CN103146378A - 氧氮化物基磷光体、包含其的发光装置及其制备方法 - Google Patents
氧氮化物基磷光体、包含其的发光装置及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103146378A CN103146378A CN2012105257041A CN201210525704A CN103146378A CN 103146378 A CN103146378 A CN 103146378A CN 2012105257041 A CN2012105257041 A CN 2012105257041A CN 201210525704 A CN201210525704 A CN 201210525704A CN 103146378 A CN103146378 A CN 103146378A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- based phosphor
- light
- oxynitride based
- oxynitride
- rare earth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 88
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 25
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 26
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N dysprosium atom Chemical compound [Dy] KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N holmium atom Chemical compound [Ho] KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 238000000634 powder X-ray diffraction Methods 0.000 claims abstract description 8
- PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N praseodymium atom Chemical compound [Pr] PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- FRNOGLGSGLTDKL-UHFFFAOYSA-N thulium atom Chemical compound [Tm] FRNOGLGSGLTDKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 90
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 11
- 238000001354 calcination Methods 0.000 claims description 10
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 6
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 21
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 16
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 15
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 15
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 13
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 12
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 11
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 9
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 9
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 6
- 238000003991 Rietveld refinement Methods 0.000 description 4
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 4
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 4
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 4
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 3
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010183 spectrum analysis Methods 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001025261 Neoraja caerulea Species 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002795 Si–Al–O–N Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- AEBZCFFCDTZXHP-UHFFFAOYSA-N europium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Eu+3].[Eu+3] AEBZCFFCDTZXHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003837 high-temperature calcination Methods 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 230000001795 light effect Effects 0.000 description 1
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/0883—Arsenides; Nitrides; Phosphides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
- C09K11/7729—Chalcogenides
- C09K11/7731—Chalcogenides with alkaline earth metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
- C09K11/77347—Silicon Nitrides or Silicon Oxynitrides
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
本发明提供了一种氧氮化物基磷光体和包括所述磷光体的发光装置。所述氧氮化物基磷光体包含溶于由通式Ca15Si20O10N30表示的主体材料中的稀土元素。所述稀土元素为选自由锰（Mn）、铈（Ce）、镨（Pr）、钕（Nd）、钐（Sm）、铕（Eu）、钆（Gd）、镝（Dy）、铽（Tb）、钬（Ho）、铒（Er）、铥（Tm）和镱（Yb）组成的组中的至少一者。所述主体材料具有根据X射线粉末衍射图谱的峰值的晶格，并且所述晶格具有立方晶体结构。
Description
相关专利申请的交叉引用
本申请要求于2011年12月7日提交的韩国专利申请No.10-2011-0130256的优先权，其内容通过引用并入本文。
技术领域
本申请涉及具有新的晶体结构的氧氮化物基磷光体以及包括所述氧氮化物基磷光体的发光装置。
背景技术
通常，由于白光发光二极管（LED）在发光装置、LCD背光、汽车发光装置等中的使用，因此，其近来占主导地位，所述白光发光二极管包括作为激发源的发射蓝光或近紫外光的LED以及用于将从LED发出的光波长转换成可见光的磷光体。
实施白光LED的代表性方法包括：利用由InGaN基材料（波长为450nm至550nm）形成的蓝光LED作为发光元件并且利用发射黄光并由组成式(Y,Gd)3(Al,Ga)5O12表示的YAG基磷光体作为磷光体。在白光LED中，从所述发光元件发出的蓝光入射到磷光体层上并在所述磷光体层中反复被吸收和散射。由经波长转换的蓝光形成的黄光与一部分入射的蓝光混合，使得通过反复处理而在所述磷光体中被吸收的蓝光可以作为白光呈现在人眼中。
然而，具有这种结构的白光二极管在其光中几乎不具有红光分量，并且具有高色温和不足的绿光分量，因此，所述白光二极管仅起到具有低的显色性的照明灯作用。
此外，当激发源的波长超过400nm时，氧化物基磷光体的发光强度通常易于劣化，因此其不适于利用蓝光提供具有高亮度的白光。
因此，氧氮化物基磷光体近来在白光LED应用领域中备受关注，所述氧氮化物基磷光体在激发源的波长超过400nm的情况中具有优异的发光效率，同时具有等于或大于氧化物基磷光体的稳定性。氧氮化物磷光体起初是作为工程陶瓷而开发的材料，因此其难以发生由于水分或热引起的效率下降并且变色水平较低。
然而，对在除α-型或β-型赛隆（Si-Al-O-N）以外的组成领域存在的氧氮化物基磷光体的研究还没有真正进行或几乎不为人所知。
发明内容
本申请的一方面提供一种氧氮化物基磷光体，其具有优异的结构稳定性，特别是在红光波段中具有优异的发光亮度并且具有有助于提高发光亮度的新晶体结构，因此，其适合用于LED应用领域。
本申请的另一方面还提供一种发光装置，其包括所述氧氮化物基磷光体。
根据本发明的一方面，提供了一种氧氮化物基磷光体，其具有溶于由通式Ca15Si20O10N30表示的主体材料（host material）中的稀土元素。所述稀土元素为选自由锰（Mn）、铈（Ce）、镨（Pr）、钕（Nd）、钐（Sm）、铕（Eu）、钆（Gd）、镝（Dy）、铽（Tb）、钬（Ho）、铒（Er）、铥（Tm）和镱（Yb）组成的组中的至少一者。所述主体材料具有根据X射线粉末衍射图谱的峰值的晶格，其中所述晶格具有立方晶体结构。
当稀土元素表示为Re时，氧氮化物磷光体由以下通式表示：(Ca1-x)15Si20O10N30:Rex（0.0001<x<0.2）。
在主体材料的立方晶体结构中，晶体常数
并且所述晶体常数a的变化率可以为10%或更小。
所述稀土元素可以是Eu2+。
所述立方晶体结构的空间群（space group）为Pa-3。
相对于峰波长在250nm至550nm范围内的激发光，所述氧氮化物基磷光体表现出的发光峰波长可以为600nm至660nm。
所述氧氮化物基磷光体的平均粒度可以为1μm至20μm。
根据本发明的另一方面，提供了一种发光装置，其包括用于发射激发光的发光元件。波长转换单元吸收激发光并发射可见光。所述波长转换单元可以包括这样的氧氮化物基磷光体：其具有溶于由通式Ca15Si20O10N30表示的主体材料中的稀土元素。所述稀土元素为选自由锰（Mn）、铈（Ce）、镨（Pr）、钕（Nd）、钐（Sm）、铕（Eu）、钆（Gd）、镝（Dy）、铽（Tb）、钬（Ho）、铒（Er）、铥（Tm）和镱（Yb）组成的组中的至少一者。所述主体材料具有根据X射线粉末衍射图谱的峰值的晶格，其中所述晶格具有立方晶体结构。
所述发光元件可以是紫外光发光二极管或蓝光发光二极管。
在本申请的另一方面中，提供了一种制备氧氮化物基磷光体的方法。该方法包括将稀土氧化物与具有通式Ca15Si20O10N30的主体材料混合，以形成混合物。在气体气氛下在约1400℃至1600℃的温度下焙烧所述混合物。所述稀土元素为选自由锰（Mn）、铈（Ce）、镨（Pr）、钕（Nd）、钐（Sm）、铕（Eu）、钆（Gd）、镝（Dy）、铽（Tb）、钬（Ho）、铒（Er）、铥（Tm）和镱（Yb）组成的组中的至少一者。所述主体材料具有根据X射线粉末衍射图谱的峰值的晶格。所述晶格具有立方晶体结构。
另外的优点和新的特征部分地在以下说明书中描述，并且部分地通过了解以下说明和附图，这些优点和特征对于本领域的技术人员来说将变得显而易见，或者可以通过以下例子中的制备和操作来理解。通过实施或使用在以下详细讨论的实施例中描述的方法学、手段和组合的多个方面，可以实现并获得本教导的优点。
附图简要说明
通过结合附图所进行的以下详细说明，将会更清楚地理解本申请的上述方面和其他方面、特征和其他优点，其中：
图1是示意性示出本发明的氧氮化物基磷光体的三元组成图；
图2-4是示出对在改变作为原料而提供的CaO和SiN4/3的比例的同时根据焙烧温度获得的材料的晶体结构进行分析得到的XRD图谱的图；
图5是示出相关领域已知的四种晶体结构的XRD图谱的图，从而与图2-4的XRD图谱进行比较；
图6和7是示出通过分别根据1500℃和1600℃的焙烧温度精确调整CaO和SiN4/3的比例而获得的组合物的XRD图谱的图；
图8是示出根据本申请实施例1-9的磷光体的光致发光（PL）特性的图；
图9是示出在制造磷光体后使用X射线衍射（XRD）所得的本申请实施例的磷光体的晶体结构分析结果的图；
图10是示出通过使用Rietveld法所得的晶体结构分析结果的图；以及
图11是示意性示出本申请实施例的磷光体的晶体结构的图。
具体实施方式
在以下详细说明中，通过例子描述了众多特定细节以便对相关教导进行全面理解。但是对于本领域的技术人员显而易见的是，没有这些细节也能够实施本发明的教导。在其他情况中，已经相对上位地描述了众所周知的方法、工艺、成分和/或线路，而未作详细描述，以避免不必要地掩盖本发明的教导。
以下将结合附图对本发明的例子进行详细描述。但是，本申请可以以多种不同的形式示例，而不应当解释为本申请局限于本文所述的这些特定例子。相反，提供这些例子是为了使得本申请的范围透彻和完整，并且充分地向本领域的技术人员传达本申请的范围。在附图中，为了清晰起见，元件的形状和尺寸可能被放大，并且在全文中使用的相同的参考标记表示相同或相似的元件。
根据本申请例子的氧氮化物基磷光体具有溶于由通式Ca15Si20O10N30表示的主体材料中的稀土元素。所述稀土元素为选自由锰（Mn）、铈（Ce）、镨（Pr）、钕（Nd）、钐（Sm）、铕（Eu）、钆（Gd）、镝（Dy）、铽（Tb）、钬（Ho）、铒（Er）、铥（Tm）和镱（Yb）组成的组中的至少一者。所述主体材料具有根据X射线粉末衍射图谱的峰值的晶格，其中所述晶格具有立方晶体结构。特别是，当所述稀土元素表示为Re时，氧氮化物磷光体可以由以下通式表示：(Ca1-x)15Si20O10N30:Rex（0.0001<x<0.2）。本申请实施方案的磷光体的组成式可以示于图1的三元组成图中。
如果对所述主体材料作更具体的描述，那么所述立方晶体结构满足的是晶体常数并且α=γ=β=90°。此外，经证实，立方晶体结构的空间群对应于Pa-3。在这种情况下，当晶体常数a和空间群的变化率分别为10%或更小时，可以认为使用了相同的组成。
具有上述结构的氧氮化物基磷光体具有相关领域中未知的新的晶体结构。在其中Eu等被溶解作为发光金属元素的情况中，如果向其照射作为激发源的紫外光或可见光，则氧氮化物基磷光体在绿光波段到红光波段范围内的波段内（特别是在约600-660nm的波长范围内）具有优异的效率。氧氮化物基磷光体起到波长转换单元的作用，因此适合用作诸如发光二极管等发光元件用的磷光体。通过使用所述发光元件和磷光体组合物，可以获得发光装置，特别是能够发射白光的发光装置。以下将详细描述氧氮化物基磷光体的新的晶体结构。
根据本发明人进行的试验，在所述组成条件之外的情况中，晶体结构发生改变，而不是立方晶体结构，导致不能获得磷光体的期望特征。但是，对于获得立方晶体结构而言，满足所述组成条件并不是必须的，并且如果获得了立方晶体结构，即使是在所述组成条件之外的情况下，也可以认为这种情况包括在本申请的范围内。
同时，具有上述结构的磷光体可以由氧氮化物制成，因此其具有优异的结构稳定性，由此，所述磷光体具有改进的环境稳定性，所述环境包括氧化气氛或潮湿环境。
在某些例子中，具有所述组成式的磷光体组合物被构造成单相，但可以包括不可避免地在制备过程中以微量生成的非结晶相或除了立方晶相之外的其他晶相。所述磷光体组合物可以包含含有非结晶相或其他晶相的化合物，只要不影响其特性即可。
同时，本申请实施方案的磷光体的平均粒度可以在1μm至20μm的范围内。这是因为，当平均粒度小于1μm时，由于不利于光散射和均匀分散至封装LED的树脂材料中，因此导致光吸收率可能下降，同时，当平均粒度大于20μm时，则可能产生不规则的发光强度和颜色。
下文以例子的方式描述制备具有上述结构的氧氮化物基磷光体的方法。
对于用于制备磷光体的原料，使用氮化硅（Si3N4）粉末、氧化钙（CaO）粉末和氧化铕（Eu2O3）粉末作为主要成分，Ca、Si和Eu。称量诸如CaO、α-Si3N4和Eu2O3等原料并进行混合以具有预定的组成，在这种情况下，每个样品的混合物的量为1g。在环境温度下对对所述原料手工进行混合操作10分钟。
在氮气气氛下将如上获得的混合物样品焙烧，在所述氮气气氛中，提供了压力高于大气压并且压力低于20atm的气压的氮气和0~25%的氢气。当在上述氮气气氛下进行焙烧时，可以防止或抑制在高温焙烧过程中合成的氮化物发生分解，并且在所得氮化物中的组成偏差可以降低，从而能够制造具有优异性能的磷光体组合物。同时，提供氮气作为主要成分这一事实是指氮气的含量占气体总量的75%或更高。此外，焙烧温度可以为约1400℃至1600℃。此外，焙烧时间可以在约30分钟至100小时的范围内，但考虑到品质和产率，在其他例子中可以为2小时至12小时。在该例子中，焙烧可以在大气压和超纯氮气（99.999%）气氛中在约1525℃的焙烧温度下进行约8小时。可以对其进行粉碎操作以制备磷光体。
本申请的发明人已经证实，具有本申请实施方案的组成式的磷光体实际上是通过利用上述制备工艺，通过调节原料的混合比例和其使用的焙烧温度来合成的。就此而言，将结合图2-7的XRD图谱分析结果进行详细说明。图2-4示出了对在改变作为原料提供的CaO和SiN4/3的比例的同时根据焙烧温度获得的材料的晶体结构进行分析得到的XRD图谱。图5示出了相关领域中四种已知的晶体结构的XRD谱图，以与图2-4的XRD谱图进行比较。参照图2-4，在下述条件下获得了Ca15Si20O10N30晶体，所述条件为：CaO和SiN4/3的比例在3:7至5:5的范围内，并且焙烧温度为约1400℃至1500℃。
图6和7示出了通过分别根据约1500℃和1600℃的焙烧温度精确调整CaO和SiN4/3的比例而获得的组合物的XRD谱图。在焙烧温度为1400℃的情况中，示出其结果类似于焙烧温度为1500℃的情况。在图6和7中，当在1500℃的焙烧温度下将CaO和SiN4/3的比例改变为15:16-15:21时，证实获得了Ca15Si20O10N30晶体。与此不同的是，在1600℃的焙烧温度下难以合成Ca15Si20O10N30晶体。
基于XRD图谱分析结果，按照以下实施例所述制备具有不同活化剂（Eu）含量的磷光体组合物。
[实施例1]
对于用于实施例1的磷光体组合物的原料粉末，分别称取0.4641g的CaO、0.5212g的α-Si3N4和0.0147g的Eu2O3，随后使用研钵在环境气氛下手动将其混合，从而获得1g原粉末混合物。将所述1g原粉末混合物装入坩埚中，将氮气以500cc/分钟的量提供至焙烧炉的内部。通过在约1525℃下进行加热进行焙烧处理约8小时，随后对其进行粉碎操作，从而获得磷光体组合物。当所述磷光体组合物被460nm的光源激发时，证实其中心发光峰为约609nm。
[实施例2]
对于用于实施例2的磷光体组合物的原料粉末，分别称取0.4548g的CaO、0.5160g的α-Si3N4和0.0291g的Eu2O3，随后使用研钵在环境气氛下手动将其混合，从而获得1g原粉末混合物。将所述1g原粉末混合物装入坩埚中，将氮气以500cc/分钟的量提供至焙烧炉的内部。通过在约1525℃下进行加热进行焙烧处理约8小时，随后对其进行粉碎操作，从而获得磷光体组合物。当所述磷光体组合物被460nm的光源激发时，证实其中心发光峰为约630nm。
[实施例3]
对于用于实施例3的磷光体组合物的原料粉末，分别称取0.4458g的CaO、0.5110g的α-Si3N4和0.0433g的Eu2O3，随后使用研钵在环境气氛下手动将其混合，从而获得1g原粉末混合物。将所述1g原粉末混合物装入坩埚中，将氮气以500cc/分钟的量提供至焙烧炉的内部。通过在约1525℃下进行加热进行焙烧处理约8小时，随后对其进行粉碎操作，从而获得磷光体组合物。当所述磷光体组合物被460nm的光源激发时，证实其中心发光峰为约641nm。
[实施例4]
对于用于实施例4的磷光体组合物的原料粉末，分别称取0.4369g的CaO、0.5060g的α-Si3N4和0.0571g的Eu2O3，随后使用研钵在环境气氛下手动将其混合，从而获得1g原粉末混合物。将所述1g原粉末混合物装入坩埚中，将氮气以500cc/分钟的量提供至焙烧炉的内部。通过在约1525℃下进行加热进行焙烧处理约8小时，随后对其进行粉碎操作，从而获得磷光体组合物。当所述磷光体组合物被460nm的光源激发时，证实其中心发光峰为约641nm。
[实施例5]
对于用于实施例5的磷光体组合物的原料粉末，分别称取0.4282g的CaO、0.5011g的α-Si3N4和0.0707g的Eu2O3，随后使用研钵在环境气氛下手动将其混合，从而获得1g原粉末混合物。将所述1g原粉末混合物装入坩埚中，将氮气以500cc/分钟的量提供至焙烧炉的内部。通过在约1525℃下进行加热进行焙烧处理约8小时，随后对其进行粉碎操作，从而获得磷光体组合物。当所述磷光体组合物被460nm的光源激发时，证实其中心发光峰为约648nm。
[实施例6]
对于用于实施例6的磷光体组合物的原料粉末，分别称取0.4196g的CaO、0.4963g的α-Si3N4和0.0840g的Eu2O3，随后使用研钵在环境气氛下手动将其混合，从而获得1g原粉末混合物。将所述1g原粉末混合物装入坩埚中，将氮气以500cc/分钟的量提供至焙烧炉的内部。通过在约1525℃下进行加热进行焙烧处理约8小时，随后对其进行粉碎操作，从而获得磷光体组合物。当所述磷光体组合物被460nm的光源激发时，证实其中心发光峰为约655nm。
[实施例7]
对于用于实施例7的磷光体组合物的原料粉末，分别称取0.4112g的CaO、0.4916g的α-Si3N4和0.0971g的Eu2O3，随后使用研钵在环境气氛下手动将其混合，从而获得1g原粉末混合物。将所述1g原粉末混合物装入坩埚中，将氮气以500cc/分钟的量提供至焙烧炉的内部。通过在约1525℃下进行加热进行焙烧处理约8小时，随后对其进行粉碎操作，从而获得磷光体组合物。当所述磷光体组合物被460nm的光源激发时，证实其中心发光峰为约654nm。
[实施例8]
对于用于实施例8的磷光体组合物的原料粉末，分别称取0.4030g的CaO、0.4870g的α-Si3N4和0.1100g的Eu2O3，随后使用研钵在环境气氛下手动将其混合，从而获得1g原粉末混合物。将所述1g原粉末混合物装入坩埚中，将氮气以500cc/分钟的量提供至焙烧炉的内部。通过在约1525℃下进行加热进行焙烧处理约8小时，随后对其进行粉碎操作，从而获得磷光体组合物。当所述磷光体组合物被460nm的光源激发时，证实其中心发光峰为约655nm。
[实施例9]
对于用于实施例9的磷光体组合物的原料粉末，分别称取0.3949g的CaO、0.4825g的α-Si3N4、0.1226g的Eu2O3，随后使用研钵在环境气氛下手动将其混合，从而获得1g原粉末混合物。将所述1g原粉末混合物装入坩埚中，将氮气以500cc/分钟的量提供至焙烧炉的内部。通过在约1525℃下进行加热进行焙烧处理约8小时，随后对其进行粉碎操作，从而获得磷光体组合物。当所述磷光体组合物被460nm的光源激发时，证实其中心发光峰为约660nm。
实施例1-9中原料的混合比例及其所得的发光特性列于以下表1中。在这种情况中，大致推出峰波长值。
[表1]
如图8所示，使用光致发光(PL)发光装置对如上制备的磷光体组合物的发光特性进行分析，示出了亮度和中心波长随着Eu2浓度的变化而发生的变化。如图8所示的那样，峰波长随着Eu量的升高而变大。图9是示出在制备磷光体后利用X射线衍射（XRD）得到的本申请实施例的磷光体的晶体结构分析结果的图。为了精确分析晶体结构，在进行XRD分析之后，对所选磷光体组合物进行模式匹配（profile matching），在这种情况下，用于分析的磷光体组合物为(Ca1-x)15Si20O10N30:Eux（x=0.04）。另外，通过使用Rietveld法对具有所述组成的磷光体样品的晶体结构进行分析。
Rietveld法是这样的方法：将通过实际测量所得的实际所测X射线衍射强度与通过对由推算晶体结构而构造的晶体结构模型进行理论计算所得的X射线衍射强度进行比较，并且使用最小二乘法修正后一模型的多个结构参数以减小两种强度之间的差值，由此推导出精确的晶体结构模型。
根据Rietveld法所得的分析结果如图10所示，通过该分析结果可以理解所述磷光体组合物的原子的精确位置。结果是，所述磷光体组合物的晶体结构如图11和表2所示，在这种情况下，蓝色表示氮原子，红色表示氧原子，绿色表示钙（Ca）原子，并且在四边形棱锥中存在的原子表示硅（Si）原子。在这种情况中，实施例中可能存在误差，但是，如上所述，只要该误差的变化比在约10%内，就可以认为使用了相同的组合物。
[表2]
如上所述，根据本申请的实施方案，提供了一种氧氮化物基磷光体和包含所述氧氮化物基磷光体的发光装置，所述氧氮化物基磷光体具有优异的结构稳定性，特别是在红光波段内具有优异的发光亮度并且具有有利于改进发光亮度的新的晶体结构，因此，其适于用于LED应用领域。
虽然以上描述了认为是最佳的方式和/或其他实施例，但是，应当理解的是，在其范围内可进行各种更改，并且本文所述的主题可以以多种形式和实施例来实施，这些教导可用于众多应用中，本文只描述了其中的某些应用。希望通过以下权利要求书来保护任何和全部落入本发明教导范围内的应用、变体和改变。
Claims (20)
1.一种氧氮化物基磷光体，包含：
溶于主体材料中的稀土元素，所述主体材料由以下通式表示：
Ca15Si20O10N30，
其中所述稀土元素为选自由锰（Mn）、铈（Ce）、镨（Pr）、钕（Nd）、钐（Sm）、铕（Eu）、钆（Gd）、镝（Dy）、铽（Tb）、钬（Ho）、铒（Er）、铥（Tm）和镱（Yb）组成的组中的至少一者，并且
所述主体材料具有根据X射线粉末衍射图谱的峰值的晶格，所述晶格具有立方晶体结构。
2.权利要求1所述的氧氮化物基磷光体，其中，当所述稀土元素表示为Re时，所述氧氮化物基磷光体由以下通式表示：
(Ca1-x)15Si20O10N30:Rex（0.0001<x<0.2）。
3.权利要求1所述的氧氮化物基磷光体，其中，在所述主体材料的所述立方晶体结构中，晶体常数
并且所述晶体常数a的变化率为10%或更小。
4.权利要求1所述的氧氮化物基磷光体，其中所述稀土元素为Eu2+。
5.权利要求1所述的氧氮化物基磷光体，其中所述立方晶体结构的空间群为Pa-3。
6.权利要求1所述的氧氮化物基磷光体，其中相对于峰波长在250nm至550nm范围内的激发光，所述氧氮化物基磷光体表现出的发光峰波长为600nm至660nm。
7.权利要求1所述的氧氮化物基磷光体，其中所述氧氮化物基磷光体的平均粒度为1μm至20μm。
8.一种发光装置，包括：
发光元件，其被构造成发射激发光；以及
波长转换单元，其被构造成吸收所述激发光并发射可见光，
其中所述波长转换单元包括：
氧氮化物基磷光体，所述氧氮化物基磷光体具有溶于由以下通式表示的主体材料中的稀土元素：
Ca15Si20O10N30，
其中所述稀土元素为选自由锰（Mn）、铈（Ce）、镨（Pr）、钕（Nd）、钐（Sm）、铕（Eu）、钆（Gd）、镝（Dy）、铽（Tb）、钬（Ho）、铒（Er）、铥（Tm）和镱（Yb）组成的组中的至少一者，并且
所述主体材料具有根据X射线粉末衍射图谱的峰值的晶格，所述晶格具有立方晶体结构。
9.权利要求8所述的发光装置，其中所述发光元件是紫外光发光二极管或蓝光发光二极管。
10.权利要求8所述的发光装置，其中当所述稀土元素表示为Re时，所述氧氮化物基磷光体由以下通式表示：
(Ca1-x)15Si20O10N30:Rex（0.0001<x<0.2）。
11.权利要求8所述的发光装置，其中在所述主体材料的立方晶体结构中，晶体常数
并且所述晶体常数a的变化率为10%或更小。
12.权利要求8所述的发光装置，其中所述稀土元素为Eu2+。
13.权利要求8所述的发光装置，其中所述立方晶体结构的空间群为Pa-3。
14.权利要求8所述的发光装置，其中相对于峰波长在250nm至550nm范围内的激发光，所述氧氮化物基磷光体表现出的发光峰波长为600nm至660nm。
15.权利要求8所述的发光装置，其中所述氧氮化物基磷光体的平均粒度为1μm至20μm。
16.一种用于制备氧氮化物基磷光体的方法，所述方法包括以下步骤：
将稀土氧化物与具有通式Ca15Si20O10N30的主体材料混合，以形成混合物；以及
在气体气氛下在约1400°C至1600°C的温度下焙烧所述混合物，
其中：
其中所述稀土元素为选自由锰（Mn）、铈（Ce）、镨（Pr）、钕（Nd）、钐（Sm）、铕（Eu）、钆（Gd）、镝（Dy）、铽（Tb）、钬（Ho）、铒（Er）、铥（Tm）和镱（Yb）组成的组中的至少一者，并且
所述主体材料具有根据X射线粉末衍射图谱的峰值的晶格，所述晶格具有立方晶体结构。
17.权利要求16所述的方法，还包括以下步骤：
将经焙烧的所述混合物粉碎，从而形成所述氧氮化物基磷光体。
18.权利要求16所述的方法，其中所述气体气氛是任选地含有氢气的氮气气氛。
19.权利要求16所述的方法，其中所述焙烧步骤是在30分钟至100小时的范围内进行的。
20.权利要求16所述的方法，其中当所述稀土元素表示为Re时，所述氧氮化物基磷光体由以下通式表示：
(Ca1-x)15Si20O10N30:Rex（0.0001<x<0.2）。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2011-0130256 | 2011-12-07 | ||
| KR1020110130256A KR101856534B1 (ko) | 2011-12-07 | 2011-12-07 | 산질화물계 형광체 및 이를 포함하는 발광장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103146378A true CN103146378A (zh) | 2013-06-12 |
| CN103146378B CN103146378B (zh) | 2016-08-10 |
Family
ID=48464823
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201210525704.1A Active CN103146378B (zh) | 2011-12-07 | 2012-12-07 | 氧氮化物基磷光体、包含其的发光装置及其制备方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8686626B2 (zh) |
| KR (1) | KR101856534B1 (zh) |
| CN (1) | CN103146378B (zh) |
| DE (1) | DE102012111876B4 (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105209571A (zh) * | 2013-05-16 | 2015-12-30 | 欧司朗光电半导体有限公司 | 用于制备发光材料的方法、发光材料和光电子器件 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3300128B1 (en) | 2016-09-21 | 2021-03-03 | Vestel Elektronik Sanayi ve Ticaret A.S. | Phosphor arrangement and method |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1818012A (zh) * | 2002-03-22 | 2006-08-16 | 日亚化学工业株式会社 | 氮化物荧光体,其制造方法及发光装置 |
| CN1977030A (zh) * | 2004-06-30 | 2007-06-06 | 独立行政法人物质·材料研究机构 | 荧光体和发光器具 |
| EP2180031A1 (en) * | 2007-08-01 | 2010-04-28 | Mitsubishi Chemical Corporation | Phosphor and method for producing the same, crystalline silicon nitride and method for producing the same, phosphor-containing composition, light-emitting device using the phosphor, image display device, and illuminating device |
| US20110001154A1 (en) * | 2009-06-26 | 2011-01-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of preparing an oxynitride phosphor, oxynitride phosphor obtained using the method, and a white light-emitting device including the oxynitride phosphor |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006126567A1 (ja) * | 2005-05-24 | 2006-11-30 | Mitsubishi Chemical Corporation | 蛍光体及びその利用 |
| WO2007041563A2 (en) | 2005-09-30 | 2007-04-12 | The Regents Of The University Of California | Cerium based phosphor materials for solid-state lighting applications |
| US8057704B2 (en) * | 2006-02-24 | 2011-11-15 | National Institute For Materials Science | Phosphor, method for producing same, and light-emitting device |
| ATE504640T1 (de) | 2007-02-06 | 2011-04-15 | Koninkl Philips Electronics Nv | Rotlicht emittierende lumineszierende oxynitrid- materialien |
| JP5693108B2 (ja) | 2010-03-30 | 2015-04-01 | 三星電子株式会社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 蛍光体、その製造方法及びこれを有する発光装置 |
| KR101164918B1 (ko) | 2010-05-27 | 2012-07-19 | 대덕지디에스 주식회사 | 태양전지모듈 및 그 제조방법 |
| KR101036504B1 (ko) | 2010-12-10 | 2011-05-25 | 최경재 | 옥시나이트라이드계 형광체의 제조방법 |
-
2011
- 2011-12-07 KR KR1020110130256A patent/KR101856534B1/ko active IP Right Grant
-
2012
- 2012-12-06 DE DE102012111876.0A patent/DE102012111876B4/de active Active
- 2012-12-07 US US13/708,319 patent/US8686626B2/en active Active
- 2012-12-07 CN CN201210525704.1A patent/CN103146378B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1818012A (zh) * | 2002-03-22 | 2006-08-16 | 日亚化学工业株式会社 | 氮化物荧光体,其制造方法及发光装置 |
| CN1977030A (zh) * | 2004-06-30 | 2007-06-06 | 独立行政法人物质·材料研究机构 | 荧光体和发光器具 |
| EP2180031A1 (en) * | 2007-08-01 | 2010-04-28 | Mitsubishi Chemical Corporation | Phosphor and method for producing the same, crystalline silicon nitride and method for producing the same, phosphor-containing composition, light-emitting device using the phosphor, image display device, and illuminating device |
| US20110001154A1 (en) * | 2009-06-26 | 2011-01-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of preparing an oxynitride phosphor, oxynitride phosphor obtained using the method, and a white light-emitting device including the oxynitride phosphor |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105209571A (zh) * | 2013-05-16 | 2015-12-30 | 欧司朗光电半导体有限公司 | 用于制备发光材料的方法、发光材料和光电子器件 |
| US10174245B2 (en) | 2013-05-16 | 2019-01-08 | Osram Opto Semiconductor Gmbh | Method for producing a luminescent material, luminescent material and optoelectronic component |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR101856534B1 (ko) | 2018-05-14 |
| US8686626B2 (en) | 2014-04-01 |
| US20130147342A1 (en) | 2013-06-13 |
| CN103146378B (zh) | 2016-08-10 |
| KR20130063731A (ko) | 2013-06-17 |
| DE102012111876A1 (de) | 2013-06-13 |
| DE102012111876B4 (de) | 2022-12-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8158026B2 (en) | Method for preparing B-Sialon phosphor | |
| KR101080215B1 (ko) | 형광체, 그 제조방법 및 발광 장치 | |
| Guo et al. | White-light emission from a single-emitting-component Ca 9 Gd (PO 4) 7: Eu 2+, Mn2+ phosphor with tunable luminescent properties for near-UV light-emitting diodes | |
| CN1942553B (zh) | 白色发光二极管 | |
| Guo et al. | A direct warm-white-emitting Sr 3 Sc (PO 4) 3: Eu 2+, Mn 2+ phosphor with tunable photoluminescence via efficient energy transfer | |
| JP2010511077A (ja) | 窒素酸化物発光材料、その製造方法および応用 | |
| WO2009082714A1 (en) | Novel silicate-based yellow-green phosphors | |
| JP2013543016A (ja) | ケイ素カルビドニトリドベースの蛍光体およびこれを使用する発光素子 | |
| Yongqing et al. | Properties of red-emitting phosphors Sr2MgSi2O7: Eu3+ prepared by gel-combustion method assisted by microwave | |
| EP1824944A2 (en) | Illumination system comprising a radiation source and a luminescent material | |
| JP2015163720A (ja) | ホウリン酸塩蛍光体及び光源 | |
| US20130127333A1 (en) | Oxynitride luminescent material, preparation method thereof and illumination light source made from such material | |
| US8801969B2 (en) | Carbonitride and carbidonitride phosphors and lighting devices using the same | |
| Zhang et al. | Tunable bluish green to yellowish green Ca 2 (1-x) Sr 2x Al 2 SiO 7: Eu 2+ phosphors for potential LED application | |
| Yang et al. | Predominant green emission of Ce 3+–Tb 3+ activated Y 7 O 6 F 9 phosphors | |
| CN107722982A (zh) | 荧光增强的硅基氮氧化物青色荧光粉及其制备方法 | |
| CN103146378A (zh) | 氧氮化物基磷光体、包含其的发光装置及其制备方法 | |
| CN107474838B (zh) | 一种蓝绿色长余辉发光材料及其制备方法 | |
| CN108929681A (zh) | 一种双价态铕离子掺杂的铝酸锶发光材料的制备方法 | |
| CN115873595A (zh) | 一种可调控红光与近红外稀土发光材料及制备方法和红外led装置 | |
| KR101243774B1 (ko) | 산질화물 형광체 | |
| US8585929B2 (en) | Phosphor and method for preparing the same | |
| JP6435514B2 (ja) | 蛍光体 | |
| US8986574B2 (en) | Oxynitride-based phosphor and light emitting device including the same | |
| KR101593286B1 (ko) | 형광체 및 발광 장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |