CN103199061A - 防静电tft基板的制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种防静电TFT基板的制作方法,包括以下步骤:对TFT基板进行清洗并干燥;采用旋刮涂胶法将ITO溶合剂旋刮在所述TFT基板上,在所述TFT基板表面形成ITO涂层,其中,所述ITO溶合剂由以下质量百分比的组份组成:0.5~1%的In2O3、4.5~6%的SnO2、35~45%的H2O、15~20%的复合表面活性剂及35~40%的交联剂;及将所述ITO涂层进行烘烤,后自然晾干,在所述TFT基板表面形成ITO膜层,得到防静电TFT基板。上述防静电TFT基板的制作方法,由于旋刮涂胶法的设备较真空磁控溅射设备成本较低,降低了生产成本;同时,旋刮涂胶法不会产生电子辐射,对人体影响较小;另外,旋刮涂胶法在常压下进行,减少了真空度对TFT基板破裂风险的影响。
Description
技术领域
本发明涉及TFT基板领域,特别是涉及一种防静电TFT基板的制作方法。
背景技术
目前,防静电TFT(Thin Film Transistor,薄膜场效应晶体管)基板的制作方法为:采用真空磁控溅射镀膜法在TFT基板上镀一层防静电的ITO(Indium TinOxides,纳米铟锡金属氧化物)膜层,从而将生产过程中产生的静电迅速的从基板表面流出,以防止静电的聚集,防止ESD(静电释放)对TFT基板的损坏。
但是,真空磁控溅射镀膜法存在以下缺点:
1、镀膜时的真空度要求较难控制,TFT基板破裂的风险较大;2、真空磁控溅射设备较复杂,投入的成本较大;3、溅射时产生的电子辐射对人体影响较大。
发明内容
基于此,有必要提供一种对人体影响较小、TFT基板破裂风险较小的防静电TFT基板的制作方法。
一种防静电TFT基板的制作方法,包括以下步骤:
对TFT基板进行清洗并干燥;
采用旋刮涂胶法将ITO溶合剂旋刮在所述TFT基板上,在所述TFT基板表面形成ITO涂层,其中,所述ITO溶合剂由以下质量百分比的组份组成:0.5~1%的In2O3、4.5~6%的SnO2、35~45%的H2O、15~20%的复合表面活性剂及35~40%的交联剂;及
将所述ITO涂层进行烘烤,后自然晾干,在所述TFT基板表面形成ITO膜层,得到防静电TFT基板。
在其中一个实施例中,对TFT基板进行清洗并干燥的步骤包括:对TFT基板依次用纯水、碱液、二流体喷淋、超纯水喷淋、高压喷淋进行清洗,后依次用冷风、热风干燥。
在其中一个实施例中,所述ITO溶合剂的粘度为20~25CP。
在其中一个实施例中,所述复合表面活性剂为聚乙二醇。
在其中一个实施例中,所述交联剂为过氧化二异丙苯。
在其中一个实施例中,所述ITO膜层的厚度为40~50μm。
在其中一个实施例中,采用旋刮涂胶法将ITO溶合剂旋刮在所述TFT基板上,在所述TFT基板表面形成ITO涂层的步骤中,旋刮速度为1000~1500转/min,旋刮时间为10~15s,环境温度为19~25℃,环境湿度为40~60%。
在其中一个实施例中,烘烤温度为57~63℃,烘烤时间为25~35min。
上述防静电TFT基板的制作方法,由于旋刮涂胶法的设备较真空磁控溅射设备成本较低,降低了生产成本;同时,旋刮涂胶法不会产生电子辐射,对人体影响较小;另外,旋刮涂胶法在常压下进行,减少了真空度对TFT基板破裂风险的影响。
附图说明
图1为一实施方式的防静电TFT基板的制作方法的流程图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施,本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进,因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。
一实施方式的防静电TFT基板的制作方法,包括以下步骤:
步骤S100、对TFT基板进行清洗并干燥。
具体的,使用清洗机对TFT基板依次用纯水、碱液、BJ(二流体)喷淋、DI(超纯水)喷淋、高压喷淋进行清洗,后依次用冷风、热风干燥,最后检验TFT基板表面的清洁质量,准备进行旋刮涂胶。
步骤S200、采用旋刮涂胶法将ITO溶合剂旋刮在TFT基板上,在TFT基板表面形成ITO涂层,其中,ITO溶合剂由以下质量百分比的组份组成:0.5~1%的In2O3、4.5~6%的SnO2、35~45%的H2O、15~20%的复合表面活性剂及35~40%的交联剂。
具体的,通过机械手将TFT基板放置在自动刀刮旋涂胶机工作台面上,并进行自动定位,然后将ITO溶合剂旋刮在TFT基板上,形成一层ITO涂层,旋刮速度为1000~1500转/min,旋刮时间为10~15s,均匀性控制在±5%以内。作业环境为无尘空间(百级),温度为19~25℃,湿度为40~60%。
其中,ITO溶合剂的粘度为20~25CP。复合表面活性剂为邢台盛达助剂有限责任公司生产的聚乙二醇(PEG)400。交联剂具体为过氧化二异丙苯。
步骤S300、将ITO涂层进行烘烤,后自然晾干,在TFT基板表面形成ITO膜层,得到防静电TFT基板。
将ITO涂层在作业环境下自然风干3~5min后送进无尘烤箱中进行烘烤,烘烤温度为57~63℃,烘烤时间为25~35min。烘烤温度较低,防止温度因素影响ITO膜层的附着力及膜硬度。将具有ITO涂层的TFT基板进行烘烤,可以使ITO涂层与TFT基板的附着力增强,并形成透明、均匀的ITO膜层。
其中,ITO膜层的厚度为40~50μm。
上述防静电TFT基板的制作方法,由于旋刮涂胶法的设备较真空磁控溅射设备成本较低,降低了生产成本;同时,旋刮涂胶法不会产生电子辐射,对人体影响较小;另外,旋刮涂胶法在常压下进行,减少了真空度对TFT基板破裂风险的影响。
下面结合具体实施例,对本发明作进一步的阐述。
实施例1
一种防静电TFT基板的制作方法,包括以下步骤:
1、对TFT基板进行清洗并干燥。
使用清洗机对TFT基板依次用纯水、碱液、BJ喷淋、DI喷淋、高压喷淋进行清洗,后依次用冷风、热风干燥。
2、采用旋刮涂胶法将ITO溶合剂旋刮在TFT基板上,在TFT基板表面形成ITO涂层,其中,ITO溶合剂由以下质量百分比的组份组成:0.5%的In2O3、4.5%的SnO2、40%的H2O、15%的PEG400及40%的过氧化二异丙苯。
通过机械手将TFT基板放置在自动刀刮旋涂胶机工作台面上,并进行自动定位,然后将粘度为20CP的ITO溶合剂旋刮在TFT基板上,形成一层ITO涂层,旋刮速度为1000转/min,旋刮时间为10s。作业环境为无尘空间(百级),温度为19℃,湿度为40%。
3、将ITO涂层进行烘烤,后自然晾干,在TFT基板表面形成ITO膜层,得到防静电TFT基板。
将ITO涂层送进无尘烤箱中进行烘烤,烘烤温度为60℃,烘烤时间为25min。ITO膜层的厚度为40μm。
将上述制作方法制得的防静电TFT基板进行性能测试,测试结果为:防静电TFT基板的表面电阻为5~10Ω/□,透过率比≥90%,ITO膜层的附着力为5B、膜硬度>6H,说明该防静电TFT基板达到生产要求,透过率较高,能够较好地应用于市场。
实施例2
一种防静电TFT基板的制作方法,包括以下步骤:
1、对TFT基板进行清洗并干燥。
使用清洗机对TFT基板依次用纯水、碱液、BJ喷淋、DI喷淋、高压喷淋进行清洗,后依次用冷风、热风干燥。
2、采用旋刮涂胶法将ITO溶合剂旋刮在TFT基板上,在TFT基板表面形成ITO涂层,其中,ITO溶合剂由以下质量百分比的组份组成:1%的In2O3、6%的SnO2、40%的H2O、18%的PEG400及35%的过氧化二异丙苯。
通过机械手将TFT基板放置在自动刀刮旋涂胶机工作台面上,并进行自动定位,然后将粘度为25CP的ITO溶合剂旋刮在TFT基板上,形成一层ITO涂层,旋刮速度为1500转/min,旋刮时间为15s。作业环境为无尘空间(百级),温度为25℃,湿度为60%。
3、将ITO涂层进行烘烤,后自然晾干,在TFT基板表面形成ITO膜层,得到防静电TFT基板。
将ITO涂层送进无尘烤箱中进行烘烤,烘烤温度为63℃,烘烤时间为35min。ITO膜层的厚度为50μm。
将上述制作方法制得的防静电TFT基板进行性能测试,测试结果为:防静电TFT基板的表面电阻为5~10Ω/□,透过率比≥90%,ITO膜层的附着力为5B、膜硬度>6H,说明该防静电TFT基板达到生产要求,透过率较高,能够较好地应用于市场。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。因此,本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (8)
1.一种防静电TFT基板的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
对TFT基板进行清洗并干燥;
采用旋刮涂胶法将ITO溶合剂旋刮在所述TFT基板上,在所述TFT基板表面形成ITO涂层,其中,所述ITO溶合剂由以下质量百分比的组份组成:0.5~1%的In2O3、4.5~6%的SnO2、35~45%的H2O、15~20%的复合表面活性剂及35~40%的交联剂;及
将所述ITO涂层进行烘烤,后自然晾干,在所述TFT基板表面形成ITO膜层,得到防静电TFT基板。
2.根据权利要求1所述的防静电TFT基板的制作方法,其特征在于,对TFT基板进行清洗并干燥的步骤包括:对TFT基板依次用纯水、碱液、二流体喷淋、超纯水喷淋、高压喷淋进行清洗,后依次用冷风、热风干燥。
3.根据权利要求1所述的防静电TFT基板的制作方法,其特征在于,所述ITO溶合剂的粘度为20~25CP。
4.根据权利要求1所述的防静电TFT基板的制作方法,其特征在于,所述复合表面活性剂为聚乙二醇。
5.根据权利要求1所述的防静电TFT基板的制作方法,其特征在于,所述交联剂为过氧化二异丙苯。
6.根据权利要求1所述的防静电TFT基板的制作方法,其特征在于,所述ITO膜层的厚度为40~50μm。
7.根据权利要求1所述的防静电TFT基板的制作方法,其特征在于,采用旋刮涂胶法将ITO溶合剂旋刮在所述TFT基板上,在所述TFT基板表面形成ITO涂层的步骤中,旋刮速度为1000~1500转/min,旋刮时间为10~15s,环境温度为19~25℃,环境湿度为40~60%。
8.根据权利要求1所述的防静电TFT基板的制作方法,其特征在于,烘烤温度为57~63℃,烘烤时间为25~35min。
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