1Pa～3.50×10-1Pa之间，ITO镀膜溅射功率3850W；采用膜厚仪测试ITO膜的厚度为19纳米，采用分光计(550纳米波长)测试ITO膜的透过率为89.5％，并检查ITO膜的表面质量，若表面无划痕及赃物，则合格，在ITO膜上采用黄光蚀刻线路形成ITO感应层，采用WG清洗机清洗，经冷风、热风进行干燥，然后进行质量检查，若ITO感应层表面无赃物，且无划痕，则合格，最后将合格的形成有SiO2阻挡层、ITO驱动层、Mo-Al-Mo电桥层、OC绝缘层及ITO感应层的玻璃基底上架装片，准备下一步镀膜。
(5)采用WG真空磁控溅射镀膜机在ITO驱动层上形成SiO2保护层，其中，靶材为多晶硅，气氛为氧气与氩气。在真空溅镀过程中，第一室60℃、第二室80℃、第三室80℃、第四室到第八室为80℃，加热时间为900S，镀膜室中玻璃基板的传送速度为30mm/S，镀膜时间150S，真空溅镀的总气压为0.3Pa～0.35Pa，镀膜室真空度2.5×10-1Pa～3.50×10-1Pa之间，SiO2膜溅射功率7250W；采用膜厚仪测试形成的SiO2保护层的厚度为48纳米，采用分光计(550纳米波长)测试SiO2保护层的透过率为90.2％，并检查SiO2保护层的表面质量，若表面无划痕及赃物，则合格。
实施例2
电容式触摸屏结构玻璃/SiO2/ITO/Mo-Al-Mo/OC绝缘层/ITO/SiO2。
(1)在玻璃基底上形成SiO2阻挡层及ITO驱动层。采用WG清洗机清洗玻璃基底，经冷风、热风将玻璃基底干燥，然后将干燥后的玻璃基底进行质量检查，若玻璃基底的表面无赃物，且无划痕，则玻璃基底合格，最后将合格的玻璃基底上架装片，准备镀膜。在玻璃基底上采用WG真空磁控溅射镀膜机真空溅镀SiO2膜形成SiO2阻挡层，并在SiO2阻挡层上真空溅镀ITO膜，其中，SiO2膜的靶材为多晶硅；ITO膜的靶材为质量百分比为90∶10的氧化铟(In2O3)与氧化锡(SnO2)，纯度为99.99％；气氛均为氧气与氩气。在真空溅镀膜过程中，第一室80℃、第二室120℃、第三室180℃、第四室240℃、第五室280℃、第六室300℃、第七室与第八室320℃，加热时间为600S，镀膜室中玻璃基板传送速度为50mm/S，镀膜时间90S，溅射镀膜的总气压为0.3Pa～0.35Pa，镀膜室真空度2.5×10-1Pa～3.50×10-1Pa之间，SiO2膜的溅射功率4500W，ITO膜的溅射功率3200W。然后，采用膜厚仪测试SiO2膜的厚度为20纳米，ITO膜的厚度为20纳米，采用分光计(550纳米波长)测试SiO2膜与ITO膜的透过率为89.5％，并检查SiO2膜及ITO膜的表面质量，若表面无划痕及赃物，则合格，在合格的ITO膜上采用黄光蚀刻线路形成ITO驱动层，并对形成有SiO2阻挡层及ITO驱动层的玻璃基底采用WG清洗机清洗，经冷风、热风进行干燥，然后进行质量检查，若ITO膜表面无赃物，且无划痕，则合格，最后将合格的形成有SiO2阻挡层及ITO驱动层的玻璃基底上架装片，准备下一步镀膜。
(2)在ITO驱动层上形成Mo-Al-Mo电桥层：采用WG真空磁控溅射镀膜机在ITO驱动层上依次镀Mo膜、Al膜及Mo膜，其中，Mo膜的靶材为钼与铌的质量百分比为90∶10的钼铌合金(MoNb)，纯度为99.9％；Al膜的靶材为钕铝合金(AlNd)；气氛均为氧气与氩气。在真空镀膜过程中：第一室60℃、第二室70℃、第三室80℃、第四室到第八室80℃，加热时间为800S，镀膜室镀的玻璃基底的传送速度为25mm/S，镀膜时间150S，真空溅镀的总气压为0.3Pa～0.35Pa，镀膜室真空度2.5×10-1Pa～3.50×10-1Pa之间，其中，第1层MO镀膜溅射功率2500W，第2层Al镀膜溅射功率为12000W，第3层MO溅射功率为2500W；然后测试得第一层MO膜的厚度为45纳米，第二层Al膜的厚度为255纳米，第三层MO膜的厚度为50纳米，即测试得Mo-Al-Mo膜的厚度为350纳米，且采用电阻仪测试得方阻为0.2Ω/□，且Mo-Al-Mo膜的表面无划痕及赃物，则合格，然后在Mo-Al-Mo膜上采用黄光蚀刻线路形成Mo-Al-Mo电桥层。
(3)在Mo-Al-Mo电桥层上涂覆形成OC绝缘层。其中，OC绝缘层的厚度为1微米，然后采用WG清洗机清洗，经冷风、热风干燥，并进行质量检查，若表面无赃物，且无划痕，则合格，最后将合格的形成有SiO2阻挡层、ITO驱动层、Mo-Al-Mo电桥层及OC绝缘层的玻璃基底上架装片，准备下一步镀膜。
(4)采用WG真空磁控溅射镀膜机在OC绝缘层上形成ITO感应层。其中，真空溅镀ITO膜的靶材为质量百分比为90∶10的氧化铟(In2O3)与氧化锡(SnO2)，纯度为99.99％；气氛为氧气与氩气。在真空溅镀ITO膜过程中，第一室60℃、第二室80℃、第三室到第八室80℃，加热时间为720S，镀膜室中玻璃基板传送速度为37.5mm/S，镀膜时间120S，真空溅镀的总气压为0.3Pa～0.35Pa，镀膜室真空度2.5×10-1Pa～3.50×10-1Pa之间，ITO镀膜溅射功率3850W；采用膜厚仪测试ITO膜的厚度为20纳米，采用分光计(550纳米波长)测试ITO膜的透过率为89.3％，并检查ITO膜的表面质量，若表面无划痕及赃物，则合格，在ITO膜上采用黄光蚀刻线路形成ITO感应层，采用WG清洗机清洗，经冷风、热风进行干燥，然后进行质量检查，若ITO感应层表面无赃物，且无划痕，则合格，最后将合格的形成有SiO2阻挡层、ITO驱动层、Mo-Al-Mo电桥层、OC绝缘层及ITO感应层的玻璃基底上架装片，准备下一步镀膜。
(5)采用WG真空磁控溅射镀膜机在ITO驱动层上形成SiO2保护层，其中，靶材为多晶硅，气氛为氧气与氩气。在真空溅镀膜过程中，第一室60℃、第二室80℃、第三室80℃、第四室到第八室80℃，加热时间为900S，镀膜室中玻璃基板的传送速度为30mm/S，镀膜时间150S，真空溅镀的总气压为0.3Pa～0.35Pa，镀膜室真空度2.5×10-1Pa～3.50×10-1Pa之间，SiO2溅射功率7250W；采用膜厚仪测试形成的SiO2保护层的厚度为50纳米，采用分光计(550纳米波长)测试SiO2保护层的透过率为90.4％，并检查SiO2保护层的表面质量，若表面无划痕及赃物，则合格。
实施例3
电容式触摸屏结构玻璃/SiO2/ITO/Mo-Al-Mo/OC绝缘层/ITO/SiO2。
(1)在玻璃基底上形成SiO2阻挡层及ITO驱动层。采用WG清洗机清洗玻璃基底，经冷风、热风将玻璃基底干燥，然后将干燥后的玻璃基底进行质量检查，若玻璃基底的表面无赃物，且无划痕，则玻璃基底合格，最后将合格的玻璃基底上架装片，准备镀膜。在玻璃基底上采用WG真空磁控溅射镀膜机真空溅镀SiO2膜形成SiO2阻挡层，并在SiO2阻挡层上真空溅镀ITO膜，其中，SiO2膜的靶材为多晶硅；ITO膜的靶材为质量百分比为90∶10的氧化铟(In2O3)与氧化锡(SnO2)，纯度为99.99％；气氛均为氧气与氩气。在真空溅镀膜过程中，第一室75℃、第二室115℃、第三室175℃、第四室235℃、第五室275℃、第六室295℃、第七室与第八室315℃，加热时间为500秒，镀膜室中玻璃基板传送速度为40mm/S，镀膜时间90S，真空溅镀的总气压为0.3Pa～0.35Pa，镀膜室真空度2.5×10-1Pa～3.50×10-1Pa之间，SiO2膜的溅射功率4000W，ITO膜的溅射功率2700W。然后，采用膜厚仪测试SiO2膜的厚度为18纳米，ITO膜的厚度为18纳米，采用分光计(550纳米波长)测试SiO2膜与ITO膜的透过率为89.8％，并检查SiO2膜及ITO膜的表面质量，若表面无划痕及赃物，则合格，在合格的ITO膜上采用黄光蚀刻线路形成ITO驱动层，并对形成有SiO2阻挡层及ITO驱动层的玻璃基底采用WG清洗机清洗，经冷风、热风进行干燥，然后进行质量检查，若ITO膜表面无赃物，且无划痕，则合格，最后将合格的形成有SiO2阻挡层及ITO驱动层的玻璃基底上架装片，准备下一步镀膜。
(2)在ITO驱动层上形成Mo-Al-Mo电桥层：采用WG真空磁控溅射镀膜机在ITO驱动层上依次镀Mo膜、Al膜及Mo膜，其中，Mo膜的靶材为钼与铌的质量百分比为90∶10的钼铌合金(MoNb)，纯度为99.9％；Al膜的靶材为钕铝合金(AlNd)；气氛均为氧气与氩气。在真空镀膜过程中：第一室55℃、第二室65℃、第三室75℃、第四室到第八室75℃，加热时间为800S，镀膜室的玻璃基底的传送速度为25mm/S，镀膜时间150S，真空溅镀膜的总气压为0.3Pa～0.35Pa，镀膜室真空度2.5×10-1Pa～3.50×10-1Pa之间，其中，第1层MO镀膜溅射功率2000W，第2层Al镀膜溅射功率为10000W，第3层MO溅射功率为2000W；然后测试得第1层MO膜的厚度为30纳米，第二层Al膜的厚度为255纳米，第三层MO膜的厚度为30纳米，即测试得Mo-Al-Mo膜的厚度为315纳米，且采用电阻仪测试得方阻为0.4Ω/□，且Mo-Al-Mo膜的表面无划痕及赃物，则合格，然后在Mo-Al-Mo膜上采用黄光蚀刻线路形成Mo-Al-Mo电桥层。
(3)在Mo-Al-Mo电桥层上涂覆形成OC绝缘层。其中，OC绝缘层的厚度为1微米，然后采用WG清洗机清洗，经冷风、热风干燥，并进行质量检查，若表面无赃物，且无划痕，则合格，最后将合格的形成有SiO2阻挡层、ITO驱动层、Mo-Al-Mo电桥层及OC绝缘层的玻璃基底上架装片，准备下一步镀膜。
(4)采用WG真空磁控溅射镀膜机在OC绝缘层上形成ITO感应层。其中，真空溅镀ITO膜的靶材为质量百分比为90∶10的氧化铟(In2O3)与氧化锡(SnO2)，纯度为99.99％；气氛为氧气与氩气。在真空溅镀ITO膜过程中，第一室55℃、第二室75℃、第三室到第八室75℃，加热时间为720S，镀膜室中玻璃基板传送速度为32.5mm/S，镀膜时间120S，真空溅镀膜的总气压为0.3Pa～0.35Pa，镀膜室真空度2.5×10-1Pa～3.50×10-1Pa之间，ITO镀膜溅射功率3350W；然后，在溅射镀完ITO膜后，采用膜厚仪测试ITO膜的厚度为18纳米，采用分光计(550纳米波长)测试ITO膜的透过率为89.7％，并检查ITO膜的表面质量，若表面无划痕及赃物，则合格，在ITO膜上采用黄光蚀刻线路形成ITO感应层，采用WG清洗机清洗，经冷风、热风进行干燥，然后进行质量检查，若ITO感应层表面无赃物，且无划痕，则合格，最后将合格的形成有SiO2阻挡层、ITO驱动层、Mo-Al-Mo电桥层、OC绝缘层及ITO感应层的玻璃基底上架装片，准备下一步镀膜。
(5)采用WG真空磁控溅射镀膜机在ITO膜上形成SiO2保护层，其中，靶材为多晶硅，气氛为氧气与氩气。在真空溅镀膜过程中，第一室55℃、第二室75℃、第三室75℃、第四室到第八室75℃，加热时间为900S，镀膜室中玻璃基板的传送速度为25mm/S，镀膜时间150S，真空溅镀的总气压为0.3Pa～0.35Pa，镀膜室真空度2.5×10-1Pa～3.50×10-1Pa之间，SiO2溅射功率6750W；然后，采用膜厚仪测试形成的SiO2保护层的厚度为45纳米，采用分光计(550纳米波长)测试SiO2保护层的透过率为90.0％，并检查SiO2保护层的表面质量，若表面无划痕及赃物，则合格。
实施例4
电容式触摸屏结构玻璃/SiO2/ITO/Mo-Al-Mo/OC绝缘层/ITO/SiO2。
(1)在玻璃基底上形成SiO2阻挡层及ITO驱动层。采用WG清洗机清洗玻璃基底，经冷风、热风将玻璃基底干燥，然后将干燥后的玻璃基底进行质量检查，若玻璃基底的表面无赃物，且无划痕，则玻璃基底合格，最后将合格的玻璃基底上架装片，准备镀膜。在玻璃基底上采用WG真空磁控溅射镀膜机真空溅镀SiO2膜形成SiO2阻挡层，并在SiO2阻挡层上真空溅镀ITO膜，其中，SiO2膜的靶材为多晶硅；ITO膜的靶材为质量百分比为90∶10的氧化铟(In2O3)与氧化锡(SnO2)，纯度为99.99％；气氛均为氧气与氩气。在真空溅镀膜过程中，第一室85℃、第二室125℃、第三室1805℃、第四室245℃、第五室285℃、第六室305℃、第七室与第八室325℃，加热时间为700S，镀膜室中玻璃基板传送速度为60毫米/秒，镀膜时间90S，溅射镀膜的总气压为0.3Pa～0.35Pa，镀膜室真空度2.5×10-1Pa～3.50×10-1Pa之间，SiO2膜的溅射功率5000W，ITO膜的溅射功率3700W。然后，采用膜厚仪测试SiO2膜的厚度为22纳米，ITO膜的厚度为22纳米，采用分光计(550纳米波长)测试SiO2膜与ITO膜的透过率为89.0％，并检查SiO2膜及ITO膜的表面质量，若表面无划痕及赃物，则合格，在合格的ITO膜上采用黄光蚀刻线路形成ITO驱动层，并对形成有SiO2绝缘层及ITO驱动层的玻璃基底采用WG清洗机清洗，经冷风、热风进行干燥，然后进行质量检查，若ITO膜表面无赃物，且无划痕，则合格，最后将合格的形成有SiO2阻挡层及ITO驱动层的玻璃基底上架装片，准备下一步镀膜。
(2)在ITO驱动层上形成Mo-Al-Mo电桥层：采用WG真空磁控溅射镀膜机在ITO驱动层上依次镀Mo膜、Al膜及Mo膜，其中，Mo膜的靶材为钼与铌的质量百分比为90∶10的钼铌合金(MoNb)，纯度为99.9％；Al膜的靶材为钕铝合金(AlNd)；气氛均为氧气与氩气。在真空镀膜过程中：第一室65℃、第二室75℃、第三室85℃、第四室到第八室85℃，加热时间为1000秒，镀膜室的玻璃基底的传送速度为35毫米/秒，镀膜时间150S，真空溅镀膜的总气压为0.3Pa～0.35Pa，镀膜室真空度2.5×10-1Pa～3.50×10-1Pa之间，其中，第1层MO镀膜溅射功率3000W，第2层Al镀膜溅射功率为14000W，第3层MO溅射功率为3000W；然后测试得第一层MO膜的厚度为55纳米，第二层Al膜的厚度为275纳米，第三层MO膜的厚度为55纳米，即测试得Mo-Al-Mo膜的厚度为385纳米，且采用电阻仪测试得方阻为0.2Ω/□，且Mo-Al-Mo膜的表面无划痕及赃物，则合格，然后在Mo-Al-Mo膜上采用黄光蚀刻线路形成Mo-Al-Mo电桥层。
(3)在Mo-Al-Mo电桥层上涂覆形成OC绝缘层。其中，OC绝缘层的厚度为2微米，然后采用WG清洗机清洗，经冷风、热风干燥，并进行质量检查，若表面无赃物，且无划痕，则合格，最后将合格的形成有SiO2阻挡层、ITO驱动层、Mo-Al-Mo电桥层及OC绝缘层的玻璃基底上架装片，准备下一步镀膜。
(4)采用WG真空磁控溅射镀膜机在OC绝缘层上形成ITO感应层。其中，真空溅镀ITO膜的靶材为质量百分比为90∶10的氧化铟(In2O3)与氧化锡(SnO2)，纯度为99.99％；气氛为氧气与氩气。在真空溅镀ITO膜过程中，第一室65℃、第二室85℃、第三室到第八室85℃，加热时间为720S，镀膜室中玻璃基板传送速度为42.5毫米/秒，镀膜时间120S，真空溅镀的总气压为0.3Pa～0.35Pa，镀膜室真空度2.5×10-1Pa～3.50×10-1Pa之间，ITO镀膜溅射功率4350W；然后，在溅射镀完ITO膜后，采用膜厚仪测试ITO膜的厚度为22纳米，采用分光计(550纳米波长)测试ITO膜的透过率为89.1％，并检查ITO膜的表面质量，若表面无划痕及赃物，则合格，在ITO膜上采用黄光蚀刻线路形成ITO感应层，采用WG清洗机清洗，经冷风、热风进行干燥，然后进行质量检查，若ITO膜表面无赃物，且无划痕，则合格，最后将合格的形成有SiO2阻挡层、ITO驱动层、Mo-Al-Mo电桥层、OC绝缘层及ITO感应层的玻璃基底上架装片，准备下一步镀膜。
(5)采用WG真空磁控溅射镀膜机在ITO驱动层上形成SiO2保护层，其中，靶材为多晶硅，气氛为氧气与氩气。在真空溅镀膜过程中，第一室65℃、第二室85℃、第三室85℃、第四室到第八室85℃，加热时间为900S，镀膜室中玻璃基板的传送速度为35毫米/秒，镀膜时间150S，真空溅镀的总气压为0.3Pa～0.35Pa，镀膜室真空度2.5×10-1Pa～3.50×10-1Pa之间，SiO2溅射功率7750W；采用膜厚仪测试形成的SiO2保护层的厚度为55纳米，采用分光计(550纳米波长)测试SiO2膜与ITO膜的透过率为90.6％，并检查SiO2保护层的表面质量，若表面无划痕及赃物，则合格。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (2)
1.一种电容式触摸屏的制备工艺，其特征在于，包括如下步骤：
在玻璃基底上真空溅镀第一二氧化硅膜形成阻挡层；在所述阻挡层上真空溅镀第一氧化铟锡膜，并在所述第一氧化铟锡膜上蚀刻线路形成驱动层；
在所述驱动层上依次真空溅镀第一Mo膜、Al膜及第二Mo膜，并在形成的Mo-Al-Mo膜上蚀刻线路，形成电桥层；
在所述电桥层上涂覆OC绝缘胶形成绝缘层；
在所述绝缘层上真空溅镀第二氧化铟锡膜，并在所述第二氧化铟锡膜上蚀刻线路形成感应层；及在所述感应层上真空溅镀第二二氧化硅膜形成保护层；
真空溅镀第二氧化铟锡膜的工艺条件为：第一室的加热温度为55℃～65℃，第二室、第三室、第四室、第五室、第六室、第七室及第八室的加热温度均为75℃～85℃，总加热时间为620秒～820秒，玻璃基板的传送速度为32.5毫米/秒～42.5毫米/秒，真空度为2.5×10-1Pa～3.5×10-1Pa，总气压为0.3Pa～0.35Pa；
真空溅镀第二二氧化硅膜的工艺条件为：第一室的加热温度为55℃～65℃，第二室、第三室、第四室、第五室、第六室、第七室及第八室的加热温度均为75℃～85℃，总加热时间800秒～1000秒，传送速度为25毫米/秒～35毫米/秒，真空度为2.5×10-1Pa～3.5×10-1Pa，总气压为0.3Pa～0.35Pa；
绝缘层的厚度为1微米～2微米。
2.根据权利要求1所述的电容式触摸屏的制备工艺，其特征在于，真空溅镀所述第一二氧化硅膜及所述第一氧化铟锡膜的工艺条件为：第一室的加热温度为75℃～85℃，第二室的加热温度为115℃～125℃，第三室的加热温度为175℃～185℃，第四室的加热温度为235℃～245℃，第五室的加热温度为275℃～285℃，第六室的加热温度为295℃～305℃，第七室与第八室的加热温度均为315℃～325℃，总加热时间为500秒～700秒，所述玻璃基板的传送速度为40毫米/秒～60毫米/秒，真空度为2.5×10-1Pa～3.50×10-1Pa，总气压为0.3Pa～0.35Pa；真空溅镀所述第一二氧化硅膜的溅射功率为4000W～5000W；真空溅镀所述第一氧化铟锡膜的溅射功率为2700W～3700W；
真空溅镀所述第一Mo膜、Al膜及第二Mo膜的工艺条件为：第一室的加热温度为55℃～65℃，第二室的加热温度为65℃～75℃，第三室的加热温度为75℃～85℃，第四室、第五室、第六室、第七室及第八室的加热温度均为75℃～85℃，总加热时间为800秒～1000秒，所述玻璃基板的传送速度为25毫米/秒～35毫米/秒，真空度为2.0×10-1Pa～3.0×10-1Pa，总气压为0.3Pa～0.35Pa；所述第一Mo膜的溅射功率为2000W～3000W；所述Al膜的溅射功率为10000W～14000W；所述第二Mo膜的溅射功率为2000W～3000W；
真空溅镀所述第二氧化铟锡膜的溅射功率为3350W～4350W；及
真空溅镀所述第二二氧化硅膜的溅射功率为6750W～7750W。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C53 | Correction of patent for invention or patent application | ||
| CB02 | Change of applicant information |
Address after: 338004 Xinyu City, Jiangxi Province High - tech Industrial Development Zone Xicheng Avenue Vogg Industrial Park Applicant after: WG TECH (JIANGXI) CO., LTD. Address before: 338004 Xinyu City, Jiangxi Province High - tech Development Zone Xicheng Road Vogg Industrial Park Applicant before: Jiangxi Woge Optoelectronic Technology Co., Ltd. |
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| COR | Change of bibliographic data |
Free format text: CORRECT: APPLICANT; FROM: JIANGXI WG PHOTOELECTRIC TECHNOLOGY CO., LTD. TO: JIANGXI WG PHOTOELECTRIC CO., LTD. |
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| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |