CN103165799B - 半导体封装结构 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种半导体封装结构，包括一绝缘基板、一图案化导电层、一发光二极体晶片及一导电连接件。绝缘基板具有一区分为一元件配置区与一元件接合区的上表面。图案化导电层包括多条位于元件配置区内的线路与至少一位于元件接合区内的接垫。发光二极体晶片覆晶接合于图案化导电层上且与线路电性连接。导电连接件具有一与接垫电性连接的第一端点及一与一外部电路电性连接的第二端点。发光二极体晶片于图案化导电层上的正投影为一矩形，而接垫与矩形的一角落对应设置。角落的一顶点至导电连接件之第一端点之间的水平距离大于等于30微米。本发明提供的整体半导体封装结构具有较佳的出光效率。

Description

半导体封装结构
技术领域
本发明涉及一种半导体元件，且特别是涉及一种半导体封装结构。
背景技术
晶片封装的目的在于保护裸露的晶片、降低晶片接点的密度及提供晶片良好的散热。常见的封装方法是晶片通过打线(wirebonding)或覆晶接合(flipchipbonding)等方式而安装至一封装载板，以使晶片上的接点可电性连接至封装载板。因此，晶片的接点分布可藉由封装载板重新配置，以符合下一层级的外部元件的接点分布。
然而，目前将适于采用覆晶接合的封装载板直接转换成适于打线接合的封装载板时，焊线接垫的位置是邻近于晶片的侧表面。也就是说，若晶片为发光二极体晶片时，焊线接垫的位置是邻近晶片的发光面。如此一来，当焊线设置于焊线接垫上时，焊线会吸收发光二极体所发出的光，进而降低整体封装结构的发光效率。
发明内容
本发明提供一种半导体封装结构，具有较佳的出光效率。
本发明提出一种半导体封装结构，其包括一绝缘基板、一图案化导电层、一发光二极体晶片以及一导电连接件。绝缘基板具有一上表面，其中上表面区分为一元件配置区与一位于元件配置区外侧的元件接合区。图案化导电层配置于绝缘基板上，且包括多条线路与至少一接垫，其中线路位于元件配置区内，而接垫位于元件接合区内。发光二极体晶片覆晶接合于图案化导电层上，且位于元件配置区，其中发光二极体晶片与线路电性连接。导电连接件配置于图案化导电层上，且位于元件接合区。导电连接件具有一第一端点与一第二端点，其中第一端点与接垫电性连接，而第二端点与一外部电路电性连接。发光二极体晶片于图案化导电层上的正投影为一矩形，而接垫与矩形的一角落对应设置，且角落的一顶点至导电连接件之第一端点之间的水平距离大于等于30微米。
在本发明的一实施例中，上述的绝缘基板为一透明绝缘基板。
在本发明的一实施例中，上述的发光二极体晶片包括一晶片基板、一半导体层以及多个接点。半导体层位于晶片基板与接点之间，而接点连接图案化导电层。
在本发明的一实施例中，上述的发光二极体晶片还包括一反射层，配置于半导体层与接点之间。
在本发明的一实施例中，上述的角落的顶点至导电连接件的第一端点之间的水平距离小于等于1毫米(mm)。
在本发明的一实施例中，上述的导电连接件包括一焊线或一电线。
在本发明的一实施例中，上述的外部电路包括一导线架、一线路基板或一印刷电路板。
在本发明的一实施例中，上述的图案化导电层位于绝缘基板的上表面上。
在本发明的一实施例中，上述的图案化导电层内埋于绝缘基板的上表面，且图案化导电层的一表面与绝缘基板的上表面平齐。
在本发明的一实施例中，上述的半导体封装结构还包括一保护层，配置于图案化导电层上，且覆盖部分接垫与部分上表面。
在本发明的一实施例中，上述的接垫与线路之一电性连接。
基于上述，本发明的接垫是与发光二极体晶片在图案化导电层上的正投影(即为矩形)的一角落对应设置，且角落的顶点至导电连接件的端点之间的水平距离大于等于30微米。换言之，发光二极体晶片与导电连接件之间相隔有一定距离，且接垫的位置是在发光二极体晶片出光强度相对弱的地方，因此可降低导电连接件吸收发光二极体晶片所发出的光的可能性，可使得本发明的整体半导体封装结构能具有较佳的出光效率。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。
附图说明
图1A为本发明的一实施例的一种半导体封装结构的剖面示意图。
图1B为图1A的发光二极体晶片、接垫及导电连接件三者之间相对关系的俯视示意图。
图2为本发明的另一实施例的一种半导体封装结构的剖面示意图。
图3为本发明的另一实施例的一种半导体封装结构的剖面示意图。
图4为本发明的另一实施例的一种半导体封装结构的剖面示意图。
附图说明：
100a、100b、100c、100d：半导体封装结构
110：绝缘基板
112：上表面
113：元件配置区
115：元件接合区
120a、120b：图案化导电层
121：表面
122a、122b：线路
124a、124b：接垫
130a、130b：发光二极体晶片
132：晶片基板
134：半导体层
134a：N型掺杂层
134b：发光层
134c：P型掺杂层
136、138：接点
139：反射层
140：导电连接件
142：第一端点
144：第二端点
150：外部电路
160：保护层
C：角落
C1：顶点
R：水平距离
具体实施方式
图1A为本发明的一实施例的一种半导体封装结构的剖面示意图。图1B为图1A的发光二极体晶片、接垫及导电连接件三者之间相对关系的俯视示意图。请同时参考图1A与图1B，在本实施例中，半导体封装结构100a包括一绝缘基板110、一图案化导电层120a、一发光二极体晶片130a以及一导电连接件140。
详细来说，绝缘基板110具有一上表面112，其中上表面112可区分为一元件配置区113与一位于元件配置区113外侧的元件接合区115。图案化导电层120a配置于绝缘基板110上，且位于上表面112上。图案化导电层120a包括多条线路122a与至少一接垫124a(图1A与图1B中仅示意地示出一个)，其中线路122a位于元件配置区113内，而接垫124a位于元件接合区115内，且接垫124a与线路122a之一相连接。
发光二极体晶片130a覆晶接合于图案化导电层120a上，且位于元件配置区113，其中发光二极体晶片130a与线路122a电性连接。更具体来说，发光二极体晶片130a包括一晶片基板132、一半导体层134以及多个接点136、138，其中半导体层134位于晶片基板132与接点136、138之间，而接点136、138连接图案化导电层120a。此外，半导体层134包括一N型掺杂层134a、一发光层134b以及一P型掺杂层134c。发光层134b位于N型掺杂层134a与P型掺杂层134c之间，而接点136、138则分别与N型掺杂层134b与P型掺杂层134c电性连接。值得一提的是，为了增加光取出效率，必须避免发光二极体晶片130a的发光层134b所发出的光线被绝缘基板110吸收，因此绝缘基板110可例如是一透明绝缘基板，透明绝缘基板的材料包括氮化铝或蓝宝石。
导电连接件140配置于图案化导电层120a上，且位于元件接合区115。导电连接件140具有一第一端点142与一第二端点144，其中第一端点142与接垫124a电性连接，而第二端点144与一外部电路150电性连接。于此，导电连接件140例如是一焊线或一电线，而外部电路150例如是一导线架、一线路基板或一印刷电路板。
特别是，本实施例的发光二极体晶片130a于图案化导电层120a上的正投影为一矩形，而接垫124a与矩形的一角落C对应设置，且角落C的一顶点C1至导电连接件140的第一端点142之间的水平距离R大于等于30微米。换言之，以角落C的顶点C1为圆心，且以水平距离R为半径所围出的3/4圆形的轮廓上皆可设置导电连接件140。较佳地，角落C的顶点C1至导电连接件140的第一端点142之间的水平距离R小于等于1毫米(mm)。需说明的是，虽然于图1B中所示出的接垫124a的外型实质上为矩形，但于其他未示出的实施例中，接垫124a的外型亦可为圆形或其他适当的多边形，在此并不加以限制。
由于本实施例的接垫124a是与发光二极体晶片130a在图案化导电层120a上的正投影(即为矩形)的一个角落C对应设置，且角落C的顶点C1至导电连接件140的第一端点142之间的水平距离R大于等于30微米。也就是说，发光二极体晶片130a与导电连接件140之间相隔有一定距离，且接垫124a的位置是在发光二极体晶片130a出光强度相对弱(即角落C处)的地方，因此可有效降低导电连接件140吸收发光二极体晶片130a所发出的光的可能性，可使得本实施例的整体半导体封装结构100a能具有较佳的出光效率。
在此必须说明的是，下述实施例沿用前述实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，下述实施例不再重复赘述。
图2为本发明的另一实施例的一种半导体封装结构的剖面示意图。请参考图2，本实施例的半导体封装结构100b与图1A的半导体封装结构100a相似，惟二者主要差异之处在于：本实施例的半导体封装结构100b的图案化导电层120b内埋于绝缘基板110的上表面112，即线路122b与接垫124b皆内埋于绝缘基板110的上表面112，且图案化导电层120b的一表面121与绝缘基板110的上表面112实质上平齐。如此一来，半导体封装结构100b可具有较薄的厚度，可符合现今轻薄化的发展趋势。
图3为本发明的另一实施例的一种半导体封装结构的剖面示意图。请参考图3，本实施例的半导体封装结构100c与图1A的半导体封装结构100a相似，惟二者主要差异之处在于：本实施例的半导体封装结构100c的发光二极体晶片130b还包括一反射层139，其中反射层139配置于发光二极体晶片130b的半导体层134与接点136、138之间，用以增加发光二极体晶片130b的出光效能，使半导体封装结构100c具有较佳的发光效率。
图4为本发明的另一实施例的一种半导体封装结构的剖面示意图。请参考图4，本实施例的半导体封装结构100d与图1A的半导体封装结构100a相似，惟二者主要差异之处在于：本实施例的半导体封装结构100d还包括一保护层160，其中保护层160配置于图案化导电层120a上，且覆盖部分接垫124a与绝缘基板110的部分上表面112，用以保护图案化导电层120a以及导电连接件140的第一端点142。
综上所述，本发明的接垫是与发光二极体晶片在图案化导电层上的正投影(即为矩形)的一角落对应设置，且角落的顶点至导电连接件的端点之间的水平距离大于等于30微米。换言之，发光二极体晶片与导电连接件之间相隔有一定距离，且接垫的位置是在发光二极体晶片出光强度相对弱的地方，因此可降低导电连接件吸收发光二极体晶片所发出的光的可能性，可使得本发明的整体半导体封装结构能具有较佳的出光效率。
虽然本发明已以实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，而不脱离本发明的精神和范围。

Claims (11)

1.一种半导体封装结构，包括：
一绝缘基板，具有一上表面，其中该上表面分为一元件配置区与一位于该元件配置区外侧的元件接合区；
一图案化导电层，配置于该绝缘基板上，且包括多条线路与至少一接垫，其中所述线路位于该元件配置区内，而该接垫位于该元件接合区内；
一发光二极体晶片，覆晶接合于该图案化导电层上，且位于该元件配置区，其中该发光二极体晶片与所述线路电性连接；以及
一导电连接件，配置于该图案化导电层上，且位于该元件接合区，该导电连接件具有一第一端点与一第二端点，该第一端点与该接垫电性连接，而该第二端点与一外部电路电性连接，其中该发光二极体晶片于该图案化导电层上的正投影为一矩形，而该接垫与该矩形的一角落对应设置，且该角落的一顶点至该导电连接件的该第一端点之间的水平距离大于等于30微米。
2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中该绝缘基板为一透明绝缘基板。
3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中该发光二极体晶片包括一晶片基板、一半导体层以及多个接点，该半导体层位于该晶片基板与所述接点之间，而所述接点连接该图案化导电层。
4.根据权利要求3所述的半导体封装结构，其中该发光二极体晶片还包括一反射层，配置于该半导体层与所述接点之间。
5.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中该角落的该顶点至该导电连接件的该第一端点之间的水平距离小于等于1毫米。
6.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中该导电连接件包括一焊线或一电线。
7.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中该外部电路包括一导线架、一线路基板或一印刷电路板。
8.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中该图案化导电层位于该绝缘基板的该上表面上。
9.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中该图案化导电层内埋于该绝缘基板的该上表面，且该图案化导电层的一表面与该绝缘基板的该上表面平齐。
10.根据权利要求1所述的半导体封装结构，还包括一保护层，配置于该图案化导电层上，且覆盖部分该接垫与部分该上表面。
11.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中该接垫与所述线路之一电性连接。
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