CN103152103A - 光模块及其cdr芯片的速率模式自适应调整方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种光模块及其CDR芯片的速率模式自适应调整方法，所述光模块包括：CDR芯片、激光发射光源、MCU；其中，CDR芯片中集成了激光驱动电路和第一CDR单元；第一CDR单元根据设置的发端速率模式对接收的电信号锁定后进行整形，输出整形后的电信号到激光驱动电路驱动激光发射光源发射激光；MCU根据从CDR芯片获取发端失锁状态信息对CDR芯片的发端速率模式进行调整。由于通过光模块中的MCU获取CDR芯片中的失锁状态信息作为反馈信息，对CDR芯片中的速率模式进行自适应调整；从而CDR芯片可以根据当前信号速率，调整为适合锁定当前速率的信号的速率模式，以对更宽速率范围的信号进行整形、保证信号质量。

Description

光模块及其CDR芯片的速率模式自适应调整方法

技术领域

本发明涉及光纤通信技术，尤其涉及一种光模块及其CDR芯片的速率模式自适应调整方法。

背景技术

目前的国内市场以及国际市场，高带宽、高速率和多种业务融合的光纤通信方向已经开始应用；在众多的解决方案中，光纤到户(FTTH)的出现便被认为是宽带接入的终极解决方案。国内市场已经大面积应用。

而在FTTH众多方案中，其中PON（无源光网络）又备受关注，成为了目前主流的光接入方式；其中，十吉比特无源光网络得到广泛应用。XFP（10Gigabit Small Form Factor Pluggable，10G小封装可插拔光模块）光模块为十吉比特无源光网络中的核心部件，安装于OLT或ONU等设备中，进行光信号的收发。

目前，现有技术的XFP光模块中通常包括激光发射单元和激光接收单元，激光接收单元包括ROSA（Receiver Optical Subassembly，光接收组件）和限幅放大电路；激光发射单元包括TOSA（Transmitter Optical SubassemblyAssemble，光发射同轴封装组件）及其激光驱动电路，TOSA中通常包括激光发射光源；

或者XFP光模块中包括BOSA（Bidirectional Optical Subassembly，双向光组件），BOSA可以进行激光发射和接收。

ROSA、或者BOSA中通常包括有光电二极管和TIA。所述光电二极管具体可以是应用于GPON网络的光模块中的APD（Avalanche Photo Diode，雪崩光电二极管），也可以是应用于EPON网络的光模块中的PIN光电二极管（在P、N结之间加进一个接近本征材料的I区，形成PIN结构的半导体光电探测器）。光电二极管探测到光信号后会输出相应的响应电流Ipd，TIA（TranimpedanceAmplifier，跨阻放大器）将输出相应的差分电信号；该差分信号被送到限幅放大器，限幅放大器输出相应的电信号。

TOSA、或者BOSA中通常包括有激光发射光源，激光发射光源的激光驱动电路接收到电信号后，根据接收的电信号驱动激光发射光源发射特定波长的激光。

随着网络速率的提升，XFP光模块进行万兆以上速率传输时，信号质量将明显下降；为了保证信号质量，XFP光模块中采用CDR（Clock and DataRecovery，时钟数据恢复）器件对传送的电信号进行整形恢复处理；如图1所示的XFP光模块中，采用型号为GN2010D的CDR芯片进行电信号的整形。

在CDR芯片中集成了激光驱动电路和第一CDR单元，以及限幅放大器和第二CDR单元。

第一CDR单元对输入到激光驱动电路的电信号进行整形处理，第二CDR单元对限幅放大器输出的电信号进行整形处理，从而保证光模块接收、发射的信号的质量。

第一CDR单元和第二CDR单元对电信号进行整形前，需要对电信号进行频率锁定；换言之，在对电信号进行频率锁定后，第一CDR单元和第二CDR单元才能对电信号进行整形。

然而，当网络环境涉及到多种传输协议时，无源光网络中传输的信号的速率范围会很宽；速率范围可能包括：从低于8.5Gb/s到11.7Gb/s。而信号频率往往是随着信号速率的改变而改变；也就是说，速率低的信号通常频率也较低，速率高的信号其频率会较高。而CDR芯片在光模块初始上电后通常固定为一个预先设定的速率模式上；导致CDR芯片对超出该预先设定的速率模式处理能力范围外的速率的信号不能进行锁定，也就无法对这些信号进行整形，保证信号质量。

综上所述，现有技术的光模块无法对一个较宽速率范围的信号进行整形、保证信号质量，不具有较佳的多种传输协议的兼容性。

发明内容

本发明的实施例提供了一种光模块及其CDR芯片的速率模式自适应调整方法，可以使光模块对于更宽速率范围的信号进行整形、保证信号质量，具有多种传输协议的兼容性。

根据本发明的一个方面，提供了一种光模块，包括：CDR芯片、激光发射光源、MCU；

其中，所述CDR芯片中集成了激光驱动电路和第一CDR单元；

所述激光驱动电路通过所述CDR芯片的外接引脚与所述激光发射光源相连，第一CDR单元通过所述CDR芯片的外接引脚接收到电信号后，根据设置的发端速率模式对接收的电信号进行锁定后进行整形，并输出整形后的电信号到所述激光驱动电路的电信号输入端，所述激光驱动电路根据从其电信号输入端输入的电信号驱动所述激光发射光源发射激光；

所述MCU与所述CDR芯片通过通信总线相连，所述MCU从所述CDR芯片获取发端失锁状态信息；并根据获取的发端失锁状态信息对所述CDR芯片的发端速率模式进行调整。

进一步，所述光模块还包括：光电二极管和跨阻放大器TIA；以及所述CDR芯片中还集成有：限幅放大电路和第二CDR单元；其中，

所述光电二极管和TIA相连，所述TIA的电信号输出端通过所述CDR芯片的外接引脚与所述限幅放大电路的电信号输入端相连，所述限幅放大电路对其电信号输入端输入的电信号进行限幅放大输出；第二CDR单元接收所述限幅放大电路输出的电信号后，根据设置的收端速率模式对接收的电信号进行锁定后进行整形，并将整形后的电信号通过所述CDR芯片的外接引脚输出；

所述MCU还从所述CDR芯片获取收端失锁状态信息；并根据获取的收端失锁状态信息对所述CDR芯片的收端速率模式进行调整。

较佳地，所述MCU还用于在确定所述光电二极管没有探测到有效光信号后，将所述CDR芯片中的收端速率模式调整到与所述发端速率模式相同。

较佳地，所述激光发射光源封装于TOSA中，所述光电二极管和TIA封装于ROSA中；或者，

所述激光发射光源、光电二极管和TIA封装于BOSA中。

根据本发明的另一个方面，还提供了一种光模块中CDR芯片的速率模式自适应调整方法，包括：

所述光模块中的MCU从所述光模块中的CDR芯片获取发端失锁状态信息；并根据获取的发端失锁状态信息对所述CDR芯片的发端速率模式进行调整；

其中，所述光模块还包括：激光发射光源；所述CDR芯片中集成了激光驱动电路和第一CDR单元；

所述激光驱动电路通过所述CDR芯片的外接引脚与所述激光发射光源相连，第一CDR单元通过所述CDR芯片的外接引脚接收到电信号后，根据设置的发端速率模式对接收的电信号进行锁定后进行整形，并输出整形后的电信号到所述激光驱动电路的电信号输入端，所述激光驱动电路根据从其电信号输入端输入的电信号驱动所述激光发射光源发射激光。

较佳地，所述根据获取的发端失锁状态信息对所述CDR芯片的发端速率模式进行调整，具体包括：

所述MCU若判断出当前获取的发端失锁状态信息为失锁状态，而之前获取的发端失锁状态信息为锁定状态，则依据如下方法进行所述发端速率模式的调整：

将所述发端速率模式从最高速率模式开始，依次向最低速率模式调整；在每次调整所述发端速率模式后，所述MCU从所述CDR芯片获取发端失锁状态信息；若获取的发端失锁状态信息仍为失锁状态则继续下次调整；若获取的发端失锁状态信息为锁定状态，则不再继续调整。

进一步，所述方法还包括：

所述MCU还从所述CDR芯片获取收端失锁状态信息；并根据获取的收端失锁状态信息对所述CDR芯片的收端速率模式进行调整；以及

所述光模块中还包括：光电二极管和跨阻放大器TIA；以及所述CDR芯片中还集成有：限幅放大电路和第二CDR单元；

其中，所述光电二极管和TIA相连，所述TIA的电信号输出端通过所述CDR芯片的外接引脚与所述限幅放大电路的电信号输入端相连，所述限幅放大电路对其电信号输入端输入的电信号进行限幅放大输出；第二CDR单元接收所述限幅放大电路输出的电信号后，根据设置的收端速率模式对接收的电信号锁定后进行整形，并将整形后的电信号通过所述CDR芯片的外接引脚输出。

较佳地，所述根据获取的收端失锁状态信息对所述CDR芯片的收端速率模式进行调整，具体包括：

所述MCU若判断出当前获取的收端失锁状态信息为失锁状态，而之前获取的收端失锁状态信息为锁定状态，则依据如下方法进行所述收端速率模式的调整：

将所述收端速率模式从最高速率模式开始，依次向最低速率模式调整；在每次调整所述收端速率模式后，所述MCU从所述CDR芯片获取收端失锁状态信息；若获取的收端失锁状态信息仍为失锁状态则继续下次调整；若获取的收端失锁状态信息为锁定状态，则不再继续调整。

较佳地，在所述将所述收端速率模式从最高速率模式开始，依速率的高低顺序，依次向最低速率模式调整之前，还包括：

所述MCU确定所述光模块当前为非低功耗模式，且发端输出没有关闭。

进一步，所述方法还包括：

所述MCU在确定所述光电二极管没有探测到有效光信号后，将所述CDR芯片中的收端速率模式调整到与所述发端速率模式相同。

本发明实施例提供的光模块由于通过光模块中的MCU获取CDR芯片中的失锁状态信息作为反馈信息，来对CDR芯片中的速率模式进行自适应调整，而不再是上电后固定的速率模式；从而CDR芯片可以根据当前信号速率，调整为适合锁定当前速率的信号的速率模式，达到对于更宽速率范围的信号进行整形、保证信号质量的目的；使得光模块可以兼容光网络中不同传输速率的传输协议。

附图说明

图1为现有技术的光模块内CDR芯片进行电信号整形的电路示意图；

图2为本发明实施例的光模块内部电路示意图；

图3为本发明实施例的MCU对CDR芯片中的发端速率模式的自适应调整方法的流程图；

图4为本发明实施例的MCU对CDR芯片中的收端速率模式的自适应调整方法的流程图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下参照附图并举出优选实施例，对本发明进一步详细说明。然而，需要说明的是，说明书中列出的许多细节仅仅是为了使读者对本发明的一个或多个方面有一个透彻的理解，即便没有这些特定的细节也可以实现本发明的这些方面。

本申请使用的“模块”、“***”等术语旨在包括与计算机相关的实体，例如但不限于硬件、固件、软硬件组合、软件或者执行中的软件。例如，模块可以是，但并不仅限于：处理器上运行的进程、处理器、对象、可执行程序、执行的线程、程序和/或计算机。

本发明的发明人考虑到，可以通过光模块中的MCU（MicroprogrammedControl Unit，微程序控制器）获取CDR芯片中的失锁状态信息作为反馈信息，来对CDR芯片中的速率模式进行自适应调整；从而CDR芯片可以根据当前信号速率，调整为适合锁定当前速率的信号的速率模式，达到对于更宽速率范围的信号进行整形、保证信号质量的目的。

下面结合附图详细说明本发明实施例的技术方案。本发明实施例的光模块，如图2所示，其中包括：CDR芯片201、激光发射光源202、MCU203。

其中，CDR芯片201中集成有激光驱动电路211和第一CDR单元212。

激光驱动电路211通过CDR芯片201的外接引脚与激光发射光源202相连，第一CDR单元212通过所述CDR芯片201的外接引脚接收到电信号后，根据设置的发端速率模式对接收的电信号进行锁定后进行整形，并输出整形后的电信号到激光驱动电路211的电信号输入端，激光驱动电路211根据从其电信号输入端输入的电信号驱动激光发射光源202发射激光；

MCU203与CDR芯片201通过通信总线相连，MCU203从CDR芯片201获取发端失锁状态信息；并根据获取的发端失锁状态信息对CDR芯片201的发端速率模式进行调整。MCU203与CDR芯片201之间的通信总线具体可以是IIC（Inter-Integrated Circuit，交互集成电路）总线或SPI（Serial PeripheralInterface，串行外设接口）总线。

具体地，MCU203从CDR芯片201获取发端失锁状态信息后，若判断出当前获取的发端失锁状态信息为失锁状态，而之前获取的发端失锁状态信息为锁定状态，则依据如下方法进行所述发端速率模式的调整：

将所述发端速率模式从最高速率模式开始，依次向最低速率模式调整；在每次调整所述发端速率模式后，所述MCU从所述CDR芯片获取发端失锁状态信息；若获取的发端失锁状态信息仍为失锁状态则继续下次调整；若获取的发端失锁状态信息为锁定状态，则不再继续调整。

事实上，MCU203可以周期性地从CDR芯片201获取发端失锁状态信息，例如，以设定周期的定时器来触发MCU203从CDR芯片201获取发端失锁状态信息；或者，MCU203在主程序的每次循环过程中，从CDR芯片201获取发端失锁状态信息。

例如，在型号为GN2010D的CDR芯片中，设置的发端速率模式从最高速率模式向最低速率模式排序，分别是：第一速率模式、第二速率模式、第三速率模式。

若将发端速率模式设置为第一速率模式，则第一CDR单元212可以对10.3Gb/s-11.7Gb/s速率的电信号进行锁定。

若将发端速率模式设置为第二速率模式，则第一CDR单元212可以对9.95Gb/s-11.3Gb/s速率的电信号进行锁定。

若将发端速率模式设置为第三速率模式，则第一CDR单元212可以对8.5Gb/s速率左右及以下的电信号进行锁定；并对于速率过低的电信号不必进行整形，对其直接旁路直通。

图3示出了MCU对型号为GN2010D的CDR芯片中的发端速率模式的自适应调整方法的流程，包括如下步骤：

S301：MCU从CDR芯片获取发端失锁状态信息。

具体地，MCU通过通信总线从CDR芯片获取相关寄存器中的相关状态位的值；比如获取reg19.bit1的状态位TX CDR LOL的值；若TX CDR LOL的值为1，表明发端失锁状态信息为失锁；若TX CDR LOL的值为0，表明发端失锁状态信息为锁定。

S302：MCU若判断出发端失锁状态信息由锁定状态转换为失锁状态，则执行如下步骤S303；若判断出发端失锁状态信息保持锁定状态，不用进行发端速率模式的调整，跳转到步骤S320结束。

具体地，MCU若判断出当前获取的发端失锁状态信息为失锁状态，而之前获取的发端失锁状态信息为锁定状态，在确定出发端失锁状态信息由锁定状态转换为失锁状态，即表明信号速率发生了变化导致第一CDR单元不能锁定当前的电信号，需要进行发端速率模式的调整，则执行如下步骤S303。如果当前获取的发端失锁状态信息仍保持为锁定状态，则表明不用进行发端速率模式的调整，跳转到步骤S320结束。

S303：MCU判断光模块当前是否为低功耗模式，以及发端输出是否关闭；若判断出光模块当前为非低功耗模式，且发端输出没有关闭，则继续执行步骤S304，进行发端速率模式的调整；否则，跳转到步骤S320结束。

S304：MCU将CDR芯片中的发端速率模式设置为最高速率模式——第一速率模式。

S305：MCU从CDR芯片获取发端失锁状态信息。

S306：MCU判断当前获取的发端失锁状态信息是否为失锁状态；若是，继续进行下次调整，执行步骤S307；若否，表明在第一速率模式下第一CDR单元已经可以锁定当前传输的电信号，不必再进行下次调整，跳转到步骤S320结束。

S307：MCU将CDR芯片中的发端速率模式设置为第二速率模式。

S308：MCU从CDR芯片获取发端失锁状态信息。

S309：MCU判断当前获取的发端失锁状态信息是否为失锁状态；若是，继续进行下次调整，执行步骤S310；若否，表明在第一速率模式下第一CDR单元已经可以锁定当前传输的电信号，不必再进行下次调整，跳转到步骤S320结束。

S310：MCU将CDR芯片中的发端速率模式设置为第三速率模式。

S320：结束。

进一步，本发明实施例的光模块还包括：光电二极管204和跨阻放大器TIA205；以及CDR芯片201中还集成有：限幅放大电路213和第二CDR单元214。

光电二极管204和TIA205相连，TIA205的电信号输出端通过CDR芯片201的外接引脚与限幅放大电路213的电信号输入端相连，限幅放大电路213对其电信号输入端输入的电信号进行限幅放大输出；第二CDR单元214接收限幅放大电路213输出的电信号后，根据设置的收端速率模式对接收的电信号进行锁定后进行整形，并将整形后的电信号通过CDR芯片201的外接引脚输出；

MCU203还从CDR芯片201获取收端失锁状态信息；并根据获取的收端失锁状态信息对所述CDR芯片201的收端速率模式进行调整。

具体地，MCU203从CDR芯片201获取收端失锁状态信息后，若判断出当前获取的收端失锁状态信息为失锁状态，而之前获取的收端失锁状态信息为锁定状态，则依据如下方法进行所述收端速率模式的调整：

将所述收端速率模式从最高速率模式开始，依次向最低速率模式调整；在每次调整所述收端速率模式后，所述MCU从所述CDR芯片获取收端失锁状态信息；若获取的收端失锁状态信息仍为失锁状态则继续下次调整；若获取的收端失锁状态信息为锁定状态，则不再继续调整。

类似地，MCU203可以周期性地从CDR芯片201获取收端失锁状态信息，例如，以设定周期的定时器来触发MCU203从CDR芯片201获取收端失锁状态信息；或者，MCU203在主程序的每次循环过程中，从CDR芯片201获取收端失锁状态信息。

例如，在型号为GN2010D的CDR芯片中，设置的收端速率模式从最高速率模式向最低速率模式排序，分别是：第一速率模式、第二速率模式、第三速率模式。

若将收端速率模式设置为第一速率模式，则第二CDR单元214可以对10.3Gb/s-11.7Gb/s速率的电信号进行锁定。

若将收端速率模式设置为第二速率模式，则第二CDR单元214可以对9.95Gb/s-11.3Gb/s速率的电信号进行锁定。

若将收端速率模式设置为第三速率模式，则第二CDR单元214可以对8.5Gb/s速率左右及以下的电信号进行锁定；并对于速率过低的电信号不必进行整形，对其直接旁路直通。

图4示出了MCU对型号为GN2010D的CDR芯片中的收端速率模式的自适应调整方法的流程，包括如下步骤：

S401：MCU从CDR芯片获取收端失锁状态信息。

具体地，MCU通过通信总线从CDR芯片获取相关寄存器中的相关状态位的值；比如获取状态位RX CDR LOL的值；若RX CDR LOL的值为1，表明收端失锁状态信息为失锁；若RX CDR LOL的值为0，表明收端失锁状态信息为锁定。

S402：MCU若判断出收端失锁状态信息由锁定状态转换为失锁状态，则执行如下步骤S404；否则，不用进行收端速率模式的调整，跳转到步骤S420结束。

具体地，MCU若判断出当前获取的收端失锁状态信息为失锁状态，而之前获取的收端失锁状态信息为锁定状态，在确定出收端失锁状态信息由锁定状态转换为失锁状态，即表明信号速率发生了变化导致第一CDR单元不能锁定当前的电信号，需要进行收端速率模式的调整，则执行如下步骤S404。如果当前获取的收端失锁状态信息仍保持为锁定状态，则表明不用进行收端速率模式的调整，跳转到步骤S420结束。

S404：MCU将CDR芯片中的收端速率模式设置为最高速率模式——第一速率模式。

S405：MCU从CDR芯片获取收端失锁状态信息。

S406：MCU判断当前获取的收端失锁状态信息是否为失锁状态；若是，继续进行下次调整，执行步骤S407；若否，表明在第一速率模式下第一CDR单元已经可以锁定当前传输的电信号，不必再进行下次调整，跳转到步骤S420结束。

S407：MCU将CDR芯片中的收端速率模式设置为第二速率模式。

S408：MCU从CDR芯片获取收端失锁状态信息。

S409：MCU判断当前获取的收端失锁状态信息是否为失锁状态；若是，继续进行下次调整，执行步骤S410；若否，表明在第一速率模式下第一CDR单元已经可以锁定当前传输的电信号，不必再进行下次调整，跳转到步骤S420结束。

S410：MCU将CDR芯片中的收端速率模式设置为第三速率模式。

S420：结束。

由于考虑到，对于XFP光模块通常是连续传输的工作模式，且通常发端信号速率与收端信号速率是相同的；因此，MCU在确定光电二极管204没有探测到有效光信号后，将CDR芯片201中的收端速率模式调整到与所述发端速率模式相同。

上述的激光发射光源可以封装于TOSA中，光电二极管和TIA可以封装于ROSA中；或者，上述的激光发射光源、光电二极管和TIA封装于BOSA中。

本发明实施例提供的光模块由于通过光模块中的MCU获取CDR芯片中的失锁状态信息作为反馈信息，来对CDR芯片中的速率模式进行自适应调整，而不再是上电后固定的速率模式；从而CDR芯片可以根据当前信号速率，调整为适合锁定当前速率的信号的速率模式，达到对于更宽速率范围的信号进行整形、保证信号质量的目的；使得光模块可以兼容光网络中不同传输速率的传输协议。

本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分步骤是可以通过程序来指令相关的硬件来完成，该程序可以存储于一计算机可读取存储介质中，如：ROM/RAM、磁碟、光盘等。

以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种光模块，包括：CDR芯片、激光发射光源、MCU；

其中，所述CDR芯片中集成了激光驱动电路和第一CDR单元；

所述激光驱动电路通过所述CDR芯片的外接引脚与所述激光发射光源相连，第一CDR单元通过所述CDR芯片的外接引脚接收到电信号后，根据设置的发端速率模式对接收的电信号锁定后进行整形，并输出整形后的电信号到所述激光驱动电路的电信号输入端，所述激光驱动电路根据从其电信号输入端输入的电信号驱动所述激光发射光源发射激光；

所述MCU与所述CDR芯片通过通信总线相连，所述MCU从所述CDR芯片获取发端失锁状态信息；并根据获取的发端失锁状态信息对所述CDR芯片的发端速率模式进行调整。

2.如权利要求1所述的光模块，还包括：光电二极管和跨阻放大器TIA；以及所述CDR芯片中还集成有：限幅放大电路和第二CDR单元；其中，

所述光电二极管和TIA相连，所述TIA的电信号输出端通过所述CDR芯片的外接引脚与所述限幅放大电路的电信号输入端相连，所述限幅放大电路对其电信号输入端输入的电信号进行限幅放大输出；第二CDR单元接收所述限幅放大电路输出的电信号后，根据设置的收端速率模式对接收的电信号进行锁定后进行整形，并将整形后的电信号通过所述CDR芯片的外接引脚输出；

所述MCU还从所述CDR芯片获取收端失锁状态信息；并根据获取的收端失锁状态信息对所述CDR芯片的收端速率模式进行调整。

3.如权利要求1所述的光模块，其中，

所述MCU还用于在确定所述光电二极管没有探测到有效光信号后，将所述CDR芯片中的收端速率模式调整到与所述发端速率模式相同。

4.如权利要求1-3任一所述的光模块，其特征在于，所述激光发射光源封装于TOSA中，所述光电二极管和TIA封装于ROSA中；或者，

所述激光发射光源、光电二极管和TIA封装于BOSA中。

5.一种光模块中CDR芯片的速率模式自适应调整方法，其特征在于，包括：

所述光模块中的MCU从所述光模块中的CDR芯片获取发端失锁状态信息；并根据获取的发端失锁状态信息对所述CDR芯片的发端速率模式进行调整；

其中，所述光模块还包括：激光发射光源；所述CDR芯片中集成了激光驱动电路和第一CDR单元；

所述激光驱动电路通过所述CDR芯片的外接引脚与所述激光发射光源相连，第一CDR单元通过所述CDR芯片的外接引脚接收到电信号后，根据设置的发端速率模式对接收的电信号锁定后进行整形，并输出整形后的电信号到所述激光驱动电路的电信号输入端，所述激光驱动电路根据从其电信号输入端输入的电信号驱动所述激光发射光源发射激光。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述根据获取的发端失锁状态信息对所述CDR芯片的发端速率模式进行调整，具体包括：

所述MCU若判断出当前获取的发端失锁状态信息为失锁状态，而之前获取的发端失锁状态信息为锁定状态，则依据如下方法进行所述发端速率模式的调整：

将所述发端速率模式从最高速率模式开始，依次向最低速率模式调整；在每次调整所述发端速率模式后，所述MCU从所述CDR芯片获取发端失锁状态信息；若获取的发端失锁状态信息仍为失锁状态则继续下次调整；若获取的发端失锁状态信息为锁定状态，则不再继续调整。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，还包括：

所述MCU还从所述CDR芯片获取收端失锁状态信息；并根据获取的收端失锁状态信息对所述CDR芯片的收端速率模式进行调整；以及

所述光模块中还包括：光电二极管和跨阻放大器TIA；以及所述CDR芯片中还集成有：限幅放大电路和第二CDR单元；

其中，所述光电二极管和TIA相连，所述TIA的电信号输出端通过所述CDR芯片的外接引脚与所述限幅放大电路的电信号输入端相连，所述限幅放大电路对其电信号输入端输入的电信号进行限幅放大输出；第二CDR单元接收所述限幅放大电路输出的电信号后，根据设置的收端速率模式对接收的电信号锁定后进行整形，并将整形后的电信号通过所述CDR芯片的外接引脚输出。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述根据获取的收端失锁状态信息对所述CDR芯片的收端速率模式进行调整，具体包括：

所述MCU若判断出当前获取的收端失锁状态信息为失锁状态，而之前获取的收端失锁状态信息为锁定状态，则依据如下方法进行所述收端速率模式的调整：

将所述收端速率模式从最高速率模式开始，依次向最低速率模式调整；在每次调整所述收端速率模式后，所述MCU从所述CDR芯片获取收端失锁状态信息；若获取的收端失锁状态信息仍为失锁状态则继续下次调整；若获取的收端失锁状态信息为锁定状态，则不再继续调整。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，在所述将所述收端速率模式从最高速率模式开始，依速率的高低顺序，依次向最低速率模式调整之前，还包括：

所述MCU确定所述光模块当前为非低功耗模式，且发端输出没有关闭。

10.如权利要求5-9任一所述的方法，其特征在于，还包括：

所述MCU在确定所述光电二极管没有探测到有效光信号后，将所述CDR芯片中的收端速率模式调整到与所述发端速率模式相同。

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