CN103165392A - 一种离子迁移谱vuv灯角度光电发射装置 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种基于VUV真空紫外灯光源的光电发射装置,具体地说是一种具有VUV-PE功能又保留了VUV光电离功能的离子迁移谱电离源。它同时具有了光电离和VUV-PE电离的双重功能,在电离中可以更好的提高电离的选择性和使用范围。
Description
技术领域
本发明涉及仪器分析领域,具体地说是一种可用于离子迁移谱的VUV-PE电离源结构。该电离源结构简单可靠,既可以保留VUV光电离功能,由引入了VUV-PE的电子电离功能。
背景技术
电离源是离子迁移谱技术中的重要技术,其功能是电离待测样品,产生用于分析的离子。
目前电离源分成很多种,如放射性电离源、光电离源、放电电离源、表面热电离源、激光电离源等等。其中,光电离源多采用波长较短、能量较高的真空紫外光,以提高电离范围。
真空紫外灯(VUV lamp)是一种密封式的紫外光发生装置,氟化镁光窗玻璃的使用隔绝了内部放电部分与外部电离不分,使其具有稳定可靠的特点。
真空紫外光照射到金属表面时,也会发生光电发射(VUV-PE)。发射出来的光电子有利于电负性较高的化合物的电离,可以产生光电离本身难以产生的负离子,因而拓展电离源的使用范围。
可以将金属栅网等放置到光路上以产生光电效应。但是栅网通常具有的特点是面积大,但是结构上不易稳定可靠。
发明内容
本发明涉及的是用于离子迁移谱的电离源装置。
为达到此目的,本发明采用的方法为:
一种基于真空紫外灯VUV大气压条件下光电发射PE的电离源装置,包括VUV灯,于VUV灯的VUV灯窗正前方设置有环状VUV-PE金属片,金属片的环形内壁面上径向设有环形刀口。
环形刀口是由金属片的两侧表面于环形内边沿处分别倒角而成,于金属片的内孔处形成两个锥面,靠近VUV灯侧的为PE发射面,另一侧为推斥面。环形刀口的轴截面为三角形。
VUV灯的VUV灯窗前方设置有迁移管,VUV灯发出紫外光射入迁移管反应区;金属片位于VUV灯窗和迁移管反应区之间。
于VUV灯外侧设有VUV灯座,于VUV灯的VUV灯窗处的VUV灯座上设有透光孔。
VUV灯座与迁移管相固接,金属片与VUV灯窗间设有O型密封圈,金属片置于VUV灯与迁移管之间并通过O型密封圈实现连接处密封。
VUV灯座侧面设有两孔,用于VUV灯电源引入,顶端设有观察窗。
该设计同时具有了光电离和VUV-PE电离的双重功能,在电离中可以更好的提高电离的选择性和使用范围。
该设计的优点是:
本发明使用结构可靠的金属圈来代替栅网,提供光电发射表面。结构简单可靠,可同时实现两种电离机制。
附图说明
图1为VUV-PE真空紫外灯双功能电离装置结构示意图。
具体实施方式
实施例
一种基于真空紫外灯VUV大气压条件下光电发射PE的电离源装置,包括VUV灯2,于VUV灯2的VUV灯窗2.1正前方设置有环状VUV-PE金属片4,金属片4的环形内壁面上径向设有环形刀口。
环形刀口是由金属片4的两侧表面于环形内边沿处分别倒角而成,于金属片4的内孔处形成两个锥面,靠近VUV灯2侧的为PE发射面4.1,另一侧为推斥面4.2。环形刀口的轴截面为三角形。
VUV灯2的VUV灯窗2.1前方设置有迁移管5,VUV灯2发出紫外光射入迁移管5反应区;金属片4位于VUV灯窗2.1和迁移管5反应区之间。
于VUV灯2外侧设有VUV灯座1,于VUV灯2的VUV灯窗2.1处的VUV灯座1上设有透光孔。
VUV灯座1与迁移管5相固接,金属片4与VUV灯窗2.1间设有O型密封圈3,金属片4置于VUV灯2与迁移管5之间并通过O型密封圈3实现连接处密封。
VUV灯座1侧面设有两孔,用于VUV灯电源引入,顶端设有观察窗。
VUV-PE金属圈的内孔是由两个锥面PE发射面和推斥面构成。PE发射面可在VUV灯作用下产生光电发射(PE)电子,这些电子在推斥面的作用下进入迁移管的反应区以产生电离作用。VUV-PE金属圈内孔允许VUV灯光进入反应区以同时实现光电离。
Claims (7)
1.一种离子迁移谱VUV灯角度光电发射装置,是基于真空紫外灯(VUV)大气压条件下光电发射(PE)的电离源装置,包括VUV灯(2),其特征在于:
于VUV灯(2)的VUV灯窗(2.1)正前方设置有环状VUV-PE金属片(4),
金属片(4)的环形内壁面上径向设有环形刀口。
2.如权利要求1所述的电离源结构,其特征在于:环形刀口是由金属片(4)的两侧表面于环形内边沿处分别倒角而成,于金属片(4)的内孔处形成两个锥面,靠近VUV灯(2)侧的为PE发射面(4.1),另一侧为推斥面(4.2)。
3.如权利要求1或2所述的电离源结构,其特征在于:环形刀口的轴截面为三角形。
4.如权利要求1所述的电离源结构,其特征在于:VUV灯(2)的VUV灯窗(2.1)前方设置有迁移管(5),VUV灯(2)发出紫外光射入迁移管(5)反应区;金属片(4)位于VUV灯窗(2.1)和迁移管(5)反应区之间。
5.如权利要求1或4所述的电离源结构,其特征在于:
于VUV灯(2)外侧设有VUV灯座(1),于VUV灯(2)的VUV灯窗(2.1)处的VUV灯座(1)上设有透光孔。
6.如权利要求5所述的电离源结构,其特征在于:
VUV灯座(1)与迁移管(5)相固接,金属片(4)与VUV灯窗(2.1)间设有O型密封圈(3),金属片(4)置于VUV灯(2)与迁移管(5)之间并通过O型密封圈(3)实现连接处密封。
7.如权利要求5所述的电离源结构,其特征在于:VUV灯座(1)侧面设有两孔,用于VUV灯电源引入,顶端设有观察窗。
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CN 201110427219 CN103165392A (zh) | 2011-12-19 | 2011-12-19 | 一种离子迁移谱vuv灯角度光电发射装置 |
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CN112185801A (zh) * | 2019-07-05 | 2021-01-05 | 上海大学 | 一种新型光电复合离子源 |
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